JP2009517874A - 吸収性の空洞を有する極紫外線フォトリソグラフィマスク - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6
Description
d=(2m+1)λ/4ncosθ
となり、ここで、mは整数であり、λは波長であり、θは光の入射角である。
d=2mλ/4ncosθ
となる。
−一方は、実線で示してあり、空の空洞または空気を満たした空洞(指数1、減衰0)を用いたものであり、
−他方は、破線で示してあり、伝搬指数n=0.876、k=0.025を有すると仮定した吸収性の低い材料が満たされたと仮定する空洞を用いたものである。
Claims (12)
- 基板(20)と、前記基板に堆積された多層反射構造(22)と、複写する像に合わせてエッチングされたパターンとを含む反射によって機能する極紫外線フォトリソグラフィマスクであって、
前記エッチングされたパターンはファブリ−ペロ型の吸収性光共振空洞があることによって画定され、各空洞は反射下部ミラーと部分的に透明な上部ミラー(24)との間に位置した透明媒質(26)を含み、前記空洞の透明媒質は多層反射構造を構成する材料とは異なる材料の層を少なくとも1層含むことを特徴とする反射によって機能する極紫外線フォトリソグラフィマスク。 - 前記多層反射構造(22)が前記空洞の前記下部ミラーを構成することを特徴とする請求項1に記載のマスク。
- 前記上部ミラー(24)がブラッグミラー型の第2の多層構造であることを特徴とする請求項2に記載のマスク。
- 前記異なる材料の層が、前記多層反射構造を構成する層に対してエッチングを選択できる特性を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記異なる材料の層が酸化シリコン層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記共振空洞の透明媒質が少なくとも2層の異なる材料の透明な層または吸収性の低い層(29、31)を積層することにより形成され、その上に上部ミラー(24)が位置し、前記下層が前記反射構造の材料とは異なる材料の層であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記空洞の透明媒質(26)を形成する積層された層の前記下層(29)が、前記基板に堆積された多層反射構造(22)の上部において前記空洞の内側および外側の両方に延在していることを特徴とする請求項6に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記積層の前記下層(29)の厚さが、前記下部ミラー、前記下層、前記上部ミラーの積層が動作波長で反射率ピークを有するファブリ−ペロ反射性共振空洞を形成するように選択されることを特徴とする請求項7に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 反射領域において、前記上部ミラー(24)が前記下部ミラー(22)に直接積層されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記2層の層が酸化シリコンの下層およびシリコンまたはクロムの上層を含むことを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 反射性共振空洞(33)と並置された吸収性共振空洞(27)によって形成されたエッチングされたパターンを含み、前記反射構造(22)がこれらの空洞の下壁部を構成する前記基板に堆積され、同一の部分的に透明な上部ミラー(24)が前記吸収性空洞および前記反射性空洞の上部に形成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のフォトリソグラフィマスク。
- 前記上部ミラーと前記下部ミラーとの間に位置した媒質の厚さ(d)が両方の型の空洞について同一であり、前記材料が異なる屈折率を有する空洞の透明媒質を構成し、前記厚さが、厚さの関数としての吸収性空洞の反射率の変動曲線がこの値の近くで吸収ピークを有するような値を有し、前記反射性空洞の反射率がこの値の少なくとも50%であることを特徴とする請求項11に記載のフォトリソグラフィマスク。
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