JP2010016358A - サイドビュー発光ダイオードパッケージ。 - Google Patents

サイドビュー発光ダイオードパッケージ。 Download PDF

Info

Publication number
JP2010016358A
JP2010016358A JP2009130134A JP2009130134A JP2010016358A JP 2010016358 A JP2010016358 A JP 2010016358A JP 2009130134 A JP2009130134 A JP 2009130134A JP 2009130134 A JP2009130134 A JP 2009130134A JP 2010016358 A JP2010016358 A JP 2010016358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package
lead
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009130134A
Other languages
English (en)
Inventor
Sunghoon Kim
スン ホン キム
Jin-Won Lee
ジン ウォン リー
Kyoung-Il Park
キョン イル パク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alti Electronics Co Ltd
Original Assignee
Alti Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alti Electronics Co Ltd filed Critical Alti Electronics Co Ltd
Publication of JP2010016358A publication Critical patent/JP2010016358A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】サイドビュー発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】光出部を有する前面部及び前記前面部と一体を成す後面部を含むハウジングと、前記前面部と後面部と間に位置し、リードフレームを含むサイドビュー発光ダイオードパッケージとして、前記リードフレームは発光ダイオードチップの第1極が連結される第1リード及び前記発光ダイオードチップの第2極が連結される第2リードと含み、前記前面部はその後面に第1グルーブ、及び第2グルーブを有し、前記第1グルーブを通じて前記第1リード及び前記第2リードのそれぞれが前記パッケージの外部に延長され、前記第2グルーブを通じて前記第1リードで延長される放熱部が前記パッケージの外部に延長される。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード技術に関するものであって、より詳細にはサイドビュー発光ダイオードパッケージに関するものである。
LEDと略称される発光ダイオードは、P−N接合の順方向電気がバイアスされる時に、非同調狭帯域光を放出する半導体である。この効果は電気による発光の一形態である。
発光ダイオードは、普通電子装置の小型標示器として使われているが、フラッシュや地域照明などの高出力応用分野にも使われる傾向にある。
このような発光ダイオードはたいてい他の構成要素と共にパッケージ形態として使用されている。発光ダイオードパッケージは、その用途によってトップビュー方式とサイドビュー方式に分類することができる。後者の場合、普通携帯電話やノートパソコンなどの小型携帯用機器のバックライトとして一般的に使用されている。
発光ダイオードパッケージは、普通ハウジングとリードフレームで構成されている。ハウジングは前面部と後面部とを含むことができ、リードフレームはこのような前面部と後面部との間に位置する。リードフレームのパッド上には発光ダイオードチップが装着され、発光ダイオードチップに外部電源から電気を印加して光を発生させる。ハウジングの前面部の中心にはキャビティが形成されており、発光ダイオードチップで生成された光をキャビティを通じて外部に放出させることができる。
一方、発光ダイオードチップに電気を印加して光を発生させる時には発光ダイオードチップに相当な熱が発生する可能性がある。発光ダイオードチップで発生された熱によって発光ダイオードチップが損傷される恐れがあり、発光ダイオードチップの光効率が低下し、かつ発光ダイオードチップの寿命が短縮される可能性がある。
本発明は、発光ダイオードパッケージ内の発光ダイオードチップで発生された熱を外部に放熱させることができる方法を提供する。
上述の課題を達成するため、本発明の一実施形態によると、光出部を有する前面部及び前記前面部と一体を成す後面部を含むハウジングと、前記前面部と後面部との間に位置し、リードフレームを含むサイドビュー発光ダイオードパッケージとして、前記リードフレームは、発光ダイオードチップの第1極が連結される第1リード及び前記発光ダイオードチップの第2極が連結される第2リードとを含み、前記前面部は、その後面に第1グルーブ、及び第2グルーブを有し、前記第1グルーブを通じて前記第1リード及び前記第2リードのそれぞれが前記パッケージの外部に延長され、前記第2グルーブを通じて前記第1リードで延長される放熱部が前記パッケージの外部に延長されるサイドビュー発光ダイオードパッケージが提供される。
前記第2グルーブは前記前面部の後段面の上端の中間にあり、前記第1グルーブは前記前面部の後段面の下端の左側及び前記下端の右側にそれぞれ形成することができる。
前記後面部の上端の中心部に空間が形成されるように前記後面部の上端の中心部の高さは前記後面部の両端の高さより低く、前記放熱部は、前記第1リードの前記第1部から前記第2グルーブを通じてz方向に延長され、再び前記第3空間内で−x軸に延長することができる。
前記放熱部の前記パッケージの外部に延長される部分は前記ハウジングの上面を覆うように形成することができる。
前記前面部は、その前面から外部に突き出されている突出部をさらに含むことができる。
発光ダイオードパッケージ内のリードフレームからパッケージの外部に放熱部を延長させることによって、発光ダイオードチップで発生された熱を効果的に放熱させることができる。
本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの斜視図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの正面図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの背面斜視図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの底面斜視図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージに含まれた一つの例示的なリードフレームの斜視図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの右側面図である。 本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージの斜視図である。
以下では、同一部材は同一の構成要素を参照する添付の図面を通じて本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。本明細書及び特許請求範囲に使われる用語や単語は通常的または辞書的意味として限定して解釈されず、本発明の技術的事項に符合する意味及び概念として解釈されなければならない。
本明細書に記載した実施形態と図面に示した構成は本発明の望ましい実施形態であり、本発明の技術的思想の全部を代弁しないので、本出願時点でこれらを取り替えることができる多様な均等物と変形例があり得る。
本明細書の全体にかけて“前方”または“前面”、“後方”または“後面”、“左側”、及び“右側”はそれぞれx軸方向でパッケージを見た方向、−x軸方向でパッケージを見た方向、−y軸方向でパッケージを見た方向、及びy軸方向でパッケージを見た方向を示す。
図1は本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージ100の斜視図であり、図2は図1に示した発光ダイオードパッケージ100の正面図である。
図1及び2を参照すれば、発光ダイオードパッケージ100は、互いに一体になっている前面部110及び後面部120を含むハウジングと、前面部110と後面部120との間に配置されるリードフレーム130とを含む。
前面部110は、リードフレーム130が外部に露出するようにその中にキャビディ111がある。キャビディ111内には特定波長の光を透過させる樹脂が満たされて発光窓を形成し、発光窓を通じてリードフレーム130のパッド上に配置された発光ダイオードチップ(未図示)から発生された光が外部に放出される。前記樹脂は特定波長の光を吸収して他の波長の光を放出させる蛍光体をさらに含むことができる。
前記キャビディ111を取り囲んでいる内面115はx軸と平行したパッケージ100の中心軸を基準として所定の角度に傾けることができる。すなわち、−x軸方向に行けば行くほど、前記中心軸から内面115までの距離を短くすることができる。
このような構造(未図示)は、発光ダイオードチップから放出される光を外部に効率的に反射させることができるので、パッケージ100の光効率を向上させることができる。
前記内面115は、全部8個の梯形面からなってもよい。上側に位置した上側梯形面と下側に位置した下側梯形面はy軸と平行した中心軸を基準として対称を成し、左側に位置した3個の左側梯形面のそれぞれと右側に位置した3個の右側梯形面のそれぞれはz軸と平行した中心軸を基準として対称を成すことができる。
前記前面部110の前面からは突出部116を突き出させることができる。突出部116は、キャビディ111内に樹脂が満たされる時に樹脂がキャビディ111の外にあふれることを防止することができる。
前面部110の下端面は印刷回路基板など(未図示)の回路ボード上に装着される。
リードフレーム130(未図示)は発光ダイオードチップのプラス極及びマイナス極がそれぞれ連結される第1リード131及び第2リード132を含む。第1リード131からは放熱部133dを延長させることができる。リードフレーム130に対しては図5及び6を参照して詳細に説明する。
図3は図1に示した発光ダイオードパッケージ100の背面斜視図であり、図4は図1に示した発光ダイオードパッケージ100の底面斜視図であり、図5は図1に示した発光ダイオードパッケージ100に含まれた一つの例示的なリードフレーム130の斜視図であり、図6は図1に示した発光ダイオードパッケージ100の右側面図である。
図3及び図4を参照すれば、前面部110の後面の上端中間、下端左側、及び下端右側にはそれぞれ第1グルーブ112、第2グルーブ113、及び第3グルーブ114が形成される。前記それぞれのグルーブを通じて後述のリードフレーム130を突き出させることができる。
後面部120の両端の高さH2は前面部110の両端の高さH1より高さ差ΔHだけ低い。すなわち、後面部120の両端は前面部110の下端面からZ軸方向に高さ差ΔHだけ後退している。このような高さ差ΔHによって第1空間SP1が形成される。後面部120は前方部121と後方部122とを含む。後方部122の幅W2は前方部121の幅W1より幅差ΔWだけ狭い。すなわち、後方部122は前方部121の左側面からy軸方向に1/2幅差ΔWだけ、そして前方部121の右側面から−y軸方向に1/2幅差ΔWだけ後退している。このような幅差ΔWによって第2空間SP2が形成される。
後面部120の中間部分の高さH3は後方部122の高さH2より高さ差ΔH'だけ低い。すなわち、後面部120の中間部分は後方部122の上端面から−z軸方向に高さ差ΔH'だけ後退している。このような高さ差ΔH'によって第3空間SP3が形成される。
図5及び図6を参照すると、リードフレーム130(未図示)は発光ダイオードチップが実装され、発光ダイオードチップのプラス極に連結される第1リード131と前記発光ダイオードチップのマイナス極に連結される第2リード132とを含む。
第1リード131は、第1部131a、第2部131b、及び第3部131cを含み、第2リード132は第1部132a、第2部132b、及び第3部132cを含む。第1リード131(未図示)は、発光ダイオードチップで発生された熱を外部に放出させるための放熱部133dをさらに含む。
図1に示すように、第1部131aの一部はキャビディ111を通じて外部に露出し、第1部131aの残りの部分は前面部110によって覆われて外部に露出しない。
同様に、第2部132aの一部はキャビディ111を通じて外部に露出し、第2部131aの残りの部分は前面部110によって覆われて外部に露出しない。
第2部131bは第1部131aから第2グルーブ113を通じて−z軸方向に延長され、再び第1空間SP1内で−x軸方向に延長される。この時、パッケージ100がx軸方向から見る時に見えないように第2部131bを第1空間SP1内に収容することができる。したがって、制限された高さのパッケージ100において従来の第2部131bが占める空間だけ前面部110の面積、すなわち、キャビディ111の面積を広めることができるので、発光ダイオードチップで発生される光量を増加させることができる。
同様に、第2部132bは第1部132aから第3グルーブ114を通じて−z軸方向に延長され、再び第1空間SP1内で−x軸方向に延長される。この時、パッケージ100がx軸方向から見る時に見えないように第2部132bを第1空間SP1内に収容することができる。したがって、制限された高さのパッケージ100において従来の第2部132bが占める空間だけ前面部110の面積、すなわち、キャビディ111の面積が大きくなることができるので、発光ダイオードチップで発生される光量を増加させることができる。
第3部131cは第2部131bから第1空間SP1内で−y軸方向に延長され、再び第2空間SP2内でz軸方向に延長される。この時、パッケージ100がx軸方向から見る時に見えないように第3部131cを第2球間SP2内に収容することができる。したがって、制限された高さのパッケージ100において従来の第3部131cが占める空間だけ前面部110の面積、すなわち、キャビディ111の面積が大きくなることができるので、発光ダイオードチップで発生される光量を増加させることができる。
同様に、第3部132cは第2部132bから第1空間SP1内でy軸方向に延長され、再び第2空間SP2内でz軸方向に延長される。この時、パッケージ100がx軸方向から見る時に見えないように第3部132cを第2球間SP2内に収容することができる。したがって、制限された高さのパッケージ100において従来の第3部132cが占める空間だけ前面部110の面積、すなわち、キャビディ111の面積が大きくなることができるので、発光ダイオードチップで発生される光量を増加させることができる。
前記第1リード131のうち前面部110の外部に露出する第2部131b及び第3部131c、そして第2リード132のうち前面部110の外部に露出する第2部132b及び第3部132c(未図示)は外部電源から電気を供給すると共に、発光ダイオードチップで発生された熱を外部に放出することができる。
放熱部133dは第1部131aから第1グルーブ112を通じてz軸方向に延長され、再び第3空間SP3内で−x軸方向に延長される。この時、図2に示すように、パッケージ100がx軸方向から見る時に見えないように、図3に示すように第3空間SP3内に放熱部133dを収容することができる。この場合、制限された高さのパッケージ100において放熱部133dが占める空間だけ前面部110の面積、すなわち、キャビディ111の面積が大きくなることができるので、発光ダイオードチップで発生される光量を増加させることができる。
以後、放熱部133dはy軸方向及び−y軸方向にそれぞれ延長され、z軸から見る時に、T字形で形成されることができる。本実施形態は、前記放熱部133dをz軸方向から見る時に、T字形で形成される場合を説明したが、本発明はこれに制限されない。例えば放熱部133dはz軸方向から見る時にはI字、+形態、円形、三角形、及び四角形などの多様な形態で形成されてもよい。
上述のように、第1部131aからパッケージ100の外部に延長されている放熱部133d(未図示)を通じて発光ダイオードチップで発生された熱を効果的にパッケージ100の外部に放出させることができる。
図7は本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージ100の斜視図である。放熱部133dは放熱面積を増加させるために、できるだけ面積が広いようにハウジングの上面を覆うように形成されてもよい。図7に示すように、この場合、製造時及び基板装着時の便宜のためにハウジングの上面を覆う放熱部133dの面積がハウジングの上面の断面積と同一になるように形成されてもよい。
以上では、本発明に対する技術思想を添付の図面を通じて説明したが、これは本発明の望ましい実施形態を例示的に説明したものであり、本発明を限定するものではない。また、この技術分野の通常の知識を持つ者であれば、本発明の技術思想の範囲を離脱しない範囲内で多様な変形及び模倣が可能であることは明白な事実である。

Claims (5)

  1. 光出部を有する前面部及び前記前面部と一体を成す後面部を含むハウジングと、前記前面部と後面部と間に位置し、リードフレームを含むサイドビュー発光ダイオードパッケージとして、前記リードフレームは発光ダイオードチップの第1極が連結される第1リード及び前記発光ダイオードチップの第2極が連結される第2リードと含み、
    前記前面部はその後面に第1グルーブ、及び第2グルーブを有し、前記第1グルーブを通じて前記第1リード及び前記第2リードのそれぞれが前記パッケージの外部に延長され、前記第2グルーブを通じて前記第1リードで延長される放熱部が前記パッケージの外部に延長されることを特徴とするサイドビュー発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記第2グルーブは前記前面部の後段面の上端中間にあり、前記第1グルーブは前記前面部の後段面の下端左側及び前記下端の右側にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項1に記載のサイドビュー発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記後面部の上端中心部に空間が形成されるように前記後面部の上端中心部の高さは前記後面部の両端の高さより低く、前記放熱部は前記第1リードの前記第1部から前記第2グルーブを通じてz方向に延長され、再び前記第3空間内で−x軸に延長されることを特徴とする請求項1に記載のサイドビュー発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記放熱部の前記パッケージの外部に延長される部分は前記ハウジングの上面を覆うように形成されることを特徴とする請求項1に記載のサイドビュー発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記前面部はその前面から外部に突き出されている突出部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビュー発光ダイオードパッケージ。
JP2009130134A 2008-07-01 2009-05-29 サイドビュー発光ダイオードパッケージ。 Pending JP2010016358A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080063509A KR100986202B1 (ko) 2008-07-01 2008-07-01 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010016358A true JP2010016358A (ja) 2010-01-21

Family

ID=41463684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009130134A Pending JP2010016358A (ja) 2008-07-01 2009-05-29 サイドビュー発光ダイオードパッケージ。

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8013357B2 (ja)
JP (1) JP2010016358A (ja)
KR (1) KR100986202B1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011146715A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及びこれを備えたライトユニット
WO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
JP2013219357A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2014522580A (ja) * 2011-06-08 2014-09-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
JP2018117086A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板、発光装置および発光装置の製造方法
JP2019201232A (ja) * 2019-08-30 2019-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4857791B2 (ja) * 2006-02-01 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR101047676B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101049488B1 (ko) * 2010-06-28 2011-07-15 주식회사 루멘스 측면 발광형 발광소자 패키지 및 백라이트 모듈
KR101816955B1 (ko) 2010-09-03 2018-01-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치용 패키지 어레이
CN102456818A (zh) * 2010-11-03 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN202024182U (zh) * 2010-12-02 2011-11-02 旭丽电子(广州)有限公司 背光模块的光源装置及其led封装结构
US10418298B2 (en) * 2013-09-24 2019-09-17 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming dual fan-out semiconductor package
US20170170146A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Industrial Technology Research Institute Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR102486035B1 (ko) 2016-01-28 2023-01-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
JP6388012B2 (ja) * 2016-09-30 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152226A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2003168824A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器及びその製造方法
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
JP2005191530A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2006019313A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器用筐体、led表示器及びled表示器連接部材
JP2006269785A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子及び発光装置
JP2007096325A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線放出構成エレメント
JP2007311549A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
JP2008072074A (ja) * 2006-08-17 2008-03-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20080128738A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode package structure

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2005252168A (ja) 2004-03-08 2005-09-15 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光装置
JP5119621B2 (ja) * 2006-04-21 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100749666B1 (ko) * 2006-06-27 2007-08-14 서울반도체 주식회사 방열돌기를 갖는 측면 발광형 led 패키지
KR100772433B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP2007027801A (ja) 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器及びその製造方法
US7566159B2 (en) * 2007-05-31 2009-07-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Side-emitting LED package with improved heat dissipation

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152226A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2003168824A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器及びその製造方法
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
JP2005191530A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2006019313A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器用筐体、led表示器及びled表示器連接部材
JP2006269785A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子及び発光装置
JP2007096325A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射線放出構成エレメント
JP2007311549A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
JP2008072074A (ja) * 2006-08-17 2008-03-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20080128738A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode package structure

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011146715A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及びこれを備えたライトユニット
WO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
JPWO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2014-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
JP5862572B2 (ja) * 2010-11-11 2016-02-16 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
US9615493B2 (en) 2010-11-11 2017-04-04 Nichia Corporation Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
JP2014522580A (ja) * 2011-06-08 2014-09-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
JP2013219357A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2018117086A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板、発光装置および発光装置の製造方法
JP2019201232A (ja) * 2019-08-30 2019-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7057512B2 (ja) 2019-08-30 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8013357B2 (en) 2011-09-06
KR20100003556A (ko) 2010-01-11
KR100986202B1 (ko) 2010-10-07
US20100001308A1 (en) 2010-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010016358A (ja) サイドビュー発光ダイオードパッケージ。
JP5745495B2 (ja) 発光素子及びこれを備えた照明システム
KR101713059B1 (ko) 발광소자 조명 장치
JP5815610B2 (ja) 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP6312999B2 (ja) 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP5421751B2 (ja) 半導体発光装置
JP6148261B2 (ja) 発光素子パッケージ
US20090267104A1 (en) Light-emitting diode package
US7682053B2 (en) Light-emitting device with a long lifespan
EP2444724B1 (en) LED bulb
JP2009111346A (ja) Ledアレイおよびその製造方法
JP2009177187A (ja) 発光ダイオードパッケージ
US7847300B2 (en) Light-emitting diode package
JP2006245084A (ja) 発光装置
JP2011134902A (ja) Led発光装置
JP6074742B2 (ja) 光源ユニット及びこれを用いた車両用前照灯
JP6135908B2 (ja) 照明用光源及び照明装置
KR100993903B1 (ko) 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지
KR20110139514A (ko) 발광 장치
KR101260180B1 (ko) 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP2014220294A (ja) Ledパッケージ
JP5538989B2 (ja) 発光ダイオード構造
KR101807398B1 (ko) 발광수단과 리플렉터를 패키지화하는 방법 및 그 구조
JP2014150199A (ja) 発光装置及び照明装置
KR20150076122A (ko) 발광다이오드 스트립 램프

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131008

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140304