JP2009290677A

JP2009290677A - ノイズフィルタ

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Publication number: JP2009290677A
Application number: JP2008142555A
Authority: JP
Inventors: Masaki Kitajima; 正樹北島
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-05-30
Filing date: 2008-05-30
Publication date: 2009-12-10
Anticipated expiration: 2028-05-30
Also published as: JP5320823B2

Abstract

【課題】めっき処理において絶縁層が溶出することを抑制できるノイズフィルタを提供する。
【解決手段】積層体１４は、コンデンサＣを内蔵している。積層体１６は、積層体１４上に設けられ、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵している。外部電極は、コンデンサＣ又はコイルＬ１，Ｌ２に接続され、積層体１４の表面及び積層体１６の表面に形成されている。積層体１４は、絶縁層３２ａ〜３２ｊと、絶縁層３２ａ〜３２ｊと共に積層され、コンデンサＬ１，Ｌ２を構成しているコンデンサ電極５０ａ〜５０ｆと、ｚ軸方向において絶縁層３２ａ〜３２ｊよりも上側及び下側に積層され、絶縁層３２ａ〜３２ｊよりも高い耐めっき性を有している第２の絶縁層３３ａ，３３ｂと、を備えている。
【選択図】図２

Description

本発明は、ノイズフィルタに関し、積層体内にコイルとコンデンサとを内蔵しているノイズフィルタに関する。

従来のノイズフィルタとしては、例えば、特許文献１に記載の複合電子部品が知られている。該複合電子部品は、コンデンサブロックと該コンデンサブロック上に固定されたコイルブロックと外部端子電極とを備えている。コンデンサブロックは、誘電体セラミックスと内部電極とが交互に積層されてコンデンサが形成されてなる。また、コイルブロックは、ガラスと内部電極とが交互に積層され内部電極によりコイルが形成されてなる。外部端子電極は、コンデンサブロックの内部電極とコイルブロックの内部電極との接続を行うと共に、内部電極と外部との接続を行う。該複合電子部品は、以上の構成により、高周波特性の向上と低コスト化を図っている。

ところで、前記複合電子部品では、誘電率や歩留まり等の種々の観点から、コンデンサブロックの誘電体セラミックスとして、例えば、Ｂａを含有したガラスが用いられることがある。Ｂａを含有したガラスは、化学的に不安定な性質を有しており、例えば、めっき処理によりめっき液に溶出し易いという性質を有している。そのため、外部端子電極の形成の際のめっき処理において、コンデンサブロックの誘電体セラミックスが溶融してしまい、内部電極同士や内部電極と外部端子電極とがショートしてしまうおそれがあった。
特開２０００−１８２８９２号公報

そこで、本発明の目的は、めっき液に溶出し易い絶縁層が用いられたとしても、めっき処理において絶縁層が溶出することを抑制できるノイズフィルタを提供することである。

本発明の一形態に係るノイズフィルタは、コンデンサを内蔵している第１の積層体と、前記第１の積層体上に設けられ、コイルを内蔵している第２の積層体と、前記コンデンサ又は前記コイルに電気的に接続され、前記第１の積層体の表面及び／又は前記第２の積層体の表面に形成されている外部電極と、を備えたノイズフィルタにおいて、前記第１の積層体は、積層されている複数の第１の絶縁層と、前記複数の第１の絶縁層と共に積層され、前記コンデンサを構成している内部電極と、積層方向において前記複数の第１の絶縁層よりも上側及び／又は下側に積層され、該第１の絶縁層よりも高い耐めっき性を有している第２の絶縁層と、を備えること、を特徴とする。

本発明によれば、コンデンサを構成している内部電極と共に積層されている第１の絶縁層を積層方向の上下から挟むように、第２の絶縁層が設けられている。第２の絶縁層は、第１の絶縁層よりも高い耐めっき性を有しているので、外部電極の形成の際のめっき処理において、第１の絶縁層よりもめっき液に溶出しにくい。その結果、第１の絶縁層が溶出することが抑制される。

以下に、本発明の一実施形態に係るノイズフィルタについて図面を参照しながら説明する。

（ノイズフィルタの構成について）
図１は、一実施形態に係るノイズフィルタ１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る積層体１２の分解斜視図である。図３は、ノイズフィルタ１０の等価回路図である。以下、ノイズフィルタ１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、ノイズフィルタ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、ノイズフィルタ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

図１に示すノイズフィルタ１０は、積層体１２、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を備えている。また、積層体１２は、直方体形状を有し、積層体１４と積層体１６とが積層されて構成されている。

積層体１４は、表面の凹凸が１５μｍ以下であるＬＴＣＣ（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏ−ｆｉｒｅｄＣｅｒａｍｉｃｓ）基板である。該積層体１４は、内部にコンデンサＣを内蔵している。以下に、積層体１４について、図２を参照しながら詳細に説明する。

積層体１４は、コンデンサＣを内蔵しており、絶縁層３２ａ〜３２ｊ，３３ａ，３３ｂ、及び、絶縁層３２ａ〜３２ｊと共に積層されるコンデンサ電極５０ａ〜５０ｆにより構成されている。

絶縁層３２ａ〜３２ｊは、Ｂａを含有しＳｉＯ₂を主成分としている誘電体材料（本実施形態では、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂａ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂−ＣｅＯ₂−ガラス）からなる矩形状の層である。なお、絶縁層３２ａ〜３２ｊは、１０枚記載されているが、１０枚以上であってもよい。そのため、図２では、絶縁層３２ｅと絶縁層３２ｆとの間を点線で繋いで、絶縁層３２ｅと絶縁層３２ｆとの間に更なる絶縁層３２が設けられていてもよいことを示している。

コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、絶縁層３２ｃ〜３２ｈの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、矩形状を有しており、引き出し部５２ａ〜５２ｆを有している。引き出し部５２ａ〜５２ｆは、ｙ軸方向の手前側の辺とｙ軸方向の奥側の辺とに交互に引き出されている。コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆは、絶縁層３２ａ〜３２ｊがｚ軸方向の上からこの順に積層されることにより、ｚ軸方向の上からこの順に積層され、ｚ軸方向に対向するもの同士でコンデンサＣを構成している。

絶縁層３３ａ，３３ｂは、絶縁層３２ａ〜３２ｊよりも高い耐めっき性を有するようにＢａを含有させていないＳｉＯ₂主成分とする誘電体材料（本実施形態では、Ａｌ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂−ガラス）により構成されている矩形状の層である。誘電体層３３ａは、ｚ軸方向において絶縁層３２ａ〜３２ｊよりも上側に積層されている。誘電体層３３ｂは、ｚ軸方向において絶縁層３２ａ〜３２ｊよりも下側に積層されている。これにより、絶縁層３２ａ，３２ｊがめっき処理において、めっき液により溶出することを抑制している。なお、絶縁層３３ａ，３３ｂは、絶縁層３２ａ，３２ｊが溶出することを防止できる十分な厚みを有していることが好ましく、具体的には、２５μｍ以上の厚みを有していることが好ましい。

積層体１６は、積層体１４上に設けられ、２つのコイルＬ１，Ｌ２を内蔵している。積層体１６は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１４よりも小さくなるように形成されている。以下に、積層体１６について、図２を参照しながら詳細に説明する。

積層体１４は、絶縁層３０ａ〜３０ｇ、及び、絶縁層３０ａ〜３０ｇと共に積層されるコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄにより構成されている。絶縁層３０ａ〜３０ｇは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁層３０ａ〜３０ｇは、ｚ軸方向から平面視した場合に、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、積層体１４は、絶縁層３０ａ〜３０ｇの四辺からはみ出した状態となっている。

コイル電極４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｇの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。同様に、コイル電極４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｇの主面上に、コイル電極４０ａ〜４０ｄとｘ軸方向に並ぶように、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄは、それぞれ線状電極が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。

コイル４０ａ，４４ａはそれぞれ、その一端において引き出し部４２ａ，４６ａを有している。引き出し部４２ａは、ｘ軸方向の左側の辺に引き出されており、引き出し部４６ａは、ｘ軸方向の右側の辺に引き出されている。コイル電極４０ｄとコイル４４ｄとの間には、引き出し部４８が設けられている。引き出し部４８の一端は、ｙ軸方向の手前側の辺に引き出されている。

ビア導体ｂ１〜ｂ３はそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｆをｚ軸方向に貫通するように形成されている。同様に、ビア導体ｂ４〜ｂ６もそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｆをｚ軸方向に貫通するように形成されている。

コイル電極４０ａ〜４０ｄは、絶縁層３０ａ〜３０ｇがｚ軸方向の上からこの順に積層されることにより、ｚ軸方向の上からこの順に積層され、隣り合うもの同士でビア導体ｂ１〜ｂ３により接続されることにより、コイルＬ１を構成している。同様に、コイル電極４４ａ〜４４ｄは、絶縁層３０ａ〜３０ｇがｚ軸方向の上からこの順に積層されることにより、ｚ軸方向の上からこの順に積層され、隣り合うもの同士でビア導体ｂ４〜ｂ６により接続されることにより、コイルＬ２を構成している。そして、コイルＬ１とコイルＬ２とは、引き出し部４８を介して直列接続されている。

外部電極１８ａ，１８ｂはそれぞれ、図１に示すように、積層体１２のｘ軸方向の左右の側面（積層体１２の表面）に形成され、図２に示す引き出し部４２ａ，４４ａと電気的に接続されている。外部電極２０は、図１に示すように、積層体１２のｙ軸方向の奥側の側面（積層体１２の表面）に形成され、図２に示す引き出し部５２ａ，５２ｃ，５２ｅと電気的に接続されている。接続電極２２は、図１に示すように、積層体１２のｙ軸方向の手前側の側面（積層体１２の表面）に形成され、図２に示す引き出し部４８，５２ｂ，５２ｄ，５２ｆと電気的に接続されている。これにより、コンデンサＣは、接続電極２２により、コイルＬ１とコイルＬ２との間に接続されるようになる。その結果、ノイズフィルタ１０は、図３に示すようなＴ型ＬＣノイズフィルタを構成するようになる。

ところで、ノイズフィルタ１０がＴ型ＬＣノイズフィルタとして動作する場合には、外部電極１８ａ，１８ｂが信号電極として機能し、外部電極２０がグランド電極として機能する。すなわち、外部電極１８ａ，１８ｂには、相対的に高い電位が印加され、外部電極２０には、相対的に低い電位（接地電位）が印加される。そして、コイルＬ１，Ｌ２を構成するコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とは、絶縁層３０ｄ〜３０ｇにより絶縁されているので、電気的に接続されていない状態となっている。そのため、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの電位は、外部電極２０の電位よりも高くなっている。

前記のようにコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの電位が外部電極２０の電位よりも高くなっていると、エレクトロマイグレーションにより、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とが短絡するという問題がある。より詳細には、水分や電流等により、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを構成する金属が陽イオンに変化する。このような陽イオンは、ノイズフィルタ１０の外部電極１８ａ，１８ｂ，２０に電圧が印加されると、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に発生する電界によって、絶縁層３０ｃ〜３０ｇの境界面を伝って、電位の低い外部電極２０側へと移動する。このような状態が長期間持続すると、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に電流経路が形成され、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とが短絡してしまうおそれがある。

そこで、ノイズフィルタ１０では、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生しないように、積層体１６内に絶縁体が設けられている。以下に、図４を参照しながら、該絶縁体について説明する。図４（ａ）は、ノイズフィルタ１０をｚ軸方向から平面視した透視図であり、図４（ｂ）は、ノイズフィルタ１０をｘ軸方向から平面視した透視図である。図４（ａ）では、コイル電極４０ａ，４４ａのみを記載した。また、図４（ｂ）では、積層体１４については一部のみを記載した。

ノイズフィルタ１０において、エレクトロマイグレーションによる短絡が最も発生し易い箇所は、図４（ａ）に示す領域Ａである。領域Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、外部電極２０とコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄとが最も近づく位置である。該領域Ａでは、外部電極２０とコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄとの距離が最も短くなるので、ノイズフィルタ１０内において電界が最も強くなる。そのため、領域Ａでは、金属の陽イオンが、電界によりコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄから外部電極２０へと移動しやすい。すなわち、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生し易い。

そこで、ノイズフィルタ１０では、図４に示すように、金属の陽イオンの移動を妨げるように、領域Ａにおいて、互いに隣接する絶縁層３０ｃ〜３０ｇの境界をｚ軸方向に横切るように延在する絶縁体６０が設けられている。本実施形態に係るノイズフィルタ１０では、絶縁体６０は、図４（ｂ）に示すように、ｚ軸方向の最も上側に位置するコイル電極４０ａよりもｚ軸方向の上側から、ｚ軸方向の最も下側に位置するコイル電極４０ｄよりもｚ軸方向の下側まで、連続して延在している。また、絶縁体６０は、図４（ａ）に示すように、ｘ軸方向の上側の側面近傍からｘ軸方向の下側の側面近傍まで、ｘ軸方向に連続して延在している。これにより、絶縁体６０は、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間において、壁のように立っている。

（効果）
ノイズフィルタ１０では、コンデンサ電極５０と共に積層されている絶縁層３２をｚ軸方向の上下から挟むように、絶縁層３３が設けられている。絶縁層３３は、絶縁層３２よりも高い耐めっき性を有しているので、外部電極１８，２０及び接続部２２の形成の際のめっき処理において、絶縁層３２よりもめっき液に溶出しにくい。その結果、積層体１４を構成している絶縁層３２が溶出することにより、コンデンサ電極５０が露出してしまうことが抑制される。

更に、ノイズフィルタ１０では、以下に説明するように、素子の小型化を図ることができる。より詳細には、絶縁層３２が溶出してコンデンサ電極５０が露出してしまうことを防止する方法としては、例えば、コンデンサ電極５０ａの上側又はコンデンサ電極５０ｆの下側に設けられている絶縁層３２の厚みを大きくすることが挙げられる。しかしながら、この方法では、ノイズフィルタの積層方向の厚みが大きくなってしまう。

これに対して、ノイズフィルタ１０では、絶縁層３２よりも耐めっき性が高い絶縁層３３が設けられているので、絶縁層３２によりコンデンサ電極５０を保護する場合に比べて、絶縁層３３の厚みは薄くてもよい。その結果、ノイズフィルタ１０の小型化を図ることが可能である。

更に、絶縁層３３の厚みを２５μｍ以上とすることにより、絶縁層３２が溶出することをより効果的に抑制できることを明らかにするために、本願発明者は、以下に示す実験を行った。具体的には、種々の厚みを有する絶縁層３３を備えたノイズフィルタ１０を準備し、めっき処理時に各ノイズフィルタ１０において絶縁層３２が溶出したか否かを調べた。表１は、本願発明者が行った実験結果を示した表である。

表１によれば、絶縁層３３の厚みが１０μｍ、２０μｍの場合には、絶縁層３２が溶出したのに対して、絶縁層３３の厚みが２５μｍ、３０μｍの場合には、絶縁層３２が溶出しなかった。故に、絶縁層３３の厚みは、２５μｍ以上であることが好ましいことが理解できる。

なお、ノイズフィルタ１０では、積層体１４の上面及び下面のみが絶縁層３３により覆われ、積層体１４の側面は、絶縁層３３には覆われていない。故に、めっき処理時に積層体１４の側面から絶縁層３２が溶出することが考えられる。

しかしながら、コンデンサ電極５０から積層体１４の側面までの距離Ｄ（図２参照）は、１２５μｍ以上となっており、積層体１４の上面又は下面からコンデンサ電極５０までの距離に比べて十分に大きい。故に、めっき処理において、コンデンサ電極５０が露出する程に、積層体１４の側面から絶縁層３２が溶出することは殆ど発生し得ない。そのため、積層体１４の側面には、必ずしも、絶縁層３３のような保護層を施さなくてもよい。

ノイズフィルタ１０では、絶縁体６０が設けられることにより、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを構成する金属原子が陽イオンに変化し、該陽イオンが電界により外部電極２０側へと移動したとしても、絶縁体６０によりその移動が遮られてしまう。その結果、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に電流経路が形成されることがなくなり、エレクトロマイグレーションによるコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との短絡の発生が防止される。

（製造方法について）
以下に、ノイズフィルタ１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５及び図６は、ノイズフィルタ１０の製造時における工程断面図である。図７は、ノイズフィルタ１０のマザー積層体をｚ軸方向から平面視した図である。図５及び図６では、１個分のノイズフィルタ１０の製造工程が示されているが、実際には、複数のノイズフィルタ１０がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。

まず、図２に示すような積層体１４を作製する。より詳細には、Ａｌ_２Ｏ_３とＣｅＯ_３とＢａ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２とＣａ−Ａｌ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層３２ａ〜３２ｊとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、Ａｌ_２Ｏ_３とＣｅＯ_３とＣａ−Ａｌ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層３３ａ，３３ｂとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、絶縁層３２ｃ〜３２ｈとなるべきセラミックグリーンシート上には、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストがスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布されることにより、コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆが形成される。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、上から順に絶縁層３３ａ，３２ａ〜３２ｊ，３３ｂを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、焼成を施して、積層体１４のマザー積層体が得られる。

次に、図５（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｇを、積層体１４上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層３０ｇにおいて、絶縁体６０が形成されるべき位置に、孔Ｈを形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁層３０ｇ上に、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料からなる導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。

次に、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡ上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、図５（ｃ）に示すように、導電層４０ｄＡ，４４ｄＡの不要な部分が露出した形状を有するレジストパターン７０ａを形成する。

次に、露出した部分の導電層４０ｄＡ，４４ｄＡをエッチングにて除去した後、レジストパターン７０ａを除去することにより、図６（ａ）に示すように、コイル電極４０ｄ，４４ｄを形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｆを、絶縁層３０ｇ及びコイル電極４０ｄ，４４ｄ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層３０ｆのビア導体ｂ３，ｂ６が形成されるべき位置に、ビアホールｈを形成する。また、絶縁層３０ｆにおいて、絶縁体６０が形成されるべき位置に、孔Ｈを形成する。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層３０ｆ上に、導電層４０ｃＡ，４４ｃＡをドライめっき法により形成する。この際、ビアホールｈに導電性材料が充填され、ビア導体ｂ３，ｂ６が形成される。この後、この導電層４０ｃＡ，４４ｃＡには、図５（ｃ）〜図６（ｃ）を用いて説明した処理が施される。これにより、コイル電極４０ｃ，４４ｃ及び絶縁層３０ｅが、絶縁層３０ｆ上に形成される。更に、図５（ｃ）〜図６（ｃ）を用いて説明した処理が繰り返されて、コイル電極４０ａ，４０ｂ，４４ａ，４４ｂ及び絶縁層３０ｄが形成される。この後、コイル電極４０ａ，４４ａ及び絶縁層３０ｄ上にポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ａ〜３０ｃが形成される。この際、孔Ｈにポリイミド樹脂が充填され、絶縁体６０が形成される。

この後、積層体１２のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体１２に切り離される。この際、図７の点線部分に示すように、ダイサーが絶縁層３０ａ〜３０ｇが形成されていない部分を通過するように、マザー積層体をカットする。更に、カットした積層体１２に対してバレルを施す。これにより、積層体１２の角の面取りが行われる。

最後に、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成する。具体的には、Ａｇ及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて銀電極を形成する。次に、銀電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきを施して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が形成される。以上の工程を経て、ノイズフィルタ１０が完成する。

以上のように、ノイズフィルタ１０のコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄは、フォトリソグラフィにより作製される。フォトリソグラフィを用いることにより、線幅の狭いコイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを形成できるようになる。その結果、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの巻数を多くすることができ、ノイズフィルタ１０の積層数を抑えることが可能となる。

また、積層体１２に対してバレルを施して、積層体１２の角の面取りを行っているので、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が積層体１２の角において剥離することが抑制される。

また、絶縁層３０ａ〜３０ｇは、ｚ軸方向から見たときに、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が、積層体１２から剥がれることを効果的に抑制できる。以下に、図７及び図８を用いて説明する。図８は、ノイズフィルタ１０の積層体１２の角近傍の拡大図である。

絶縁層３０ａ〜３０ｇを積層体１２の全面に形成して、ダイサーによりカットした場合には、絶縁層３０ａ〜３０ｇのカット面においてポリイミドのひげが発生する。このようなポリイミドのひげが発生すると、精度よく外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成することが困難である。

これに対して、ノイズフィルタ１０では、ダイサーが通過する部分には、図７及び図８に示すように、絶縁層３０ａ〜３０ｇが形成されていない。そのため、ノイズフィルタ１０を切り分ける際に、前記のようなポリイミドのひげが発生しない。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を精度よく形成することが可能となる。その結果、ノイズフィルタ１０において、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が剥離することが抑制される。

また、ノイズフィルタ１０では、樹脂を含んだ導電性ペーストを用いて外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成している。外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２は、樹脂（ポリイミド）からなる絶縁層３０ａ〜３０ｇ上にも形成されるので、絶縁層３０ａ〜３０ｇとの密着性がよい。そのため、ノイズフィルタ１０において、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が剥離することが抑制される。

また、積層体１４の表面の凹凸を１５μｍ以下とすることにより、フォトリソグラフィにより絶縁膜３０やコイル電極４０，４４を精度良く形成できる。

（変形例）
以下に、ノイズフィルタ１０の変形例について図面を参照しながら説明する。図９（ａ）は、ノイズフィルタ１０の変形例であるノイズフィルタ１０ａをｚ軸方向から平面視した透視図であり、図９（ｂ）は、ノイズフィルタ１０ａをｘ軸方向から平面視した透視図である。なお、図４のノイズフィルタ１０と同じ構成については、同じ参照符号を付してある。

図９に示すように、ノイズフィルタ１０ａでは、絶縁体６０ａは、積層体１４の側面の一部を構成して、外部電極２０と接触していてもよい。該ノイズフィルタ１０ａにおいても、コイル電極４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とのエレクトロマイグレーションによる短絡を防止できる。

なお、絶縁体６０，６０ａは、図４及び図９に示すように、ｘ軸方向の上側の辺近傍からｘ軸方向の下側の辺近傍まで連続して延在しているが、該絶縁体６０，６０ａの形状はこれに限らない。該絶縁体６０，６０ａは、少なくとも、領域Ａにおいて形成されていれば、エレクトロマイグレーションによる短絡の発生を抑制することができる。ただし、より効果的にエレクトロマイグレーションによる短絡を防ぐためには、図４及び図９に示すように、絶縁体６０，６０ａは、ｘ軸方向の上側の辺近傍からｘ軸方向の下側の辺近傍まで連続して延在していることが好ましい。また、絶縁体６０，６０ａは、ｙ軸方向に複数本並んでいてもよい。

図１では、外部電極２０は、積層体１４，１６の両方の表面に跨って形成されているが、例えば、積層体１４の表面にのみ形成されていてもよい。

また、絶縁層３３ａ，３３ｂは、いずれか一方のみが設けられていてもよい。

また、ノイズフィルタ１０，１０ａ内には、コイルＬ及びコンデンサＣからなる回路素子がアレイ状に形成されていてもよい。

一実施形態に係るノイズフィルタの外観斜視図である。一実施形態に係る積層体の分解斜視図である。一実施形態に係るノイズフィルタの等価回路図である。図４（ａ）は、ノイズフィルタをｚ軸方向から平面視した透視図であり、図４（ｂ）は、ノイズフィルタをｘ軸方向から平面視した透視図である。ノイズフィルタの製造時における工程断面図である。ノイズフィルタの製造時における工程断面図である。ノイズフィルタのマザー積層体をｚ軸方向から平面視した図である。ノイズフィルタの積層体の角近傍の拡大図である。図９（ａ）は、変形例であるノイズフィルタをｚ軸方向から平面視した透視図であり、図９（ｂ）は、変形例であるノイズフィルタをｘ軸方向から平面視した透視図である。

符号の説明

Ｃコンデンサ
Ｌ１，Ｌ２コイル
１０，１０ａノイズフィルタ
１２，１４，１６積層体
１８ａ，１８ｂ，２０外部電極
２２接続電極
３０ａ〜３０ｇ，３２ａ〜３２ｊ，３３ａ，３３ｂ絶縁層
４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄコイル電極
５０ａ〜５０ｆコンデンサ電極
６０，６０ａ絶縁体

Claims

コンデンサを内蔵している第１の積層体と、
前記第１の積層体上に設けられ、コイルを内蔵している第２の積層体と、
前記コンデンサ又は前記コイルに接続され、前記第１の積層体の表面及び／又は前記第２の積層体の表面に形成されている外部電極と、
を備えたノイズフィルタにおいて、
前記第１の積層体は、
積層されている複数の第１の絶縁層と、
前記複数の第１の絶縁層と共に積層され、前記コンデンサを構成している内部電極と、
積層方向において前記複数の第１の絶縁層よりも上側及び／又は下側に積層され、該第１の絶縁層よりも高い耐めっき性を有している第２の絶縁層と、
を備えること、
を特徴とするノイズフィルタ。
前記第１の絶縁層は、Ｂａを含有していないガラスにより構成され、
前記第２の絶縁層は、Ｂａを含有しているガラスにより構成されていること、
を特徴とする請求項１に記載のノイズフィルタ。
前記第１の絶縁層の厚みは、２５μｍ以上であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のノイズフィルタ。
前記第２の積層体は、直列に接続された２つのコイルを内蔵しており、
前記コンデンサと直列に接続された前記２つのコイルの間とを接続し、前記第１の積層体及び前記第２の積層体の表面に形成されている接続部を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のノイズフィルタ。