JP2009513805A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 25
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 17
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 8
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 claims 7
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- -1 methoxy, ethoxy Chemical group 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N Boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MELCCCHYSRGEEL-UHFFFAOYSA-N Hafnium diboride Chemical compound [Hf]1B=B1 MELCCCHYSRGEEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 2
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UGHSGZIDZZRZKT-UHFFFAOYSA-N methane;zirconium Chemical compound C.[Zr] UGHSGZIDZZRZKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (38)
- 一般式：
Ｈ−［ＳｉＨ２ＣＨ２］ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ１）ＨＣＨ２］ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ２）ＣＨ２］ｚｎ−Ｈ
で示される共重合体を含むシリコン組成物であって、式中、
Ｒ１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、
Ｒ２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、
ｎは、約１０〜約１４０の範囲であり、そして
ｘ、ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である、シリコン組成物。 - Ｒ１がメチル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．１〜約０．１５の範囲、そしてｚが約０．０５〜約０．１の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．０７〜約０．０８の範囲、そしてｚが約０．０７〜約０．０８の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がフェニル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．１〜約０．３の範囲、そしてｚが約０．０５〜約０．３の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がエチニル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．１〜約０．３の範囲、そしてｚが約０．０５〜約０．３の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がプロパギル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．１〜約０．３の範囲、そしてｚが約０．０５〜約０．３の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がフェニル、Ｒ２がプロパギル、ｘが約０．６〜約０．９の範囲、ｙが約０．１〜約０．３の範囲、そしてｚが約０．０５〜約０．３の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．１〜約０．３の範囲、ｙが約０．６〜約０．８の範囲、そしてｚが約０．１〜約０．２の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．２〜約０．２５の範囲、ｙが約０．１〜約０．２の範囲、そしてｚが約０．５５〜約０．７の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がフェニル、Ｒ２がプロパギル、ｘが約０．２〜約０．２５の範囲、ｙが約０．１〜約０．２の範囲、そしてｚが約０．５５〜約０．７の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- Ｒ１がフェニル、Ｒ２がアリル、ｘが約０．１〜約０．２の範囲、ｙが約０．４０〜約０．４５の範囲、そしてｚが約０．４０〜約０．４５の範囲である、請求項１に記載の組成物。
- 少なくとも１つの粉末をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記粉末は、サイズが約０．５ミクロン〜約４５ミクロンの範囲である、請求項１２に記載の組成物。
- 前記粉末は、二ホウ化ハフニウム、ハフニウムカーバイド、二ホウ化ジルコニウム、ジルコニウムカーバイド、炭化ケイ素、シリコンニトライド、炭化ホウ素、黒鉛またはそれらの組み合わせを含む、請求項１２に記載の組成物。
- 一般式：
Ｈ−［ＳｉＨ２ＣＨ２］ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ１）ＨＣＨ２］ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ２）ＣＨ２］ｚｎ−Ｈ
で示される共重合体を含むシリコン組成物であって、式中、
Ｒ１は、メチル、
Ｒ２は、プロパギルまたはエチニル、
ｎは、約１０〜約１４０の範囲であり、そして
ｘ、ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である、シリコン組成物。 - 一般式：
Ｈ−［ＳｉＨ２ＣＨ２］ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ１）ＨＣＨ２］ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ２）ＣＨ２］ｚｎ−Ｈ
で示される共重合体を含むシリコン組成物であって、式中、
Ｒ１は、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、
Ｒ２は、アリル、
ｎは、約１０〜約１４０の範囲であり、そして
ｘ、ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である、シリコン組成物。 - 一般式：
Ｈ−［ＳｉＨ２ＣＨ２］ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ１）ＨＣＨ２］ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ２）ＣＨ２］ｚｎ−Ｈ
で示される共重合体を加熱するステップを含む、炭化ケイ素系材料を製造するための方法であって、式中、
Ｒ１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、
Ｒ２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、
ｎは、約１０〜約１４０の範囲であり、そして
ｘ、ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である、方法。 - 前記共重合体は、約１６０℃〜約５００℃の範囲の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、約３０分〜約２４０分の範囲の時間で加熱される、請求項１８に記載の方法。
- 前記共重合体は、プラチナ系触媒を用いて加熱される、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、少なくとも約６０％の相対湿度で、約１時間〜約６時間、約９０℃〜約２００℃の範囲の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
- Ｒ２がエチニル基である、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、紫外（ＵＶ）照射を介して硬化される、請求項２２に記載の方法。
- 前記共重合体は、約４００℃〜約６５０℃の範囲の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、不活性ガス、水素ガスまたはその組み合わせの環境で加熱される、請求項２４に記載の方法。
- 前記共重合体は、約７００℃〜約１２００℃の範囲の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、不活性ガス、水素ガスまたはそれらの組み合わせの環境で加熱される、請求項２６に記載の方法。
- 前記共重合体は、約１２００℃〜約１８００℃の範囲の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
- 前記共重合体は、不活性ガス、水素ガスまたはそれらの組み合わせの環境で加熱される、請求項２８に記載の方法。
- 前記共重合体は、大きさが約０．５ミクロン〜約４５ミクロンの範囲の粉末状耐火材料を用いて混合される、請求項１７に記載の方法。
- 前記粉末状耐火材料は、二ホウ化ハフニウム、ハフニウムカーバイド、二ホウ化ジルコニウム、ジルコニウムカーバイド、炭化ケイ素、シリコンニトライドまたはそれらの組み合わせである、請求項３０に記載の方法。
- 前記共重合体は、炭化ケイ素、炭化ホウ素、シリコンニトライド、炭素、黒鉛またはそれらの組み合わせを用いて混合される、請求項１７に記載の方法。
- Ｒ１がメチル、Ｒ２がプロパギルまたはエチニルである、請求項１７に記載の方法。
- Ｒ１がフェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、そしてＲ２がアリルである、請求項１７に記載の方法。
- 請求項１７の方法により製造された炭化ケイ素系材料。
- 約０．１％以下の不純物を含む、請求項３５に記載の炭化ケイ素系材料。
- シリコン：炭素が、実質的に１：１の化学量論を有する、請求項３５に記載の炭化ケイ素系材料。
- 制御されたシリコン、炭素および水素比を有する、請求項３５に記載の炭化ケイ素系材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/257,905 US20070093587A1 (en) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | Silicon carbide precursors and uses thereof |
| PCT/US2006/060148 WO2007051089A2 (en) | 2005-10-25 | 2006-10-23 | Silicon carbide precursors and uses thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009513805A JP2009513805A (ja) | 2009-04-02 |
| JP2009513805A5 true JP2009513805A5 (ja) | 2009-12-03 |
Family
ID=37857186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008538138A Pending JP2009513805A (ja) | 2005-10-25 | 2006-10-23 | 炭化ケイ素前駆体とその使用 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070093587A1 (ja) |
| EP (1) | EP1940922A2 (ja) |
| JP (1) | JP2009513805A (ja) |
| KR (1) | KR20080071987A (ja) |
| CN (1) | CN101296971A (ja) |
| CA (1) | CA2626380A1 (ja) |
| RU (1) | RU2008120660A (ja) |
| WO (1) | WO2007051089A2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007114392A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | 配線基板および実装構造体 |
| JP5470687B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2014-04-16 | 富士通株式会社 | シリコン化合物、紫外線吸収体、多層配線装置の製造方法および多層配線装置 |
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| WO2010141432A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Rogers Corporation | Thermally conductive circuit subassemblies, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom |
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| US10781319B2 (en) | 2011-01-21 | 2020-09-22 | Lockheed Martin Corporation | Ultra high temperature environmental protection coating |
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| EP3744877A3 (en) | 2012-01-20 | 2021-02-17 | Free Form Fibers, LLC | High strength ceramic fibers and methods of fabrication thereof |
| US9919972B2 (en) | 2013-05-02 | 2018-03-20 | Melior Innovations, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
| US11014819B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-05-25 | Pallidus, Inc. | Methods of providing high purity SiOC and SiC materials |
| US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
| US9657409B2 (en) | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Melior Innovations, Inc. | High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications |
| US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
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| CN106626023A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-05-10 | 钦州学院 | 坭兴陶与金属的结合工艺 |
| JP2019531418A (ja) * | 2016-09-28 | 2019-10-31 | フリー フォーム ファイバーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 耐火性添加剤を含む多組成繊維および製造方法 |
| US10676391B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-09 | Free Form Fibers, Llc | High temperature glass-ceramic matrix with embedded reinforcement fibers |
| EP3645279A4 (en) | 2017-06-27 | 2021-05-26 | Free Form Fibers, LLC | FUNCTIONAL HIGH PERFORMANCE FIBER STRUCTURE |
| KR102584736B1 (ko) | 2018-10-02 | 2023-10-05 | 로저스코포레이션 | 코팅된 질화 붕소를 포함하는 인쇄회로기판 서브스트레이트 |
| CN109762351B (zh) * | 2018-12-24 | 2021-05-14 | 湖南鑫长胜材料科技有限公司 | 一种改性沥青及其制备方法 |
| US11365290B2 (en) * | 2019-11-22 | 2022-06-21 | Raytheon Technologies Corporation | Modified preceramic polymers, method of making and ceramic matrix composite formed therefrom |
| CN111020746B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-07-19 | 南方科技大学 | 一种SiC/ZrC复合纤维及其制备方法和用途 |
| FR3111135B1 (fr) * | 2020-06-09 | 2023-01-13 | Safran Ceram | Procédé de fabrication d’une pièce en matériau composite à l’aide d’un copolymère réticulé hybride |
| US11761085B2 (en) | 2020-08-31 | 2023-09-19 | Free Form Fibers, Llc | Composite tape with LCVD-formed additive material in constituent layer(s) |
| CN112126064B (zh) * | 2020-09-24 | 2022-04-05 | 宁波曙翔新材料股份有限公司 | 一种固态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法 |
| CN113999397B (zh) * | 2021-11-15 | 2023-04-14 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种低成本液态聚碳硅烷的制备方法及应用 |
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-
2005
- 2005-10-25 US US11/257,905 patent/US20070093587A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-10-23 EP EP06839501A patent/EP1940922A2/en not_active Withdrawn
- 2006-10-23 CA CA002626380A patent/CA2626380A1/en not_active Abandoned
- 2006-10-23 KR KR1020087011590A patent/KR20080071987A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-10-23 WO PCT/US2006/060148 patent/WO2007051089A2/en active Application Filing
- 2006-10-23 RU RU2008120660/04A patent/RU2008120660A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-10-23 CN CNA2006800399547A patent/CN101296971A/zh active Pending
- 2006-10-23 JP JP2008538138A patent/JP2009513805A/ja active Pending
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