JP2009278027A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】搬送領域Ｒ１には、メイン搬送装置８０、８１が平面視においてウェハの搬送経路が重なるように配置されている。メイン搬送装置８０、８１は、搬送領域Ｒ１の下部及び上部にそれぞれ設けられている。メイン搬送装置８０、８１は、第２のブロックＧ２に取り付けられたレール９０、９１に設けられ、レール９０、９１に沿って水平方向に移動可能となっている。メイン搬送装置８０、８１は、ウェハを保持して搬送するメイン搬送アーム９２を有している。メイン搬送アーム９２は、駆動機構９７によって、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転可能となっている。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板の処理システムに係り、特に各処理装置に基板を搬送する装置に関する。
に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。

これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するための搬入出ステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。

処理ステーションには、複数の処理装置が鉛直方向に多段に積層され、かつ水平方向に直列に配置された処理ブロックと、処理ブロックと対向する位置に配置され、各処理装置にウェハを搬送する搬送装置とが設けられている。搬送装置には、ウェハを保持して搬送する１基の搬送アームと、搬送アームを処理ブロックに沿って鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構とが設けられている。そして搬送アームは、鉛直方向及び水平方向に移動することで、ウェハを各処理装置に搬送することができる（特許文献１）。

特開２００１−５７３３６号公報

ところで、この塗布現像処理システムを用いてウェハに一連の処理を行う場合、ウェハ処理のスループットを向上させるために、各処理装置へのウェハの搬送を効率よく行うことが要求されている。しかしながら、搬送アームの動作を高速化するには技術的な限界があるため、従来のように１基の搬送アームのみを有する搬送装置では、スループットを向上させるには至らなかった。

また、従来の搬送装置を複数設けることによってウェハの搬送を効率よく行い、ウェハ処理のスループットを向上させることも考えられる。しかしながら、単純に従来の構成の搬送装置を複数設けただけでは、各搬送装置の干渉を避けるために、各搬送装置の移動範囲の自由度が小さくなる。そうすると、各搬送装置がウェハを搬送できる範囲が制限されてしまうため、スループットを向上させることはできない。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板に所定の処理を行う複数の処理装置を、鉛直方向に多段に積層し、かつ水平方向に直列に配置した基板の処理システムであって、前記複数の処理装置と対向する位置には、当該複数の処理装置に基板を搬送するための搬送領域が、前記複数の処理装置の鉛直方向及び水平方向に沿って形成され、前記搬送領域には、基板を保持して搬送する複数の搬送アームが配置され、前記複数の搬送アームは、平面視において、前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置され、前記複数の搬送アームは、各々独立して鉛直方向及び水平方向に移動自在であることを特徴としている。

本発明によれば、一の搬送領域に複数の搬送アームが配置され、各々の搬送アームが独立して鉛直方向及び水平方向に移動自在になっているので、従来のように１基の搬送アームが配置されていた場合に比べて、基板の搬送を効率よく行うことができる。これによって、基板処理のスループットを向上させることができる。また、複数の搬送アームは、平面視において前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置されているので、例えば各搬送アームが鉛直方向に移動することで、各搬送アームの干渉を容易に防止することができ、しかも搬送領域を大きくする必要がない。したがって、基板処理システムの占有面積を小さく維持することができる。

前記搬送領域は、鉛直方向に複数の搬送領域に分割され、前記分割された各搬送領域に、前記複数の搬送アームがそれぞれ配置されていてもよい。

前記複数の処理装置は、水平方向に２列に配置され、前記搬送領域は、前記２列の処理装置の間に形成され、前記複数の搬送アームは、前記２列に配置された各処理装置に基板を搬送するようにしてもよい。

前記複数の搬送アームは、各々独立して前記搬送領域に対向するすべての処理装置に基板を搬送するようにしてもよい。

前記搬送領域には、前記複数の搬送アームとして２基の搬送アームが設けられ、第１の搬送アームには、当該第１の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第１の移動機構が設けられ、第２の搬送アームには、当該第２の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第２の移動機構が設けられ、前記第１の移動機構と前記第２の移動機構は、前記搬送領域の上部又は下部にそれぞれ配置されていてもよい。

前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出する位置検出装置と、前記位置検出装置からの検出結果に基づいて、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームが互いに干渉しないように、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向の移動を制御する制御装置と、をさらに有していてもよい。

前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームを鉛直上方に移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直下方に移動させるようにしてもよい。また、前記第１の搬送アームの鉛直方向の位置を固定して移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直方向上方又は下方のいずれかに移動させるようにしてもよい。

本発明によれば、基板の搬送を効率よく行うことができ、基板処理のスループットを向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部から塗布現像処理システム１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するための搬入出部としてのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、例えば２基のウェハ搬送装置１１、１２が設けられている。ウェハ搬送装置１１、１２は、Ｘ方向に延びる搬送路１３上を移動自在である。ウェハ搬送装置１１、１２は、水平方向、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在な搬送アームを有し、カセット載置台１０上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。例えば現像装置３０と下部反射防止膜形成装置３１との間には、空間があり、この空間の高さには後述するシャトル搬送装置１００が配置されている。

例えば第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３は、図１に示すように処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、アドヒージョン装置４１が鉛直方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、例えば第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。なお、熱処理装置４０とアドヒージョン装置４１の数や配置は、任意に選択できる。例えば熱処理装置４０は、図１に示すようにウェハＷを載置して加熱する熱板４０ａと、ウェハＷを載置して冷却する冷却板４０ｂを有し、加熱と冷却の両方を行うことができる。

例えば第３のブロックＧ３には、図２に示すように複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３が下から順に設けられている。各受け渡し装置５０〜５３は、第１のブロックＧ１の各処理装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。また、現像装置３０と反射防止膜形成装置３１との間のシャトル搬送装置１００と同程度の高さには、受け渡し装置５４が配置されている。

例えば第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置７０、７１が下から順に設けられている。受け渡し装置７０は、現像装置３０と同程度の高さに設けられ、受け渡し装置７１は、第１のブロックＧ１のシャトル搬送装置１００と同程度の高さに設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間には、Ｙ方向に延びる搬送領域Ｒが設けられている。搬送領域Ｒは、ウェハＷを各搬送装置に搬送するための空間であり、第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２に対向して設けられている。また搬送領域Ｒは、例えば図２に示すように、鉛直方向に複数の搬送領域Ｒ１〜Ｒ５に分割されている。搬送領域Ｒ１〜Ｒ４は、各処理装置３０〜３３に対応する高さにそれぞれ形成されている。搬送領域Ｒ５は、現像装置３０と反射防止膜形成装置３１との間の空間と同じ高さに形成されている。

各搬送領域Ｒ１〜Ｒ４には、ウェハＷを搬送する２基のメイン搬送装置がそれぞれ配置されている。すなわち、搬送機構Ｒ１にはメイン搬送装置８０、８１が配置され、搬送機構Ｒ２にはメイン搬送装置８２、８３が配置され、搬送機構Ｒ３にはメイン搬送装置８４、８５が配置され、搬送機構Ｒ４にはメイン搬送装置８５、８６がそれぞれ配置されている。

例えば搬送領域Ｒ１に配置されたメイン搬送装置８０、８１は、例えば図１に示すように平面視において、それぞれのＹ方向のウェハＷの搬送経路（図中の左右方向）が重なるように配置されている。すなわち、搬送領域Ｒ１のＸ方向（図中の上下方向）の幅は、メイン搬送装置８０、８１が１基分配置できる幅となっている。またメイン搬送装置８０、８１は、例えば図２〜図４に示すように搬送領域Ｒ１の上部と下部にそれぞれ設けられている。メイン搬送装置８０、８１は、第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール９０、９１上をそれぞれ移動可能になっている。メイン搬送装置８０が配置されたレール９０は、例えば熱処理装置４０の下方に設けられ、メイン搬送装置８１が配置されたレール９１は、例えば熱処理装置４０の上方に設けられている。

メイン搬送装置８０は、例えば図５に示すようにウェハＷを支持して搬送する、２基のメイン搬送アーム９２を有している。メイン搬送アーム９２は、例えば図６に示すようにウェハＷより僅かに大きい径の略Ｃ字型の本体部９３を有している。本体部９３の内側には、内側に向かって突出し、ウェハＷの外周部を支持するウェハ支持部９４が複数箇所、例えば４箇所に設けられている。メイン搬送アーム９２は、このウェハ支持部９４上にウェハＷを水平に支持することができる。

メイン搬送装置８０は、例えば図５及び図６に示すように、本体部９３に設けられた支持部９５に支持されている。支持部９５の下面には、シャフト９６を介して、例えば図示しないモータなどを内蔵した駆動機構９７が設けられている。この駆動機構９７によって、メイン搬送アーム９２は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転することができる。駆動機構９７はレール９０に取り付けられ、メイン搬送装置８０はレール９０に沿って移動可能になっている。このような構成により、メイン搬送装置８０は、搬送領域Ｒ１を移動し、当該搬送領域Ｒ１に対向する、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４のすべての処理装置に対してウェハＷを搬送することができる。なお、これら支持部９５、シャフト９６、駆動機構９７が本発明の移動機構を構成している。

メイン搬送装置８１の構成は、上述したメイン搬送装置８０の構成と同様であり、例えば図４に示すようにメイン搬送アーム９２が駆動機構９７の下方に設けられている。また、メイン搬送装置８１は、メイン搬送装置８０と同様に、搬送領域Ｒ１を移動し、当該搬送領域Ｒ１に対向する、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４のすべての処理装置に対してウェハＷを搬送することができる。

これらメイン搬送装置８０、８１の移動は、例えば図７に示す制御装置２００と位置検出装置２０１によって制御される。位置検出装置２０１は、例えばメイン搬送装置８０、８１の駆動機構９７のエンコーダを検出して、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出することができる。位置検出装置２０１は、常時、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向及び水平方向の位置を検出し、その検出結果は制御装置２００に出力される。制御装置２００では、位置検出装置２０１からの検出結果に基づいて、メイン搬送装置８０、８１の移動を制御する。

制御装置２００と位置検出装置２０１は、上述の制御によりメイン搬送装置８０、８１を干渉しないように移動させることができる。例えば図７（ａ）に示すように、メイン搬送装置８０、８１が互いに移動して水平方向の距離が所定の距離Ｌになった場合に、図７（ｂ）に示すようにメイン搬送装置８０を鉛直下方（図中の下方向）に移動させると共に、メイン搬送装置８１を鉛直上方（図中の上方向）に移動させる。そして、メイン搬送装置８０とメイン搬送装置８１は干渉せずに水平方向に移動する。なお、所定の距離Ｌは、メイン搬送装置８０、８１の水平移動速度等を考慮して制御装置２００で設定される。また、メイン搬送装置８０、８１の鉛直方向の移動距離も同様に制御装置２００で設定される。

なお、他の搬送領域Ｒ２〜Ｒ４に設けられたメイン搬送装置８２〜８７の構成は、上述した搬送領域Ｒ１のメイン搬送装置８０、８１と同様であるので、説明を省略する。

搬送領域Ｒ５には、図２に示すようにシャトル搬送装置１００が配置されている。シャトル搬送装置１００は、メイン搬送装置８１とメイン搬送装置８２との間に設けられている。なお、搬送領域Ｒ５と搬送領域Ｒ１との間と、搬送領域Ｒ５と搬送領域Ｒ２との間には、図示しない仕切り板が設けられている。

シャトル搬送装置１００は、水平方向及びθ方向に移動自在なシャトル搬送アームを有している。また、シャトル搬送装置１００は、第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール１０１上を移動自在になっている。シャトル搬送装置１００は、搬送領域Ｒ５を移動し、例えば第３のブロックＧ３の受け渡し装置５４と第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３の隣には、ウェハ搬送装置１１０が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、鉛直方向、水平方向に移動自在な搬送アームを有し、第３のブロックＧ３の各受け渡し装置５０〜５４間でウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１２０が設けられている。ウェハ搬送装置１２０は、鉛直方向、水平方向及びθ方向に移動自在な搬送アームを有し、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置４と、第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０、７１との間でウェハＷを搬送できる。

以上の塗布現像処理システム１の動作や処理ステーション３の各種装置、搬送装置等の動作は、上述した制御装置２００により制御されている。制御装置２００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの処理方法を実現できる。当該ウェハＷの処理方法を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置２００にインストールされたものが用いられている。

次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。

先ず、カセットＣ内のウェハＷがウェハ搬送装置１１によって処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置５１に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８２によって例えば第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調整される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８２によって下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、再び熱処理装置４０に搬送され、加熱され、その後受け渡し装置５１に戻される。なお、メイン搬送装置８３をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５２に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８４によってアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。次にウェハＷは、メイン搬送装置８４によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節され、その後レジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８４によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱（プリベーク処理）され、その後受け渡し装置５２に戻される。なお、メイン搬送装置８５をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５３に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８６によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８６によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、その後受け渡し装置５３に戻される。なお、メイン搬送装置８７をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって受け渡し装置５４に搬送され、シャトル搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１２０によって露光装置４に搬送され、露光処理される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１２０によって露光装置４から処理ステーション３の第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（露光後ベーク処理）される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって現像装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（ポストベーク処理）される。なお、メイン搬送装置８１をさらに用いることで、別のウェハＷに上述した処理を行うことができる。

その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置１２によってカセット載置台１０上のカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー処理であるウェハ処理が終了する。

以上の実施の形態によれば、搬送領域Ｒ１に２基のメイン搬送装置８０、８１が配置され、各々のメイン搬送装置８０、８１が鉛直方向及び水平方向に移動自在になっているので、従来のように１基の搬送装置が配置されていた場合に比べて、ウェハＷの搬送を効率よく行うことができる。これによって、ウェハ処理のスループットを向上させることができ、ウェハ製品の生産性を向上させることができる。

また、２基のメイン搬送装置８０、８１は平面視においてウェハＷの搬送経路が重なるように配置されているので、メイン搬送装置８０、８１の干渉を容易に防止することができる。本実施の形態においては、制御装置２００と位置検査装置２０１によって、メイン搬送装置８０、８１の移動は、それぞれの鉛直方向及び水平方向の位置を検出しながら制御されるので、メイン搬送装置８０、８１を干渉させずに移動させることができる。

また、このように２基のメイン搬送装置８０、８１は平面視においてウェハＷの搬送経路が重なるように配置されているので、搬送領域Ｒ１を大きくする必要がない。したがって、ウェハ処理システム１の占有面積を小さく維持することができる。

また、搬送領域Ｒは、鉛直方向に複数の搬送領域Ｒ１〜Ｒ４に分割され、各搬送領域Ｒ１〜Ｒ４にそれぞれ２基のメイン搬送装置８０〜８７が配置されているので、ウェハＷの搬送をより効率よく行うことができる。

以上の実施の形態では、搬送領域Ｒ１にメイン搬送装置８０、８１のレール９０、９１は第２のブロックＧ２に取り付けられていたが、例えば図８に示すようにレール９０、９１のいずれか一方を第１のブロックＧ１に取り付けてもよく、またレール９０、９１の両方を第１のブロックＧ１に取り付けてもよい。また、例えば図９に示すように、メイン搬送装置８０、８１の両方を搬送領域Ｒ１の下部に配置してもよい。この場合、メイン搬送装置８０のレール９０は第１のブロックＧ１に取り付けられ、メイン搬送装置８１のレール９１は第２のブロックＧ２に取り付けられる。さらに、例えば図１０に示すように、メイン搬送装置８０、８１の両方を搬送領域Ｒ１の上部に配置してもよい。この場合においても、イン搬送装置８０のレール９０は第１のブロックＧ１に取り付けられ、メイン搬送装置８１のレール９１は第２のブロックＧ２に取り付けられる。以上のいずれの場合においても、搬送領域Ｒ１内でメイン搬送装置８０、８１を独立して移動させることができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。なお、他の搬送領域Ｒ２〜Ｒ４におけるメイン搬送装置８２〜８７の配置についても同様に変更してもよい。

以上の実施の形態では、各メイン搬送装置８０〜８７には、２基のメイン搬送アーム９２が設けられていたが、例えば図１１に示すように３基以上のメイン搬送アーム９２を設けてもよい。かかる場合、一度の搬送で複数のウェハＷを搬送することができるので、ウェハＷの搬送をより効率よく行うことができる。

以上の実施の形態では、制御装置２００は、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避するために、メイン搬送装置８０、８１の両方を鉛直方向に移動させていたが、例えば図１２に示すようにいずれか一方を鉛直方向に移動させるようにしてもよい。かかる場合、例えば図１２（ａ）に示すように、メイン搬送装置８０、８１が互いに移動して水平方向の距離が所定の距離Ｌになった場合に、図１２（ｂ）に示すようにメイン搬送装置８０を鉛直下方（図中の下方向）に移動させ、メイン搬送装置８１の鉛直方向の位置を固定する。この状態でメイン搬送装置８０、８１を水平方向に移動させることで、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避することができる。なお、メイン搬送装置８０の鉛直方向の位置を固定し、メイン搬送装置８１を鉛直上方に移動させて、メイン搬送装置８０、８１の干渉を回避してもよい。

以上の実施の形態の搬送領域Ｒ１内のメイン搬送装置８０、８１の構成は、他のステーションにおけるウェハＷの搬送にも用いることができる。例えばカセットステーション２におけるウェハＷの搬送や、インターフェイスステーション５におけるウェハＷの搬送にも用いることができる。かかる場合、カセットステーション２やインターフェイスステーション５におけるウェハＷの搬送も効率よく行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、基板に所定の処理の処理を行う基板処理システムにおいて、各処理装置に基板を搬送する際に有用である。

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。 塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。 第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。 メイン搬送装置の側面図である。 メイン搬送アームの平面図である。 メイン搬送装置の移動の制御方法を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置及びメイン搬送装置の配置を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるメイン搬送装置の側面図である。 他の実施の形態にかかるメイン搬送装置の移動の制御方法を示す説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
３ 処理ステーション
Ｇ１ 第１のブロック
Ｇ２ 第２のブロック
Ｇ３ 第３のブロック
Ｇ４ 第４のブロック
８０〜８７ メイン搬送装置
９０、９１ レール
９２ メイン搬送アーム
９５ 支持部
９６ シャフト
９７ 駆動機構
２００ 制御装置
２０１ 位置検出装置
Ｒ、Ｒ１〜Ｒ５ 搬送領域
Ｗ ウェハ

Claims (8)

1. 基板に所定の処理を行う複数の処理装置を、鉛直方向に多段に積層し、かつ水平方向に直列に配置した基板の処理システムであって、
   前記複数の処理装置と対向する位置には、当該複数の処理装置に基板を搬送するための搬送領域が、前記複数の処理装置の鉛直方向及び水平方向に沿って形成され、
   前記搬送領域には、基板を保持して搬送する複数の搬送アームが配置され、
   前記複数の搬送アームは、平面視において、前記複数の処理装置の水平方向に沿った基板の搬送経路が重なるように配置され、
   前記複数の搬送アームは、各々独立して鉛直方向及び水平方向に移動自在であることを特徴とする、基板処理システム。
2. 前記搬送領域は、鉛直方向に複数の搬送領域に分割され、
   前記分割された各搬送領域に、前記複数の搬送アームがそれぞれ配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記複数の処理装置は、水平方向に２列に配置され、
   前記搬送領域は、前記２列の処理装置の間に形成され、
   前記複数の搬送アームは、前記２列に配置された各処理装置に基板を搬送することを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理システム。
4. 前記複数の搬送アームは、各々独立して前記搬送領域に対向するすべての処理装置に基板を搬送することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理システム。
5. 前記搬送領域には、前記複数の搬送アームとして２基の搬送アームが設けられ、
   第１の搬送アームには、当該第１の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第１の移動機構が設けられ、
   第２の搬送アームには、当該第２の搬送アームを支持して鉛直方向及び水平方向に移動させる第２の移動機構が設けられ、
   前記第１の移動機構と前記第２の移動機構は、前記搬送領域の上部又は下部にそれぞれ配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
6. 前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向及び水平方向の位置をそれぞれ検出する位置検出装置と、
   前記位置検出装置からの検出結果に基づいて、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームが互いに干渉しないように、前記第１の搬送アームと前記第２の搬送アームの鉛直方向の移動を制御する制御装置と、をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理システム。
7. 前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームを鉛直上方に移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
8. 前記制御装置は、干渉を回避するために、前記第１の搬送アームの鉛直方向の位置を固定して移動させ、前記第２の搬送アームを鉛直方向上方又は下方のいずれかに移動させることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。

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