TW202331404A - 用於積體電路的圖案化之極紫外線（ｅｕｖ）光罩架構 - Google Patents

用於積體電路的圖案化之極紫外線（ｅｕｖ）光罩架構 Download PDF

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Abstract

本揭示藉由包括組合了反射性多層的非反射區域而提供適合極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)和X光微影術的遮罩。此非反射區域取代了用於提供積體電路之圖案的典型吸收層。

Description

用於積體電路的圖案化之極紫外線（ＥＵＶ）光罩架構
本發明係關於用於積體電路的圖案化之極紫外線(EUV)光罩架構。 本申請案主張基於2021年9月29日申請之美國專利臨時申請案第63/250,032號的利益，其內容整個併於此以為參考。
光學微影術系統舉例而言通常用於裝置的製作。此種系統的解析力與曝光波長成正比。因此，較短的波長可以改善製作上的解析度。極紫外線微影術(extreme ultraviolet lithography，EUVL)使用在極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)波長(近似120奈米至0.1奈米)的電磁輻射。據此，在此些波長的光子具有範圍近似10電子伏特(electron volt，eV)至12.4 keV的能量(分別對應於124 nm和0.1 nm)。極紫外線波長可能藉由例如電漿和同步加速器光源的裝置而人工產生。微影術使用EUV波長則具有在例如半導體晶片的裝置以及在其他應用(例如聚合物電子器材、太陽能電池、生物科技和醫療科技)減少特色尺寸的潛在優點。
於EUV微影術系統，使用反射光罩、遮罩或標線片以將積體電路晶片架構轉移至晶圓上。典型而言，EUV反射遮罩是由基材、反射層、蓋層、吸收層和有選擇的其他層所構成。吸收層是以電子束微影術所圖案化來代表待轉移至晶圓中之積體電路的圖案或該圖案的數學補數。
用於微影術元件之反射材料的選擇時常受到嚴重限制。傳統的材料組合是由鉬-矽的多層所構成，理論上產生高達67%的反射率。Mo-Si層使用在EUV微影術系統中之面鏡、集光器和光罩上。其他傳統的多層組合包括阻障層，例如碳化硼和碳，合起來稱為技術現況。
用於吸收層圖案的典型材料可能由氮化鉭、氮氧化鉭、鎳、鈷、或NiAl 3所構成。選擇此些材料以使吸收最大化且使從吸收層和多層所反射的光之間的反射振幅或相位改變最小化。最近的材料包括用於低n遮罩應用的釕，其中n是折射率的實部且在EUV波長小於1。
吸收層圖案有幾種已知的副效應。吸收層圖案在反射層上生成陰影，已知為三維(3D)蔭罩效應。它們也具有有限的厚度，典型在70 nm左右，具有在反射層上捕陷材料缺陷(約在20 nm左右之粒子)的傾向，而常須修理該層。
當吸收層圖案轉移至晶圓時，3D遮罩效應可以導致不想要之相依於特色尺寸的聚焦、成像像差和圖案放置位移。附帶而言，一維(1D)和二維(2D)特色之間的聚焦大差異限制了微影術中的產出製程窗口。遮罩陰影效應是EUV遮罩吸收高度和在遮罩層級之非遠心離軸照明的結果，此調變了投影至晶圓上的強度。與照明方向垂直的特色(垂直特色)相對於與照明方向平行的特色(水平特色)而位移。在晶圓層級，此造成差異性的水平–垂直關鍵尺寸偏移和影像位移。水平-垂直偏移是緊鄰的水平和垂直指向阻劑特色之間線寬的系統性差異，並且是由像散、跨越光瞳的相位誤差和最佳聚焦的差異所造成。
相位移吸收遮罩也用於生成圖案，其中相鄰區域相對於彼此而在相位上位移，以造成光抵銷而達成所要圖案。習用的方法或可包括反射∕吸收組合或反射性多層，其中多層被一路蝕刻至底下的基材，然後底下的基材吸收輻射，或是相鄰於吸收區域的反射區域。此在克服3D遮罩效應或蔭罩效應上無效，因為頂面和吸收表面之間的高度差異是多層堆疊的整個厚度或吸收堆疊的厚度。
需要改善的吸收遮罩及其製法以減少3D遮罩效應或蔭罩效應。
於一方面，本揭示提供極紫外線遮罩，包括：基材；以及反射層和繞射光柵。繞射光柵包含反射區域和非反射區域、可能形成在反射層的頂部上、或者可能掩蔽在反射層裡。反射層包括與基材接觸的底面和頂面。
I. 概觀
本揭示提供用於極紫外線和X光輻射的微影術遮罩。此些遮罩併入了非反射區域，非反射區域不是位在反射性多層之上就是掩蔽在反射性多層內，透過光阻(光敏成像材料)而可以提供將影像轉移至晶圓所必需的影像對比。使用非反射區域來界定積體電路(integrated circuit，IC)的圖案則可以不需要在整合式遮罩架構中之反射性多層之上的圖案化吸收層。藉由併入掩蔽在反射性多層內的非反射區域，因為反射性多層的頂面可以為實質平面的，所以基本上沒有在反射性多層的頂面之上延伸而可以引入陰影的特色。可以藉由修改反射性多層之頂面底下的所選區域而將非反射區域引入反射層中，不是將光偏折至多層中(而非至晶圓)就是吸收光。結果，可以減少由吸收層相對於反射性多層平面的有限非零高度之投射陰影所引起的遮罩陰影效應。進一步而言，移除吸收層或減少高度，則可以減少3D波導、影像放置誤差、3D繞射效應和遮罩上的無用區。
EUV反射光罩之典型具體態樣的架構是由基材、反射層、蓋層(也已知為EUV遮罩空白)和吸收層所構成。反射層可能是由多層所構成，譬如負責反射EUV輻射的鉬矽多層或其他類型的反射層。雖然釕蓋層是可選擇的，但可以用來保護多層免於作業期間劣化和由微影術系統中之電漿源和其他元件所引起的缺陷。
吸收層可以被圖案化以代表須轉移至晶圓的所要IC設計。典型而言，吸收層的圖案化是以電子束微影過程所達成，其使用電子束光阻、電子束曝光和吸收層的蝕刻。此生成掩蔽在吸收層內的有限結構，負責在所要的實體位置選擇性地阻擋EUV輻射，並且允許光在沒有吸收結構的其他位置反射。
吸收層的選擇取決於許多參數，包括厚度、材料n和k數值(代表在所要波長之折射率的實部和虛部)、頂面反射振幅和整體吸收振幅。於特定具體態樣，從多層所反射的光和從吸收層所反射的光之間的相位改變是要最小化。於特定具體態樣，反射層上的陰影被最小化，陰影使有效反射面積最小化且生成無用區。有限厚度的吸收層可以生成波導效應，此是3D遮罩效應的另一種彰顯而可以是不合意的。
吸收層的材料選擇存在著目標競逐。一方面，完全吸收是想要的以避免光轉移至反射層下方，此就會被不合意地反射。此可由極厚的吸收結構來達成。然而，較厚的吸收結構在遮罩的反射部分上產生較大陰影、更多波導且增加缺陷捕陷的傾向。雖然也可能使用更多的吸收材料，譬如金和銀，但典型導致從吸收層有更多的頂面反射而是不合意的。TaN代表吸收層的較好材料選擇之一，它以有限的70 nm厚度而使吸收和頂面反射做有效的折衷。Ni和Co及其多樣的組合和化合物也是選擇的材料。
於微影術，有限的吸收層圖案惡化了晶圓效能和轉移至晶圓的圖案品質。相位差生成了對比損失、焦深位移、泊松曲線(Bossung curve，CD)(關鍵尺寸[CD]對焦深)、水平及垂直偏移和解析度。因而已有幾種做法來減少吸收層的厚度和相位差。此些做法都不能完全移除陰影效應或避免波導或缺陷捕陷。
於特定具體態樣，本揭示關於不使用吸收層的EUV光罩架構。特定而言，反射層或反射塗層被圖案化以同時提供在特定實體位置的反射且關閉或抑制在其他選擇性實體位置的反射性。關閉反射性則與透射或吸收有明確區別，並且關於使用材料以將光侷限於實體反射位置。關閉反射性比具有吸收層是更合意的，因為它達成改善的影像對比而無波導、陰影或缺陷捕陷，並且增加來自遮罩的整體反射率(亦即來自反射區域的反射率)且因而增加微影術系統的整體透射。
於特定具體態樣，反射率可以藉由生成較高折射率和較低折射率的相鄰區域(譬如繞射光柵)而減少或消除。以此方式，則光可以侷限至較高折射率的區域中。較高的對比提供更大的侷限。較高折射率的區域舉例而言可能是空氣或矽。此技術者將體認沒有侷限是完美的，並且光可能洩漏至低折射率區域中且行進至它下方的多層中。低對比的相鄰區域承受更多洩漏。因而，於特定具體態樣，高對比是提供於折射率的實部以及低折射率材料的某些吸收。因而，低n和高k材料在非反射區域是合意的。附帶而言，極低n材料(n＜0.89)在非反射區域也是合意的。此與低k材料(k＜0.3)和高n材料(n＞0.9)有所區別。於技術現況，TaN視為高n、高k材料；在13.5 nm，n=0.94且k=0.37。Ru (純金屬)視為低n低k材料，譬如在13.5 nm時n=0.89且k=0.017。於低n之閾值＜0.89的特殊具體態樣，Ru不視為具有適當夠低的n。純Ru吸收層或非反射區域造成光洩漏和高頂面反射率，此對非反射區域來說是不合意的。在此的特殊具體態樣利用將效能推越材料技術現況的材料。亦即不是n＜0.89就是n＜0.89且k＞0.3。
製作相鄰之反射和非反射區域的方法包括涉及沉積、電子束圖案化和蝕刻之技術的組合。沉積可能是在真空工具中進行，譬如離子束沉積、濺鍍、原子層沉積、物理氣相沉積、分子束磊晶、化學氣相沉積。蝕刻包括反應性離子蝕刻和原子層蝕刻。電子束圖案化包括電子束微影術、光微影術和其他熟知的遮罩寫入技術。
影像對比定義為從非反射區域所反射之光強度對從反射區域所反射之光強度的比例。它代表非反射區域相對於反射區域而抑制反射光的有效性，並且提供將晶圓圖案化的銳利邊緣，而能夠有高解析度和圖案傳真度。相鄰區域之間的高折射率對比和光侷限導致良好的影像對比。 II. 定義
在此所用的縮寫具有其在化學和微影技術裡的習用意義。
「基材」(substrate)是指能夠支撐本揭示之多層的任何材料。代表性基材可以是金屬、金屬合金、半導體、複合物、矽、聚合物、玻璃、低熱膨脹基材及其他。
「反射性多層」(reflective multilayer)是指實質反射極紫外線(EUV)輻射(例如小於250 nm至小於10 nm之輻射)的材料。反射性多層材料也可以反射X光輻射。在此描述的是適合本揭示之反射性多層的材料。反射性多層可能包括反射(R)區域和非反射(NR)區域，後者亦即實質不反射EUV和X光輻射的區域。
「折射率」(refractive index)是指介質中之光速對真空中之光速的比例。實務上，折射率是複數，使得折射率=n+i*k。(n)表示折射率的實部，(k)表示折射率的虛部(也已知為消光係數)。
「入射角」(angle of incidence)是指進入的輻射和法線或正規入射(在入射點與表面垂直的線)之間的角度。入射角可以是任何適合的角度。EUV微影術的入射角可以是6º。
「金屬」(metal)是指週期表的金屬元素，可以為中性或由於價殼具有比出現於中性金屬元素中更多或更少的電子而帶負或正電。本揭示有用的金屬包括鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬和後過渡金屬。鹼金屬包括Li、Na、K、Rb和Cs。鹼土金屬包括Be、Mg、Ca、Sr和Ba。過渡金屬包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Mg、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al和Ac。後過渡金屬包括Al、Ga、In、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi和Po。稀土金屬包括Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu。熟於此技術者將體會上述金屬可以各採取幾種不同的氧化態，其皆可用於本揭示。於某些例子，雖形成最穩定的氧化態，但其他氧化態也可用於本揭示。也可能使用過渡金屬的化合物，譬如TiN、RuO 2、PtO 2。金屬和化合物可能藉由電子束沉積、熱蒸鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)、分子束磊晶(MBE)、濺鍍或離子束沉積而沉積。
於某些具體態樣，反射性多層及其整合的構件是或包含一或更多種過渡金屬，該金屬包括Mo、Ru。Ta、Pt、Pd、Te、Nb、Tc、Re、Os、Rh、W、C、Ag及其個別的化合物(譬如氧化物、硝酸鹽、氮化物、碳酸鹽、氟化物、氯化物、硫酸鹽、化合物、混合物和合金)、其介電質、Si和空氣。如本揭示所列，思及的EUV遮罩包括反射性ML，由具有比反射(R)區域還低之「n」數值和還高之k數值的金屬所製成。於某些具體態樣，反射性ML金屬具有小於0.89、小於0.88、小於0.87、小於0.86、小於0.85、或小於0.84的n。於某些具體態樣，反射性ML金屬具有大於零、在0.03和0.10之間、在0.03和0.08之間、或在0.03和0.06之間的k。候選材料的實施例及其在13.5 nm的n和k數值顯示於下表。
用於思及之EUV遮罩的照明條件包括任何適合的照明條件。於某些具體態樣，用於思及之EUV遮罩的照明條件包括平面波、雙極、不對稱雙極、類星體、六極、箔片、習用的、或任何微影掃描器光瞳照明條件。離軸照明(off-axis illumination，OAI)可能是從5至11度。於某些具體態樣，OAI是6度。
「透明材料」(transparent material)是指對EUV輻射為透明的材料。代表性透明材料包括矽和二氧化矽、石墨烯、碳奈米管、氣體、H 2、He、氬、N 2、矽化物、和矽烯。
薄膜若需要的話可能直接附接於EUV遮罩的頂面或緊鄰著頂面，並且保形地附接於含有掩蔽的非反射區域(譬如掩蔽的吸收層)之光罩的平面。相較於技術現況是吸收平面在多層平面之上，如應用於本揭示的薄膜完全避免粒子進入反射區域上的光罩。薄膜可能垂直整合成完整遮罩架構的一部分。
「蓋層」(capping layer)是指在反射性多層之頂部上的一層，用於保護反射性多層免於可以隨著時間而累積在遮罩上的粒子。任何適合的材料可以用於本揭示的蓋層，例如釕和其他過渡金屬。
「吸收層」(absorber layer或absorbing layer)是指在反射性多層之頂部上(並且典型在蓋層之頂部上)吸收EUV輻射的一層。吸收層僅覆蓋反射性多層的選擇部分。因此，影像對比形成在遮罩具有吸收層和沒有吸收層的區域之間，而能夠將影像轉移至晶圓。
「繞射光柵」(diffraction grating)是指具有一、二或三維週期性結構的光學構件，把來自單一方向的光繞射至多個方向。繞射光柵可以由任何適合的材料所製成。繞射光柵也可能不平均地隔開(非均勻的繞射光柵)。在此情形，週期可能隨著一特色至另一特色而改變。此在真實遮罩中是典型的。
「影像對比」(image contrast)或「反射率」(reflectivity)定義成從反射區域所反射之光強度對從非反射區域所反射之光強度的比例。
「折射率」(refractive index)是指介質中之光速對真空中之光速的比例。實務上，折射率是複數，使得折射率=n+i*k。(n)表示折射率的實部，且(k)表示折射率的虛部。折射率的大小隨著波長而改變。
「消光係數」(extinction coefficient，k)是指透射光經由在介質中散射和吸收而消逝的比率。
高k吸收層是具有高吸收和高k數值(折射率之虛部)的材料。
低n吸收層是具有高吸收和低n數值(折射率之實部)的材料。在EUV波長，n典型小於1(譬如矽是0.99)，並且有時小於0，譬如Ru在13.5 nm波長下是0.89。低n遮罩由於與空氣在折射率的實部有大對比而典型為反射性。
低n高k遮罩是指具有非反射層或吸收層的遮罩，該層是由同時具有高k數值和低n數值的材料所製成。
「相位差」(phase difference)是指從反射區域發出的反射波前相位和從非反射或吸收區域發出的波前相位之間的差異。相位差是藉由變化該層的厚度而達成。
相位移遮罩是指含有低n及/或高k材料的遮罩，其中由於180度或π(3.1415)的相位差而在反射和非反射區域之間發生相位抵銷。 III. 極紫外線微影術遮罩
在此提供的是極紫外線(EUV)遮罩，所包含的架構具有增加的產出增益、正規化影像對數斜率(NILS)增加和劑量減少。
於一具體態樣，在此提供的是極紫外線遮罩，包含基材和反射性多層(ML)。於特殊具體態樣，ML包含反射(R)區域，該區域具有由低n數值之材料所製成的非反射(NR)區域。於特殊具體態樣，ML包含反射(R)區域，該區域具有由低n數值和高k數值之材料所製成的非反射(NR)區域。於特定具體態樣，n和k數值是在EUV波長(包括13.3~13.7 nm和13.5 nm)。於特定具體態樣，多層區域包含與基材接觸的底面和頂面。在此所述的反射和非反射區域在反射性多層的頂部上或上方形成繞射圖案。反射區域可能是空氣。非反射區域可能包含金屬，該金屬包括其化合物或混合物，舉例來說如圖1所示。
於另一具體態樣，在此提供的是極紫外線遮罩，包含基材和反射性多層(ML)。於特殊具體態樣，ML包含反射(R)區域和掩蔽在當中的非反射(NR)區域。於特殊具體態樣，多層區域包含與基材接觸的底面和頂面。在此所述的反射和非反射區域形成掩蔽在反射性多層內的繞射圖案，舉例來說如圖4和圖5所示。
圖7提供此繞射光柵架構的實施例，具有作為反射區域的空氣或矽(掩蔽於多層中)和作為非反射區域的多層。
圖8提供此繞射光柵架構的另一實施例，具有作為反射區域的空氣或矽(掩蔽在多層裡)和作為非反射區域的金屬(包括其化合物或混合物而整合於多層中)。
圖3提供此繞射光柵架構的另一實施例，具有作為反射區域的多層和作為非反射區域的金屬(包括其化合物或混合物而掩蔽於多層中)。
於特殊具體態樣，其中反射(R)區域的反射率比非反射(NR)區域的反射率大至少4.126倍。於特定具體態樣，R區域的反射率比NR區域的反射率大至少5倍。於特定具體態樣，R區域的反射率比NR區域的反射率大至少1.5倍。於特定具體態樣，R區域的反射率比NR區域的反射率大至少2.0倍。於特定具體態樣，R區域的反射率比NR區域的反射率大至少8倍。
掩蔽(submerged)是指NR區域的實質部分是在ML的頂面之下。於特定具體態樣，至少50%的NR區域是在ML的頂面之下。於特定具體態樣，至少75%的NR區域是在ML的頂面之下。於特定具體態樣，實質上所有的NR區域是在ML的頂面之下。於特定具體態樣，NR區域的實質部分是在ML的頂面之下和底面之上。
表面上(above surface)是指NR區域的實質部分是在ML的頂面之上。於特定具體態樣，至少50%的NR區域是在ML的頂面之上。於特定具體態樣，至少75%的NR區域是在ML的頂面之上。於特定具體態樣，實質上所有的NR區域是在ML的頂面之上。於特定具體態樣，NR區域的實質部分是在ML的頂面之上和底面之上。
於特定具體態樣，NR區域包含低n材料。於特定具體態樣，NR區域包含低n和高k材料。含有該材料的平面可能稱為吸收層。
如本揭示全篇所參考，影像對比是影像品質的度量，可能使用正規化影像對數斜率(NILS)來測量。NILS或影像對比定義成從非反射區域所反射之光強度對從反射區域所反射之光強度的比例。影像對比或NILS代表非反射區域相對於反射區域而抑制反射光的有效性，並且提供圖案化晶圓的銳利邊緣，而能夠有高解析度和圖案傳真度。NILS示範於圖9。NILS與劑量的平方根成反比。
於特定具體態樣，本揭示關於可以用於曝光系統的元件，其中系統或次系統包括光源以透射具有波長的光。
於另一具體態樣，本揭示關於可以用於曝光系統的元件，含有光罩、面鏡或透鏡、基材元件。系統或次系統可以包括光源以透射具有波長的光。元件可以包括具有複數個結構特色的材料或一或更多種材料組合。
本揭示的遮罩適合用於極紫外線和X光輻射。極紫外線(EUV)輻射包括從小於250 nm至小於10 nm、從約193 nm至小於10 nm、從約124 nm至約10 nm、或從約20 nm至約10 nm的輻射。於某些具體態樣，輻射具有從250 nm至1 nm的波長。於某些具體態樣，輻射具有從193 nm至1 nm的波長。於某些具體態樣，輻射具有從124 nm至10 nm的波長。於某些具體態樣，輻射具有約13.5 nm的波長。
本揭示也提供EUV遮罩，其中非反射(NR)區域包括繞射光柵以將光繞射至反射性多層中。
繞射光柵本質上可以是一、二或三維。於某些具體態樣，繞射光柵是一維、二維或三維。於某些具體態樣，繞射光柵是一維。於某些具體態樣，繞射光柵是二維。於某些具體態樣，繞射光柵是三維。
繞射光柵可以由任何適合的材料來製備，包括金屬、金屬氧化物和其他材料。繞射光柵可以由相同於反射層的材料或不同於反射層的材料來製備。繞射光柵可以相同於非反射區域的材料或不同於非反射區域的材料來製備。於某些具體態樣，繞射光柵包括鉬、鈮、釕、鉑、鈀、錸、鋨、銀、鎳、鈷、銅、鎳、金、銅、鎢、氧化鉭、氧化鎢、或NiAl 3中的至少一者。於某些具體態樣，繞射光柵是由與反射層相同的材料所製備。於某些具體態樣，繞射光柵是由與非反射區域相同的材料所製備。
於某些具體態樣，思及的EUV遮罩包括由空氣所製成的繞射光柵。
繞射光柵是使用光學微影術、電子束微影術、灰階微影術或蝕刻劃線來製備。於電子束(e-beam)或光學微影術，例如光阻或電子束阻劑材料的敏感材料製備在表面上，然後經由曝光於雷射源或電子束源而圖案化。阻劑然後交聯，並且經由溼式化學處理而移除未曝光的區域。圖案阻劑區域作用成軟式遮罩，並且經由蝕刻過程將圖案轉移至晶圓中。可能使用灰階微影術來生成譬如具有鋸齒輪廓的炫耀光柵，其中曝光束的劑量在曝光期間有所變化以於阻劑中生成厚度輪廓。替代選擇而言，炫耀光柵可能藉由非均向性蝕刻或使光柵指向某角度而產生。繞射光柵也可能藉由用於3D光柵之蝕刻、自我組裝和沉積的組合而生成，或透過EUV/深紫外線(DUV)微影術和指引性自我組裝的組合而生成。
在藉由電子束微影術而將繞射光柵圖案化後，使用反應性離子蝕刻或原子層蝕刻以在底下材料中刻劃圖案。此在表面上之繞射光柵的情形下可能刻劃在吸收層中，或在掩蔽式光柵的情形下可能刻劃在多層中。
參考實施例和在此所示，思及的EUV遮罩具有以減少之「Z eff」或「Zeff」數值為函數而增加的NILS數值，如圖2針對Mo-Si所示。Zeff是指反射波抵達(譬如反射性ML開始反射光)的有效平面，此是在光傳播經過此平面後。於特定具體態樣，在此提供之思及的EUV遮罩由於Zeff減少而具有增加的NILS。於某些具體態樣，Zeff是或在5至60 nm之間。Zeff數值對應於反射性ML材料。於特定具體態樣，Zeff可能是或在5至60 nm、5至50 nm、10至50 nm、10至40 nm、15至40 nm、15至30 nm、15至25 nm、18至25 nm、或20至25 nm之間。
基材可以包括任何適合的材料。舉例而言，基材材料可以包括但不限於金屬、金屬合金、半導體、複合物、聚合物、玻璃、及其組合。於某些具體態樣，基材可以是金屬、金屬合金、半導體、複合物、聚合物、玻璃、及其組合。於某些具體態樣，基材可以是半導體。於某些具體態樣，基材可以是玻璃。於某些具體態樣，基材可以是二氧化矽、經融熔的矽石、石英、Zerodur™、或其他超低熱膨脹基材。
多層可以包括能夠實質反射極紫外線或X光輻射的任何適合材料。反射性多層的代表性材料包括但不限於鉬、矽、鈮、鎝、鋯、釕、鈹、鎢、碳化硼、碳及其他。
於特定具體態樣，多層包含一或更多種金屬、基本上由一或更多種金屬所構成、或由一或更多種金屬所構成。於特定具體態樣，多層包含金屬、基本上由金屬所構成、或由金屬所構成，而具有小於1.00、小於0.99、小於0.98、小於0.97、小於0.96、或小於0.95的折射率(n)數值。於特定具體態樣，多層包含金屬、基本上由金屬所構成、或由金屬所構成，而具有大於零、在0和0.10之間、在0和0.08之間、或在0和0.06之間的消光係數(k)數值。於特定具體態樣，多層包含一或更多種金屬、基本上由一或更多種金屬所構成、或由一或更多種金屬所構成，而具有所述折射率和所述消光係數。多層可以具有從2至1000個交替層。於特定具體態樣，多層包含10~60對雙層。
於特定具體態樣，ML區域包含以下、基本上由以下所構成、或由以下所構成：選自Mo、Ru、Ta、Pt、Pd、Nb、Tc、Re、Os、W、C、Ag的一或更多種金屬或其介電質、Si、和空氣。於特定具體態樣，多層包含以下、基本上由以下所構成、或由以下所構成：Mo/Si、Ru/Si、Nb/Si、Tc/Si、鋯/矽、或其組合。二交替層可能形成一對雙層。可能有在10和60對之間的重複雙層而形成反射塗層。於特定具體態樣，多層包含每一對的交替層。於特定具體態樣，多層進一步包含一或更多個阻障層，散佈在每對雙層之間而在ML內形成三元重複單元。阻障層的實施例包括碳化硼、或碳和碳基化合物。於特定具體態樣，多層進一步包含與頂面接觸的一或更多個蓋層。雖然Mo/Si是典型組合，但其他材料組合、厚度的變化和減少對數的雙層可以減少Zeff。
反射區域可以有足以反射EUV或X光輻射的任何適合厚度。舉例而言，反射層的厚度可以是從50至1000 nm、或從100至750 nm、或從100至500 nm、或從200至400 nm。反射層可以具有約50 nm、或約100、150、200、250、300、350、400、450、500、600、700、800、900、或約1000 nm的厚度。於某些具體態樣，反射層可以具有約300 nm的厚度。
於特定具體態樣，反射區域包含空氣或矽、或反射性ML本身。
於特殊具體態樣，如在此揭示和所示的EUV遮罩在反射性ML中具有掩蔽的非反射區域。具有掩蔽之非反射區域的EUV遮罩具有低Z(或低Zeff)面鏡。於特定具體態樣，具有掩蔽之非反射區域的EUV遮罩讓頂面平面或是二維。具有掩蔽之非反射層的EUV遮罩具有低Z面鏡。於掩蔽式設計，光可以在掩蔽的非反射區域傳播和繞射，但因為反射性ML存在於繞射附近，所以抑制了較高階的雙重繞射。
於特定具體態樣，非反射區域包含以下、基本上由以下所構成、或由以下所構成：選自Mo、Ru、Ta、Pt、Pd、Nb、Tc、Re、Rh、Os、Ir、W、C、Ag的一或更多種金屬或其氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽、氟化物、氯化物、硫酸鹽、混合物、化合物和其合金。此等某些形成低n材料，並且某些形成低n和高k材料。實施例顯示於上表。
多層的非反射區域可以有任何適合的寬度和長度以於晶圓中提供所要的影像。反射性多層的非反射區域可以在反射層中有任何適合的深度。舉例而言，非反射部分可以從反射層的頂面僅延伸幾奈米至反射層中，或延伸貫穿反射層至基材。於某些具體態樣，非反射區域從反射層的頂面是從約0至約100 nm、從1至約50 nm、從1至約25 nm、或從1至約20 nm深。於某些具體態樣，非反射區域延伸貫穿反射層至基材。
反射層的反射區域和非反射區域之間的反射率差異生成足以將影像從遮罩轉移至晶圓的影像對比。影像對比可以由反射區域的反射率除以非反射區域的反射率來決定，而提供至少10或至少50、100、200、300、400、500、1000、2000、3000、4000、5000、或至少約10,000的影像對比。於某些具體態樣，反射區域的輻射反射率比非反射區域的輻射反射率大至少100倍。於某些具體態樣，反射區域的輻射反射率比非反射區域的輻射反射率大至少1000倍。於某些具體態樣，反射區域的輻射反射率比非反射區域的輻射反射率大至少10,000倍。
如在此的範例性EUV遮罩所示，可能調整掩蔽於ML中之非反射區域的高度(h)和深度(Zeff)以減少劑量且有產出增益和NILS增加。據此，如在此所示，掩蔽之非反射區域的Zeff減少使NILS增加。減少的Zeff也改善其他重要的成像微影術參數，例如對於尺寸的劑量和非遠心性。
於進一步具體態樣，掩蔽之非反射區域相對於高度(h)的半間距(half pitch，HP)影響具有掩蔽的或表面上吸收層之EUV遮罩的NILS。如在此所用，半間距(HP)是指從ML之每個非反射區域的中心至次一非反射區域的中心之平均距離的一半。據此，HP:h比例的減少則增加NILS。於非均勻的繞射光柵，譬如其中非反射特色未必均等隔開也無相等週期，HP是指所欲科技節點的半間距，譬如16 nm HP或8 nm或45 nm HP。
於在此揭示的EUV遮罩，掩蔽的吸收層可能具有範圍從1：1.02至1：50的HP：h比例。據此，HP:h的比例範圍可能從1:1.02至1:50、1:1.05至1:40、1:1.05至1:30、1:1.05至1:20、1:1.05至1:15、1:1.05至1:10、1:1.05至1:5、1:1.05至1:4、1:1.05至1:3、1:1.05至1:2.5、1:1.05至1:2.0、1:1.05至1:1.9、1:1.05至1:1.8、1:1.05至1:1.7、1:1.05至1:1.6、1:1.05至1:1.5、1:1.05至1:1.4、1:1.05至1:1.3、1:1.1至1:1.3、1:1.1至1:1.25、1:1.1至1:1.20、或1:1.1至1:1.15。
於某些具體態樣，EUV遮罩具有如在此揭示的基材和反射性ML，並且也包括掩蔽的或表面上的吸收層，而具有1:1.02至1:50的HP:h比例，其中反射性ML包括具有小於或等於約1.0之n數值及/或大於零(0.0)之k數值的金屬，而反射性ML材料具有或在5至60 nm之間的Zeff數值。於更進一步具體態樣，EUV遮罩具有1:1.02至1:50的HP:h比例，而反射性ML包含具有小於或等於約1.0之n數值及/或大於零(0.0)之k數值的金屬且Zeff數值是或在5至60 nm之間，並且也包括遮罩偏移。在此揭示的是具有遮罩偏移的範例性EUV遮罩。遮罩偏移的範圍可以從1~5 nm，典型在3或4 nm左右。反射或非反射區域的特色尺寸在側向(x,y)平面中以此些數值來膨脹或收縮。
於特定具體態樣，EUV遮罩包含吸收層。於特定具體態樣，吸收層包含TaN。於特定具體態樣，吸收層包含Pt、Pd、Os、Ru、Rh、Ir、或其氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽、氟化物、氯化物、硫酸鹽、混合物和合金。於特定具體態樣，此些吸收層從多層的頂面提供低反射有效平面(Zeff)，藉此增進NILS。實施例顯示於上表。
於再其他具體態樣，如在此揭示和顯示的EUV遮罩是「無吸收物」(absorber free)或「無吸收層」(absorber layer free)的遮罩，其中使用空氣以在反射性ML中生成波導通透且侷限光。沒有吸收層，則有增加數量的光子傳遞至晶圓，藉此增加反射率且增加澄清區域——譬如增加I max/I o，藉此增加遮罩的NILS和產出增益。再者，無吸收層的遮罩較易製作。於某些具體態樣，如在此揭示和所示之思及的EUV遮罩增進了NILS，而具有光傳遞增加高達3倍(3x)的低Z面鏡。
於某些具體態樣，在此揭示之思及的EUV遮罩具有或在1：0.5至1：50之間的深寬比。為了較易製作，偏好較小的深寬比。據此，思及的EUV遮罩具有範圍從約1:0.5至1:50、1:0.5至1:40、1:0.5至1:30、1:0.5至1:20、1:0.5至1:15、1:0.5至1:10、1:0.5至1:9、1:0.5至1:8、1:0.5至1:7、1:0.5至1:6、1:0.5至1:5、1:0.5至1:4、1:0.5至1:3、1:0.5至1:2、1:0.5至1:1.5、或1:0.5至1:1的深寬比。 IV. 製備
在此所述的多層和表面上的繞射光柵可以根據視為適合此技術者的技術來製備。於特定具體態樣，製作多層的過程可能是： 1.   清潔經熔融的矽石、矽、玻璃或低熱膨脹的基材。 2.   在真空沉積工具中經由譬如離子束沉積、PVD、濺鍍、MBE而在基材上沉積譬如Mo和Si的交替組合。 3.   沉積蓋層，譬如釕。 4.   沉積吸收層，譬如PtO 2或其他低n材料。 5.   譬如經由旋塗、氣相沉積、噴塗或浸塗而以光阻或電子束阻劑來塗佈頂面。 6.   使用電子束或光學微影術直接寫入以將阻劑圖案化至反射區域和表面上的非反射區域中，代表IC圖案。 7.   使用反應性離子蝕刻(reactive ion etch，RIE)，原子層蝕刻(atomic layer etch，ALE)或其他蝕刻技術以形成繞射光柵。 8.   移除光阻或電子束阻劑。
在此所述的多層和表面下的繞射光柵可以根據視為適合此技術者的技術來製備。於特定具體態樣，製作多層的過程可能是： 1.   清潔經熔融的矽石、矽、玻璃或低熱膨脹的基材。 2.   在真空沉積工具中經由譬如離子束沉積、PVD、濺鍍、MBE而在基材上沉積譬如Mo和Si的交替組合。 3.   沉積蓋層，譬如釕。 4.   譬如經由旋塗、氣相沉積、噴塗或浸塗而以光阻或電子束阻劑來塗佈頂面。 5.   使用電子束或光學微影術直接寫入以將阻劑圖案化至反射區域和掩蔽的非反射區域中，代表IC圖案。 6.   使用反應性離子蝕刻(RIE)、原子層蝕刻(ALE)或其他蝕刻技術以形成繞射光柵。 7.   有選擇地沉積吸收層，譬如PtO 2或其他低n材料。 8.   移除光阻或電子束阻劑。 9.   若需要的話藉由拋光而平面化。 V. 額外的遮罩具體態樣
本揭示的EUV遮罩可以包括額外層。於某些具體態樣，EUV遮罩也可以包括與反射層之頂面接觸的蓋層。蓋層可以由保護反射層且對EUV和X光輻射為透明的任何適合材料來製備。蓋層的代表性材料包括釕和任何其他過渡金屬。於某些具體態樣，蓋層包括釕。
蓋層可以有任何適合的厚度。舉例而言，蓋層可以從1至100 nm厚、或從1至10 nm厚。蓋層可以具有約1 nm或約2、3、4、5、6、7、8、9、或約10 nm的厚度。於某些具體態樣，蓋層可以具有約5 nm的厚度。
在反射層中使用非反射區域則不需要在反射層之頂部上的吸收層。於某些具體態樣，本揭示提供當中不存在吸收層的EUV遮罩。於某些具體態樣，本揭示提供實質無吸收層的EUV遮罩。於某些具體態樣，本揭示提供實質無氮化鉭的EUV遮罩。
薄膜若需要的話可能直接附接於EUV遮罩的頂面或緊鄰著頂面，並且保形地附接於含有掩蔽之非反射區域之光罩的平面。相較於技術現況的吸收平面是在多層平面之上，如應用於本揭示的薄膜完全避免粒子進入光罩而在反射區域上。薄膜可能垂直整合成完整遮罩架構的一部分。
薄膜可能帶電以偏折粒子免於降落在薄膜或遮罩上。
蝕刻的多層可能有選擇地填充了SiO 2來取代Si。
在蝕刻非反射區域後，多層在非反射區域的頂部層級是矽或二氧化矽(來自氧化)。此進一步減少反射率。
薄膜若需要的話可能直接附接於頂面或緊鄰著頂面，並且保形地附接於之含有掩蔽之非反射區域的光罩平面。相較於技術現況的吸收平面是在多層平面之上，如應用於本揭示的薄膜完全避免粒子進入光罩而在反射區域上。薄膜可能垂直整合成完整遮罩架構的一部分。
薄膜可能帶電以偏折粒子免於降落在薄膜或遮罩上。 ＜實施例＞
表面上變化的遮罩實施例可能包含以下：低熱膨脹材料(LTEM)基材，上面藉由離子束沉積而沉積了40對Mo/Si雙層(厚度分別為3 nm和4 nm)的反射塗層。此然後沉積了5 nm的Ru蓋層。25 nm的氧化釕吸收層然後沉積在蓋層的頂部上。使用遮罩電子束寫入機而將吸收層圖案化成繞射光柵。使用折射性離子蝕刻直到蓋層來蝕刻吸收層而生成繞射光柵。
掩蔽式變化的遮罩實施例可能包含以下：LTEM基材，上面藉由離子束沉積而沉積了40對Mo/Si雙層(厚度分別為3 nm和4 nm)的反射塗層。此然後沉積了5 nm Ru的蓋層。使用遮罩電子束寫入機而將蓋層圖案化成繞射光柵。使用折射性離子蝕刻近乎18 nm來蝕刻蓋層和多層而生成繞射光柵。18 nm的氧化鉑層然後沉積在蓋層的頂部上。然後移除剩餘的電子束阻劑而留下用於反射和非反射區域的銳利對比邊緣。
模擬結果顯示於圖5~8。I max/I 0描述在反射區域而相對於入射光I 0的最大強度I max。I min/I 0描述在非反射區域而相對於入射光I 0的最小強度I min。此二數值的比例是反射(R)區域對非反射區域的R/NR比例或反射率。圖6顯示在非反射區域中的Ru洩漏，其中8%的反射率來自此區域。然而，22 nm之氧化鉑的低n高k遮罩在非反射率區域中僅具有2%的反射率，導致較高的R/NR比例8.5、對比和NILS數值。類似而言，掩蔽的繞射光柵顯示於圖5。在此所示的低Zeff面鏡產生7.22的極高NILS數值，反射區域相較於非反射區域幾乎多20x的光。劑量與NILS的平方成反比。NILS加倍導致劑量有4x減少和4x的產出增益。
雖然前面的揭示已為了清楚理解而以示範和實施例的方式來做某些細節的描述，但熟於此技術者將體會可能在所附請求項的範圍裡實施特定的改變和修飾。附帶而言，在此提供的每個參考資料是以相同程度而以整體引用方式併入本文，彷彿每個參考資料曾個別以引用方式併入。在此提供的本申請案和參考資料之間有衝突時，應以本申請案為準。
[圖1]提供包含反射區域和非反射區域的遮罩。
[圖2]提供具有有用之消光係數(k)和折射率(n)的金屬。
[圖3]比較四種不同的表面上(above surface)遮罩架構的反射率數值：TaN、Ni、Ru和低n低k材料。低反射率數值是繞射光柵中之非反射(non-reflective，NR)區域所要的。
[圖4]提供3D遮罩和包含掩蔽之非反射區域的2D(平面的)遮罩且示範EUV遮罩的Zeff參數。I 0是入射光的強度。I max是反射(reflective，R)區域的光強度。I min是非反射區域(NR)的光強度。R/NR比例=I max/I min。
[圖5]提供表面上和掩蔽式遮罩設計的比較。掩蔽設計可以是低Zeff設計、2D平面設計或具有遮罩偏移。
[圖6]提供低n高k(譬如PtO 2)遮罩相較於Ru和TaN的反射率效能比較。在低n高k遮罩的情形下，R/NR比例顯著較大(8.5)。此產生較高的正規化影像對數斜率(normalized image log-slope，NILS)數值。
[圖7]提供無吸收物遮罩的示範，具有掩蔽至多層中的繞射光柵。反射區域是空氣。非反射區域是多層(multilayer，ML)塗層本身，具有＜1的有效折射率。
[圖8]提供無吸收物遮罩的示範，具有金屬、金屬氧化物、或碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽整合至多層中而在空氣和ML之間生成對比且因此增進NILS。R/NR比例是10.4。此產生4.1的NILS數值。EUV微影術之技術現況的參考值是2.0。
[圖9]示範如在此所用的對比和NILS。

Claims (19)

  1. 一種極紫外線遮罩，包含： 基材；以及 多層(multilayer，ML)區域，包含具有非反射(non-reflective，NR)區域的反射(reflective，R)區域， 其中該ML區域包含與該基材接觸的底面和頂面，並且 其中該反射(R)區域的反射率比該非反射(NR)區域的反射率大至少4.2倍。
  2. 如請求項1之遮罩，其中該NR區域包含金屬，具有小於0.89、小於0.88、小於0.87、小於0.86、小於0.85、或小於0.84的折射率(n)數值。
  3. 如請求項1之遮罩，其中該R區域包含空氣、矽、二氧化矽、或其他透明材料。
  4. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該NR區域包含金屬，具有大於零、在0.03和0.10之間、在0.03和0.08之間、或在0.03和0.06之間的消光係數(k)數值。
  5. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該ML區域包含選自Mo、Ru、Ta、Pt、Pd、Nb、Tc、Re、Rh、Os、W、C、Ag的一或更多種金屬及/或其氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽、基材、混合物、化合物和合金、或介電質、Si、和空氣。
  6. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該掩蔽的NR區域具有相對於該ML區域的高度(h)和半間距(half pitch，HP)，其中HP:h的比例是選自1:1.02至1:50。
  7. 如前述請求項中任一項之遮罩，具有選自5至60 nm的Zeff數值。
  8. 如前述請求項中任一項之遮罩，進一步包含遮罩偏移。
  9. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該反射(R)或非反射(NR)區域掩蔽在該多層的表面之下。
  10. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該輻射具有從250 nm至1 nm的波長。
  11. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該輻射具有從124 nm至10 nm的波長。
  12. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該輻射具有約13.5 nm的波長。
  13. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該反射層包含鉬和矽、釕、鈮、鎝、碳化硼、或鎢和碳的多層。
  14. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該遮罩是用於與薄膜配合(conjunction)。
  15. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該非反射(NR)區域包含金屬，該金屬包括鉬、鈮、碳化鉬、鎝、釕、鋯、鉑、鈀、鋨、銠、錸、銥，或包含其氧化物、硫酸鹽、碳酸鹽或硝酸鹽或其混合物和化合物。
  16. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該反射區域(R)包含矽、空氣、二氧化矽、或反射性多層、Mo/Si、或任何透明材料。
  17. 如前述請求項中任一項之遮罩，進一步包含與該反射層之該頂面接觸的蓋層。
  18. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中不存在吸收層。
  19. 如前述請求項中任一項之遮罩，其中該遮罩是相位移遮罩。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006170916A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
KR101490603B1 (ko) * 2013-07-15 2015-02-09 한양대학교 산학협력단 극자외선 노광 공정용 마스크
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