JP2010005994A - 撥液膜のパターニング方法、撥液膜の撥液性回復方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性を回復させる。
【解決手段】基板上に撥液膜を形成する工程と、前記撥液膜上に所定形状にパターニングされたマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記撥液膜をパターニングする工程と、前記マスクを除去する工程と、前記撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う工程と、を含むことを特徴とする撥液膜のパターニング方法を提供することにより、前記課題を解決する。
【選択図】 図5
【解決手段】基板上に撥液膜を形成する工程と、前記撥液膜上に所定形状にパターニングされたマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記撥液膜をパターニングする工程と、前記マスクを除去する工程と、前記撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う工程と、を含むことを特徴とする撥液膜のパターニング方法を提供することにより、前記課題を解決する。
【選択図】 図5
Description
本発明は撥液膜のパターニング方法、撥液膜の撥液性回復方法に係り、特に、基板上に形成された撥液膜を所定形状にパターニングした後、当該撥液膜の撥液性を回復させる技術に関する。
インクジェットヘッドにおいて、ノズルプレートの表面(特にノズルの開口周辺部)にインクが付着していると、ノズルから吐出されるインク液滴が影響を受けて、インク液滴の吐出方向(飛翔方向)にばらつきが生じ、記録媒体上の所定位置にインク液滴を着弾させることが困難となり、画像品質が劣化する要因となる。そこで、インクジェットヘッドの吐出安定化を図るために、ノズルプレートの表面に撥液膜を形成することがよく行われている(例えば、特許文献1〜3参照)。
特許文献1には、ノズルの目詰まりやノズル内部の撥水化を防止しつつ、ノズル表面を撥水化するために、ノズルを形成してからノズル板(ノズルプレート)の表面側の膜を加熱硬化させることによって撥水化する方法が記載されている。
特許文献2には、フッ素系樹脂部材からなるオリフィスプレート(ノズルプレート)の両面を親水化処理する、または、基材の一方の表面にフッ素系樹脂層が形成されたオリフィスプレートのフッ素系樹脂層の表面を親水化処理した後、ヘッド本体にオリフィスプレートを貼り付け、オリフィスプレートのインク吐出手段に対応する位置にインク吐出口となるオリフィス(ノズル孔)を開孔し、オリフィスプレートの表面にイオン注入にして、オリフィスプレートの外側表面を超撥水化する方法が記載されている。
特許文献3には、インクジェット記録ヘッドのインク吐出口形成端面に、撥水性を付与するフッ素化合物イオン等を、少なくとも吐出口付近の流路が常温で固体の物質で充填された状態でイオン注入して、該端面の表面改質を行う方法が記載されている。
特開2001−260360号公報
特開2002−292878号公報
特開平6−320734号公報
ところで、ノズルプレートの表面に形成された撥液膜を所定形状にパターニングする方法において、低表面エネルギーである撥液膜の表面上にマスク(例えばレジストマスクなど)を形成するためには、撥液膜の表面エネルギーが高くなるように表面処理を施して、撥液膜とマスクとの密着性を確保する必要があるが、このようにして形成されたマスクを介してドライエッチングなどで撥液膜をパターニングした後にマスクを除去すると、撥液膜の撥液性能が低下する問題がある。
そこで、特許文献1に記載される方法のように、撥液膜に対して加熱処理を行うことによって撥液膜の撥液性能を回復させることが考えられるが、図12(a)に示すように、ノズルプレート900の表面に撥液膜902をパターニングした後に加熱処理を行うと、図12(b)に示すように、撥液膜902が軟化・溶融してしまい、加熱処理後の撥液膜902が異方性形状とならずに形状劣化する問題や、撥液膜902が形成されたノズルプレート900に反りが生じるという問題がある。
また、図13(a)に示すように、ノズルプレート910の表面に撥液膜912がノズルパターンに従ってパターニングされている場合には、加熱処理を行うと、図13(b)に示すように、ノズル914内部に撥液膜912の一部が侵入してしまい、ノズル914の吐出方向のばらつきや目詰まりが生じ、インクジェットヘッドの安定吐出が困難となる問題がある。
また、特許文献2や特許文献3に記載される方法のように、イオン注入法を用いることによって撥液膜の撥液性能を回復させることも考えられるが、イオン注入装置は高価であり、コストアップの要因となるため好ましくない。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性を回復させることができる撥液膜のパターニング方法、及び撥液膜の回復方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明に係る撥液膜のパターニング方法は、基板上に撥液膜を形成する工程と、前記撥液膜上に所定形状にパターニングされたマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記撥液膜をパターニングする工程と、前記マスクを除去する工程と、前記撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、撥液膜をパターニングするために撥液膜の表面に形成されたマスクを除去した後に、加熱処理を行うことなく、撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルが撥液膜表面で反応し、撥液膜表面におけるフッ素基の密度が向上する。したがって、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復することができる。
本発明において、前記撥液膜上に前記マスクを形成する前に、前記撥液膜の表面に親液化処理を行うことが好ましく、前記親液化処理はプラズマ処理であることがより好ましい。撥液膜に対するマスクの密着性を向上させることができ、撥液膜の表面にマスクを確実に形成することができる。
本発明において、前記マスクは、酸化膜、窒化膜、又は金属膜からなるハードマスクであることが好ましく、前記ハードマスクは、アルミからなる金属膜であることがより好ましい。また、前記ハードマスクは、スパッタ、真空蒸着、又はCVDにより形成されたものであることが好ましい。ハードマスクを介してドライエッチングで撥液膜をパターニングする場合、レジストマスクを用いる場合に比べて、撥液膜との選択比が高くなるため、異方性形状を有する撥液膜を得やすい。また、ハードマスク形成前に撥液膜の表面処理(親水化処理)が不要となり、撥液膜に対するダメージが少ない。
また、前記目的を達成するために、本発明に係る撥液膜の撥液性能回復方法は、基板上に形成された撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、前記撥液膜の撥液性能を回復させることを特徴とする。
本発明によれば、基板上に形成された撥液膜に対して、加熱処理を行うことなく、フッ素プラズマ処理により、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復させることができる。
本発明によれば、撥液膜をパターニングするために撥液膜の表面に形成されたマスクを除去した後に、加熱処理を行うことなく、撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルが撥液膜表面で反応し、撥液膜表面におけるフッ素基の密度が向上する。したがって、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復することができる。
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
〔インクジェット記録装置の全体構成〕
図1は、本実施形態に係るインクジェット記録装置を示した全体構成図である。同図に示すように、このインクジェット記録装置10は、インクの色毎に設けられた複数のインクジェットヘッド(以下、単に「ヘッド」ともいう。)12K、12C、12M、12Yを有する印字部12と、各ヘッド12K、12C、12M、12Yに供給するインクを貯蔵しておくインク貯蔵/装填部14と、記録紙16を供給する給紙部18と、記録紙16のカールを除去するデカール処理部20と、前記印字部12のノズル面(インク吐出面)に対向して配置され、記録紙16の平面性を保持しながら記録紙16を搬送する吸着ベルト搬送部22と、印字部12による印字結果を読み取る印字検出部24と、印画済みの記録紙(プリント物)を外部に排紙する排紙部26と、を備えている。
図1は、本実施形態に係るインクジェット記録装置を示した全体構成図である。同図に示すように、このインクジェット記録装置10は、インクの色毎に設けられた複数のインクジェットヘッド(以下、単に「ヘッド」ともいう。)12K、12C、12M、12Yを有する印字部12と、各ヘッド12K、12C、12M、12Yに供給するインクを貯蔵しておくインク貯蔵/装填部14と、記録紙16を供給する給紙部18と、記録紙16のカールを除去するデカール処理部20と、前記印字部12のノズル面(インク吐出面)に対向して配置され、記録紙16の平面性を保持しながら記録紙16を搬送する吸着ベルト搬送部22と、印字部12による印字結果を読み取る印字検出部24と、印画済みの記録紙(プリント物)を外部に排紙する排紙部26と、を備えている。
図1では、給紙部18の一例としてロール紙(連続用紙)のマガジンが示されているが、紙幅や紙質等が異なる複数のマガジンを併設してもよい。また、ロール紙のマガジンに代えて、又はこれと併用して、カット紙が積層装填されたカセットによって用紙を供給してもよい。
ロール紙を使用する装置構成の場合、図1のように、裁断用のカッター28が設けられており、該カッター28によってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター28は、記録紙16の搬送路幅以上の長さを有する固定刃28Aと、該固定刃28Aに沿って移動する丸刃28Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃28Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃28Bが配置されている。なお、カット紙を使用する場合には、カッター28は不要である。
複数種類の記録紙を利用可能な構成にした場合、紙の種類情報を記録したバーコードあるいは無線タグ等の情報記録体をマガジンに取り付け、その情報記録体の情報を所定の読取装置によって読み取ることで、使用される用紙の種類を自動的に判別し、用紙の種類に応じて適切なインク吐出を実現するようにインク吐出制御を行うことが好ましい。
給紙部18から送り出される記録紙16はマガジンに装填されていたことによる巻き癖が残り、カールする。このカールを除去するために、デカール処理部20においてマガジンの巻き癖方向と逆方向に加熱ドラム30で記録紙16に熱を与える。このとき、多少印字面が外側に弱いカールとなるように加熱温度を制御するとより好ましい。
デカール処理後、カットされた記録紙16は、吸着ベルト搬送部22へと送られる。吸着ベルト搬送部22は、ローラー31、32間に無端状のベルト33が巻き掛けられた構造を有し、少なくとも印字部12のノズル面及び印字検出部24のセンサ面に対向する部分が平面をなすように構成されている。
ベルト33は、記録紙16の幅よりも広い幅寸法を有しており、ベルト面には多数の吸引孔(不図示)が形成されている。図1に示したとおり、ローラー31、32間に掛け渡されたベルト33の内側において印字部12のノズル面及び印字検出部24のセンサ面に対向する位置には吸着チャンバー34が設けられており、この吸着チャンバー34をファン35で吸引して負圧にすることによってベルト33上の記録紙16が吸着保持される。
ベルト33が巻かれているローラー31、32の少なくとも一方にモータ(不図示)の動力が伝達されることにより、ベルト33は図1において、時計回り方向に駆動され、ベルト33上に保持された記録紙16は、図1の左から右へと搬送される。
縁無しプリント等を印字するとベルト33上にもインクが付着するので、ベルト33の外側の所定位置(印字領域以外の適当な位置)にベルト清掃部36が設けられている。ベルト清掃部36の構成について詳細は図示しないが、例えば、ブラシ・ロール、吸水ロール等をニップする方式、清浄エアーを吹き掛けるエアーブロー方式、あるいはこれらの組み合わせなどがある。清掃用ロールをニップする方式の場合、ベルト線速度とローラー線速度を変えると清掃効果が大きい。
なお、吸着ベルト搬送部22に代えて、ローラー・ニップ搬送機構を用いる態様も考えられるが、印字領域をローラー・ニップ搬送すると、印字直後に用紙の印字面にローラーが接触するので、画像が滲み易いという問題がある。従って、本例のように、印字領域では画像面と接触させない吸着ベルト搬送が好ましい。
吸着ベルト搬送部22により形成される用紙搬送路上において印字部12の上流側には、加熱ファン40が設けられている。加熱ファン40は、印字前の記録紙16に加熱空気を吹きつけ、記録紙16を加熱する。印字直前に記録紙16を加熱しておくことにより、インクが着弾後乾き易くなる。
印字部12は、最大紙幅に対応する長さを有するライン型ヘッドを紙搬送方向(副走査方向)と直交する方向(主走査方向)に配置した、いわゆるフルライン型のヘッドとなっている。印字部12を構成する各ヘッド12K、12C、12M、12Yは、本インクジェット記録装置10が対象とする最大サイズの記録紙16の少なくとも一辺を超える長さにわたってインク吐出口(ノズル)が複数配列されたライン型ヘッドで構成されている(図2参照)。
記録紙16の搬送方向(紙搬送方向)に沿って上流側(図1の左側)から黒(K)、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)の順に各色インクに対応したヘッド12K、12C、12M、12Yが配置されている。記録紙16を搬送しつつ各ヘッド12K、12C、12M、12Yからそれぞれ色インクを吐出することにより記録紙16上にカラー画像を形成し得る。
このように、紙幅の全域をカバーするフルラインヘッドがインク色毎に設けられてなる印字部12によれば、紙搬送方向(副走査方向)について記録紙16と印字部12を相対的に移動させる動作を一回行うだけで(すなわち、一回の副走査で)記録紙16の全面に画像を記録することができる。これにより、ヘッドが紙搬送方向と直交する方向(主走査方向)に往復動作するシャトル型ヘッドに比べて高速印字が可能であり、生産性を向上させることができる。
なお本例では、KCMYの標準色(4色)の構成を例示したが、インク色や色数の組み合わせについては本実施形態には限定されず、必要に応じて淡インク、濃インクを追加してもよい。例えば、ライトシアン、ライトマゼンタ等のライト系インクを吐出するヘッドを追加する構成も可能である。
図1に示したように、インク貯蔵/装填部14は、各ヘッド12K、12C、12M、12Yに対応する色のインクを貯蔵するタンクを有し、各タンクは図示を省略した管路を介して各ヘッド12K、12C、12M、12Yと連通されている。また、インク貯蔵/装填部14は、インク残量が少なくなるとその旨を報知する報知手段(表示手段、警告音発生手段等)を備えるとともに、色間の誤装填を防止するための機構を有している。
印字検出部24は、印字部12の打滴結果を撮像するためのイメージセンサ(ラインセンサ等)を含み、該イメージセンサによって読み取った打滴画像からノズルの目詰まりその他の吐出不良をチェックする手段として機能する。
本例の印字検出部24は、少なくとも各ヘッド12K、12C、12M、12Yによるインク吐出幅(画像記録幅)よりも幅の広い受光素子列を有するラインセンサで構成される。このラインセンサは、赤(R)の色フィルタが設けられた光電変換素子(画素)がライン状に配列されたRセンサ列と、緑(G)の色フィルタが設けられたGセンサ列と、青(B)の色フィルタが設けられたBセンサ列とからなる色分解ラインCCDセンサで構成されている。なお、ラインセンサに代えて、受光素子が二次元配列されて成るエリアセンサを用いることも可能である。
印字検出部24は、各色のヘッド12K、12C、12M、12Yにより印字されたテストパターンを読み取り、各ヘッドの吐出検出を行う。吐出判定は、吐出の有無、ドットサイズの測定、ドット着弾位置の測定等で構成される。
印字検出部24の後段には、後乾燥部42が設けられている。後乾燥部42は、印字された画像面を乾燥させる手段であり、例えば、加熱ファンが用いられる。印字後のインクが乾燥するまでは印字面と接触することは避けたほうが好ましいので、熱風を吹きつける方式が好ましい。
多孔質のペーパに染料系インクで印字した場合などでは、加圧によりペーパの孔を塞ぐことでオゾンなど、染料分子を壊す原因となるものと接触することを防ぐことで画像の耐候性がアップする効果がある。
後乾燥部42の後段には、加熱・加圧部44が設けられている。加熱・加圧部44は、画像表面の光沢度を制御するための手段であり、画像面を加熱しながら所定の表面凹凸形状を有する加圧ローラー45で加圧し、画像面に凹凸形状を転写する。
このようにして生成されたプリント物は、排紙部26から排出される。本来プリントすべき本画像(目的の画像を印刷したもの)とテスト印字とは分けて排出することが好ましい。このインクジェット記録装置10では、本画像のプリント物と、テスト印字のプリント物とを選別してそれぞれの排出部26A、26Bへと送るために排紙経路を切り換える選別手段(不図示)が設けられている。なお、大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列に形成する場合は、カッター(第2のカッター)48によってテスト印字の部分を切り離す。カッター48は、排紙部26の直前に設けられており、画像余白部にテスト印字を行った場合に、本画像とテスト印字部を切断するためのものである。カッター48の構造は前述した第1のカッター28と同様であり、固定刃48Aと丸刃48Bとから構成されている。
また、図示を省略したが、本画像の排出部26Aには、オーダー別に画像を集積するソーターが設けられている。
〔ヘッドの構造〕
次に、ヘッド12K、12C、12M、12Yの構造について説明する。なお、各ヘッド12K、12C、12M、12Yの構造は共通しているので、以下では、これらを代表して符号50によってヘッドを示すものとする。
次に、ヘッド12K、12C、12M、12Yの構造について説明する。なお、各ヘッド12K、12C、12M、12Yの構造は共通しているので、以下では、これらを代表して符号50によってヘッドを示すものとする。
図3(a)は、ヘッド50の構造例を示す平面透視図であり、図3(b)は、その一部の拡大図である。また、図3(c)は、ヘッド50の他の構造例を示す平面透視図である。図4は、インク室ユニットの立体的構成を示す断面図(図3(a)、(b)中、IV−IV線に沿う断面図)である。
記録紙面上に形成されるドットピッチを高密度化するためには、ヘッド50におけるノズルピッチを高密度化する必要がある。本例のヘッド50は、図3(a)、(b)に示すように、インク滴の吐出孔であるノズル51と、各ノズル51に対応する圧力室52等からなる複数のインク室ユニット53を千鳥でマトリクス状に(2次元的に)配置させた構造を有し、これにより、ヘッド長手方向(紙搬送方向と直交する主走査方向)に沿って並ぶように投影される実質的なノズル間隔(投影ノズルピッチ)の高密度化を達成している。
紙搬送方向と略直交する方向に記録紙16の全幅に対応する長さにわたり1列以上のノズル列を構成する形態は本例に限定されない。例えば、図3(a)の構成に代えて、図3(c)に示すように、複数のノズル51が2次元に配列された短尺のヘッドブロック(ヘッドチップ)50’を千鳥状に配列して繋ぎ合わせることで記録紙16の全幅に対応する長さのノズル列を有するラインヘッドを構成してもよい。また、図示は省略するが、短尺のヘッドを一列に並べてラインヘッドを構成してもよい。
図4に示すように、ヘッド50のインク吐出面50aを構成するノズルプレート60には撥液膜62が形成されている。この撥液膜62は、後述する本発明に係る撥液膜のパターニング方法によってノズルプレート60の表面にパターニングされたものであり、当該パターニングに用いられたマスクを撥液膜62の表面から除去した後、加熱処理することなく、フッ素プラズマ処理によって撥液性能の回復処理が行われ、ヘッド50の吐出安定化が図られている。
各ノズル51に対応して設けられている圧力室52は、その平面形状が概略正方形となっており、対角線上の両隅部にノズル51と供給口54が設けられている。各圧力室52は供給口54を介して共通流路55と連通されている。共通流路55はインク供給源たるインク供給タンク(不図示)と連通しており、該インク供給タンクから供給されるインクは共通流路55を介して各圧力室52に分配供給される。
圧力室52の天面を構成し共通電極と兼用される振動板56には個別電極57を備えた圧電素子58が接合されており、個別電極57に駆動電圧を印加することによって圧電素子58が変形してノズル51からインクが吐出される。インクが吐出されると、共通流路55から供給口54を通って新しいインクが圧力室52に供給される。
本例では、ヘッド50に設けられたノズル51から吐出させるインクの吐出力発生手段として圧電素子58を適用したが、圧力室52内にヒータを備え、ヒータの加熱による膜沸騰の圧力を利用してインクを吐出させるサーマル方式を適用することも可能である。
かかる構造を有するインク室ユニット53を図3(b)に示す如く、主走査方向に沿う行方向及び主走査方向に対して直交しない一定の角度θを有する斜めの列方向に沿って一定の配列パターンで格子状に多数配列させることにより、本例の高密度ノズルヘッドが実現されている。
即ち、主走査方向に対してある角度θの方向に沿ってインク室ユニット53を一定のピッチdで複数配列する構造により、主走査方向に並ぶように投影されたノズルのピッチPはd× cosθとなり、主走査方向については、各ノズル51が一定のピッチPで直線状に配列されたものと等価的に取り扱うことができる。このような構成により、主走査方向に並ぶように投影されるノズル列が1インチ当たり2400個(2400ノズル/インチ)におよぶ高密度のノズル構成を実現することが可能になる。
なお、本発明の実施に際してノズルの配置構造は図示の例に限定されず、副走査方向に1列のノズル列を有する配置構造など、様々なノズル配置構造を適用できる。
また、本発明の適用範囲はライン型ヘッドによる印字方式に限定されず、記録紙16の幅方向(主走査方向)の長さに満たない短尺のヘッドを記録紙16の幅方向に走査させて当該幅方向の印字を行い、1回の幅方向の印字が終わると記録紙16を幅方向と直交する方向(副走査方向)に所定量だけ移動させて、次の印字領域の記録紙16の幅方向の印字を行い、この動作を繰り返して記録紙16の印字領域の全面にわたって印字を行うシリアル方式を適用してもよい。
〔撥液膜のパターニング方法〕
次に、本発明に係る撥液膜のパターニング方法の一例(第1〜第3の実施形態)について説明する。なお、本発明に係る撥液膜のパターニング方法は、上述したヘッド50の構成部材であるノズルプレート60の表面に形成される撥液膜62のパターニングに適用されるだけでなく、ノズルプレート以外の基板上に形成された撥液膜のパターニングにも適用可能である。
次に、本発明に係る撥液膜のパターニング方法の一例(第1〜第3の実施形態)について説明する。なお、本発明に係る撥液膜のパターニング方法は、上述したヘッド50の構成部材であるノズルプレート60の表面に形成される撥液膜62のパターニングに適用されるだけでなく、ノズルプレート以外の基板上に形成された撥液膜のパターニングにも適用可能である。
<第1の実施形態>
図5は、第1の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法を示した工程図である。
図5は、第1の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法を示した工程図である。
まず、図5(a)に示すように、基板100(例えば、シリコン基板など)を準備する。基板100は、図4に示したノズルプレート60などに相当するものであり、シリコンや金属、ポリイミドなどの樹脂材料で構成される。
次に、図5(b)に示すように、基板100の表面(図の上面)全体に撥液膜102を形成する。例えば、スピンコート法で基板100上に撥液膜102を形成後キュアする方法や、真空蒸着法、スパッタ法などを用いて撥液膜102を形成する方法がある。
撥液膜102としては、市販品の中から、旭硝子社製のサイトップシリーズ、デュポン社製のテフロン(登録商標)AFシリーズなどのアモルファスフッ素樹脂を用いることができる。これらの中でも、デュポン社製のテフロン(登録商標)AF(商品名)などのガラス転移点が高いものが好ましい。後述するレジストマスク104(図5(d)参照)を形成する工程において、フォトレジストのソフトベークやポストベーク時の加熱時に、撥液膜のガラス転移温度以上に加熱が行われると、撥液膜が軟化したり、マスク材との熱膨張係数の違いから、マスク剥れやマスクパターンの変形などの問題が発生したりする問題がある。そこで、撥液膜102は、ガラス転移点が高い材料で構成されることが好ましく、熱膨張係数が基材(基板100)やマスク材と近い材質がより好ましい。
次に、図5(c)に示すように、次工程で形成されるレジストマスク104との密着性を向上させるために、プラズマ処理によって撥液膜102の表面を親水化処理する。具体的には、酸素、アルゴン、アルゴン/水素の混合ガスなどを用いてプラズマを生成し、所定の時間(例えば1〜60分間)、プラズマにより表面処理を行えばよい。親水化処理の方法としては、プラズマ処理に限らず、大気圧プラズマ処理、真空紫外光を照射する方法、オゾン処理などの方法を用いることができる。
次に、図5(d)に示すように、撥液膜102の表面(図の上面)にレジストマスク104を形成する。前工程において撥液膜102の表面は親水化処理されているので、撥液膜102とレジストマスク104の密着性が向上し、レジストマスク104を確実に形成することができる。このとき形成されるレジストマスク104は、撥液膜102をパターニングするためのマスクとして機能する。
レジストマスク104を構成する材料は、フォトレジストなどの感光性樹脂である。例えば、レジストマスク104を構成する材料として、東京応化工業社製のOFPRシリーズやTSMRシリーズ、AZ社製の1500シリーズや6000シリーズなどのフォトレジストを用いることが可能である。
ここで、レジストマスク104の形成方法について詳しく説明する。
まず、親水化処理された撥液膜102の表面全体にスピンコート法やスプレーコート法などの方法でレジスト層を形成する。
次に、レジスト層のプリベーク(ソフトベーク)を行う。プリベークは、ホットプレートやオーブンなどでレジスト材料の最適温度(例えば90〜120℃)で行えばよい。
続いて、アライナーやステッパーを用いてレジスト材料に最適な露光量でレジスト層の露光を行う。例えば、東京応化工業社製のOFPR−800(商品名)の膜厚が1μmの場合、露光量120mJ/cm2が最適である。使用するレジスト材料によっては、露光後ベーク(PEB)を行ってもよい。
そして、レジスト層を含む基板全体を現像液に浸漬後、純水にてリンスし、当該基板を乾燥させることにより、レジスト層の現像を行う。例えば、東京応化工業社製のOFPR−800(商品名)の場合、東京応化工業社製の現像液NMD−3(商品名)に約60秒間下漬けし、純水にて60秒間のリンスを2回繰り返し、その後スピンドライヤなどで基板に付いた水分を取り除く。
最後に、ホットプレートやオーブンを用いて基板を加熱することにより、ポストベークを行う。このときの加熱温度は100〜200℃程度であり、1〜60分間加熱する。例えば、東京応化工業社製のOFPR−800(商品名)の場合、ホットプレートを用いて加熱温度110℃で1分30秒間加熱する。
このようにして、図5(d)に示したように、撥液膜102の表面にレジストマスク104を形成することができる。
引き続き、第1の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法について、図5を参照しながら説明する。
上述したようにしてレジストマスク104を形成した後(図5(d))、図5(e)に示すように、レジストマスク104をマスクとして、ドライエッチング法により撥液膜102のパターニングを行う。
ここで、本実施形態で用いられるドライエッチング装置の構成例を図6に示す。本実施形態で用いられるドライエッチング装置200は、誘電結合型プラズマ(Inductive Coupling Plasma : ICP)が適用されたものであるが、これに限らず、例えば、ヘリコン波励起プラズマ(Helicon Wave Plasma : HWP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(Electron Cyclotron resonance Plasma : ECP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(Surface Wave Plasma : SWP)などのプラズマ源を用いた方式が適用されたドライエッチング装置を用いることも可能である。
図6に示すドライエッチング装置200は、チャンバ202(真空容器)内にプロセスガス(エッチングガス)を供給するプロセスガス供給部204と、チャンバ202内のガスを排気する排気部206と、チャンバ202内の圧力調整を行う圧力調整部(不図示)とを備えており、プロセスガス供給部204からチャンバ202内にプロセスガスを供給しつつ、排気部206から排気を行うことにより、チャンバ202内の圧力調整が行われる。
チャンバ202の上面には誘電体窓208が密閉的に取付けられており、更に誘電体窓208の上方(大気側)にはループコイル状のアンテナ210が設置されている。アンテナ210には、マッチング回路(整合器)212を介して、プラズマ発生用の高周波電源(RF電源)214が接続されている。プラズマ発生用の高周波電源214の周波数は2MHz〜60MHz帯を用いればよく、例えば13.56MHzを用いればよい。また、プラズマ発生用の高周波電源214をパルス駆動させてもよい。
チャンバ202内のステージ216には、静電チャック又はクランプを備えた基板冷却機構(不図示)が設けられており、そのステージ216上に被エッチング材となる基板218(図5(d)に示す基板100、撥液膜102、及びレジストマスク104からなる基板構造体に相当)が載置される。ステージ216には、マッチング回路220を介して、バイアス印加用の電源(バイアス電源)222が接続されている。バイアス電源222の周波数は200kHz〜60MHz帯を用いればよく、例えば13.56MHzを用いればよい。また、プラズマ発生用の高周波電源214と同様に、バイアス電源222をパルス駆動させてもよい。また、プラズマ発生用の高周波電源214及びバイアス電源222をパルス駆動させる場合には、各電源のパルス周期を同期させる手段を設けるようにしてもよい。
撥液膜102のドライエッチングは、例えば、撥液膜102としてデュポン社製のテフロン(登録商標)AF(商品名)をエッチングする場合、プロセスガスとして酸素(O2)を用いる。又は、不活性ガスであるアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、キセノン(Xe)と酸素との混合ガスを用いたり、フッ素系ガスである六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)、三フッ化窒素(NF3)、三フッ化メタン(CHF3)、ヘキサフルオロエタン(C2F6)、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)などを酸素と混合して用いたり、酸素とフッ素系ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いたりすればよい。ガス流量は、10〜1000sccm程度であり、例えば、酸素(O2)の場合は100sccmである。また、チャンバ202内の圧力は、0.01〜13Paの範囲で行えばよく、例えば、0.5Paで行えばよい。
このように構成されるドライエッチング装置200を用いて、例えば、プラズマ発生用の高周波電源214より13.56MHzの高周波を1000Wの電力でアンテナ210に印加し、アンテナ210から誘電体窓208を介してチャンバ202内に電磁波を放射して、チャンバ202内に高密度のプラズマを生成させる。このとき、ステージ216には、バイアス電源222より13.56MHzの高周波を300Wの電力で印加する。
これにより、図5(e)に示すように、レジストマスク104で覆われていない部分の撥液膜102がエッチングされ、レジストマスク104に対応した形状に撥液膜102がパターニングされる。
なお、本実施形態においては、上述したように、撥液膜102のパターニング方法として、ドライエッチング法が好適に用いられるが、これに限らず、サンドブラスト法など各種方法を適用することも可能である。
次に、図5(f)に示すように、レジストマスク104を除去する。レジストマスク104の除去方法としては、酸素プラズマを用いたアッシングや専用の剥離液を用いてレジストマスク104を除去すればよい。レジスト剥離液は、例えば、東京応化工業社製のSTRIPPER−502A(商品名)やAZ社製のAZリムーバー100(商品名)などを用いることが可能である。
次に、図5(g)に示すように、撥液膜102の撥液性回復処理として、レジストマスク104が剥離された撥液膜102の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う。具体的には、フッ素系ガスを用いてプラズマを生成することで、フッ素ラジカル及びフッ素イオンを撥液膜102の表面へ照射する。フッ素プラズマ処理には、上述したドライエッチング法で用いるのと同様な装置を用いることが可能である。
ここで、本実施形態で用いられる撥液性回復装置(フッ素プラズマ処理装置)の構成例を図7に示す。本実施形態で用いられる撥液性回復装置は、誘電結合型プラズマ(Inductive Coupling Plasma : ICP)が適用されたものであるが、本発明の実施に際しては特に本例に限定されるものではなく、例えば、ヘリコン波励起プラズマ(Helicon Wave Plasma : HWP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(Electron Cyclotron resonance Plasma : ECP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(Surface Wave Plasma : SWP)などのプラズマ源を用いた方式を適用することも可能である。
図7に示す撥液性回復装置300は、図6に示したドライエッチング装置200と同様な構成であり、チャンバ302(真空容器)内にプロセスガス(エッチングガス)を供給するプロセスガス供給部304と、チャンバ302内のガスを排気する排気部306と、チャンバ302内の圧力調整を行う圧力調整部(不図示)とを備えており、プロセスガス供給部304からチャンバ302内にプロセスガスを供給しつつ、排気部306から排気を行うことにより、チャンバ302内の圧力調整が行われる。
チャンバ302の上面には誘電体窓308が密閉的に取付けられており、更に誘電体窓308の上方(大気側)にはループコイル状のアンテナ310が設置されている。アンテナ310には、マッチング回路(整合器)312を介して、プラズマ発生用の高周波電源(RF電源)314が接続されている。プラズマ発生用の高周波電源314の周波数は12MHz〜60MHz帯を用いればよく、例えば13.56MHzを用いればよい。また、プラズマ発生用の高周波電源314をパルス駆動させてもよい。
チャンバ302内のステージ316には、静電チャック又はクランプを備えた基板冷却機構(不図示)が設けられており、そのステージ316上に被エッチング材となる基板318(図5(g)に示す基板100及び撥液膜102からなる基板構造体に相当)が載置される。ステージ316には、マッチング回路320を介して、バイアス印加用の電源(バイアス電源)322が接続されている。バイアス電源322の周波数は200kHz〜60MHz帯を用いればよく、例えば13.56MHzを用いればよい。また、プラズマ発生用の高周波電源314と同様に、バイアス電源322をパルス駆動させてもよい。また、プラズマ発生用の高周波電源314及びバイアス電源322をパルス駆動させる場合には、各電源のパルス周期を同期させる手段を設けるようにしてもよい。
プラズマ処理に用いるガスは、フッ素系ガスである六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)、三フッ化窒素(NF3)、三フッ化メタン(CHF3)、ヘキサフルオロエタン(C2F6)、オクタフルオロシクロブタン(C4F8 )などを用いればよい。また、不活性ガスであるアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、キセノン(Xe)との混合ガスを用いてもよい。ガス流量は、10〜1000sccm程度であり、例えば、四フッ化炭素(CF4)の場合は100sccmである。また、チャンバ302内の圧力は、0.01〜13Paの範囲で行えばよく、例えば、0.75Paで行えばよい。
このように構成される撥液性回復装置300を用いて、例えば、プラズマ発生用の高周波電源314より13.56MHzの高周波を1000Wの電力でアンテナ310に印加し、アンテナ310から誘電体窓208を介してチャンバ302内に電磁波を放射して、チャンバ302内に高密度のプラズマを生成させる。このとき、ステージ316には、バイアス電源322より13.56MHzの高周波を5Wの電力で印加する。
これにより、図5(h)に示すように、レジストマスク104が除去された撥液膜102の表面の撥液性を回復させることができる。
本実施形態において、パターニングされた撥液膜102の側面部102a(図5(h)参照)の撥液性を回復したい場合は、チャンバ302内の圧力(真空度)を1Pa以上にして行うことが好ましい。一方、パターニングされた撥液膜102の側面部102aの撥液性を回復したくない場合(即ち、側面部102aの親液性を維持したい場合)は、チャンバ302内の圧力(真空度)を1Pa以下にして行うことが好ましい。なお、チャンバ302内の圧力調整は、上述した圧力調整部(圧力制御部)によって行われる。
また、本発明者が行った実験によれば、表面エネルギーが23mN/mの液体で接触角測定を行ったところ、旭硝子社製のサイトップ(商品名)の初期接触角は48°であり、逆スパッタを行った後は5°以下となった。そして、撥液性能回復処理として、バイアス電源322から300Wの電力で印加した場合は、28°と十分な撥液性能の回復は得られなかったが、バイアス電源322から印加される電力を5Wとした場合は、接触角は45°と撥液性能を回復することができた。このことから、撥液膜の撥液性能を回復させるためには、基板へのイオンの照射を制御することが重要であり、バイアス電源322からステージ216に印加される電力(基板バイアス出力)を制御する態様が好ましい。特に、バイアス電源322からステージ216に印加される電力(基板バイアス出力)は低い方が好ましい。
第1の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法によれば、撥液膜をパターニングするために撥液膜の表面に形成されたレジストマスクを除去した後に、加熱処理を行うことなく、撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルが撥液膜表面で反応し、撥液膜表面におけるフッ素基の密度が向上する。したがって、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復することができる。
<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。以下、第1の実施形態と共通する部分については説明を省略し、本実施形態の特徴的な部分を中心に説明する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。以下、第1の実施形態と共通する部分については説明を省略し、本実施形態の特徴的な部分を中心に説明する。
第2の実施形態は、レジストマスクの代わりに、ハードマスクを用いて、第1の実施形態と同様なプロセスで撥液膜をパターニングする方法である。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法を示した工程図である。まず、図8(a)に示すように、基板110を準備し、続いて、図8(b)に示すように、基板110の表面全体に撥液膜112を形成する。基板110の構成材料や撥液膜112の形成方法については、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
次に、図8(c)に示すように、撥液膜112の表面全体にハードマスク114を形成する。ハードマスク114は、シリコン酸化膜(SiO2膜)やシリコン窒化膜(SiN膜)、アルミ(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)などの金属膜で構成される。ハードマスク114の形成方法としては、真空蒸着法、CVD法などの各種成膜方法を用いることができる。ハードマスク114の成膜温度としては、応力の関係に起因する膜剥離を防止する観点から、撥液膜112のガラス転移温度以下が好ましく、室温で成膜することがより好ましい。
ハードマスク114は、撥液膜112との密着性を確保する観点から、アルミで構成されることが特に好ましい。アルミは、撥液膜112の表面のフッ素基と化学吸着しやすいので、十分な吸着性を確保することができる。スパッタ法でアルミを成膜する場合、例えば、アルバック社製のスパッタ装置SH550(商品名)を用いればよい。
このようにハードマスク114を用いる態様によれば、撥液膜112の表面処理を行ってからハードマスク114を形成することもできるし、撥液膜112の表面処理を行わずにハードマスク114を形成することもできる。
撥液膜112の表面処理を行ってからハードマスク114を形成する場合には、まず、表面処理として、逆スパッタによって親水化処理を実施し、続いて、スパッタ法でアルミを成膜する。例えば、親水化処理するときの逆スパッタ条件として、アルゴン:50sccm、真空度:0.5Pa、RF出力:500Wで300秒間行う。そして、アルミを成膜するときのスパッタ条件として、アルゴン:50sccm、真空度:0.67Pa、DC出力:1000Wで319秒間行うことにより、約50nm程度の厚さのアルミを成膜することができる。
一方、撥液膜112の表面処理を行わずにハードマスク114を形成する場合には、スパッタ条件として、アルゴン:50sccm、真空度:0.67Pa、DC出力:4000Wで39秒間行うと、約50nm程度成膜することができる。高速でスパッタ成膜することで、逆スパッタによる親水化処理を行わなくても、撥液膜102と十分な密着性を確保しつつ、アルミからなるハードマスク114を形成することができる。
また、真空蒸着法によりアルミを成膜する場合には、アルバック社製のEBX1000(商品名)を用いて行えばよい。成膜条件としては、抵抗加熱にて成膜レート0.2nm/secになるようにし、250秒間で約50nm成膜することができる。なお、成膜は、室温で行う。真空蒸着法を用いることで、撥液膜112の表面処理を行わずに、アルミからなるハードマスク114を形成することができる。
このようにスパッタ法や真空蒸着法によれば、いずれも撥液膜112の表面にハードマスク114を直接形成することができるので、撥液膜112の表面処理(親水化処理)が不要となり、撥液膜112に対するダメージを軽減することができ、後述する撥液性回復処理後の撥液膜112の撥液性をより良好な状態にすることができる。
次に、図8(d)に示すように、ハードマスク114の表面にレジストマスク116を形成する。このとき形成されるレジストマスク116は、ハードマスク114を所定形状にパターニングするためのマスクとして機能するものであり、第1の実施形態で説明したレジストマスク104(図5(d)参照)とは機能が異なるものである。
レジストマスク116のパターニング方法としては、第1の実施形態におけるレジストマスク104のパターニング方法と同様であるので説明は省略するが、スピンコートやスプレーコート法などでフォトレジストなどの感光性樹脂からなるレジスト層を形成し、プリベーク、露光、現像、ポストベークの各プロセスを順次実施して、図8(d)に示すように、所定形状にレジストマスク116をパターニングすればよい。
次に、図8(e)に示すように、所定形状にパターニングされたレジストマスク116をマスクとして、ウェットエッチングやドライエッチングなどの方法でハードマスク114をパターニングする。ハードマスク114がアルミで構成される場合において、ウェットエッチングでパターニングを行う際には、市販されているエッチング液を用いればよい。また、エッチング液として、りん酸、硝酸、酢酸の混合液を用いてもよい。また、ドライエッチングでパターニングを行う場合には、塩素や三塩化ホウ素などのエッチングガスを用いればよい。
続いて、レジストマスク116を除去し(図8(f))、ハードマスク114をマスクとして、撥液膜112のパターニングを行う(図8(g))。そして、ハードマスク114を除去する(図8(h))。ハードマスク114の除去方法としては、例えば、ウェットエッチングに用いるエッチング液を用いてハードマスク114を除去すればよい。また、ハードマスク114がアルミで構成される場合には、市販されているエッチング液を用いればよい。また、りん酸、硝酸、酢酸の混合液を用いてハードマスク114を除去することもできる。
このようにしてハードマスク114を除去した後、図8(i)に示すように、撥液性回復処理として、ハードマスク114が剥離された撥液膜112の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う。これにより、撥液膜112の撥液性能を回復させることができる(図8(j))。
なお、レジストマスク116の除去方法、撥液膜112のパターニング方法、撥液性回復処理の方法については、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
第2の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法によれば、上述した第1の実施形態と同様に、撥液膜をパターニングするために撥液膜の表面に形成されたハードマスクを除去した後に、加熱処理を行うことなく、撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルが撥液膜表面で反応し、撥液膜表面におけるフッ素基の密度が向上する。したがって、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復することができる。
また、撥液膜をパターニングするためのマスクとしてハードマスクを用いているので、当該ハードマスクを介してドライエッチングで撥液膜をパターニングする場合、第1の実施形態のようにレジストマスクを用いる場合に比べて、撥液膜との選択比が高くなるため、異方性形状を有する撥液膜を得やすい。
また、基板上に形成された撥液膜の表面処理(親水化処理)を行わずに、撥液膜の表面にハードマスクをスパッタ法や真空蒸着法などの方法で形成することができるので、撥液膜の表面にレジストマスクを形成する場合に比べて、表面処理工程を削減することが可能となり、工程簡略化することができ、コストダウンを図ることができる。また、表面処理を行う必要がないので、撥液膜に対するダメージも少ない。
<第3の実施形態>
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。以下、第1及び第2の実施形態と共通する部分については説明を省略し、本実施形態の特徴的な部分を中心に説明する。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。以下、第1及び第2の実施形態と共通する部分については説明を省略し、本実施形態の特徴的な部分を中心に説明する。
第3の実施形態は、第2の実施形態と同様なプロセスで、SOI基板を用いてノズルプレートの形成と撥液膜のパターニングを行う方法である。
図9〜図11は、本発明の第3の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法を示した工程図である。ここでは、図11(e)に示すように、ノズル134及びインク流路144が形成される基板構造体146を作製する場合を一例として説明する。
まず、図9(a)に示すように、支持体(Si)120、Box層(SiO2)122、及び活性層(Si)124からなるSOI基板(3層構造基板)126を準備する。支持体120及び活性層124は、シリコン基板(Si基板)で構成され、Box層122は、シリコン酸化膜(SiO2膜)で構成される。活性層124の厚さは、ノズル134の長さに対応する厚さとし、例えば20μmである。支持体120の厚さは、インク流路144の長さに対応する厚さとし、例えば300μmである。Box層122は、0.2〜2μm程度の厚さとし、例えば0.5μである。SOI基板126を用いることで、各層の厚さを高精度に制御することが容易となる。また、ハンドリング性も向上し、生産性が向上する。
次に、図9(b)に示すように、活性層124の表面全体に撥液膜128を形成する。続いて、撥液膜128の表面全体にハードマスク130を形成した後(図9(c))、更に、撥液膜128の表面にレジストマスク132を形成し(図9(d))、当該レジストマスク132をマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによりハードマスク130をパターニングする(図9(e))。その後、レジストマスク132を除去し(図9(f))、ハードマスク130をマスクとして、ドライエッチング法により撥液膜128をパターニングする(図9(g))。ここまでの各工程については、上述した第2の実施形態(或いは第1の実施形態)と同様であるので説明を省略する。
次に、図10(a)に示すように、シリコンエッチングを行う。具体的には、撥液膜128の表面に形成されているハードマスク130をマスクとして、SOI基板126の活性層124を構成するシリコンをエッチングすることでノズル134を形成する。シリコンのエッチング方法としては、ドライエッチングを用いればよく、ボッシュプロセスを用いる方法やクライオプロセスを用いる方法、通常のドライエッチングを用いる方法で行えばよい。ノズル134の形成には、通常のドライエッチングでシリコンをエッチングすることが好ましい。例えば、六フッ化硫黄(SF6)と酸素(O2)の混合ガスや六フッ化硫黄(SF6)とオクタフルオロシクロブタン(C4F8)の混合ガスなどを用いて高密度プラズマを形成し、シリコンをエッチングすることで、スキャロップのない垂直形状を得ることができる。
次に、図10(b)に示すように、SOI基板126、撥液膜128、及びハードマスク130からなる基板構造体140を上下逆にして、基板構造体140のハードマスク130が形成される面側(図の下面側)に、両面テープやUV剥離型のテープなどで構成される接着層138を介してダミー基板136を貼り付ける。ダミー基板136としては、シリコン基板やガラス基板などを用いることができる。
次に、図10(c)に示すように、SOI基板126の裏面側(活性層124が形成される面とは反対側)に相当する支持体120の表面にレジストマスク142を形成する。レジストマスク142のパターニング方法としては、第1の実施形態におけるレジストマスク104のパターニング方法と同様であるので説明は省略するが、スピンコートやスプレーコート法などでフォトレジストなどの感光性樹脂からなるレジスト層を形成し、プリベーク、露光、現像、ポストベークの各プロセスを順次実施して、図10(c)に示すように、所定形状にレジストマスク142をパターニングすればよい。レジストマスク142は、単層に限らず、複数層で構成されていてもよい。また、レジストマスク142に代えて、酸化膜、窒化膜、金属膜などのハードマスクを形成するようにしてもよい。
次に、図10(d)に示すように、支持体120の表面に形成されたレジストマスク142をマスクとして、ドライエッチングによって、支持体120を構成するシリコンをエッチングすることでインク流路144を形成する。ドライエッチングの方法としては、エッチングと保護膜形成を繰り返し行うことによりシリコンのエッチングを行う方法や、六フッ化硫黄(SF6)、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)、酸素(O2)、三フッ化メタン(CHF3)などの混合ガスを用いて、側壁保護膜の形成を繰り返しながら、ドライエッチングを行う方法などを用いることができる。このようにしてドライエッチングを行う際、SOI基板126のBox層122がエッチングストップ層として機能する。
次に、図10(e)に示すように、Box層122を構成するシリコン酸化膜をエッチングする。シリコン酸化膜のエッチングは、ドライエッチングやHF蒸気を用いたエッチング、ウェットエッチングで行うことができる。これにより、インク流路144とノズル134が連通した状態となる。
次に、レジストマスク142を除去して(図11(a))、基板構造体140からダミー基板136を剥離した後(図11(b))、ハードマスク130を除去する(図11(c))。ダミー基板136の剥離方法は、接着層138を構成する接着剤の剥離方法によるが、ダミー基板136の剥離を容易にする観点から、接着層138が加熱剥離型の接着剤やUV剥離型の接着剤で構成されることが好ましい。なお、レジストマスク142やハードマスク130の除去方法については、上述した第1の実施形態や第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。
このようにしてハードマスク130を除去した後、図11(d)に示すように、撥液性回復処理として、ハードマスク130が剥離された撥液膜128の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う。これにより、撥液膜128の撥液性能を回復させることができる(図11(e))。なお、フッ素プラズマ処理の方法については、上述した第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においては、図7に示した撥液性回復装置300を用いてフッ素プラズマ処理を行う際、チャンバ302内の圧力(真空度)を1Pa以下にして行うことが好ましい。1Pa以下の圧力でフッ素プラズマ処理を行うことにより、イオンを垂直に基板へ照射することができるので、撥液膜128の表面部128aの撥液性能を回復させることができる一方で、撥液膜128の側面部128bへのプラズマ照射は行われず、撥液膜128の側面部128bは親液状態のままとなり、インクに対する濡れ性が良好となる。よって、メニスカスの位置が固定され、安定吐出が可能となる。
第3の実施形態に係る撥液膜のパターニング方法によれば、上述した各実施形態と同様に、撥液膜をパターニングするために撥液膜の表面に形成されたハードマスクを除去した後に、加熱処理を行うことなく、撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルが撥液膜表面で反応し、撥液膜表面におけるフッ素基の密度が向上する。したがって、撥液膜の形状劣化や基板の反りを防止しつつ、撥液膜の撥液性能を回復することができる。
また、基板上にノズルパターンに従ってパターニングされた撥液膜に対して、加熱処理することなく、フッ素プラズマ処理によって撥液性能を回復させることができるので、ノズル内部に撥液膜の一部が侵入することがなく、インクジェットヘッドの吐出安定化を図ることができる。
以上、撥液膜のパターニング方法、及び撥液膜の撥液性回復方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
10…インクジェット記録装置、50…ヘッド、51…ノズル、52…圧力室、54…インク供給口、55…共通液室、58…圧電素子、60…ノズルプレート、62…撥液膜、100…基板、102…撥液膜、104…レジストマスク、110…基板、112…撥液膜、114…ハードマスク、116…レジストマスク、120…支持体、122…BOX層、124…活性層、126…SOI基板、128…撥液膜、130…ハードマスク、132…レジストマスク、134…ノズル、136…ダミー基板、138…接着層、140…基板構造体、144…インク流路、146…基板構造体、300…撥液性回復装置、302…チャンバ
Claims (7)
- 基板上に撥液膜を形成する工程と、
前記撥液膜上に所定形状にパターニングされたマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して前記撥液膜をパターニングする工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 請求項1に記載の撥液膜のパターニング方法において、
前記撥液膜上に前記マスクを形成する前に、前記撥液膜の表面に親液化処理を行うことを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 請求項2に記載の撥液膜のパターニング方法において、
前記親液化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 請求項1乃至3に記載の撥液膜のパターニング方法において、
前記マスクは、酸化膜、窒化膜、又は金属膜からなるハードマスクであることを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 請求項4に記載の撥液膜のパターニング方法において、
前記ハードマスクは、アルミからなる金属膜であることを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 請求項4又は5に記載の撥液膜のパターニング方法において、
前記ハードマスクは、スパッタ、真空蒸着、又はCVDにより形成されたものであることを特徴とする撥液膜のパターニング方法。 - 基板上に形成された撥液膜の表面に対してフッ素プラズマ処理を行うことにより、前記撥液膜の撥液性能を回復させることを特徴とする撥液膜の撥液性能回復方法。
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