JP2009260123A - 多層配線基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】ダミーパターンを形成するスペースが充分にない場合でも、リフローはんだ付け時の反りが低減できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】配線層Cにおける残銅率が各配線層間において異なることによって生じる各配線層間の熱膨張量の差を、少なくとも1層の樹脂基材層Bにおける繊維束含有率が他の積層基材層のそれと異なることによって生じる樹脂基材層の熱膨張量の差により打ち消すことにより、リフローはんだ付けにおける基板の反りを低減する。
【選択図】図1

Description

本発明は、2層以上の配線層を備えた全層ビルドアップ構造の多層配線基板に関する。
全層ビルドアップ構造の多層配線基板は、複雑な電子回路を高密度に構成し、その上に種々の電子部品を高密度に実装することを目的として開発された電子機器用部材である。この全層ビルドアップ構造の多層配線基板は、銅配線と樹脂で構成される複数の配線層と、樹脂と繊維束で構成される複数の樹脂基材層とを交互に重ね合わせた構造を有し、様々なデジタル機器やモバイル機器に用いられている。
最初に、一般的な全層ビルドアップ構造の多層配線基板について説明する。図9に全層ビルドアップ構造の多層配線基板(場合により「基板」と略す)の基本的な構成を示す。基板100aは、n層(nは3以上の整数)の配線層(C1〜Cn)と(n−1)層の樹脂基材層[B1〜B(n−1)]とが、交互に重なり合う状態で積層されている。以降、配線層および樹脂基材層を総称する場合には、それぞれ配線層Cおよび樹脂基材層Bと表示する。
配線層Cは銅配線101と絶縁性の樹脂103で構成されている。樹脂基材層Bは、織布状もしくは不織布状の繊維束102に絶縁性の樹脂103が含浸されて構成されている。なお、図では、樹脂基材層Bとして、繊維束102に樹脂103が含浸された状態を模式的に表している。以後の図面においても同様に表示する。
繊維束102としては、一般にガラス繊維やアラミド繊維が用いられる。また、絶縁性の樹脂103としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、BT樹脂等の熱硬化性の樹脂が用いられる。
通常、配線層Cおよび樹脂基材層Bは、絶縁性の樹脂が含浸された繊維束と配線パターンが形成された銅箔とを重ねた状態で加圧・加熱して樹脂を硬化させることにより形成される。配線層Cを構成する樹脂103は、加圧・加熱の際に、繊維束に含浸された樹脂の一部が配線パターンの間に入り込むことにより形成される。
なお、図には示されていないが、各配線層Cの間は、樹脂基材層Bに形成されたビアホールもしくはスルーホールによって電気的に接続されている。また上記した全層ビルドアップ構造の多層配線基板の構成については、非特許文献1に詳しく定義されている(第2頁の構造例3、4参照)。
樹脂基材層Bは、基板製造時の積層プレス工程において多層構造の中央層となるコア基材層104と、コア基材層104の上下に積層される積層基材層105とに分けられる。コア基材層104および積層基材層105を構成する樹脂基材については、同一の場合と異なる場合がある。これに対し、積層基材層105の各層の樹脂基材については、繊維束の含有率が一定である単一の材料が用いられる。
基板100aは、リフローはんだ付け工程において、表裏の実装面に電子部品が仮止めされた状態でリフローベルトあるいはリフローパレット上に配置され、常温から220℃以上に昇温してはんだ付けされた後、再び常温に降温される。このとき基板100aには、残銅率(配線層Cの全体の面積に占める銅配線の面積の比率)が各配線層間において異なることによって配線層間の熱膨張量に差が生じ、そのことに起因して反りが生じる。基板の反りが生じるメカニズムを、図10を参照しながら具体的に説明する。
図10に示す基板100fは、上部から順にC1〜C6までの6層の配線層を有し、各配線層の間に、上部から順にB1、B2(ともに積層基材層105)、B3(コア基材層104)、B4、B5(ともに積層基材層105)の5層の樹脂基材層を有する。各配線層の残銅率は配線層C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。この場合、コア基材層104(樹脂基材層B3)を境にした上側の各配線層(C1〜C3)と下側の各配線層(C4〜C6)の残銅率の平均値を出すと、残銅率の平均値はコア基材層104の下側の方が大きい。
配線層Cを構成する銅配線101と樹脂103とを比較すると、樹脂103の方が銅配線101より線膨張係数が大きい。このため、残銅率が大きい配線層は温度負荷による熱膨張量が小さくなる。よって、図10に示す基板100fにおいては、コア基材層104を境にした上側の熱膨張量が大きく、下側の熱膨張量が小さい。したがって、温度を負荷した場合、基板は上側に凸に反る。
リフローはんだ付け工程時の基板の反りが生じたままの状態で電子部品を実装すると、電子部品と基板との間の接続信頼性を著しく低下させることとなる。このことは、多層配線基板を組み込んだ電子回路の品質を悪化させる大きな要因となっている。
リフローはんだ付け工程時の基板の反りを防止するために、従来、特許文献1に示す対策が採られていた。すなわち、前述の図9に示すように、各配線層Cにおいて残銅率の違いに由来する熱膨張量の差ができるだけ生じないようにするため、配線層Cに、電子回路を構成する本来の銅配線101とは別にダミーパターン108を形成し、各配線層Cの残銅率ができる限り一律になるようにしていた。
特開2000−151015号公報 「JPCA規格 ビルドアップ配線版(用語)(試験方法)」長嶋紀孝 編 (社)日本電子回路工業会
しかし、電子回路の高密度実装が要求される小型電子機器用の基板では、配線層にダミーパターンを設ける十分なスペースを確保することができず、基板の反りを低減することが困難であった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、配線層にダミーパターンを設けるスペースがない場合でも、反りが低減できる多層配線基板を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る多層配線基板は、
導電材料からなる配線と絶縁性の樹脂で構成されたn(nは4以上の整数)層の配線層と、繊維束に絶縁性の樹脂が含浸された(n−1)層の樹脂基材層とが、交互に重なり合う状態で積層された多層配線基板であって、
前記(n−1)層の樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、他の層の繊維束含有率と異なるものである。
ここで、nが偶数の場合、
n/2番目の前記樹脂基材層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n/2)番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n/2+1)番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より大きく、
1番目から(n/2−1)番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことが好ましい。
また、前記1番目の樹脂基材層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことが好ましい。
一方、nが奇数の場合、
(n+1)/2番目の前記配線層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n-1)/2番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n+3)/2番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より大きく、
1番目から(n−1)/2番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことが好ましい。
更に、nが偶数の場合、
n/2番目の前記樹脂基材層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n/2)番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n/2+1)番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より小さく、
1番目から(n/2−1)番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことが好ましい。
また、前記1番目の樹脂基材層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことが好ましい。
一方、nが奇数の場合、
(n+1)/2番目の前記配線層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n−1)/2番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n+3)/2番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より小さく、
1番目から(n−1)/2番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことが好ましい。
本発明に係る多層配線基板は、少なくとも1層の樹脂基材層の繊維束含有率を他の樹脂基材層のそれと異ならせている。結果、各樹脂基材層の熱膨張量に差が生じる。従って、各配線層の残銅率が異なることによって生じる配線層間の熱膨張量の差を、樹脂基材層間の熱膨張量の差を利用して打ち消すことにより、リフローはんだ付けにおける基板の反りを低減することができる。
以下、6層の配線層と5層の樹脂基材層を有する基板を例に挙げて、本発明に係る多層配線基板の構成を説明する。図1に、本発明の実施の形態に係る多層配線基板100bの構成を示す。基板100bは、上部から順にC1〜C6までの6層の配線層を有し、各配線層の間に、上部から順にB1、B2(ともに積層基材層105)、B3(コア基材層104)、B4、B5(ともに積層基材層105)の5層の樹脂基材層を有する。各配線層の残銅率はC1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。残銅率は、基板CAD(Computer Aided Design)のデータに含まれる各配線層Cの残銅率から抽出した。なお、図中、図9および図10に示す基板と同一の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。以降の説明においても同様とする。
本実施の形態の具体的な説明に先立ち、基板の反りを低減する原理について説明する。本発明に係る基板では、少なくとも1層の樹脂基材層における繊維束含有率を他の樹脂基材層のそれと異ならせている。樹脂基材層は繊維束含有率によって熱膨張量が異なり、繊維束含有率が大きいほど熱膨張量が小さくなる。従って、各配線層の残銅率が異なることによって生じる配線層間の熱膨張量の差を、繊維束含有率が異なることによって生じる樹脂基材層間の熱膨張量の差により打ち消すことができる。
上述の通り、基板100bの各配線層の残銅率はC1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。コア基材層104を境にした上側の各配線層(C1〜C3)と下側の各配線層(C4〜C6)の残銅率の平均値を出すと、それぞれ32%および51%となり、残銅率の平均値はコア基材層104の下側の方が大きい。
前述したように、配線層Cは、残銅率が大きいほど熱膨張量が小さくなる。これに対し樹脂基材層Bは、繊維束含有率が大きいほど熱膨張量が小さくなる。従って、以下のいずれかの方法により、基板100bの反りを低減できる。
(1)コア基材層104の下側の積層基材層105(樹脂基材層B4およびB5)のうち少なくとも1層に、他の積層基材層105の繊維束含有率より繊維束含有率が小さい樹脂基材層を用いる。
(2)コア基材層104の上側の積層基材層105(樹脂基材層B1およびB2)のうち少なくとも1層に、他の積層基材層105の繊維束含有率より繊維束含有率が大きい樹脂基材層を用いる。
上記のいずれの方法においても、基板の各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに下に凸に反らせる力を持たせることができ、基板の反り低減に有効である。
なお、上述した方法では、繊維束含有率の異なる2種類の樹脂基材層を組み合わせることにより基板100bの反りの低減を図っている。これ以外の方法として、繊維束含有率がそれぞれ異なる樹脂基材層を用いることも考えられる。しかしその場合、基板の製造時に、繊維束含有率の異なる複数種類の樹脂基材層を用意する必要がある。
繊維束含有率の異なる樹脂基材層の製造は、例えば織布状の繊維束を製造する場合、隣り合う繊維間の間隔を変えるか、繊維そのものの太さを変えることによって行う。しかし、このような繊維間の間隔や繊維の太さの異なる繊維束を製造することは、基板の製造コストを大幅にアップさせる要因となるため、好ましくない。現実的には、上述したように繊維束含有率の異なる2種類の樹脂基材層を用意し、基板の反りの程度に応じて2種類の樹脂基材層を組み合わせて用いることが好ましい。
以下、本実施の形態に係る基板100bの構成について具体的に説明する。本実施の形態では、5層の樹脂基材層のうちB1、B2、B3、B5には繊維束含有率が75%の基材を用い、B4(図1で※印を付与)のみ繊維束含有率が63%の基材を用いた。
最初に、基板100bの製造方法について説明する。まず、繊維束含有率の異なる2種類の樹脂基材層を製造した。繊維束として、断面の長半径25μm、短半径10μmのガラス繊維を布状に編んだものを用い、絶縁性の樹脂としてエポキシ樹脂を用いた。繊維束を製造する際に、繊維を編む間隔を変えて、密度の異なる2種類の繊維束を製造した。
次に、このようにして製造した布状の繊維束に樹脂を含浸させて、繊維束含有率の異なる2種類の樹脂基材層を生成した。なお、繊維束含有率が異なる樹脂基材層を生成する際、樹脂に、絶縁性等に影響を与えない程度の色素を加えて一方の樹脂基材層の色を変えると、見分けが容易となる。結果、繊維束含有率が異なる樹脂基材層が誤った位置に配置される事態を防止でき、生産性の向上に寄与する。
次に、このようにして生成した樹脂基材層の所定の位置にレーザ加工等によって孔を開け、その孔にインナービアを形成するため、金属粉と熱硬化性樹脂を混合した導電性樹脂組成物を充填した。次に、一方の面に配線パターンが形成された2枚の離型フィルムで樹脂基材層の両面を覆った後、加圧した状態で加熱し、樹脂を硬化させると共に配線パターンを樹脂基材層に固着した。その後、樹脂基材層から離型フィルムを剥離した。なお、配線パターンの形成については、樹脂基材層の両面を銅箔で覆った後、エッチングによって配線パターンを形成する方法を採用してもよい。
このようにして得られた1層目の樹脂基材層および配線層の上に繊維束および一方の面に配線パターンが形成された離型フィルムを載せ、上述と同様の方法でインナービアを形成した後、加圧・加熱した。図1に示す順序で繊維束含有率が異なる2種類の樹脂基材層を積み重ねながら、上述の処理を繰り返して行い、最終的に5層の樹脂基材層Bおよび6層の配線層Cを有する基板100bを製造した。
製造された基板100bの配線層Cの厚みは約10μm、樹脂基材層Bの厚みは約30μmであった。このようにして製造された基板100bを50mm×50mmの大きさに切り出し、リフロー時の最高温度260℃を負荷したところ、反りは1.21mmであった。
比較例として、図10に示す構成の基板100fを、基板100bと同一の繊維束および樹脂を用いて製造し、50mm×50mmの大きさに切り出した。基板100bと基板100fで異なるのは、樹脂基材層B4の繊維束含有率が基板100bでは63%であるのに対し、基板100fでは他の樹脂基材層と同様に75%である点である。基板100fについてリフロー時の最高温度260℃を負荷したところ、反りは1.51mmであった。
次に、4層の積層基材層105のうち1層の積層基材層(樹脂基材層B1、B2、B4およびB5のいずれか)の繊維束含有率をそれぞれ変えた場合の基板の反りについて説明する。実際に1層の樹脂基材層の繊維束含有率を変えた基板を製造しようとすると、多額(100万円単位)の追加費用が必要となる。このため、以下の説明では基板を解析モデル化し、その解析モデルを用いて反りの状態をシミュレーションした結果を示す。なお、解析モデルを作成する際には、基板100bおよび100fを用いて実測した反りの値とシミュレーション結果が同じ値になるように計算式のパラメータを定めた。
<反りシミュレーションNo.1>
最初に、図1に示した本実施の形態の基板100bの構成、すなわち5層の樹脂基材層のうちB1、B2、B3、B5には繊維束含有率が75%の基材を用い、B4のみ繊維束含有率が63%の基材を用いた場合についてシミュレーションを行った。各配線層の残銅率はC1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。各配線層Cの厚みは10μm、各樹脂基材層Bの厚みは30μmである。また基板の大きさは50mm×50mmである。
なお、本反りシミュレーションにおいては、基板の各部材の物性値について、銅配線101の縦弾性係数を50000(MPa)、線膨張係数を17×10-6(1/℃)、樹脂103の縦弾性係数を8000(MPa)、線膨張係数を60×10-6(1/℃)、繊維束102の縦弾性係数を70000(MPa)、線膨張係数を5×10-6(1/℃)としている。
図2は、基板100bのシミュレーション結果における反り形状を図化したものである。図2は基板100bを斜め上から見た状態を示し、図中に表された複数のリングは等高線を示している。四角形状の基板の4つの頂点で形成される平面から中央のリングの中心部Tまでの距離が基板100bの反り量を示す。シミュレーション結果の反り量(図中の括弧内の数字)は実測値1.21mmと同じ値である。
<反りシミュレーションNo.2>
次に、図10に示す従来の基板100fについて反りシミュレーションの結果を説明する。従来の基板100fでは、5層の樹脂基材層(B1〜B5)に繊維束含有率が75%の基材を用いている。各配線層の残銅率は上述した例と同じ、すなわち図10に示した配線層C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。各配線層Cの厚み(10μm)、各樹脂基材層Bの厚み(30μm)および基板の大きさ(50mm×50mm)共に、上述した例と同じである。また、反りシミュレーションにおける基板の各部材の物性値についても、上述した例と同じである。
図11に、従来の基板100fのシミュレーション結果における反り形状を示す。シミュレーションの反り量は実測値1.51mmと同じ値である。前述した図2の結果と図11の結果を比較すると、図2(基板100b)では1.21mmの反り量を呈しているのに対し、図11(基板100f)では1.51mmの反り量を呈しており、本発明によって反りが約20%低減されていることがわかる。
図10に示す、樹脂基材層Bの繊維束含有率が全層一律である基板100fでは、温度負荷時の反りは、各配線層Cにおける残銅率が各配線層間において異なることに起因する、熱膨張量の差によって生じる。基板100fの場合は、残銅率が配線層C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%と下側になるほど高くなるため、6層の配線層Cには、基板100fを上に凸に反らせる力が働く。
これに対して、図2に示す基板100bでは、樹脂基材層B4の繊維束含有率(63%)が他の積層基材層の繊維束含有率(75%)と異なり、樹脂基材層B4のみが他の樹脂基材層より熱膨張量が大きいため、5層の樹脂基材層Bには基板を下に凸に反らせる力が働く。したがって、各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに働く下に凸に反らせる力が打ち消す働きを持ち、反りが低減される。
<反りシミュレーションNo.3>
図3は基板100cの構成を示す。基板100cは、上部から順にC1〜C6までの6層の配線層を有し、各配線層Cの間に、上部から順にB1、B2(ともに積層基材層105)、B3(コア基材層104)、B4、B5(ともに積層基材層105)の5層の樹脂基材層を有している。また各配線層Cの残銅率は配線層C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。これらの配置および構成は、前述した基板100bと同じである。
図3の基板100cは、樹脂基材層B1、B2、B3、B4に繊維束含有率が75%の基材を用い、下側に位置する最外層の樹脂基材層B5(図3に※印を付与)のみに繊維束含有率が63%の基材を用いている。
上記以外の構成、すなわち各配線層Cの厚み、各樹脂基材層Bの厚みおよび基板の大きさは、基板100bと同じである。また、反りシミュレーションにおける基板の各部材の物性値についても、上述した例と同じである。
図4に、リフロー時の最高温度260℃を負荷した場合の反りシミュレーションの結果を示す。図4の結果を図11の結果と比較すると、図4(基板100c)では0.84mmの反り量を呈しているのに対し、図11(基板100f)では1.51mmの反り量を呈しており、本発明によって反りが約44%低減されていることがわかる。
図3に示す基板100cでは、樹脂基材層B5の繊維束含有率(63%)が他の積層基材層の繊維束含有率(75%)と異なり、樹脂基材層B5のみが他の樹脂基材層より熱膨張量が大きいため、5層の樹脂基材層Bには基板100cを下に凸に反らせる力が働く。したがって、各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに働く下に凸に反らせる力が打ち消す働きを持ち、反りが低減される。
基板100cおよび100bは、共にコア基材層104の下側の樹脂基材層(B4、B5)に、繊維束含有率が異なる樹脂基材層を配置しているが、基板100cは基板100bに比較して、基板の反りを低減する効果が大きい。これは、樹脂基材層の配置に起因するものであり、最外層に繊維束含有率が異なる樹脂基材層を配置した場合に、最も大きな効果が得られる。
<反りシミュレーションNo.4>
図5に基板100dの構成を示す。基板100dは、上部から順にC1〜C6までの6層の配線層を有し、各配線層の間に、上部から順にB1、B2(ともに積層基材層105)、B3(コア基材層104)、B4、B5(ともに積層基材層105)の5層の樹脂基材層を有している。また各配線層の残銅率は、C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。これらの配置および構成は、前述した基板100bと同じである。
図5の基板100dは、樹脂基材層B1、B3、B4、B5に繊維束含有率が75%の基材を用い、コア基材層104を境にして上側に位置する樹脂基材層B2(図5に※印を付与)のみに繊維束含有率が81%の基材を用いている。
上記以外の構成、すなわち各配線層Cの厚み、各樹脂基材層Bの厚みおよび基板の大きさは、基板100bと同じである。また、反りシミュレーションにおける基板の各部材の物性値についても、上述した例と同じである。
図6に、リフロー時の最高温度260℃を負荷した場合の反りシミュレーションの結果を示す。図6の結果を図11の結果と比較すると、図6(基板100d)では1.30mmの反り量を呈しているのに対し、図11(基板100f)では1.51mmの反り量を呈しており、本発明により反りが約13%低減されていることがわかる。
図6に示す基板100dでは、樹脂基材層B2の繊維束含有率(81%)が他の樹脂基材層の繊維束含有率(75%)と異なり、樹脂基材層B2のみが他の樹脂基材層より熱膨張量が小さいため、5層の樹脂基材層Bには基板を下に凸に反らせる力が働く。したがって、各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに働く下に凸に反らせる力が打ち消す働きを持ち、反りが低減される。
<反りシミュレーションNo.5>
図7に基板100eの構成を示す。基板100eは、上部から順にC1〜C6までの6層の配線層を有し、各配線層の間に、上部から順にB1、B2(ともに積層基材層105)、B3(コア基材層104)、B4、B5(ともに積層基材層105)の5層の樹脂基材層を有している。各配線層Cの残銅率は配線層C1から順に、32%、28%、37%、46%、52%、54%である。これらの配置および構成は、前述した基板100bと同じである。
図7の基板100eは、樹脂基材層B2、B3、B4、B5に繊維束含有率が75%の基材を用い、上側に位置する最外層の樹脂基材層B1(図7に※印を付与)のみに繊維束含有率が81%の基材を用いている。
上記以外の構成、すなわち各配線層Cの厚み、各樹脂基材層Bの厚みおよび基板の大きさは、基板100bと同じである。また、反りシミュレーションにおける基板の各部材の物性値についても、上述した例と同じである。
図8に、リフロー時の最高温度260℃を負荷した場合の反りシミュレーションの結果を示す。図8の結果を図11の結果と比較すると、図8(基板100e)では1.19mmの反り量を呈しているのに対し、図11(基板100f)では1.51mmの反り量を呈しており、本発明により約21%反りが低減されていることがわかる。
図7に示す基板100eでは、樹脂基材層B1の繊維束含有率(81%)が他の樹脂基材層の繊維束含有率(75%)と異なり、樹脂基材層B1のみが他の樹脂基材層より熱膨張量が小さいため、5層の樹脂基材層Bには基板を下に凸に反らせる力が働く。したがって、各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに働く下に凸に反らせる力が打ち消す働きを持ち、反りが低減される。
基板100eは基板100dに比較し、基板の反りを低減する効果が大きい。これは、シミュレーションNo.3で説明したのと同様に樹脂基材層の配置に起因するものであり、最外層に繊維束含有率が異なる樹脂基材層を配置した場合に、最も大きな効果が得られる。
表1は、上述した反りシミュレーションNo.1〜No.5の結果の一覧表である。表の各行には、シミュレーションNo.毎に、基板の各配線層(C1〜C6)の残銅率(%)、樹脂基材層(B1〜B5)の繊維束含有率(%)、および反りの程度が表示されている。
Figure 2009260123
前述したように基板の反りを低減させる方法として、樹脂基材層のうちの1層に、他の樹脂基材層の繊維束含有率より繊維束含有率が小さい樹脂基材層を用いる方法(シミュレーションNo.1、3)と、樹脂基材層のうちの1層に、他の積層基材層の繊維束含有率より繊維束含有率が大きい樹脂基材層を用いる方法(シミュレーションNo.4、5)がある。反りシミュレーションの結果から明らかなように、これらのいずれの方法においても、基板の各配線層Cに働く上に凸に反らせる力に対して、各樹脂基材層Bに下に凸に反らせる力を持たせ、基板の反りを低減できる。
なお、本実施の形態では、5層の樹脂基材層を持つ基板について説明したが、本発明は
これに限定されるものではない。また本実施の形態では、基板の中央にコア基材層104がある場合、すなわち配線層が偶数ある場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、基板の中央にコア基材層104がなく、基板が積層基材層105だけで構成されている場合、すなわち配線層が奇数ある場合についても、上述した実施の形態と同様の効果を発揮できる。
例えば、基板の中央にある配線層を除いて、基板の下側にある配線層の残銅率の平均値が、上側にある配線層の残銅率の平均値よりも大きい場合、以下のいずれかの方法により、基板の反りを低減できる。
(1)基板の下側の積層基材層105のうち少なくとも1層に、他の積層基材層105の繊維束含有率より繊維束含有率が小さい樹脂基材層を用いる。
(2)基板の上側の積層基材層105のうち少なくとも1層に、他の積層基材層105の繊維束含有率より繊維束含有率が大きい樹脂基材層を用いる。
また本実施の形態では、1層の樹脂基材層の繊維束含有率を、その層を除く他の樹脂基材層の繊維束含有率と異ならせる場合について説明したが、これに限定されない。本発明は、2層以上の樹脂基材層の繊維束含有率を、それらの層を除く他の樹脂基材層の繊維束含有率と異ならせる場合にも適用できる。
本発明の多層配線基板は、携帯電子機器をはじめ、デジタルモバイル商品などの電子回路形成のために搭載される配線基板として、多くの用途に適用できる。
本発明の実施の形態に係る多層配線基板の構成を示す断面図 図1の多層配線基板の反りシミュレーションの結果を示した図 本発明の実施の形態に係る多層配線基板の他の構成を示す断面図 図3の多層配線基板の反りシミュレーションの結果を示した図 本発明の実施の形態に係る多層配線基板の更に他の構成を示す断面図 図5の多層配線基板の反りシミュレーションの結果を示した図 本発明の実施の形態に係る多層配線基板の更に他の構成を示す断面図 図7の多層配線基板の反りシミュレーションの結果を示した図 全層ビルドアップ構造の多層配線基板の基本構成を示す断面図 従来の多層配線基板の構成を示す断面図 図10の多層配線基板の反りシミュレーションの結果を示した図
符号の説明
B1〜B5 樹脂基材層
C1〜C6 配線層
100b〜100e 多層配線基板
101 銅配線
102 繊維束
103 樹脂
104 コア基材層
105 積層基材層
108 ダミーパターン

Claims (7)

  1. 導電材料からなる配線と絶縁性の樹脂で構成されたn(nは4以上の整数)層の配線層と、繊維束に絶縁性の樹脂が含浸された(n−1)層の樹脂基材層とが、交互に重なり合う状態で積層された多層配線基板であって、
    前記(n−1)層の樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、他の層の繊維束含有率と異なることを特徴とする多層配線基板。
  2. nは偶数であり、
    かつn/2番目の前記樹脂基材層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n/2)番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n/2+1)番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値よりも大きく、
    1番目から(n/2−1)番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。
  3. 前記1番目の樹脂基材層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の多層配線基板。
  4. nは奇数であり、
    かつ(n+1)/2番目の前記配線層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n-1)/2番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n+3)/2番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より大きく、
    1番目から(n−1)/2番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。
  5. nは偶数であり、
    かつn/2番目の前記樹脂基材層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n/2)番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n/2+1)番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値よりも小さく、
    1番目から(n/2−1)番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。
  6. 前記1番目の樹脂基材層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の多層配線基板。
  7. nは奇数であり、
    かつ(n+1)/2番目の前記配線層を境として、一方の実装面から数えて1番目から(n−1)/2番目までの前記配線層の残銅率の平均値が、(n+3)/2番目からn番目までの前記配線層の残銅率の平均値より小さく、
    1番目から(n−1)/2番目までの前記樹脂基材層のうち少なくとも1層の繊維束含有率が、前記他の層の繊維束含有率よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。
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