JP2009537993A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- ＣＶＤ反応チャンバの排出ラインにおけるポリマーの形成を防止する方法であって、
ポリマーを形成する付着物を破壊し、および／または付着物を防止して、前記排出ラインにおけるポリマー種の形成を防止するためにエネルギーを生成する低周波数ＲＦチャンバを含む下流チャンバを介して、前記ＣＶＤ反応チャンバから排出されたガスを流すステップを備える、方法。 - 前記低周波数ＲＦチャンバが約１０００℃〜１２００℃の温度を生成する、請求項１に記載の方法。
- 前記低周波数ＲＦチャンバが約１０ＫＨｚ未満の周波数で動作し、前記低周波数ＲＦチャンバが１０トール未満の圧力でプラズマを生成する、請求項２に記載の方法。
- ＨＣｌおよびＣｌ２から選択されたエッチャントを前記低周波数ＲＦチャンバに導入するステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
- 前記下流チャンバがＵＶ光源を含む、請求項１に記載の方法。
- 基板サポートと、反応チャンバにガスを導入するガス分布システムとを含むＣＶＤ反応チャンバと、
プロセスチャンバからガスを除去するための、前記反応チャンバに接続されている排出ラインと、
前記排出ラインにおけるポリマーの形成を防止するための、前記排出ラインに結合されているデバイスと、
を備える、ＣＶＤ装置。 - 前記デバイスが、約１０００℃〜１２００℃の温度を発生させるように適合されている熱チャンバを備える、請求項６に記載の装置。
- 前記熱チャンバが低周波数ＲＦチャンバを備える、請求項７に記載の装置。
- 前記低周波数ＲＦチャンバが約１０ＫＨｚ未満の周波数で動作する、請求項８に記載の装置。
- 前記排出ラインと連通しているエッチャントガス注入口をさらに備える、請求項６に記載の装置。
- 前記デバイスが、前記排出ラインに結合されているＵＶ光源を備える、請求項６に記載の装置。
- 前記ＵＶ光源が１７２ｎｍの波長で動作する、請求項１１に記載の装置。
- 前記低周波数ＲＦチャンバがヘリカル共鳴コイルを備える、請求項８に記載の装置。
- 前記ヘリカル共鳴コイルがサセプタチューブを囲む、請求項１３に記載の装置。
- 前記エッチャントガスがＨＣｌを備える、請求項１０に記載の装置。
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|---|---|---|---|---|
| US4263873A (en) * | 1979-03-19 | 1981-04-28 | George Christianson | Animal litter and method of preparation |
| US4263872A (en) * | 1980-01-31 | 1981-04-28 | Rca Corporation | Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates |
| JPS60114570A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置の排気系 |
| US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US5451378A (en) * | 1991-02-21 | 1995-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Photon controlled decomposition of nonhydrolyzable ambients |
| FR2686347B1 (fr) * | 1992-01-22 | 1994-10-07 | Lorraine Carbone | Procede de pyrolyse d'effluents fluides et dispositif correspondant. |
| US5916369A (en) | 1995-06-07 | 1999-06-29 | Applied Materials, Inc. | Gas inlets for wafer processing chamber |
| US5454903A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization |
| RU95106478A (ru) * | 1994-04-29 | 1997-01-20 | Моторола | Устройство и способ для разложения химических соединений |
| US5855677A (en) * | 1994-09-30 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls |
| US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| US6187072B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6194628B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US5963833A (en) * | 1996-07-03 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers and |
| US5788778A (en) * | 1996-09-16 | 1998-08-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source |
| US5827370A (en) * | 1997-01-13 | 1998-10-27 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for reducing build-up of material on inner surface of tube downstream from a reaction furnace |
| US5743581A (en) * | 1997-03-18 | 1998-04-28 | Applied Materials Incorporated | Semiconductor process chamber exhaust port quartz removal tool |
| US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
| US6815633B1 (en) * | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
| JP3500050B2 (ja) * | 1997-09-08 | 2004-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム |
| US6042654A (en) * | 1998-01-13 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines |
| US6098637A (en) * | 1998-03-03 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber |
| US20030164225A1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-09-04 | Tadashi Sawayama | Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing |
| US6368567B2 (en) * | 1998-10-07 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use exhaust by-product reactor |
| JP3709432B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2005-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 排ガス処理装置及び基板処理装置 |
| WO2000070666A1 (fr) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Tokyo Electron Limited | Technique de traitement et dispositif correspondant |
| US6255222B1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6572924B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-06-03 | Asm America, Inc. | Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same |
| US6596123B1 (en) * | 2000-01-28 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer processing system |
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| WO2002000962A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Mks Instruments, Inc. | System and method for in-situ cleaning of process monitor of semi-conductor wafer fabricator |
| US6843258B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
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| US6902629B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
| US6923189B2 (en) * | 2003-01-16 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry |
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