JP2009510781A5

JP2009510781A5 -

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Publication number: JP2009510781A5
Application number: JP2008533464A
Authority: JP
Filing date: 2006-09-25
Publication date: 2009-11-26

Claims

帯電粒子ビームフラッシュを生成するための方法であって、
少なくとも部分的にレジスト感度の補正要因に基づき、用量補正乗数配列（an array of dose correction multipliers）を算出するステップと、
配置効果のレジスト帯電を考慮する為に変位ベクトルを算出するステップであって、前記変位ベクトルが

として定義され、ここで

が前記変位ベクトルを表しており、ｄが用量補正乗数を表しており、Ｐがパターンを表しており、

が数学的な畳込み演算（convolution operation）を表しており、

が空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表しているステップと、
前記変位ベクトルを使用して前記帯電粒子ビームフラッシュの位置を修正するステップと、
を備える方法。
前記変位ベクトルを使用して前記帯電粒子ビームフラッシュの位置を修正するステップが、前記変位ベクトルと反対方向に前記帯電粒子ビームフラッシュを変位させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
前記変位ベクトルがランタイム時に算出される、請求項１に記載の方法。
前記用量補正乗数配列が、噴霧散乱効果、後方散乱効果および高速二次電子の高速二次散乱効果を考慮している、請求項１に記載の方法。
前記用量補正乗数配列が、前記用量補正乗数配列の噴霧散乱部分をまず算出することによって算出される、請求項１に記載の方法。
前記用量補正乗数配列の前記噴霧散乱部分を算出することが、前記噴霧散乱効果を考慮するように構成されている第１のグリッドに対して前記パターンをサンプリングする工程、前記後方散乱効果を考慮するように構成されている第２のグリッドに対して前記パターンをサンプリングする工程、また高速二次電子の前記高速二次散乱効果を考慮するように構成されている第３のグリッドに対して前記パターンをサンプリングする工程を備える、請求項５に記載の方法。
前記用量補正乗数の前記噴霧散乱部分を算出するステップがさらに、
（ａ）前記用量補正乗数配列をスケーリングする工程であって、（１）前記第１のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に前記用量補正乗数配列を圧縮し、（２）前記第２のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に前記用量補正乗数配列を圧縮し、（３）前記第３のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に前記用量補正乗数を圧縮する、前記工程と、
（ｂ）前記第１のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に圧縮された前記用量補正乗数配列に、前記第１のグリッドにサンプリングされた前記圧縮パターンを乗算して、前記結果を、

と定義されたＸ_ｆで畳み込むことによって前記用量補正乗数配列の圧縮噴霧散乱部分を生成する工程であって、ここでＧがガウス分布関数を表しており、ａ_ｉがそれぞれのガウス分布関数の重量を表しており、σ_ｉが前記ガウス分布関数の幅を表している、前記工程と、
（ｃ）前記用量補正乗数配列の前記圧縮噴霧散乱部分を補間・拡張して前記用量補正乗数配列の前記噴霧散乱部分を生成する工程と、
（ｄ）前記第２のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に圧縮された前記用量補正乗数配列に、前記第２のグリッドにサンプリングされた前記圧縮パターンを乗算して、前記結果を

と定義されたＸ_ｂで畳み込むことによって前記用量補正乗数配列の圧縮後方散乱部分を生成する工程と、
（ｅ）前記用量補正乗数配列の前記圧縮後方散乱部分を補間・拡張して前記用量補正乗数配列の後方散乱部分を生成する工程と、
（ｆ）前記第３のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に圧縮された前記用量補正乗数配列に、前記第３のグリッドにサンプリングされた前記圧縮パターンを乗算して、前記結果を

と定義されたＸ_ｓで畳み込むことによって高速二次電子の前記後方散乱効果に対応する前記用量補正乗数配列の圧縮高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｇ）高速二次電子の前記散乱効果に対応する前記用量補正乗数配列の前記圧縮高速二次散乱部分を補間・拡張して、高速二次電子の前記散乱効果に対応する前記用量補正乗数配列の前記高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｈ）

に従って前記用量補正乗数配列を算出する工程であって、ここでＡが前記ポイント拡散関数の前記ガウス分布表記の全係数の合計を表しており、ｄが前記用量補正乗数配列を表しており、Ａ_ｋが、高速二次電子、後方散乱または噴霧効果によっては散乱されないエネルギー堆積の比率の重量を表しており、

が高速二次電子の前記散乱効果に対応する前記用量補正乗数配列の前記高速二次散乱部分を表しており、

が前記用量補正乗数配列の前記後方散乱部分を表しており、

が前記用量補正乗数配列の前記噴霧散乱部分を表しており、Θがレジスト感度の補正要素を表している工程と、
を備える、請求項６に記載の方法。
前記用量補正乗数配列の変化が所定の値に収束するまで工程（ａ）〜（ｈ）が反復される、請求項７に記載の方法。
前記用量補正乗数配列の前記圧縮噴霧散乱部分を補間・拡張するステップが、前記用量補正乗数配列の前記圧縮噴霧散乱部分を共通のスケールグリッドに補間・拡張する工程を備える、請求項７に記載の方法。
前記用量補正乗数配列の前記圧縮後方散乱部分を補間で拡張するステップが、前記用量補正乗数配列の前記圧縮後方散乱部分を共通のスケールグリッドに補間・拡張する工程を備える、請求項７に記載の方法。
レジスト感度補正要素の前記補正が、レジスト加熱の補正、マップ型欠陥の補正、および時間依存欠陥に対する補正のうちの少なくとも１つを備える、請求項７に記載の方法。
前記用量補正乗数配列を算出する工程が、前記パターンを前記第２のグリッドおよび前記第３のグリッドにサンプリング・圧縮することを備える、請求項７に記載の方法。
前記用量補正乗数配列を算出する工程がさらに、
（ｉ）前記用量補正乗数配列をスケーリングする工程であって、（１）前記第２のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に前記用量補正乗数配列を圧縮し、（２）前記第３のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に前記用量補正乗数配列を圧縮する、前記工程と、
（ｊ）前記用量補正乗数配列の前記保存されている圧縮噴霧散乱部分を補間・拡張して前記用量補正乗数配列の噴霧散乱部分を生成する工程と、
（ｋ）前記第２のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に圧縮された前記用量補正乗数配列に、前記第２のグリッドにサンプリング・圧縮された前記パターンを乗算して、前記結果を

と定義されたＸ_ｂで畳み込むことによって前記用量補正乗数配列の圧縮後方散乱部分を生成する工程と、
（ｌ）前記用量補正乗数配列の前記圧縮後方散乱部分を補間・拡張して前記用量補正乗数配列の前記後方散乱部分を生成する工程と、
（ｍ）前記第３のグリッドでポイントごとの乗算を許容する寸法に圧縮された前記用量補正乗数配列に、前記第３のグリッドにサンプリング・圧縮された前記パターンを乗算して、前記結果を

と定義されたＸ_ｓで畳み込むことによって前記用量補正乗数配列の高速二次電子部分の圧縮高速二次散乱を生成する工程と、
（ｎ）前記用量補正乗数配列の高速二次電子部分の前記圧縮散乱を補間・拡張して高速二次電子の前記散乱効果に対応する前記用量補正乗数配列の高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｏ）

に従って前記用量補正乗数配列を算出する工程と、
を備える、請求項７に記載の方法。
前記用量補正乗数配列の変化が所定の値に収束するまで工程（ｉ）〜（ｏ）が反復される、請求項１３に記載の方法。
前記最後の反復での前記用量補正乗数が前記帯電粒子ビームフラッシュ滞留時間の暴露用量を変調するのに使用される、請求項１４に記載の方法。