JP2010013306A - 単結晶シリコンウェーハのcop発生要因の判定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の手順1〜手順3によりCOPの分布がリング状またはディスク状ではないと判定した場合は、結晶起因のCOPではないとする。
手順1:全面のCOPの個数が下限値(例えば100個)以下のウェーハを対象とする。
手順2:ウェーハを半径方向に分割し、各分割領域のCOPの個数が下限値を超える領域を複数(例えばA〜Hの8個が望ましい)の扇形に分割し、互いに隣接する複数個(例えば2個)の扇形中のCOPの個数の少なくとも1つが設定値(例えば2個)未満である場合は、リング状ではないとする。
手順3:ディスク領域を複数個(例えば4個)の扇形に分割し、少なくとも1つの扇形領域においてCOPの個数が設定値(例えば1個)未満である場合は、ディスク状ではないとする。
【選択図】図2
Description
(1)ウェーハ中心にディスク状に現れる。
(2)ウェーハ外周に沿うようにリング状に現れる。
(3)前記(1)と(2)が同時に、すなわちディスクリング状に現れる。
(4)ウェーハ全面に高密度(直径300mmウェーハで300個以上)に現れる。
ウェーハ全面のCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下のウェーハを手順2、手順3で行う判定の対象とする。
ウェーハを半径方向に同心円状に分割し、分割したリング状の領域ごとにCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下の場合は、当該COPの分布がリング状ではないと判定し、前記下限値を超える場合は、当該下限値を超える領域を複数の扇形に分割し、前記下限値を超える領域ごとに、それぞれの扇形中のCOPの個数を数え、互いに隣接する複数個の扇形(隣接扇形)中のCOPの個数を、全ての隣接扇形についてそれぞれ合計し、各合計値の少なくとも1つが設定値未満である場合は、当該COPの分布がリング状ではないと判定する。
手順2で半径方向に同心円状に分割したウェーハのディスク領域内のCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下の場合は、当該COPの分布がディスク状ではないと判定し、前記下限値を超える場合は、ディスク領域を複数個の扇形に分割してそれぞれの扇形中のCOPの個数を数え、少なくとも1つの扇形領域においてCOPの個数が設定値未満である場合は、当該COPはディスク状の分布になっておらず結晶育成時に導入されたCOPではないと判定する。
Claims (2)
- 単結晶シリコンウェーハのCOP発生要因の判定方法であって、
前記ウェーハのCOPについて下記の手順1〜手順3に定める判定をした場合は、COPの発生要因が結晶育成時に導入された欠陥以外の要因によるものであるとすることを特徴とする単結晶シリコンウェーハのCOP発生要因の判定方法。
手順1:
ウェーハ全面のCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下のウェーハを手順2、手順3で行う判定の対象とする。
手順2:
ウェーハを半径方向に同心円状に分割し、分割したリング状の領域ごとにCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下の場合は、当該COPの分布がリング状ではないと判定し、
前記下限値を超える場合は、当該下限値を超える領域を複数の扇形に分割し、前記下限値を超える領域ごとに、それぞれの扇形中のCOPの個数を数え、互いに隣接する複数個の扇形(隣接扇形)中のCOPの個数を、全ての隣接扇形についてそれぞれ合計し、各合計値の少なくとも1つが設定値未満である場合は、当該COPの分布がリング状ではないと判定する。
手順3:
手順2で半径方向に同心円状に分割したウェーハのディスク領域内のCOPの個数を数え、当該個数があらかじめ定めた下限値以下の場合は、当該COPの分布がディスク状ではないと判定し、
前記下限値を超える場合は、ディスク領域を複数個の扇形に分割してそれぞれの扇形中のCOPの個数を数え、少なくとも1つの扇形領域においてCOPの個数が設定値未満である場合は、当該COPはディスク状の分布になっておらず結晶育成時に導入されたCOPではないと判定する。 - 前記手順1におけるあらかじめ定めた下限値が100個であり、
前記手順2におけるあらかじめ定めた下限値を超える領域の扇形への分割数が8であり、隣接する複数の扇形の個数を2個とし、設定値が2個であり、
前期手順3における扇形への分割数が4であり、設定値が1個であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコンウェーハのCOP発生要因の判定方法。
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