JP2009260355A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP2009260355A
JP2009260355A JP2009097948A JP2009097948A JP2009260355A JP 2009260355 A JP2009260355 A JP 2009260355A JP 2009097948 A JP2009097948 A JP 2009097948A JP 2009097948 A JP2009097948 A JP 2009097948A JP 2009260355 A JP2009260355 A JP 2009260355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon nanotube
solar cell
silicon substrate
front electrode
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009097948A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5155241B2 (ja
Inventor
Sun-Hai-Lin
海林 孫
Kaili Jiang
開利 姜
Qunqing Li
群慶 李
守善 ▲ハン▼
Feng-Yan Fan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinghua University
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Qinghua University
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qinghua University, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Qinghua University
Publication of JP2009260355A publication Critical patent/JP2009260355A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5155241B2 publication Critical patent/JP5155241B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1226—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths involving surface plasmon interaction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、太陽電池に関する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、太陽電池は、第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、を含む。前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、太陽電池に関し、特にカーボンナノチューブを使用した太陽電池に関するものである。
太陽電池は光起電力効果を利用し、光エネルギーを直接電力に変換する電力機器であり、光電池とも呼ばれる。一般的な一次電池や二次電池のように電力を蓄えるのではなく、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力する。主流のシリコン太陽電池（非特許文献１を参照する）の他、様々な化合物半導体などを素材にしたものが実用化されている。
図１を参照すると、従来技術のシリコン太陽電池３０は、背面電極３２、シリコン基板３４、ドープシリコン層３６及び前面電極３８を含む。前記シリコン基板３４は、第一表面３４１及び第二表面３４３を含む。前記背面電極３２は、該第一表面３４１とオーミック接触するように、前記シリコン基板３４の第一表面３４１に設置されている。前記シリコン基板３４の第二表面３４３に、複数の凹槽３４２が形成される。光電変換材料としての前記ドープシリコン層３６は、前記複数の凹槽３４２の内表面３４４に形成される。前記前面電極３８は、導電的な金属網を採用し、前記シリコン基板３４の第二表面３４３に設置されるが、前記導電的な金属が不透明な材料であるので、光の透過率に影響を与える。太陽電池の光電変換効率を高めるために、前記前面電極３８は、透明な酸化インジウムスズ層を採用する。
張明杰等、"太陽電池及び多晶シリコンの製造"、「材料及び冶金の学報」、２００７年、第１６巻、第３３頁〜第３８頁 Ｋａｉｌｉ Ｊｉａｎｇ、Ｑｕｎｑｉｎｇ Ｌｉ、Ｓｈｏｕｓｈａｎ Ｆａｎ、"Ｓｐｉｎｎｉｎｇ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｙａｒｎｓ"、Ｎａｔｕｒｅ、２００２年、第４１９巻、ｐ．８０１
しかし、前記酸化インジウムスズ層の機械及び化学耐用性が良くなく、該酸化インジウムスズ層が前面電極３８になると、抵抗の分布が不均一であるので、前記太陽電池は、耐用性が良くなく、光電変換効率が高くない欠点がある。
従って、本発明は、高光電変換効率を有し、耐用性が良い太陽電池を提供することを課題とする。
太陽電池は、第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、を含む。前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含む。
前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体及び該カーボンナノチューブ構造体に分布された金属粒子を含む。
前記金属粒子は、プラチナ粒子、パラジウム粒子、ルテニウム粒子、銀粒子、金粒子又はそれらの少なくとも二種以上の混合物である。
前記カーボンナノチューブ構造体が均一に分布された複数カーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、同じ方向又は複数の方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、等方的に配列された複数のカーボンナノチューブを含む。
従来の太陽電池と比べると、本発明の太陽電池の前面電極は、カーボンナノチューブ複合構造体を採用し、該カーボンナノチューブ複合構造体がカーボンナノチューブ構造体及び金属粒子を含むので、太陽の光エネルギーをよく、吸収することができるので、該太陽電池が高光電変換効率を有する。前記カーボンナノチューブ複合構造体は、良い強靭性と機械強度を有するので、該カーボンナノチューブ複合構造体を前面電極となる太陽電池の耐用性を高めることができる。
前記カーボンナノチューブ複合構造体が均一的な構造を有し、該カーボンナノチューブ複合構造体を使用した前面電極が均一的な抵抗を有するので、前記太陽電池の性能を高めることができる。前記カーボンナノチューブ複合構造体における隣接するカーボンナノチューブの間に均一的に配列された隙間を有するので、該カーボンナノチューブ複合構造体を使用した前面電極は、良い透光性を有する。
従来技術の太陽電池の構造を示す図である。 本発明の実施例に係る太陽電池の構造を示す断面図である。 図２に示す太陽電池の前面電極の構造を示す図である。 図２に示す太陽電池の前面電極のカーボンナノチューブフィルムを示す図である。 図２に示すカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブセグメントを示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図２を参照すると、本実施例の太陽電池１０は、背面電極１２、シリコン基板１４、ドープシリコン層１６、前面電極１８、反射防止層２２及び電極２０を含む。前記シリコン基板１４は、第一表面１４１及び該第一表面１４１に相対する第二表面１４３を含む。前記背面電極１２は、アルミニウムからなって、前記シリコン基板１４の第一表面１４１に設置され、該第一表面１４１とオーミック接触する。前記シリコン基板１４の第二表面１４３には、複数の凹槽１４２が分離して設置されている。前記ドープシリコン層１６は光電変換材料として、前記複数の凹槽１４２の内表面１４４に形成される。前記前面電極１８は、カーボンナノチューブ複合構造体を含み、前記シリコン基板１４の第二表面１４３に設置される。該前面電極１８は、前記シリコン基板１４の第二表面１４３に接触する第二表面１８２及び該第二表面１８２に相対する第一表面１８１を含む。前記反射防止層２２は、二酸化チタンからなって、前記前面電極１８の第一表面１８１に設置される。前記電極２０は、銀からなって、前記反射防止層２２の、前記前面電極１８の第一表面１８１から離れる表面に設置される。
前記太陽電池１０の電極２０は、例えば、銀及び金などの導電的な材料又はカーボンナノチューブを含む導電的な材料からなる。該電極２０は、前記前面電極１８の第一表面１８１又は第二表面１８２に設置してもよく、該第一表面１８１又は該第二表面１８２に電気的に接続される。前記電極２０は、前記前面電極１８に流された電流を収集することに用いられる。また、前記電極２０は、設置しなくてもよく、二つも設置してもよい。
前記反射防止層２２は、前記前面電極１８の第二表面１８２に設置されてもよい。前記反射防止層２６を利用することにより、太陽光を反射することを減少し、前記太陽電池１０の光電変換効率を高めることができる。また、前記反射防止層２２は、設置しなくてもよい。
前記背面電極１２の材料は、アルミニウム、マグネシウム、銀などの金属である。該背面電極１２の厚さは１０マイクロメートル〜３００マイクロメートルである。
前記シリコン基板１４は、ｐ型単結晶シリコン基板であり、その厚さが２００マイクロメートル〜３００マイクロメートルである。隣接する前記凹槽１４２の距離が１０マイクロメートル〜３０マイクロメートルであり、前記凹槽１４２の深さが５０マイクロメートル〜７０マイクロメートルである。前記複数の凹槽１４２の形状と寸法は特に制限されず、該凹槽１４２の断面が正方形、台形又は三角形などの多角形である。前記ドープシリコン層１６は、ｎ型ドープシリコン層であり、その厚さは、５００ナノメートル〜１マイクロメートルである。前記ドープシリコン層１６は、例えば、前記シリコン基板１４に多量の燐又は砒素などのｎ型ドープ材料を打込むことによって形成される。これにより、前記ｎ型ドープ材料と前記ｐ型シリコン基板１４との間に複数のｐｎ接合を形成でき、光エネルギーを電気エネルギーに変換させることができる。前記シリコン基板１４の第二表面１４３に前記複数の凹槽１４２が形成されるので、前記太陽電池１０はよく光エネルギーを吸収することができ、大きなｐｎ接合の界面面積を有する。従って、太陽電池１０の光電変換の効率を高めることができる。
図３を参照すると、前記前面電極１８は、カーボンナノチューブ複合構造体を採用する。前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体１８３及び複数の金属粒子１８４を含む。前記金属粒子１８４は、プラチナ粒子、パラジウム粒子、ルテニウム粒子、銀粒子、金粒子又はそれらの少なくとも二種以上の混合物である。本実施例において、該金属粒子は、銀粒子である。前記金属粒子の平均粒径は、１ナノメートル〜１０ナノメートルである。前記カーボンナノチューブ構造体１８３の重量は、前記カーボンナノチューブ複合構造体の重量の７０％〜８０％であり、前記金属粒子１８４の重量は、前記カーボンナノチューブ複合構造体の重量の１０％〜３０％である。該金属粒子１８４は、前記カーボンナノチューブ構造体１８３に均一に分布し、カーボンナノチューブ複合構造体を形成するようになる。
前記カーボンナノチューブ複合構造体を製造する方法は、下記のように述べる。まず、前記カーボンナノチューブ構造体１８３を金属塩の溶液に浸漬し、該金属塩を前記カーボンナノチューブ構造体１８３の表面に吸着させる。次に、還元雰囲気で高温で該金属塩を還元し、前記カーボンナノチューブ構造体１８３に分布されたナノ金属粒子１８４を形成する。或いは、化学気相成長（ＣＶＤ）法で前記カーボンナノチューブ構造体１８３の表面にナノ金属粒子又はナノフィルムを形成する。
前記カーボンナノチューブ構造体１８３におけるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ又は多層カーボンナノチューブである。該カーボンナノチューブ構造体１８３におけるカーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブである場合、該単層カーボンナノチューブの直径は０．５ナノメートル〜５０ナノメートルである。該カーボンナノチューブ構造体１８３におけるカーボンナノチューブが二層カーボンナノチューブである場合、該二層カーボンナノチューブの直径は１．０ナノメートル〜５０ナノメートルである。該カーボンナノチューブ構造体１８３におけるカーボンナノチューブが多層カーボンナノチューブである場合、該多層カーボンナノチューブの直径は１．５ナノメートル〜５０ナノメートルである。前記カーボンナノチューブ構造体１８３におけるカーボンナノチューブが不純物を含まず、該カーボンナノチューブの自体の比表面積が大きいので、該カーボンナノチューブ構造体１８３の自体が強い接着性を有する。従って、該カーボンナノチューブ構造体１８３は、自体の接着性を利用して、直接に前記シリコン基板１４の第二表面１４３に接着することができる。
さらに、前記カーボンナノチューブ構造体１８３は少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことができる。単一の前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、複数のカーボンナノチューブが配向し又は配向せず配列している。
前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列する場合、前記複数のカーボンナノチューブは前記カーボンナノチューブ構造体１８３の表面に平行し、同じ方向又は複数の方向に沿って配列されている。前記複数のカーボンナノチューブが配向せず配列する場合、前記複数のカーボンナノチューブは、互いに絡み合って、或いは、等方的に配列されているである。
（実施例１）
本実施例において、前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列するカーボンナノチューブフィルムは、図４に示されている。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き伸ばし、形成されるものである。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って、配列された複数のカーボンナノチューブを含む。図５を参照すると、具体的には、前記カーボンナノチューブフィルムは、端と端に接続され、基本的に同じ長さの複数のカーボンナノチューブセグメント１８６を含む。前記カーボンナノチューブセグメント１８６は、端と端が分子間力で連接される。各々のカーボンナノチューブセグメント１８６は、同じ方向に沿って、均一的に配列される複数のカーボンナノチューブ１８８からなり、各々の前記カーボンナノチューブ１８８が分子間力で緊密に連接される。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成されるので、該カーボンナノチューブフィルムの長さと幅は、カーボンナノチューブアレイが成長された基板の寸法に関係する。
本実施例において、化学気相成長（ＣＶＤ）法で４インチの基板に超配列カーボンナノチューブアレイ（非特許文献２を参照）を成長する。前記カーボンナノチューブフィルムの幅は、０．０１センチメートル〜１０センチメートルであり、厚さは、１０ナノメートル〜１００マイクロメートルである。
また、前記カーボンナノチューブフィルムの寸法が実際の応用を満足することができない場合、複数の前記カーボンナノチューブフィルムを隙間なく平行に並列し、大寸法のカーボンナノチューブフィルムを形成することができる。
（実施例２）
単一のカーボンナノチューブフィルムは、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。ここで、前記複数のカーボンナノチューブは、分子間力で接近して、相互に絡み合って、カーボンナノチューブネットに形成されている。前記複数のカーボンナノチューブは、等方的に、均一に前記カーボンナノチューブ構造体に分布されている。前記複数のカーボンナノチューブは配向せずに配列されて、多くの微小な穴が形成されている。ここで、単一の前記微小な穴の直径が１０マイクロメートル以下になる。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、１マイクロメートル〜１ミリメートルである。前記カーボンナノチューブフィルムは、溶液に浸漬したカーボンナノチューブ原料をろ過して成るものである。
（実施例３）
単一のカーボンナノチューブフィルムは、等方的に配列されているか、所定の複数の方向に沿って配列されているか、または、異なる方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して成るものである。前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、隣接するカーボンナノチューブは分子間力で接続され、カーボンナノチューブフィルムの表面と０°〜１５°の角度が形成されている。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、０．５ナノメートル〜１ミリメートルである。
前記カーボンナノチューブ構造体１８３は、積層された二枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことができる。隣接する二枚のカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、同じ方向又は異なる方向に沿って、配列される。具体的には、隣接する二枚のカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、角度αを成す。該角度αが０°以上９０°以下である。
前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブの間に隙間があるので、前記前面電極１８が均一的な抵抗、良い透光性を有する。かつ、前記前面電極１８にカーボンナノチューブ構造体１８３を利用するので、該前面電極１８は良い強靭性と機械強度を有する。従って、前記前面電極１８を使用した太陽電池１０の光電変換効率と耐用性を高めることができる。
太陽光が前記カーボンナノチューブ構造体１８３に照射する場合、一部分の太陽光は、前記前面電極１８に照射する。他の一部分の太陽光は、前記前面電極１８のカーボンナノチューブ複合構造体における隣接するカーボンナノチューブの間の隙間を通して、前記太陽電池１０の複数の凹槽１４２に照射する。
太陽光が前記前面電極１８における金属粒子１８４の表面に照射する場合、該金属粒子１８４の内部で表面プラズモンを発生する。該表面プラズモンは、正負の荷電粒子を含み、全体として電気的にほぼ中性を保つ粒子の集団である。しかし、表面プラズモンが太陽光に照射されて、光起電力効果を発生する場合、局所平衡が破壊されると、正負の荷電粒子が前記金属粒子１８４の内部で繰り返して運動して振動を発生する。該振動を表面プラズモン振動と言う。照射する太陽光の周波数及び表面プラズモンの周波数が同じである場合、前記金属粒子１８４における自由電子が共鳴し、表面プラズモンが放射状態を形成し、即ち、前記前面電極１８に照射した太陽光を外部に放射する。これによって、前記金属粒子１８４は、太陽光を前記凹槽１４２に放射する。従って、前記太陽電池１０が太陽光を吸収する能力が、大きくなる。
太陽光が前記複数の凹槽１４２に照射する場合、該凹槽１４２の内表面に繰り返して反射されるので、該太陽電池１０におけるシリコン基板１４の第二表面１４３が更によく光エネルギーを吸収することができる。前記複数の凹槽１４２の内表面１４４において、ｐ型シリコン基板１４とｎ型ドープシリコン層１６とが接合して、複数のｐｎ接合が形成される。接合する表面にｎ型ドープシリコンにおける余分の電子がｐ型シリコン基板に移動するようになり、抵抗層又は接触電位差（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）が生じる。前記ｐ型シリコン基板が陽極に接続すると、前記ｎ型ドープシリコンが陰極に接続すると、該ｎ型ドープシリコンにおける余分の電子及びｐｎ接合の電子が陽極に移動しやすいので、前記抵抗層が薄くなり、前記接触電位差が小さくなる。従って、抵抗が小さくなり、大きな電流を形成することができる。即ち、前記ｐｎ接合に太陽光があたると、それが刺激となって、複数の電子と正孔を発生する。複数の電子と正孔は、前記ｐｎ接合によって振り分けられ、前記ｎ型ドープシリコンにおける電子が前記前面電極１８に移動し、前記ｐ型シリコン基板における正孔が前記背面電極１２に移動する。これによって、該前面電極１８と該背面電極１２の間の外部回路に電流を生む。
さらに、前記太陽電池１０は、複数の金属層（図示せず）を含む。該金属層の材料は、アルミニウム又は銀である。前記複数の金属層は、それぞれ前記シリコン基板１４の第二表面１４３に設置し、前記前面電極１８との間に複数のヘテロ接合（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）が形成されるので、該前面電極１８とシリコン基板１４との電気接続性を高めることができ、前記太陽電池１０の光電変換効率を高めることができる。
前記前面電極１８は、カーボンナノチューブ複合構造体を採用し、該カーボンナノチューブ複合構造体がカーボンナノチューブ構造体及び金属粒子を含むので、太陽の光エネルギーをよく、吸収することができるので、該前面電極１８を使用した太陽電池１０が高光電変換効率を有する。前記カーボンナノチューブ複合構造体は、良い強靭性と機械強度を有するので、該カーボンナノチューブ複合構造体を前面電極１８となる太陽電池１０の耐用性を高めることができる。前記カーボンナノチューブ複合構造体が均一的な構造を有し、該カーボンナノチューブ複合構造体を使用した前面電極１８が均一的な抵抗を有するので、前記太陽電池１０の性能を高めることができる。前記カーボンナノチューブ複合構造体における隣接するカーボンナノチューブの間に均一的に配列された隙間を有するので、該カーボンナノチューブ複合構造体を使用した前面電極１８は、良い透光性を有する。
１０、３０ 太陽電池
１２、３２ 背面電極
１４、３４ シリコン基板
１６、３６ ドープシリコン層
１８、３８ 前面電極
２０ 電極
２２ 反射防止層
１４１、３４１ シリコン基板の第一表面
１４２、３４２ 凹槽
１４３、３４３ シリコン基板の第二表面
１４４、３４４ 凹槽の内表面
１８１ 前面電極の第一表面
１８２ 前面電極の第二表面
１８３ カーボンナノチューブ構造体
１８４ 金属粒子
１８６ カーボンナノチューブセグメント
１８８ カーボンナノチューブ

Claims (8)

  1. 第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、
    前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、
    前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、
    前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、
    を含み、
    前記前面電極がカーボンナノチューブ複合構造体を含むことを特徴とする太陽電池。
  2. 前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体及び該カーボンナノチューブ構造体に分布された金属粒子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記金属粒子は、プラチナ粒子、パラジウム粒子、ルテニウム粒子、銀粒子、金粒子又はそれらの少なくとも二種以上の混合物であることを特徴とする、請求項２に記載の太陽電池。
  4. 前記カーボンナノチューブ構造体が均一に分布された複数カーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項２又は３に記載の太陽電池。
  5. 前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことを特徴とする、請求項２から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
  6. 前記カーボンナノチューブフィルムが、同じ方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池。
  7. 前記カーボンナノチューブフィルムが、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池。
  8. 前記カーボンナノチューブフィルムが、等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池。
JP2009097948A 2008-04-18 2009-04-14 太陽電池 Active JP5155241B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810066749.0A CN101562203B (zh) 2008-04-18 2008-04-18 太阳能电池
CN200810066749.0 2008-04-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009260355A true JP2009260355A (ja) 2009-11-05
JP5155241B2 JP5155241B2 (ja) 2013-03-06

Family

ID=41200088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009097948A Active JP5155241B2 (ja) 2008-04-18 2009-04-14 太陽電池

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090260679A1 (ja)
JP (1) JP5155241B2 (ja)
CN (1) CN101562203B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013527974A (ja) * 2010-03-04 2013-07-04 ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション カーボンナノチューブ及びナノワイヤー複合体を含有する透明導電性コーティングを含む電子デバイス、及びその製造方法
JP2017112305A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 トヨタ紡織株式会社 ｎ型材料、及びその製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI405344B (zh) * 2010-04-01 2013-08-11 Motech Ind Inc 太陽能電池結構
CN103081126A (zh) * 2010-06-08 2013-05-01 太平洋银泰格拉泰德能源公司 具有增强场和电子发射的光学天线
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN103137716B (zh) * 2011-11-25 2016-04-27 清华大学 太阳能电池、太阳能电池组及其制备方法
CN108933172B (zh) 2017-05-24 2020-05-15 清华大学 半导体元件
CN108963003B (zh) 2017-05-24 2020-06-09 清华大学 太阳能电池
CN108933134B (zh) 2017-05-24 2020-09-25 清华大学 半导体器件
CN108933182B (zh) 2017-05-24 2020-05-15 清华大学 光探测器

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000101114A (ja) * 1998-07-04 2000-04-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 透明電極
WO2002052654A1 (fr) * 2000-12-26 2002-07-04 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo Cellule solaire
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004064028A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2004068548A2 (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Rensselaer Polytechnic Institute Three dimensional radiation conversion semiconductor devices
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
JP2006210780A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Kyocera Chemical Corp 多層型光電変換装置
WO2007015710A2 (en) * 2004-11-09 2007-02-08 Board Of Regents, The University Of Texas System The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns
JP2007126338A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Ulvac Japan Ltd カーボンナノ材料及びその作製方法、並びに金属微粒子担持カーボンナノ材料及びその作製方法
US20070153362A1 (en) * 2004-12-27 2007-07-05 Regents Of The University Of California Fabric having nanostructured thin-film networks
US20070273264A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd., Method of preparing patterned carbon nanotube array and patterned carbon nanotube array prepared thereby
JP2008016849A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Samsung Sdi Co Ltd カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法
WO2008054845A2 (en) * 2006-03-23 2008-05-08 Solexant Corporation Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4226897A (en) * 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
US4431858A (en) * 1982-05-12 1984-02-14 University Of Florida Method of making quasi-grain boundary-free polycrystalline solar cell structure and solar cell structure obtained thereby
JPH0795602B2 (ja) * 1989-12-01 1995-10-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
US5258077A (en) * 1991-09-13 1993-11-02 Solec International, Inc. High efficiency silicon solar cells and method of fabrication
CA2417992C (en) * 2000-08-22 2010-10-19 President And Fellows Of Harvard College Doped elongated semiconductors, growing such semiconductors, devices including such semiconductors and fabricating such devices
NL1016779C2 (nl) * 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
CN1291502C (zh) * 2001-03-19 2006-12-20 信越半导体株式会社 太阳能电池及其制造方法
US7522040B2 (en) * 2004-04-20 2009-04-21 Nanomix, Inc. Remotely communicating, battery-powered nanostructure sensor devices
JP4162516B2 (ja) * 2003-03-14 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力装置
US7605327B2 (en) * 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
JP2005050669A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Tdk Corp 電極、及び、それを用いた電気化学素子
US20050268963A1 (en) * 2004-02-24 2005-12-08 David Jordan Process for manufacturing photovoltaic cells
US8075863B2 (en) * 2004-05-26 2011-12-13 Massachusetts Institute Of Technology Methods and devices for growth and/or assembly of nanostructures
JP2008503880A (ja) * 2004-06-18 2008-02-07 ウルトラドッツ・インコーポレイテッド ナノ構造材料およびナノ構造材料を含む光起電力素子
US8080487B2 (en) * 2004-09-20 2011-12-20 Lockheed Martin Corporation Ballistic fabrics with improved antiballistic properties
US20070240757A1 (en) * 2004-10-15 2007-10-18 The Trustees Of Boston College Solar cells using arrays of optical rectennas
US20070119496A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Massachusetts Institute Of Technology Photovoltaic cell
CN100500556C (zh) * 2005-12-16 2009-06-17 清华大学 碳纳米管丝及其制作方法
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20070277874A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 David Francis Dawson-Elli Thin film photovoltaic structure
CN101086939B (zh) * 2006-06-09 2010-05-12 清华大学 场发射元件及其制备方法
CN100405617C (zh) * 2006-12-29 2008-07-23 清华大学 基于碳纳米管薄膜的太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000101114A (ja) * 1998-07-04 2000-04-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 透明電極
WO2002052654A1 (fr) * 2000-12-26 2002-07-04 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo Cellule solaire
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004064028A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2004068548A2 (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Rensselaer Polytechnic Institute Three dimensional radiation conversion semiconductor devices
WO2007015710A2 (en) * 2004-11-09 2007-02-08 Board Of Regents, The University Of Texas System The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
US20070153362A1 (en) * 2004-12-27 2007-07-05 Regents Of The University Of California Fabric having nanostructured thin-film networks
JP2006210780A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Kyocera Chemical Corp 多層型光電変換装置
JP2007126338A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Ulvac Japan Ltd カーボンナノ材料及びその作製方法、並びに金属微粒子担持カーボンナノ材料及びその作製方法
WO2008054845A2 (en) * 2006-03-23 2008-05-08 Solexant Corporation Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes
US20070273264A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd., Method of preparing patterned carbon nanotube array and patterned carbon nanotube array prepared thereby
JP2008016849A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Samsung Sdi Co Ltd カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6010027463; Ｓ．　Ｐｉｌｌａｉ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ｓｕｒｆａｃｅ　ｐｌａｓｍｏｎ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ' ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ Ｖｏｌ．１０１，Ｎｏ．９, 20070507, ｐｐ．０９３１０５-１-０９３１０５-８ *
JPN6010027465; Ｊ．　Ｗｅｉ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ｄｏｕｂｌｅ-Ｗａｌｌｅｄ　Ｃａｒｂｏｎ　Ｎａｎｏｔｕｂｅ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ' ＮＡＮＯ　ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．８, 20070703, ｐｐ．２３１７-２３２１ *
JPN6010027467; Ｐ．　Ｒ．　Ｓｏｍａｎｉ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｍｅｔａｌ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ　ｄｅｃｏｒａｔｅｄ　ｃａｒｂｏｎ　ｎａｎｏｔｕｂｅｓ　ｉｎ　ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ' ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．９３，Ｎｏ．３, 20080725, ｐｐ．０３３３１５ *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013527974A (ja) * 2010-03-04 2013-07-04 ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション カーボンナノチューブ及びナノワイヤー複合体を含有する透明導電性コーティングを含む電子デバイス、及びその製造方法
JP2017112305A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 トヨタ紡織株式会社 ｎ型材料、及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101562203B (zh) 2014-07-09
JP5155241B2 (ja) 2013-03-06
CN101562203A (zh) 2009-10-21
US20090260679A1 (en) 2009-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5270406B2 (ja) 太陽電池
JP5155241B2 (ja) 太陽電池
Yoon et al. High-performance hybrid cell based on an organic photovoltaic device and a direct current piezoelectric nanogenerator
Yang et al. Single-crystalline branched zinc phosphide nanostructures: synthesis, properties, and optoelectronic devices
Lee et al. Hybrid energy harvester based on nanopillar solar cells and PVDF nanogenerator
JP5596114B2 (ja) 太陽電池
TW201034212A (en) Thin-film solar cell structure
JP2009253289A (ja) 光起電装置
JP5596113B2 (ja) 太陽電池
TW201001726A (en) Techniques for enhancing efficiency of photovoltaic devices using high-aspect-ratio nanostructures
Hong et al. Design guidelines for slanting silicon nanowire arrays for solar cell application
KR20120097140A (ko) 양면 구조를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법
TWI450402B (zh) 太陽能電池
JP2010123675A (ja) 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
KR20100084383A (ko) 그라핀이 투입된 태양전지 모듈 및 제조방법
JP5027185B2 (ja) 太陽電池
US9209335B2 (en) Solar cell system
Ahnood et al. Vertical CNT-Si photodiode array
Cao et al. Fabrication of carbon nanotube/silicon nanowire array heterojunctions and their silicon nanowire length dependent photoresponses
KR101525904B1 (ko) 탄소 섬유를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지
KR101218576B1 (ko) 후면 전극형 태양전지 및 이의 제조 방법
TWI578552B (zh) 太陽能電池、太陽能電池組及其製備方法
US20130167899A1 (en) Solar cell and solar cell system
TWI459568B (zh) 太陽能電池
Zeng et al. Performance of Silicon Nanowire Solar Cells with Phosphorus‐Diffused Emitters

Legal Events

Date Code Title Description
A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20090918

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20091009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111014

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5155241

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250