JP2010013309A - アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜 - Google Patents
アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010013309A JP2010013309A JP2008173787A JP2008173787A JP2010013309A JP 2010013309 A JP2010013309 A JP 2010013309A JP 2008173787 A JP2008173787 A JP 2008173787A JP 2008173787 A JP2008173787 A JP 2008173787A JP 2010013309 A JP2010013309 A JP 2010013309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium oxide
- anatase
- thin film
- boron
- type titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】ホウ素のドープ量を1×1019cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタンである。また、ホウ素のドープ量を5×1020cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。これらは、ターゲットを直径100mmの酸化チタンとし、この上に5mm角のホウ素(B)チップを均一に配置し、RFマグネトロンスパッタ法により得ることができる。
【選択図】図1
Description
すなわち、ITOを用いたパネルが盛んに製造されているが、Inが希少金属であり、資源枯渇問題が深刻化しつつある。また、Inの健康への影響も指摘されている。すなわち、ITO代替の素材が求められている。
ニオブの原子半径は0.145nmであり、チタンの原子半径(0.140nm)とほぼ同じである。このため非特許文献1のように酸化チタンへのニオブドープは技術的にも十分可能であると予見でき、また、得られたものを物性評価するのは自然な流れといえる。
プレート電圧: 200V
RF電力: 200W
なお、アナターゼ型の結晶を形成することを試み、基板は加熱しなかった(ただし、成膜中は80℃程度まで基板温度が上昇した)。
Claims (4)
- ホウ素のドープ量を1×1019cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタン。
- 抵抗値が10−3[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタン。
- ホウ素のドープ量を5×1020cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。
- 抵抗値が10−3[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173787A JP5317033B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | アナターゼ型酸化チタン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173787A JP5317033B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | アナターゼ型酸化チタン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010013309A true JP2010013309A (ja) | 2010-01-21 |
JP5317033B2 JP5317033B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=41699788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008173787A Expired - Fee Related JP5317033B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | アナターゼ型酸化チタン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5317033B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011252198A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Shimane Univ | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 |
CN103074588A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-01 | 太原理工大学 | 一种硼氮共掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
CN103088286A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-08 | 太原理工大学 | 一种硼掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07331450A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-19 | Japan Energy Corp | 導電性金属酸化物皮膜の形成方法 |
JP2000140636A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Sharp Corp | 光触媒体の形成方法 |
JP2004535922A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-12-02 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 光活性の被膜、被覆物品およびその製法 |
JP2008057045A (ja) * | 2007-10-09 | 2008-03-13 | Agc Ceramics Co Ltd | 酸化物焼結体スパッタリングターゲット |
-
2008
- 2008-07-02 JP JP2008173787A patent/JP5317033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07331450A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-19 | Japan Energy Corp | 導電性金属酸化物皮膜の形成方法 |
JP2000140636A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Sharp Corp | 光触媒体の形成方法 |
JP2004535922A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-12-02 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 光活性の被膜、被覆物品およびその製法 |
JP2008057045A (ja) * | 2007-10-09 | 2008-03-13 | Agc Ceramics Co Ltd | 酸化物焼結体スパッタリングターゲット |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
CSNC201008040149; 上灘真史他: 'BドーブTiO2の電気的特性 Electrical characteristics of B-doped TiO2' 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol.2 , 20070904, p.626 * |
JPN6012047361; Adriana ZALESKA, et al.: 'Preparation and photocatalytic activity of boron-modified TiO2 under UV and visible light' Appl. Catal. B Environ. Vol.78, No.1-2, 20080117, p.92-100 * |
JPN6012064628; 上灘真史他: 'BドーブTiO2の電気的特性 Electrical characteristics of B-doped TiO2' 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol.2 , 20070904, p.626 * |
JPN6012064628; 上灘真史他: 'BドープTiO2の電気的特性 Electrical characteristics of B-doped TiO2' 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol.2 , 20070904, p.626 * |
JPN6013011699; 笹瀬雅人他: 'TiO2の表面電子物性に及ぼす照射イオン種(B+,C+,N+,O+,F+,Ne+)効果' 表面科学 Vol.14, No.6, 199308, p.319-323 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011252198A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Shimane Univ | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 |
CN103074588A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-01 | 太原理工大学 | 一种硼氮共掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
CN103088286A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-08 | 太原理工大学 | 一种硼掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
CN103074588B (zh) * | 2013-01-15 | 2015-11-18 | 太原民丰金属表面处理科技有限公司 | 一种硼氮共掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5317033B2 (ja) | 2013-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Geng et al. | Influence of Al doping on the properties of ZnO thin films grown by atomic layer deposition | |
CN103258857B (zh) | 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法 | |
Gracia et al. | A theoretical study on the pressure-induced phase transitions in the inverse spinel structure Zn2SnO4 | |
TWI621724B (zh) | Transparent conductive film and method of producing the same | |
JP6270738B2 (ja) | 透明電極付き基板およびその製造方法 | |
JP5317033B2 (ja) | アナターゼ型酸化チタン | |
Sun et al. | Synthesis and characterization of n-type NiO: Al thin films for fabrication of pn NiO homojunctions | |
TWI528031B (zh) | Indium gallium oxide thin film hydrogen sensor | |
Yun et al. | Effects of postannealing process on the properties of RuO2 films and their performance as electrodes in organic thin film transistors or solar cells | |
Liu et al. | Single crystalline transparent conducting F, Al, and Ga co-doped ZnO thin films with high photoelectrical performance | |
KR100846081B1 (ko) | 투명 도전 재료, 투명 도전 페이스트, 투명 도전막 및 투명전극 | |
CN106460153B (zh) | 透明导电性膜及其制造方法 | |
Voisin et al. | Titanium doped ITO thin films produced by sputtering method | |
Ho et al. | The Work Function Improvement on Indium− Tin− Oxide Epitaxial Layers by Doping Treatment for Organic Light-Emitting Device Applications | |
Jung et al. | Effects of intermediate metal layer on the properties of Ga–Al doped ZnO/metal/Ga–Al doped ZnO multilayers deposited on polymer substrate | |
Pal et al. | V doped BaSnO3 nanocubes as a field emitting material: Experimental and theoretical investigation | |
Song et al. | Influence of oxygen vacancies on atomic chemistry and transparent conductivity of Nb-doped TiO2 films | |
JP5429752B2 (ja) | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 | |
Poonthong et al. | Performance Analysis of Ti‐Doped In2O3 Thin Films Prepared by Various Doping Concentrations Using RF Magnetron Sputtering for Light‐Emitting Device | |
KR20110083802A (ko) | 유도결합형 플라즈마 처리된 azo 박막 및 그 제조방법 | |
KR20160093959A (ko) | 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법, 이를 포함하는 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
JP5943318B2 (ja) | 透明導電膜作成方法 | |
JP2019114691A (ja) | 光発電装置及び光発電装置の製造方法 | |
CN103956199B (zh) | 透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置 | |
JP5881995B2 (ja) | 透明導電膜及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5317033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |