JP2009267905A - 弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 - Google Patents
弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009267905A JP2009267905A JP2008116807A JP2008116807A JP2009267905A JP 2009267905 A JP2009267905 A JP 2009267905A JP 2008116807 A JP2008116807 A JP 2008116807A JP 2008116807 A JP2008116807 A JP 2008116807A JP 2009267905 A JP2009267905 A JP 2009267905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- wave
- piezoelectric substrate
- thickness
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】本発明は弾性波基板における不要応答発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。
【選択図】図１
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。
【選択図】図１
Description
本発明は、弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器に関するものである。
従来、圧電基板の一面に誘電体が積層されており、圧電基板と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体の上面に吸音層を有し高次モードによる不要応答を抑制した弾性境界波装置が提案されてきた。従来の弾性境界波装置は、図２１に示すように、第１の媒質層である圧電基板２１と、第２の媒質層である誘電体膜２２と、ＩＤＴ電極であるＡｕ膜２３と、吸音層２４とにより構成される（特許文献１）。
国際公開第２００５／０６９４８６号パンフレット
しかし、このような従来の基板構成では吸音層２４により高次モードの抑制は可能であったが、吸音層２４の誘電体の厚みが１λ程度を厚いため、圧電基板２１と誘電体膜２２との境界を伝搬する不要波を抑制することは難しかった。
そして、この目的を達成するために本発明は、圧電基板の上面に異なる材料の誘電体層を複数積層した上に吸音層を設け、誘電体層の膜厚を適切に定めることにより不要波のみを抑制することを特徴とする弾性波素子である。
本発明によれば、弾性境界波素子の機能として使用する弾性境界波の近傍の周波数に出現するストンリー波を抑圧することが可能な弾性境界波素子、フィルタ及び電子機器を提供することができる。
（実施の形態１)
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
図１に本発明の実施の形態を示す。本実施の形態の弾性波素子は、ＬｉＮｂＯ3からなる圧電基板１と、圧電基板１の上面に設けられた第１の誘電体層２と、圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に設けられたＩＤＴ電極３と、第１の誘電体層２の上面に設けられた第２の誘電体層４と、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５から成っている。ここで圧電基板１として回転Ｙ板のカット角度が−１０度以上＋３０度以下の範囲で弾性波がＸ軸方向あるいは前記Ｘ軸方向に対して±５度の範囲で伝搬するＬｉＮｂＯ3を用い、第１の誘電体層２として酸化ケイ素、第２の誘電体層４として窒化ケイ素または窒化アルミを用いる。ＩＤＴ電極３としては弾性波の閉じ込め効果を向上させるために、密度が比較的大きく導体損の少ないＣｕを用いる。
本実施の形態において圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に主にエネルギーが閉じ込められて伝搬する横波成分が支配的であるＳＨ波と、基板深さ方向の成分と弾性波伝搬方向成分が支配的なＳＶ波が伝搬する。このＳＶ波はストンリー波と同様の変位分布を有する。ＳＨ波は弾性波の結合係数ｋ２が高いため、フィルタや共用器などデバイス応用が可能である。そしてＳＨ波を主要波として用いる場合、ＳＶ波は不要波として検出される。弾性波デバイスとして用いるためには不要波であるＳＶ波の抑制が必要となる。
また弾性波素子は、伝搬減衰が小さいことが望まれる。伝搬減衰を小さくするには弾性波の閉じ込めを強くする必要がある。圧電基板１と第１の誘電体層２の中にＳＨ波を閉じ込めるためにはＳＨ波が圧電基板１を伝搬する遅い横波の音速と第２の誘電体層４を伝播する横波の音速よりも遅い必要がある。そのため、第２の誘電体層４としては横波の音速の速い媒質である窒化ケイ素、あるいは窒化アルミが望ましい。また、ＩＤＴ電極３については圧電基板１の遅い横波よりも十分にＳＨ波の音速を下げる必要があるため密度の大きいＣｕが望ましい。
比較のための従来の弾性表面波素子の構成を図２に、この弾性表面波素子による共振器のアドミタンス特性の測定結果を図３に示す。ここで、共振器はＩＤＴ電極とその両側に反射器電極を備えた構成である。第１の誘電体層２として酸化ケイ素を、第２の誘電体層４を窒化ケイ素とし、それらの膜厚をそれぞれＨ１、Ｈ２とすると弾性波の動作中心周波数での波長をλとしたときに、Ｈ１／λ＝０．２、Ｈ２／λ＝０．５とした。またＩＤＴ電極３としてＣｕを用い、その膜厚をｈとするとｈ／λ＝０．０７６とした。図３より、主要波であるＳＨ波の近傍に不要応答であるＳＶ波が存在している。
図４に本発明の実施の形態による弾性波素子による共振器のアドミタンス特性の測定結果を示す。ここで、共振器はＩＤＴ電極３とその両側に反射器電極を備えた構成である。図４より、ＳＶ波による不要応答が抑制されていることがわかる。
ここで、第１の誘電体層２、第２の誘電体層４の膜厚を変化させた場合のＳＨ波とＳＶ波の変位分布について数値計算を行った。解析法としてＣａｍｐｂｅｌｌらの方法を用い、ＬｉＮｂＯ3の材料定数としてはＳｍｉｔｈらによる定数を用いた。
第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＶ波の変位分布を図５に、ＳＨ波の変位分布を図６に示す。これを見るとＳＶ波の変位分布は第２の誘電体層４表面まで及んでいるのに対し、第２の誘電体層４表面におけるＳＨ波の変位分布は非常に小さくなっていることがわかる。
また、図７に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．４とした場合のＳＶ波の変位分布を、図８に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．４とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
また、図９に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．６とした場合のＳＶ波の変位分布を、図１０に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．６とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
また、図１１に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．７とした場合のＳＶ波の変位分布を、図１２に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．７とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
図７から図１２より、第２の誘電体層４の膜厚に対しＨ２／λ＜０．４となると主要波であるＳＨ波の変位分布も第２の誘電体層４表面に現れ、吸音層を付加することで主要波も減衰する。また第２の誘電体層４の膜厚がＨ２／λ＞０．７となると不要波であるＳＶ波の変位分布が第２の誘電体層４表面で小さくなり、吸音層による抑圧ができなくなる。
よって、第２の誘電体層４の膜厚は０．５＜Ｈ２／λ＜０．７となるように構成することにより、主要波をほとんど減衰させることなく、不要波をより効果的に抑圧することができる。
また、図１３に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．１、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＶ波の変位分布を、図１４に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．１、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
また、図１５に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．３、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＶ波の変位分布を、図１６に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．３、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
また図１７に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．４、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＶ波の変位分布を、図１８に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．４、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝０．５とした場合のＳＨ波の変位分布を示す。
図１３から図１８より、第１の誘電体層２の膜厚に対しＨ１／λ＜０．１となるとＳＨ波の変位分布も第２の誘電体層４表面に現れ、吸音層を付加することで主要波も減衰する。また、第１の誘電体層２の膜厚がＨ１／λ＞０．３となると不要波であるＳＶ波の変位分布が第２の誘電体層４表面で小さくなり、吸音層による抑圧ができなくなる。
よって、第１の誘電体層２の膜厚が０．１＜Ｈ１／λ＜０．３となるように構成することにより、主要波をほとんど減衰させることなく、不要波をより効果的に抑圧することができる。
図１９に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝１．０とし、吸音層がない場合の共振器のアドミタンス特性の測定結果を示す。また、図２０に第１の誘電体層２の膜厚をＨ１／λ＝０．２、第２の誘電体層４の膜厚をＨ２／λ＝１．０とし、吸音層を設けた共振器のアドミタンス特性の測定結果を示す。図１９、及び図２０を比較すると、吸音層によりＳＶ波が抑圧できていないことがわかる。
このように第１の誘電体層２、第２の誘電体層４の膜厚を適切に選ぶことで吸音層によるＳＶ波抑制の効果は得られる。
本発明を用いればＳＶ波の応答を効果的に抑えることができるため、本発明を実施しない場合に比べて、回転Ｙ板のカット角度について、結合係数の高いカット角を用いることができ、フィルタ、及び共用器を広帯域とすることができ、挿入損失を改善することが出来る。特に、結合係数が０．１５以上、好ましくは０．２以上であれば、ＵＭＴＳシステムにおける送受間隔の広いＢａｎｄ１やＢａｎｄ４、１０のＤｕｐ．の高性能化に有用である。
特に圧電基板１において回転Ｙ板のカット角度を−５度以上、１０度未満とすることによって高い結合係数を得ることができる。
また、弾性波がＸ軸方向あるいはＸ軸方向に対して±５度の範囲で伝搬するような共振器を構成することでパワーフローによる伝搬損失を抑えることができる。
また酸化ケイ素は温度特性補償の効果を持つため、この弾性波基板を用いることで弾性波素子の温度特性を向上することが出来る。
本発明にかかる弾性波素子は、フィルタ帯域内に発生する不要応答を抑制し、且つ低損失な特性を有し、携帯電話等の各種電子機器において有用である。
１ 圧電基板
２ 第１の誘電体層
３ ＩＤＴ電極
４ 第２の誘電体層
５ 吸音層
２ 第１の誘電体層
３ ＩＤＴ電極
４ 第２の誘電体層
５ 吸音層
Claims (6)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上方に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極上方に設けられた酸化ケイ素からなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上方に設けられた窒化ケイ素または窒化アルミからなる第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上方に設けられた吸音層とを備え、
前記第２の誘電体層の膜厚が
前記圧電基板における擬似弾性波の動作中心周波数での波長をλとしたときに
０．４λ〜０．７λの範囲内にある
弾性波素子。 - 前記第１の誘電体層の膜厚が
前記圧電基板における擬似弾性波の動作中心周波数での波長をλとしたときに
０．１λ〜０．３λの範囲内にある
請求項１に記載の弾性波素子。 - 前記ＩＤＴ電極がＣｕからなる
請求項１に記載の弾性波素子。 - 前記圧電基板が
回転Ｙ板のカット角度が−１０度以上＋３０度以下の範囲で弾性波がＸ軸方向あるいは前記Ｘ軸方向に対して±５度の範囲で伝搬するＬｉＮｂＯ3基板である
請求項１に記載の弾性波素子。 - 請求項１に記載の弾性波素子を用いたフィルタ。
- 請求項１に記載の弾性波素子を用いた電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008116807A JP5125729B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 |
| US12/428,591 US7982365B2 (en) | 2008-04-28 | 2009-04-23 | Elastic wave device and filter and electronic equipment using the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008116807A JP5125729B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009267905A true JP2009267905A (ja) | 2009-11-12 |
| JP5125729B2 JP5125729B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=41214283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008116807A Active JP5125729B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7982365B2 (ja) |
| JP (1) | JP5125729B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011074464A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| JP2011135468A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146449A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corporation | 弾性波素子 |
| WO2009054121A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Panasonic Corporation | 弾性境界波装置 |
| DE102008016613B4 (de) * | 2008-04-01 | 2010-04-15 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht |
| WO2010150587A1 (ja) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 株式会社 村田製作所 | 弾性表面波センサー |
| EP2763315A4 (en) | 2011-09-30 | 2015-10-07 | Murata Manufacturing Co | ELASTIC WAVING DEVICE |
| CN104641555B (zh) * | 2012-07-30 | 2017-04-12 | 天工滤波方案日本有限公司 | 弹性波器件和使用弹性波器件的天线双工器 |
| US20180041186A1 (en) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Surface acoustic wave elements with protective films |
| JP2018157564A (ja) | 2017-03-16 | 2018-10-04 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 酸窒化ケイ素膜により覆われたインターディジタル電極を含む弾性波デバイス |
| JP7213115B2 (ja) | 2019-03-25 | 2023-01-26 | 大和ハウス工業株式会社 | 杭の施工管理方法、杭の施工管理システム、及び杭の施工管理システムを構成する携帯端末 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052279A1 (fr) * | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| WO2006114930A1 (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| JP2007243473A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波デバイス |
| JP2007267366A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4453701B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-04-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| DE102004037819B4 (de) * | 2004-08-04 | 2021-12-16 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten |
-
2008
- 2008-04-28 JP JP2008116807A patent/JP5125729B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-23 US US12/428,591 patent/US7982365B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052279A1 (fr) * | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| WO2006114930A1 (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| JP2007267366A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ |
| JP2007243473A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波デバイス |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011074464A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| JPWO2011074464A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| JP5299521B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2013-09-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| JP2011135468A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090267449A1 (en) | 2009-10-29 |
| JP5125729B2 (ja) | 2013-01-23 |
| US7982365B2 (en) | 2011-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5125729B2 (ja) | 弾性波素子と、これを用いたフィルタ及び電子機器 | |
| JP5392258B2 (ja) | 板波素子と、これを用いた電子機器 | |
| KR101636901B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| JP4337816B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JPWO2018097016A1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US7315107B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| CN110999076B (zh) | 杂散模式信号被抑制的saw设备 | |
| KR20190110020A (ko) | 탄성파 장치 | |
| JP2010068546A (ja) | 弾性境界波フィルタ | |
| JP5187444B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2012186808A (ja) | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 | |
| WO2006114930A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JP6360847B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2010011440A (ja) | 弾性波装置及びそれを用いた高周波フィルタ | |
| JP2020188408A (ja) | 弾性表面波素子、フィルタ回路及び電子部品 | |
| JP6835038B2 (ja) | 弾性波装置及び高周波フロントエンド回路 | |
| JP2009027689A (ja) | 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器 | |
| JP5874738B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP5039362B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JPWO2009081647A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004236285A (ja) | 表面波装置 | |
| JP6178972B2 (ja) | ローパス特性を有する電子音響フィルタ | |
| JP2008219720A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| WO2011074464A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JP2005348357A (ja) | 薄膜バルク音響共振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110421 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20110512 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120618 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121015 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5125729 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |