JP2008539573A - 位相シフトを有するｅｕｖマスクにおける調整可能なマスクブランク構造体 - Google Patents

Abstract

本発明は、（ａ）多層積層体（３２、３４）を形成する段階であって、前記積層体内又は前記積層体上に形成される金属−半導体混合体からなる調整層（３０）を有する多層積層体（３２、３４）を形成する段階と、（ｂ）前記調整層の少なくとも一部を含んで前記多層積層体の一部をエッチングする段階と、（ｃ）前記調整層を１ｎｍ未満内に収縮するための焼き鈍し段階と、を有する光学部品の形成方法に関する。焼き鈍しは、真空下で行われる。

Description

本発明は、光学部品の分野に係り、特に一意的ではないが、反射の動作をするＥＵＶマスクまたは位相シフトマスクなどのマイクロエレクトロニクス分野におけるマスクブランク及びリソグラフィマスクに関する。

スペクトルの応用分野は、好ましくは極端紫外線（ＥＵＶ：λ＝１０−３０ｎｍ）である。

応用分野の一例は、マイクロエレクトロニクスにおけるＥＵＶリソグラフィである。

この発明は、１Åから数ナノメートルの間の変化範囲内の光学構造体の厚さの微調整を必要とするＥＵＶ光学機能にも関する。

一般に、リソグラフィマスクの分野では、シリコンウェハに印刷されるパターンのサイズは、第１に絶縁波長を減少することによって減少され、第２にマスクの光学構造体の最適化によって減少される。

原則として、この目的は、シリコンウェハを覆う樹脂上にますます小さなパターンをできるだけ良好に画定される輪郭を有して投影することである。

この目的は、露出された樹脂領域が現像される際に、低い粗さを有する端部と、良好に制御された傾斜を有する側部とを有する、エッチングされた樹脂プロファイルを得ることである。

パターンの投影、これらの形状の制御及びシリコンウェハ上のそれらの位置は、日射光源と日射されるウェハとの間にマスクを配置することによって実現される。

従って、エッチングプロファイルのより良い制御は、特に、位相シフトマスク（ＰＳＭ）と呼ばれる特定のマスクの使用を通して得られる。これらのマスクは、日射波長の半分に等しい、非常に小さな最小パターンサイズ（解像度）を得ることを可能にする。

ＥＵＶリソグラフフィ分野では、２２ｎｍまたはそれ以下へのパターンの減少は、このような位相シフトマスクの使用を負わす。

伝統的なＥＵＶマスクの原理は、可視光及び紫外光のリソグラフィと同様に、透過よりも反射によって日射されるパターンを投影することである。

これを達成するために、マスクの表面構造体は、図１に示すように、その表面上に区切られた反射及び吸収領域からなる。

この図では、符号１０及び１２は、それぞれ保護層及びバッファ層を示し、符号８は、吸収層を示す。多層ミラー４が基板６上に形成される。

入射放射線１１は、反射部１３と、強度が層８による吸収のために部分１３に対して衰弱した部分１５とに分かれる。

次いで、反射表面は、拡大係数を除いては樹脂上に日射されるパターンに対応する。

反射領域では、ミラー機能は、Ｍｏ／Ｓｉ二重層の周期的な積層体（典型的には、４０の二重層であり、各々の二重層は、１３．４ｎｍの所望の波長において２．８ｎｍのＭｏの層及び４．１ｎｍのＳｉの層を含む）から構成される多層被覆４によって達成される。従って、印刷領域（パターン）は、吸収層８が存在するか否かに依存する表面の光学反射の調節によって生成され区切られる。

非常に小さいパターン（２２ｎｍ）に使用されるＥＵＶマスクの場合、印刷されるパターンは、反射される信号の位相の調節、例えば、多層エッチング４、４−１による表面を構造化することによって区切られる（図２参照）。

エッチングされた領域とエッチングされていない領域との間、言い換えると、反射Ｒ１とＲ２との間に導入される位相シフトΔΦは、光学的ステップにおける差異、従って多層のエッチングされた厚さΔεに依存する。この目的は、このステップに対する通路（通路Ｒ１≧Ｒ２）における十分に高いコントラストを保証することである。概略的に、コントラストが１８０°に対するΔΦの差異に依存することが考えられる。言い換えると、ΔΦが１８０℃に正確に等しい場合、それは最大である。

現在のリソグラフィ仕様は、少なくともある特定のコントラストに、樹脂の正確なエッチングプロファイルを保証することを負わす。この制約は、ΔΦ＝１８０±５°に等しい信号Ｒ１とＲ２の位相シフト、すなわち、±１Åに等しいエッチング深さΔεにおける正確性を保証することに等しい。

この正確性は、位相シフトΔΦとエッチング深さΔεとの間の線形放射線のためである。図３は、周期的な多層Ｍｏ／Ｓｉの場合における位相シフトの計算の例を示す。１９から２０のＭｏ／Ｓｉペアのエッチング後に位相シフトが１８０°に等しいことが見られる。

技術的に、±１Å以内に対するエッチングにおける制御は、非常に困難である。それは、極端に良い精度を有してエッチングを停止するための方法を知っているだけではなく、エッチング均一性に対する完全な制御を有する方法を知っていなければならない。現時点で、エッチングに関して達成されている現在の精度は、±１ｎｍのオーダーである。これを達成し、エッチングを停止することを容易にするために、停止層２０は、使用される多層の部分４と４−１との間であって積層体（図４参照）内に通常挿入される。この層２０は、光学的に中性であり（厚さ：λ／２ｎを法として、ここで、ｎは停止層の光学指数である）、それは、積層体に対して良好なエッチング選択性を有する。

最後に、ＰＳＭのＥＵＶマスクの他の変形例は、Ｒ１を減少させる多層（図５）上に吸収層２６を加えることからなる。このタイプのマスクは、減衰位相シフトマスクとして知られている。

従って、生じる問題は、光学部品、特に位相シフトＥＵＶマスクの製造におけるステップ厚さをオングストローム内に制御することである。

本発明は、光学部品構造体、特に、例えばＥＵＶにおける位相シフトマスクなどのマスク、及び、エッチング後に位相シフトΔΦを±５°以内、すなわち、ナノメートルの数分の１未満の、好ましくは１Åのオーダーの良好な精度を有する幾何学的な段差Δεを調整することができる関連する製造方法を開示する。

本発明は、第１に、（ａ）多層積層体を形成する段階であって、前記積層体内又は前記積層体上に形成される金属−半導体混合体からなる調整層を有する多層積層体を形成し、この混合体が合金の焼き鈍し後に形成され得るところの段階と、（ｂ）前記調整層の少なくとも一部をエッチングすることを含む、前記多層積層体の一部をエッチングする段階と、（ｃ）前記調整層を１ｎｍ未満内に収縮するための焼き鈍し段階と、を有する光学部品を形成する方法を開示する。

金属−半導体混合体は、金属−半導体多層、または、金属凝集体（metallic aggregate）を有する半導体材料のマトリクスの何れかである。

特に、前記半導体材料は、シリコンまたはゲルマニウムであってもよい。

焼き鈍しは、真空下で行われてもよい。

この方法は、光学的特性解析（optical characterization）による位相制御段階を含んでもよい。

本発明による方法は、多層のエッチングされた部分によって反射される放射線とエッチングされていない部分によって反射される放射線との間の位相シフトΔΦが、例えば、１８０°±５°のオーダーまたはそれ未満の値まで減少されるまで、焼き鈍しによって調整層を収縮することができる。

従って、本発明は、（ａ）多層積層体を形成する段階であって、前記積層体内又は前記積層体上に形成される金属−半導体混合体からなる調整層を有する多層積層体を形成する段階と、（ｂ）前記調整層の少なくとも一部を含む前記多層積層体の一部をエッチングする段階と、（ｃ）前記多層のエッチングされた部分によって反射される放射線とエッチングされていない部分によって反射される放射線との間の位相シフトを、例えば１８０°±５°のオーダーまたはそれ未満の値まで減少させるための焼き鈍し段階と、を有する光学部品を形成する方法に関する。

ある実施形態によれば、前記調整層は、一連の金属−Ｓｉ二重層を有する。

前記調整層は、１から５または１０の二重層を有することが好ましい。

好ましくは、前記焼き鈍し段階は、２００°、３００°または４００°未満の温度で行う。

本発明は、前記積層体のエッチングされた部分内またはエッチングされた部分上に形成される金属−半導体混合体からなる調整層を有する、部分的にエッチングされた多層積層体を含む光学部品に関する。

前記多層のエッチングされた部分によって反射される放射線とエッチングされていない部分によって反射される放射線との間の前記位相シフト角度は、１８５°±５°に略等しいかそれ未満である。

前記調整層は、例えば１から５または１０の二重層である一連の金属−Ｓｉ二重層を含んでもよい。

本発明による方法及び部品の何れにおいても、前記調整層中の金属は、例えば、モリブデン、ルテニウム、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）でありえる。

前記調整層は、前記多層との界面に障壁層を有してもよい。

例えば、これらの障壁層は、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、炭素、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ_２）を含む。

前記調整層は、エッチング停止層上に位置してもよい。

本発明による装置の第１実施形態は、図６Ａ及び６Ｂを参照して説明する。

図６Ａにおいて、光学部品、例えばマスクブランクは、ＥＵＶ反射多層積層体３２、３４を含み、この組成の例は、後に与えられ、調整層３０が挿入される。２つの部品３２、３４の厚さは、それぞれＥ_１、Ｅ_２である。

この調整層３０の組成は、２つの元素に基づくものであり、それは、好ましくは金属及び半導体、例えばシリコンであり、金属及び半導体は、焼き鈍しによって合金を形成するようなものである。

この層３０の厚さ及び光学特性は、低温焼き鈍しによって調整されてもよい。この焼き鈍しは、この層内の金属と半導体との間の相互拡散のために層３０の収縮を引き起こす。この相互拡散は、層３０の光学指数をも変更させ、すなわち、その屈折率ｎと消化因子ｋ（extinguishing factor）を変更させる。

ΔΦは、焼き鈍しによってΔεとｎを調整することによって調整される。

予想される厚さの調整は、ナノメートルの数分の１程度であり、例えば、０．１ｎｍから０．５ｎｍまたは１ｎｍである。低温とは、多層の残りの部分に支障を来たさないような十分に低い温度、すなわち、それは、層３２、３４の反射特性を変更しない温度を意味し、好ましくは、この温度は、３００℃未満である。有利には、層３２、３４の厚さを変更しないように十分に低い温度が選択され、これらの層は、後述のように金属／シリコン二重層からなってもよい。

この調整層は、この積層体のエッチングされていない部分３２上に位置する。調整処理中に、この厚さΔεと指数ｎは、調整層の収縮によって変化する。同時に有利には、この厚さＥ_２及びＥ_１は、一定のままである（図６Ｂ参照）。

反射多層積層体３２、３４は、好ましくは熱的に安定である、Ｓｉ／Ｍｏ_２Ｃ、Ｓｉ／ＭｏＳｉ_２タイプ、または金属層（例えばＭｏまたはＰｔ）及びＳｉに基づくものの周期的な構造体であることが好ましく、Ｂ_４Ｃ、ＳｉＯ_２、Ｍｏ_２ＣまたはＭｏＳｉ_２タイプの障壁層が、それらの間に挿入されてもよい。

これらの障壁層は、金属とシリコンとの間の相互拡散を防止し、これらの層の厚さに対する変化とそれらの光学特性に対する変化を防止する。

この調整は、積層体をエッチングすることによって得られ、Ｒ１とＲ２との間に加えられる位相シフトは、１８０°より若干大きい状態で１８０°の値に近づくようになる。これは、エッチング中に、例えば、エリプソメーターを用いて又は反射率測定によって、インシチュオプティカルチェックによって達成される。

通常の反射測定法技術は、エッチング及び／又は収縮をインシチュモニターリングする手段も提供する。例えば、数ナノメートル、例えば４．４７ｎｍのＥＵＶのソース放射線は、積層体３４上に強度Ｉ_１を有するゼロでない入射角で送られ（図６Ｃ）、検出器は、強度Ｉ’_１を有する反射された放射線を監視するために使用される。

焼き鈍し中に、監視することができる全ては、層３０を含む領域内の変化であり、Ｅ_２は変化しないと仮定する。

示差測定法によって位相シフトを監視することもできる。強度Ｉ_１とＩ_２を有する２つの入射放射線は、それぞれ積層体３４とエッチングされた部分に送られ、示差測定法は、それぞれＩ’_１とＩ’_２である反射された放射線から測定することができる。

例えば、上記の図３の例では、これは、ＭｏＳｉの１９のペアをエッチングし、次いで２０番目のペアを部分的にエッチングすることに等しい。この層３４が所望の数のペアを正確に有し、この層３２がエッチングされないか、この層３４内に十分なペアがなく、この場合、この層３４と次いで層３４が完全にエッチングされ、層３２内における必要な数のペアの消失が続いて起こるかである。

例えば、このエッチングは、図６Ｂにおける構造体をもたらす。

次の段階は、位相シフトΔΦが例えば１８０°±５°のオーダーの値まで減少するまで、調整層３０を収縮するための焼き鈍しである。この調整は、上述のように、焼き鈍し中に光学制御によって行ってもよい。この調整技術の利点は、それが、多くて数時間のマスクの単一のフルウェハーアニーリング（焼き鈍し）を必要とすることである。

この焼き鈍しは、真空下で行われることが好ましく、従って、例えば、インシチュＥＵＶ光学特性解析によって位相制御を有する多層積層体のイオンエッチングと同様のフレームで行ってもよい。

エッチング段階と焼き鈍し段階との間に、エッチング凹凸を画定するために使用する樹脂を除去するための段階があってもよい。

従って、このフルウェハーアニーリング法は、高価で時間のかかる電子書き込み技術の使用を必要としない。

従って、この発明は、層３２、３４と異なる特定の調整層を使用する。

図７に示されるように、層３０は、金属が導入されるシリコン３０−１を、好ましくは１つ又は幾つかの金属薄膜層３０−２の形態で含んでもよい。

この金属は、凝集体の形態であってもよい。

金属３０−２がシリコン３０−１に堆積されると、数オングストロームまたは数ナノメートルの厚さの金属シリコン化合物を含んでアモルファス相互拡散領域が形成される。低温焼き鈍し（３００℃未満）によって、この相互拡散領域の若干の成長または原子の再組織化が引き起こされる。

形成される金属、シリコン及びシリサイド間の強度の差異のために、界面層に対するこの修正は、層３０の収縮をもたらす。

例えば、Ｍｏ−Ｓｉペアの場合、以下の表１に与えられる収縮レベルは、形成される化合物（Ｍｏ_３Ｓｉ、Ｍｏ_５Ｓｉ_３またはＭｏＳｉ_２）に依存して得られるだろう。この厚さの値は、標準化され、従って、Ｍｏは１ｎｍ（または２ｎｍ）、Ｓｉは０．４ｎｍ（または０．８ｎｍ）とされ、形成される結果物は、Ｍｏ_３Ｓｉで１．２ｎｍ（または２．４）になるだろう。

従って、この発明は、相互拡散現象が金属と半導体材料との間で起こる収縮層３０を使用し、熱処理によって調整可能な組立体の収縮をもたらす。

得られる収縮レベルは、形成される合金中の半導体材料の対応する密度と濃度に依存する。シリコンにおけるいくつかの例が以下の表２に与えられ、それぞれの金属における光学吸収係数Ｋ、屈折率Ｎ、シリコンからシリサイドが形成される温度Ｔ、金属密度、シリサイド成分の密度、及び、最後に収縮度が示されている。

例えば、“Ｍｏ”のカラムは、以下のように読む。４２０℃におけるＭｏ／Ｓｉの焼き鈍しによってＭｏＳｉ_２を形成し、このＭｏＳｉ_２の層の厚さは、（ＭｏとＳｉの初期厚さの合計）×０．６９に相当する。
ｅ_{ＭｏＳｉ２}＝（ｅ_Ｍｏ＋ｅ_Ｓｉ）×０．６９

Ｍｏ−Ｓｉペアの場合では、実験データによって、一定の温度において焼き鈍し温度が収縮による厚さの減少を、低温において１オングストローム未満の非常に良い精度で制御することができることが分かる（以下の例１を参照）。

好ましくは、この調整可能な層３０は、例えば二重層または多層の形態のＭｏ及びＳｉに基づくが、層３０と層３２、３４との間の相互拡散現象を防止するために層３２、３４との界面に障壁層（Ｂ_４Ｃ、Ｃ、ＭｏＣ、ＳｉＯ_２、ＭｏＳｉ_２などの組成を有する）を含む。

ルテニウム（Ｒｕ）は、層３０内のモリブデンの代替品として使用してもよい。

従って、表２から、この元素Ｒｕが、Ｍｏと比較して適当な光学吸収（ｋ＝０．０１７）を維持しながら、比較的低温においてＳｉで画定される化合物を形成し、収縮現象も発生させることが示される。

調整可能な層は、多層の上部部分３４の反射Ｒ１を増加するのに寄与する４分の１波長の厚さ（ｅ＝λ／４ｎ）を有することが好ましい。

これは、Ｓｉと比較して低い光透過性と指数を有する金属であるＭｏ及びＲｕの場合に特に可能である。

適合（アダプター）層３０は、図８に示されるようにエッチング停止層４０の丁度上に位置することが好ましい。

さらに、１オングストロームの数十分の１の解像度を有する高い調整度を維持し、光機能Ｒｉ上にこの層３０の衝撃を限定するために、この層３０は、例えば１から５または１０の限定された数の二重層を含むことが好ましい。

調整温度をさらに低下させるために、金属は、この層３０において、非常に低温においてシリコンを用いてシリサイドを形成するために使用することができる。

この場合、熱安定性の多層が通常好ましいが、ミラー機能は、不安定な多層３２、３４によって維持されてもよい。

例えば、層３０は、Ｐｄ／Ｓｉから作られ、層３２、３４は、Ｍｏ／Ｓｉから作られる。焼き鈍しは、１７５℃と略等しいかそれより高い温度で行われる。Ｐｄ_２Ｓｉは、１７５℃で形成されるが、Ｍｏ−Ｓｉペアはこの温度では安定なままである（ＭｏＳｉ_２のみが４２０℃から形成し始める。表２参照）。

表２によって、金属Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＣｕが良好な候補であり、完全ではないが好ましい順序であることが示される。Ｍｏ及びＲｕは、衰弱位相シフトマスクにおける良好な候補である。Ｃｏ及びＲｕは、使用することができるが、安定化されたミラーを用いて使用することが好ましい。

ＥＵＶ吸収材に頻繁に使用されるクロムのように、全てのこれらの金属は、比較的吸収性である（比較的透過性であるＭｏ及びＲｕとは違って）。

この場合、その調整の役割に加えて、層３０は、上部吸収層（図９）として直接使用してもよく、前から存在する吸収層と共同して使用されてもよい（この場合、この吸収層は、積層体３４の上部に位置する）。図９の構造体は、図４に記載されたエッチング停止層と同様の標準的なエッチング停止層を含んでもよい（同じ位置に、すなわち部分３４の底部に）。

衰弱位相シフトマスクを用いた構造体の場合、シリコンよりゲルマニウムを使用することが好ましいであろう。ゲルマニウムは、ＥＵＶにおいて吸収性である。従って、その使用は、調整層のＥＵＶ光学吸収を強化する。

以下に実験例を示す。

（実験例１）
第１の実験例では、調整層３０は、Ｍｏ−Ｓｉ二重層である。

それは、４ｎｍのＳｉ上に堆積された３ｎｍのＭｏを通常含む。この層は、７ｎｍの範囲の４０から５０のＭｏ／Ｓｉ二重層を含む安定な多層（Ｂ_４Ｃタイプの障壁層を有する）内に挿入される。

この調整層３０は、Ｒ１の値へのその衝撃を減少させるためのエッチング停止層４０（図８の構造体）の直ぐ上に配置してもよい。

この層の厚さの変化は、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて温度の関数及び時間の関数として与えられる。

図１０Ａは、度重なる連続した焼き鈍しによるＭｏ／Ｓｉ二重層の厚さの変化を示す。それぞれの焼き鈍しは、真空下で１６時間行われる。約７ｎｍの初期厚さから開始して、その結果物は、ほとんど１ｎｍの変化を有して約６ｎｍの最終厚さである。

図１０Ｂは、一定の温度と増加する時間における真空焼き鈍しによるＭｏ／Ｓｉ二重層の厚さの変化（収縮）を示す。

一定の焼き鈍し時間において、収縮は、焼き鈍し温度に依存する。図１０Ａに与えられた実験例では、２００℃を超えない温度において、二重層３０の厚が１Å未満の正確な範囲内で調整することができることが見られる。

同様に、Ｍｏ−Ｓｉ二重層の収縮は、焼き鈍し時間に伴って増加する。その二重層の収縮が、１９０℃での焼き鈍しによって１オングストロームの数十分の１の範囲内で制御することができ、２８０℃での焼き鈍しによって１から２Åの範囲内で制御することができ、３６０℃での焼き鈍しによって１ｎｍまでに制御することができることが見られる。

さらに、これらの焼き鈍しは、累積的であり、１９０℃で焼き鈍しされた試料が３６０℃（Ｔｒ＝１９０℃の曲線におけるグレーの点）で焼き鈍しされると、それは、３６０℃（曲線Ｔｒ＝３６０℃）で直接焼き鈍しされた試料における曲線と平行な収縮曲線に従う。

（実験例２）
調整層３０は、二重層のペアＭｏ−Ｓｉを含み、それぞれの二重層は、２ｎｍのＳｉの層と、１．５ｎｍのＭｏの層とを含む。他のパラメータは、実験例１におけるパラメータと同様である、この利点は、この場合において、２つの相互拡散領域Ｍｏ−Ｓｉがあり、従って、図１と比較して二重の収縮効果があり、全ての他の事項は同一であるということである。

（実験例３）
調整層３０は、モリブデンとシリコンとを同時スパタッリングまたは同時蒸着することによって得られるＭｏ及びＳｉの混合体である。堆積速度は、Ｍｏに比べてＳｉが二倍の速度で堆積するように調整される。従って、結果物は、アモルファスＭｏＳｉ_２の単相、または、Ｍｏ凝集体を有するアモルファスＳｉの相、または、同時にそれらの両方の相を含む複合材料である。適切な焼き鈍しは、アモルファスＭｏＳｉ_２のこの層を均質化することによって調整層の収縮を引き起こす。

（実験例４）
この実験例は、積層体３０においてＭｏがＲｕに置き換えられたことを除いては、実験例１及び２と全く同一である。この利点は、Ｓｉ中のＲｕの拡散がＭｏにおけるものより低温で起こるということである（表２参照）。焼き鈍しによるこの調整は、多層ミラー機能３２、３４におけるほとんど限定的ではない条件下で行われる。

（実験例５）
Ｍｏ−Ｓｉ多層の表面に堆積された吸収性の調整層３０は、その表面上にシリコン５０によって囲われたｐ型のＰｄ−Ｓｉペア（ｐ Ｐｄ−Ｓｉ pairs）を有する多層（３ｎｍのＰｄ＋４ｎｍのＳｉ）を含む。

次の段階は、約１００℃の非常に低温において調整可能な衰弱マスクであり、それは、伝統的な又は安定化された多層積層体３２、３４（Ｍｏ−Ｓｉ）を使用することができる。この構造体は、おそらく使用が最も単純である。調整層３０のペアの数は、所望の光学的衰弱及び所望の厚さ変化範囲に依存するだろう。

本発明によるマスクブランクの構造体は、
−その位相が制御された環境下（真空の有無）で低温（Ｔ＜３００℃）において単純なフルウェハーアニーリングによって調整可能である、ＥＵＶリソグラフィにおける位相シフトマスクを作り、
−１オングストローム（位相シフトに関してその程度のオーダーで）より良好な解像度でマスクのエッチングされた部分とエッチングされていない部分との間の厚さの変化を調整し、従って光学位相シフトを調整し、
−多層ミラー３２、３４の光学機能に対するあらゆる劣化なしに１Åのオーダーの精度でこの調整を行い、
−エッチングの直後（樹脂の除去後）に続いて真空下でこの調整を行うことができるようにするために、使用することができる。

本発明は、産業分野の様々な領域で使用することができ、ＥＵＶリソグラフィ、マスクブランクの製造、マスクの製造、特に正確な位相調整を必要とする（偏光子など）ＥＵＶ光学部品の製造、正確な寸法調整を必要とするエッチングされた構造体の製造（回折格子、埋め込みパターンなど）などで使用することができる。

従来技術による様々な装置を示す。 従来技術による様々な装置を示す。 エッチングされた期間の数を関数とする位相シフトに対する変化の例を表す。 従来技術による様々な装置を示す。 従来技術による様々な装置を示す。 本発明による装置を製造する段階を表す。 本発明による装置を製造する段階を表す。 本発明による装置を製造する段階を表す。 本発明による装置の実施形態を図示的に示す。 本発明による装置の変形例である。 調整層が吸収性のコントラスト改善層も形成する他の変形例を示す。 温度及び／又は時間を関数とするＭｏ／Ｓｉ二重層の厚さに対する調整を示す曲線を表す。 温度及び／又は時間を関数とするＭｏ／Ｓｉ二重層の厚さに対する調整を示す曲線を表す。 多層の表面に堆積された吸収層を有する、本発明による装置の他の例を示す。

符号の説明

４ 多層ミラー
６ 基板
８ 吸収層
１０ 保護層
１１ 入射放射線
１２ バッファ層
１３ 反射部
１５ 衰弱部分
２０ 停止層
３０ 調整層
３２ 多層積層体
３４ 多層積層体
５０ シリコン

Claims (24)

1. （ａ）多層積層体（３２、３４）を形成する段階であって、前記積層体内又は前記積層体上に形成される金属−半導体混合体からなる調整層（３０）を有する多層積層体（３２、３４）を形成する段階と、
   （ｂ）前記調整層の少なくとも一部を含んで前記多層積層体の一部をエッチングする段階と、
   （ｃ）前記調整層を１ｎｍ未満内に収縮するための焼き鈍し段階と、
   を有する、光学部品の形成方法。
2. 焼き鈍しは、真空下で行われる、請求項１に記載の方法。
3. 前記積層体のエッチングされていない部分（３４）によって反射される放射線を光学的特性解析によって制御する段階をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記多層積層体のエッチングされた部分（３２）によって反射される放射線と前記多層積層体のエッチングされていない部分（３４）によって反射される放射線との位相差を光学的特性解析によって制御する段階をさらに有する、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
5. 前記調整層（３０）は、一連の金属−半導体二重層を有する、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
6. 前記調整層（３０）は、金属凝集体を有する半導体材料マトリクスを有する、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
7. 前記調整層は、１から５または１０の二重層を有する、請求項５に記載の方法。
8. 前記調整層は、前記多層積層体（３２、３４）との界面に障壁層を含む、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
9. 前記障壁層は、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、炭素、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）またはケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ_２）を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記多層積層体の厚さ（３２、３４）は、前記焼き鈍し段階中にほぼ一定のままである、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
11. 前記調整層（３０）は、エッチング停止層（４０）上に位置する、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
12. 前記調整層（３０）は、前記多層のエッチングされていない部分（３４）上に位置する、請求項１から１１の何れか一項に記載の方法。
13. 前記半導体は、ゲルマニウムである、請求項１２に記載の方法。
14. 前記金属は、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）またはコバルト（Ｃｏ）である、請求項１２または１３に記載の方法。
15. 前記半導体材料は、シリコンである、請求項１から１２の何れか一項に記載の方法。
16. 前記金属は、モリブデンまたはルテニウムである、請求項１から１２の何れか一項に記載の方法。
17. 前記焼き鈍し段階は、２００℃、３００℃または４００℃未満の温度で行われる、請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
18. 部分的にエッチングされた多層積層体（３２、３４）であって、前記積層体のエッチングされた部分内又は前記積層体のエッチングされた部分上に形成される金属−半導体混合体からなる別個の調整層（３０）を有する光学部品。
19. 前記半導体材料は、シリコンまたはゲルマニウムである、請求項１８に記載の部品。
20. 前記調整層は、一連の金属−シリコン二重層を有する、請求項１８または１９に記載の部品。
21. 前記調整層は、１から５または１０の二重層を有する、請求項１８から２０の何れか一項に記載の部品。
22. 前記金属は、モリブデン、ルテニウム、ロジウム（Ｒｈ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）である、請求項１８から２１の何れか一項に記載の部品。
23. 前記調整層（３０）は、エッチング停止層（４０）上に位置する、請求項１８から２２の何れか一項に記載の部品。
24. 前記調整層（３０）は、前記多層のエッチングされていない部分（３４）上に位置する、請求項１８から２３の何れか一項に記載の部品。

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