JP2010010503A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ1と、半導体チップ1の下側に第一の接合材2を介して接合された導電性を有するベース電極3と、半導体チップ1の上側に第二の接合材4を介して接合された導電性を有するリード電極5と、半導体チップ1とベース電極3の膨張量差に起因して発生する第一の接合材2の応力を低減するための第一の応力緩衝材6とからなる半導体装置において、第一の接合材2の下面にベース電極3と第一の応力緩衝材6が各々直接接触する領域を設ける。
【選択図】図1
Description
2 第一の接合材
3 ベース電極
3a 凸部
3b 壁部
4 第二の接合材
5 リード電極
5a リード
6 第一の応力緩衝材
7 第三の接合材
8 封止樹脂
9 応力緩衝板
10 第四の接合材
11 第二の応力緩衝材
13 第二の応力緩衝板
Claims (10)
- ベース電極と、
前記ベース電極に第一の接合材を介して設置される整流機能を有する半導体チップと、
前記半導体チップの上側に第二の接合材を介して接続され、リードに連絡するリード電極と、
前記第一の接合材の応力を低減する第一の応力緩衝材とを有し、
前記第一の接合材の前記ベース電極側の面に、前記ベース電極と前記第一の応力緩衝材がそれぞれ直接接触する領域を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記ベース電極の前記半導体チップ搭載側の面に凸部を設け、当該凸部が前記第一の接合材の前記ベース電極側の面と直接接触することを特徴とする半導体装置。
- 請求項2において、前記ベース電極の凸部は円柱形状をなし、前記第一の応力緩衝材は前記凸部の周囲を覆うよう同心円状に配置される環状形状を有し、前記凸部の外周面と前記第一の応力緩衝材の内周面は直接接触していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記ベース電極の前記半導体チップ搭載側の面に複数の柱状の凸部を有し、前記複数の凸部の外周面を囲むよう前記第一の応力緩衝材が配置されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記第一の接合材下面の面内で、前記ベース電極の外側に前記第一の応力緩衝材が配置されることを特徴とする半導体装置。
- 周辺部に壁部を有するベース電極と、
前記ベース電極に第一の接合材を介して設置される整流機能を有する半導体チップと、
前記半導体チップの上側に第二の接合材を介して接続され、リードに連絡するリード電極と、
前記第一の接合材の応力を低減する第一の応力緩衝材と、
前記第二の接合材の応力を低減する第二の応力緩衝材とを有し、
前記第一の接合材の前記ベース電極側の面に、前記ベース電極と前記第一の応力緩衝材がそれぞれ直接接触する領域を設け、
前記第二の接合材の前記リード電極側の面に、前記リード電極と前記第二の応力緩衝材がそれぞれ直接接触する領域を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、前記第一の応力緩衝材及び前記第二の応力緩衝材の線膨張係数は、3×10-6/℃以上であり、かつ、8×10-6/℃以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6又は7において、前記第一の応力緩衝材及び前記第二の応力緩衝材が、Mo,W、あるいはFe−Ni合金であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6又は7において、前記第一の応力緩衝材と前記第二の応力緩衝材が、Mo,W,Fe−Ni合金のいずれかとCuからなる複合材であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から9のいずれかにおいて、前記第一の接合材及び前記第二の接合材は鉛を含まず、錫と銅を主要構成元素とする合金材料で、銅の重量比が5%以下で構成されていることを特徴とする半導体装置。
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