JP2019114691A - 光発電装置及び光発電装置の製造方法 - Google Patents

光発電装置及び光発電装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019114691A
JP2019114691A JP2017247874A JP2017247874A JP2019114691A JP 2019114691 A JP2019114691 A JP 2019114691A JP 2017247874 A JP2017247874 A JP 2017247874A JP 2017247874 A JP2017247874 A JP 2017247874A JP 2019114691 A JP2019114691 A JP 2019114691A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel oxide
oxide layer
photovoltaic device
layer
power generation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017247874A
Other languages
English (en)
Inventor
広文 久保田
Hirofumi Kubota
広文 久保田
翔吾 伊勢
Shogo Ise
翔吾 伊勢
直樹 尾畑
Naoki Obata
直樹 尾畑
篤史 上東
Atsushi Kamito
篤史 上東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Priority to JP2017247874A priority Critical patent/JP2019114691A/ja
Publication of JP2019114691A publication Critical patent/JP2019114691A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】ニッケル酸化物層を使用した光発電装置の高耐久性を実現する。【解決手段】本発明者が鋭意検討したところ、光発電装置１０の高耐久性は、ニッケル酸化物層１２０におけるＮｉに対するＯの原子組成比、言い換えると、ニッケル酸化物層１２０に含まれるＮｉ３＋の数が小さい場合に実現されることが推測された。特に、本発明者は、以下の工程のうちの少なくとも１つを含む方法によって、未処理のニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させ得ることを見出した。（工程Ａ）未処理のニッケル酸化物層を紫外線（ＵＶ）オゾンによって処理すること（工程Ｂ）未処理のニッケル酸化物層を４５℃以上の温度で加熱すること【選択図】図１

Description

本発明は、光発電装置及び光発電装置の製造方法に関する。
近年、光発電装置として、ペロブスカイト太陽電池が研究されている。例えば非特許文献１及び２に記載されているように、ペロブスカイト太陽電池は、正孔輸送層（ＨＴＬ）として機能するニッケル酸化物層を含むことがある。
非特許文献１には、１ｓｕｎ照射下におけるペロブスカイト太陽電池の電力変換効率が、スパッタにより堆積された多結晶ＮｉＯｘによって、長時間に亘って高い値を維持することが記載されている。
非特許文献２には、結晶性を有するＮｉＯ層について記載されている。特に、非特許文献２には、レーザパルス堆積によって形成されたＮｉＯ層をアニーリングすることで、ペロブスカイト太陽電池の電力変換効率が向上することが記載されている。さらに非特許文献２には、Ｌｉドープレーザパルス堆積によってＮｉＯ層にＬｉをドープすることで、ペロブスカイト太陽電池の電力変更効率が向上することが記載されている。
ACS Omega, 2, 2291 (2017) J. Mater. Chem. C, 5, 7084 (2017)
近年、例えば非特許文献１に記載されているように、ニッケル酸化物層を使用した光発電装置の高耐久性を実現するための方法が検討されている。本発明者は、ニッケル酸化物層を使用した光発電装置の高耐久性を新規な方法で実現することを検討した。
本発明の目的は、ニッケル酸化物層を使用した光発電装置の高耐久性を実現することにある。
本発明によれば、
アモルファス状のニッケル酸化物層を含み、
前記ニッケル酸化物層におけるＮｉに対するＯの原子組成比が１．１０以下である光発電装置が提供される。
本発明によれば、
２０ｎｍ以下の厚さを有するニッケル酸化物層を含み、
前記ニッケル酸化物層におけるＮｉに対するＯの原子組成比が１．１０以下である光発電装置が提供される。
本発明によれば、
アモルファス状のニッケル酸化物層を形成する工程と、
前記ニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させる工程と、
を含む、光発電装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、
２０ｎｍ以下の厚さを有するニッケル酸化物層を形成する工程と、
前記ニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させる工程と、
を含む、光発電装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、ニッケル酸化物層を使用した光発電装置の高耐久性を実現することができる。
実施形態に係る光発電装置の一例の断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、実施形態に係る光発電装置１０の一例の断面図である。
まず、図１を用いて光発電装置１０の構造を説明する。
光発電装置１０は、基板１００、第１電極１１０、ニッケル酸化物層１２０、ペロブスカイト層１３０、電子輸送層（ＥＴＬ）１４０及び第２電極１５０を備えている。第１電極１１０、ニッケル酸化物層１２０、ペロブスカイト層１３０、ＥＴＬ１４０及び第２電極１５０は、基板１００上に順に積層されている。
基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラス基板である。
第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。一例において、第１電極１１０は、酸化物半導体（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））からなる。
ニッケル酸化物層１２０は、正孔輸送層（ＨＴＬ）として機能している。詳細を後述するように、本発明者は、ニッケル酸化物層１２０を形成する方法を検討し、ニッケル酸化物層１２０の形成方法の適当な条件を決定することで、光発電装置１０の高耐久性が得られることを新規に見出した。
ペロブスカイト層１３０は、光電変換層として機能している。ペロブスカイト層１３０の材料は特に限定されないが、例えば、メチルアンモニウムヨウ化鉛（ＭＡＰｂＩ３）にすることができる。
ＥＴＬ１４０は、一又は複数の層を含んでいる。一例において、ＥＴＬ１４０は、フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）及びバソクプロイン（ＢＣＰ）をペロブスカイト層１３０から順に含んでいてもよい。
第２電極１５０は、遮光性（特に、反射性）及び導電性を有している。一例において、第２電極１５０は、金属（例えば、銀）からなる。
図１に示す例では、ペロブスカイト層１３０は、基板１００側から基板１００、第１電極１１０及びニッケル酸化物層１２０を透過した光のエネルギーを電力に変換することができる。
次に、ニッケル酸化物層１２０を形成する方法を説明する。
この方法では、まず、基板１００上に第１電極１１０を形成し、次いで、第１電極１１０上にニッケル酸化物層（未処理のニッケル酸化物層）を堆積する。ニッケル酸化物層は、例えば、スパッタ又は蒸着によって堆積させることができる。
本発明者が鋭意検討したところ、光発電装置１０の高耐久性は、ニッケル酸化物層１２０におけるＮｉに対するＯの原子組成比、言い換えると、ニッケル酸化物層１２０に含まれるＮｉ３＋の数が小さい場合に実現されることが推測された。特に、本発明者は、以下の工程のうちの少なくとも１つを含む方法によって、未処理のニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させ得ることを見出した。
（工程Ａ）未処理のニッケル酸化物層を紫外線（ＵＶ）オゾンによって処理すること
（工程Ｂ）未処理のニッケル酸化物層を４５℃以上の温度で加熱すること
上述した方法においては、工程Ａ及び工程Ｂの一方のみを実施してもよいし、又は工程Ａ及び工程Ｂの双方を実施してもよい。工程Ａ及び工程Ｂの双方を実施する場合、工程Ａ及び工程Ｂは、工程Ａ及び工程Ｂの順で実施してもよいし、又は工程Ｂ及び工程Ａの順で実施してもよい。
特に、本発明者は、工程Ａ（ＵＶオゾン処理）によってニッケル酸化物層の可視光領域における透過率が低下し得ること及び工程Ｂ（加熱処理）によってニッケル酸化物層の透過率が改善し得ることを見出した。したがって、工程Ａ（ＵＶオゾン処理）によってニッケル酸化物層の透過率が低下する場合は、工程Ａ及び工程Ｂは、工程Ａ及び工程Ｂの順で実施することが好ましい。
工程Ａにおいては、ニッケル酸化物層を、室温下、例えば４５℃未満の温度下において、ＵＶオゾンによって処理する。
工程Ｂにおいては、加熱温度は、適当な高さであることが好ましく、最低限でも４５℃以上、好ましくは５０℃以上、より好ましくは１００℃以上である。加熱温度の上限は、ニッケル酸化物の通常のアニーリング温度より低い温度、例えば、３００℃以下、好ましくは２５０℃以下とすることができる。
上述した方法においては、ニッケル酸化物層１２０におけるＮｉに対するＯの原子組成比を小さくすることができる。特に、本発明者は、当該組成比が１．１０以下になり得ることを見出した。
上述した組成比の範囲は、ニッケル酸化物層１２０の厚さ及び結晶状態に依らずに得ることができ、特に、ニッケル酸化物層１２０がアモルファス状である場合（例えば、ニッケル酸化物層１２０が薄膜である場合）又はニッケル酸化物層１２０の厚さが２０ｎｍ以下である場合であっても得ることができる。ニッケル酸化物層１２０がアモルファス状である場合、ニッケル酸化物層１２０は、電子ブロック層又はエキシトンブロック層として機能し得る。この場合、ニッケル酸化物層１２０の電気抵抗を抑える観点から、ニッケル酸化物層１２０の厚さは薄いことが好ましく、例えば２０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下にすることができる。
未処理のニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させるための上述した方法は、図１に示した構造を有する光発電装置だけでなく、図１に示した構造とは異なる構造を有する光発電装置（例えば、ＳＵＳ基板を有する光発電装置）にも適用可能である。
上述した組成比は、ニッケル酸化物層１２０のＸ線電子分光（ＸＰＳ）測定に基づいて決定することができる。具体的には、上述した組成比は、以下の工程を含む分析方法に基づいて決定することができる。上述した組成比は、以下の分析方法において、工程４における複数の分析組成比の平均となる。
（工程１）Ｎｉに対するＯの原子組成比が１であるニッケル酸化物（基準試料）のＸＰＳ測定からＮｉに対するＯの原子組成比（基準組成比）を得ること
（工程２）ニッケル酸化物層１２０のＸＰＳ測定からＮｉに対するＯの原子組成比（測定組成比）を得ること
（工程３）基準組成比に対する測定組成比の比（分析組成比）を得ること
（工程４）工程１から工程３によって複数の分析組成比を得て複数の分析組成比の平均を算出すること
工程１における基準試料には、例えば、高純度化学社製 純度３Ｎ 径約７μｍのＮｉＯ粉（製品コード：ＮＩＯ０２ＰＢ）を用いることができる。
図１に示した光発電装置１０のニッケル酸化物層１２０をＸＰＳによって測定するためには、ニッケル酸化物層１２０の表面を露出させるため、ニッケル酸化物層１２０上の層（ペロブスカイト層１３０、ＥＴＬ１４０及び第２電極１５０）を除去する必要がある。ＸＰＳ測定への影響を抑えるため、ニッケル酸化物層１２０の表面の汚染はできる限り少ないことが好ましい。したがって、ニッケル酸化物層１２０上の層は、ニッケル酸化物層１２０の表面の汚染ができる限り少なくなるように除去されることが望ましい。
（実施例１）
図１に示す光発電装置１０を製造した。基板１００は、ガラス基板とした。第１電極１１０は、ＩＴＯ層とした。ペロブスカイト層１３０は、ＭＡＰｂＩ３とした。ＥＴＬ１４０は、ＰＣＢＭ及びＢＣＰをペロブスカイト層１３０から順に含む積層体とした。第２電極１５０は、銀層とした。
光発電装置１０を以下のように製造した。
基板１００上に第１電極１１０を形成した。
第１電極１１０上にニッケル酸化物層をスパッタによって堆積した。
ニッケル酸化物層をＵＶオゾンによって処理した（工程Ａ）。ＵＶオゾン処理は、室温下で行った。
工程Ａ後、ニッケル酸化物層を１００℃で加熱した（工程Ｂ）。
以上のようにして、ニッケル酸化物層１２０を形成した。
ニッケル酸化物層１２０上にペロブスカイト層１３０、ＥＴＬ１４０及び第２電極１５０を順に形成した。
（実施例２）
実施例２に係る光発電装置１０は、光発電装置１０の製造プロセスの工程Ｂにおいてニッケル酸化物層を１５０℃で加熱した点を除いて、実施例１に係る光発電装置１０と同様である。
（実施例３）
実施例３に係る光発電装置１０は、光発電装置１０の製造プロセスの工程Ｂにおいてニッケル酸化物層を２５０℃で加熱した点を除いて、実施例１に係る光発電装置１０と同様である。
（比較例）
比較例に係る光発電装置１０は、光発電装置１０の製造プロセスにおいて工程Ａ及び工程Ｂのいずれも実施しなかった点を除いて、実施例１に係る光発電装置１０と同様である。
（ニッケル酸化物層１２０におけるＮｉに対するＯの原子組成比（Ｏ／Ｎｉ比）の分析）
実施例１から３及び比較例に係る光発電装置１０について、ニッケル酸化物層１２０を形成した後かつペロブスカイト層１３０を形成する前に、工程１から工程４を含む上述した分析方法によってＯ／Ｎｉ比を分析した。
工程１における基準試料には、例えば、高純度化学社製 純度３Ｎ 径約７μｍのＮｉＯ粉（製品コード：ＮＩＯ０２ＰＢ）を用いた。
（耐久性の評価）
実施例１から３及び比較例に係る光発電装置１０の耐久性を以下のように評価した。
光発電装置１０の初期電力変換効率を測定した。結果は、表１に示すようになった。表１に示す初期電力変換効率は、複数回実施された測定から算出された平均を示している。さらに、表１には、複数回実施された測定における標準偏差も示している。
以下の条件の試験後の光発電装置１０の電力変換効率を測定した。結果は、表１に示すようになった。表１に示す試験後の電力変換効率は、複数回実施された測定から算出された平均を示している。さらに、表１には、複数回実施された測定における標準偏差も示している。
照射光強度：１００ｍＷ／ｃｍ２
光の照射態様：連続光照射
基板１００の温度：７５℃
試験時間：１００時間
Figure 2019114691
表１に示す結果より、ＵＶオゾン処理（工程Ａ）及び加熱処理（工程Ｂ）によって、Ｏ／Ｎｉ比が減少するといえる。
表１に示す結果より、Ｏ／Ｎｉ比が減少することで、初期電力変換効率及び試験後の電力変換効率が向上するといえる。
表１に示す結果より、実施例１では、試験後の電力変換効率は安定しているものの（標準偏差が小さい。）、初期電力変換効率は不安定であり（標準偏差が大きい。）、実施例３では、初期電力変換効率は安定しているものの（標準偏差が小さい。）、試験後の電力変換効率は不安定であり（標準偏差が大きい。）、実施例２では、初期電力変換効率及び試験後の電力変換効率の双方が安定している（標準偏差が小さい。）といえる。したがって、初期電力変換効率及び試験後の電力変換効率の双方を安定して高くする観点からすると、工程Ｂにおける加熱温度は、１５０℃（実施例２）又はその周辺であることが好ましいといえ、例えば、１２５℃以上２００℃以下にすることができる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
１０ 光発電装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１２０ ニッケル酸化物層
１３０ ペロブスカイト層
１４０ ＥＴＬ
１５０ 第２電極

Claims (10)

  1. アモルファス状のニッケル酸化物層を含み、
    前記ニッケル酸化物層におけるＮｉに対するＯの原子組成比が１．１０以下である光発電装置。
  2. ２０ｎｍ以下の厚さを有するニッケル酸化物層を含み、
    前記ニッケル酸化物層におけるＮｉに対するＯの原子組成比が１．１０以下である光発電装置。
  3. 請求項１又は２に記載の光発電装置において、
    前記ニッケル酸化物層は、未処理のニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させるための処理をする工程を経て形成されたものである光発電装置。
  4. 請求項３に記載の光発電装置において、
    前記Ｎｉ３＋の数を減少させるための処理は、ＵＶオゾン処理である光発電装置。
  5. 請求項３又は４に記載の光発電装置において、
    前記Ｎｉ３＋の数を減少させるための処理は、４５℃以上の温度での加熱処理である光発電装置。
  6. 請求項１から５までのいずれか一項に記載の光発電装置において、
    透光性を有する第１電極と、前記ニッケル酸化物層と、ペロブスカイト層と、第２電極と、を順に含む光発電装置。
  7. アモルファス状のニッケル酸化物層を形成する工程と、
    前記ニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させる工程と、
    を含む、光発電装置の製造方法。
  8. ２０ｎｍ以下の厚さを有するニッケル酸化物層を形成する工程と、
    前記ニッケル酸化物層に含まれるＮｉ３＋の数を減少させる工程と、
    を含む、光発電装置の製造方法。
  9. 請求項７又は８に記載の光発電装置の製造方法において、
    前記Ｎｉ３＋の数を減少させる工程は、前記ニッケル酸化物層をＵＶオゾンによって処理する工程を含む、光発電装置の製造方法。
  10. 請求項７から９までのいずれか一項に記載の光発電装置の製造方法において、
    前記Ｎｉ３＋の数を減少させる工程は、前記ニッケル酸化物層を４５℃以上の温度で加熱する工程を含む、光発電装置の製造方法。
JP2017247874A 2017-12-25 2017-12-25 光発電装置及び光発電装置の製造方法 Pending JP2019114691A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247874A JP2019114691A (ja) 2017-12-25 2017-12-25 光発電装置及び光発電装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017247874A JP2019114691A (ja) 2017-12-25 2017-12-25 光発電装置及び光発電装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019114691A true JP2019114691A (ja) 2019-07-11

Family

ID=67222822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017247874A Pending JP2019114691A (ja) 2017-12-25 2017-12-25 光発電装置及び光発電装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019114691A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023120428A1 (ja) 2021-12-20 2023-06-29 シチズン時計株式会社 光電変換素子
WO2023168627A1 (zh) * 2022-03-09 2023-09-14 宁德时代新能源科技股份有限公司 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023120428A1 (ja) 2021-12-20 2023-06-29 シチズン時計株式会社 光電変換素子
WO2023168627A1 (zh) * 2022-03-09 2023-09-14 宁德时代新能源科技股份有限公司 钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US11849596B2 (en) 2022-03-09 2023-12-19 Contemporary Amperex Technology Co., Limited Perovskite solar battery and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jošt et al. 21.6%-efficient monolithic perovskite/Cu (In, Ga) Se2 tandem solar cells with thin conformal hole transport layers for integration on rough bottom cell surfaces
Liang et al. Crystal growth promotion and defects healing enable minimum open‐circuit voltage deficit in antimony selenide solar cells
Tong et al. Dual‐Phase CsPbBr3–CsPb2Br5 Perovskite Thin Films via Vapor Deposition for High‐Performance Rigid and Flexible Photodetectors
Fang et al. [6, 6]-Phenyl-C61-butyric acid methyl ester/cerium oxide bilayer structure as efficient and stable electron transport layer for inverted perovskite solar cells
Yang et al. Highly efficient perovskite solar modules by scalable fabrication and interconnection optimization
Wang et al. Water vapor treatment of low-temperature deposited SnO2 electron selective layers for efficient flexible perovskite solar cells
Zhao et al. Annealing-free efficient vacuum-deposited planar perovskite solar cells with evaporated fullerenes as electron-selective layers
Tiwari et al. Photovoltaic performance of phase-pure orthorhombic BiSI thin-films
Das et al. Low thermal budget, photonic-cured compact TiO 2 layers for high-efficiency perovskite solar cells
Han et al. Carrier mobility enhancement in (121)-oriented CsPbBr3 perovskite films induced by the microstructure tailoring of PbBr2 precursor films
Wi et al. Photovoltaic performance and interface behaviors of Cu (In, Ga) Se2 solar cells with a sputtered-Zn (O, S) buffer layer by high-temperature annealing
Guo et al. Vacuum thermal-evaporated SnO2 as uniform electron transport layer and novel management of perovskite intermediates for efficient and stable planar perovskite solar cells
Nam et al. Surface engineering of low-temperature processed mesoporous TiO2 via oxygen plasma for flexible perovskite solar cells
Suresh et al. The role of crystallinity of the Nb 2 O 5 blocking layer on the performance of dye-sensitized solar cells
Fan et al. Delayed annealing treatment for high-quality CuSCN: exploring its impact on bifacial semitransparent nip planar perovskite solar cells
Mathiazhagan et al. Double-mesoscopic hole-transport-material-free perovskite solar cells: overcoming charge-transport limitation by sputtered ultrathin Al2O3 isolating layer
CN105679936A (zh) 一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用
Sun et al. Large-scale compositional and electronic inhomogeneities in CH3NH3PbI3 perovskites and their effect on device performance
Ranjan et al. Low-temperature microwave processed TiO2 as an electron transport layer for enhanced performance and atmospheric stability in planar perovskite solar cells
Qiu et al. Room-temperature cubic perovskite thin films by three-step all-vapor conversion from PbSe to MAPbI3
Hasan et al. Recent criterion on stability enhancement of perovskite solar cells
Panigrahi et al. Tailoring the interface in high performance planar perovskite solar cell by ZnOS thin film
Faheem et al. Synergistic approach toward erbium-passivated triple-anion organic-free perovskite solar cells with excellent performance for agrivoltaics application
JP2019114691A (ja) 光発電装置及び光発電装置の製造方法
Lu et al. Ordering one-dimensional chains enables efficient selenium photovoltaics

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20180907