JP2009258787A - 電源回路 - Google Patents

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賀 秀 裕 滋
Shinichiro Shiratake
武 慎一郎 白
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Abstract

【課題】消費電流を削減することが可能な電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路100は、定電圧回路と、第1のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタと、第3のMOSトランジスタと、出力端子の電圧を第1の分圧比で分圧した第1の分圧電圧を出力する第1の分圧回路と、基準電圧および第1の分圧電圧が入力され、第2のMOSトランジスタのゲートに出力が接続された第1の差動増幅回路と、を備える。第1の差動増幅回路は、第1の分圧電圧が基準電圧よりも高い場合は、第2のMOSトランジスタがオンするように信号を出力し、第1の分圧電圧が基準電圧よりも低い場合は、第2のMOSトランジスタがオフするように信号を出力する。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置に用いられる電源回路に関する。
従来の半導体記憶装置に用いられる電源回路には、例えば、Pチャネル型MOSトランジスタのフィードバックタイプのものと、Nチャネル型MOSトランジスタのソースフォロアタイプのものと、がある(例えば、特許文献1、2参照)。
上記従来のNチャネル型MOSトランジスタのソースフォロアタイプの電源回路は、巨大なゲート幅(例えば、メートルオーダ)を有する降圧トランジスタのゲート電極に一定電圧を印加することにより所望の電圧を得る。
しかし、上記構成において、該降圧トランジスタのサブスレショルド電流により、電源回路の出力電圧が上昇してしまう可能性がある。
このため、出力電圧の上昇を回避する目的で、定電流を流して電荷を引き抜くためのトランジスタ(ブリーダ)が設けられている。
このブリーダは、次段の回路(出力電圧を電源として使用する回路)の電流消費が少ないときには必須となる。
しかし、該次段の回路が該降圧トランジスタのサブスレショルド電流以上の電流を消費している場合には本来必要なく、無駄な電流を流していることになる。
一方、上記従来のチャネル型MOSトランジスタのフィードバックタイプの電源回路は、出力電圧を直接分圧した電圧を用いたフィードバックループが2つ備えられている。
この電源回路は、この2つのフィードバックループにより2つの駆動トランジスタのゲート電位を制御して所望の出力電圧を得る。
しかし、この電源回路は、高速な応答が必要なフィードバックループを2つ備えるため、回路の発振等の問題を考慮して設計しなくてはならない。
特開平8−195081号公報 特開2000−58761号公報
本発明は、消費電流を削減することが可能な電源回路を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る電源回路は、電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
定電圧を出力する定電圧回路と、
接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタの他端と電源との間に接続され、前記定電圧回路の出力がゲートに接続された第2のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタの他端と前記電源との間で、前記第2のMOSトランジスタと直列に接続された第3のMOSトランジスタと、
前記第2のMOSトランジスタと前記第3のMOSトランジスタとの間に接続され、前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
前記出力端子の電圧を第1の分圧比で分圧した第1の分圧電圧を出力する第1の分圧回路と、
基準電圧および前記第1の分圧電圧が入力され、前記第2のMOSトランジスタのゲートに出力が接続された第1の差動増幅回路と、を備え、
前記第1の差動増幅回路は、
前記第1の分圧電圧が前記基準電圧よりも高い場合は、前記第2のMOSトランジスタがオンするように信号を出力し、
前記第1の分圧電圧が前記基準電圧よりも低い場合は、前記第2のMOSトランジスタがオフするように信号を出力することを特徴とする。
本発明の他の態様に係る電源回路は、電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
第1の定電圧を出力する第1の定電圧回路と、
第2の定電圧を出力する第2の定電圧回路と、
接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタの他端と前記出力端子との間に接続され、前記第2の定電圧回路の出力がゲートに接続されたpMOSトランジスタである第2のMOSトランジスタと、
前記出力端子と前記電源との間に接続され、前記第1の定電圧回路の出力がゲートに接続されたnMOSトランジスタである第3のMOSトランジスタと、を備え、
前記第1の定電圧は、前記出力電圧の目標値であるターゲット電圧と前記第3のMOSトランジスタのしきい値電圧との和と同等か低く設定され、
前記第2の定電圧は、前記ターゲット電圧と前記第2のMOSトランジスタのしきい値電圧との和よりも高く設定されていることを特徴とする。
本発明のさらに他の態様に係る電源回路は、電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
定電圧を出力する定電圧回路と、
接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタの他端と前記出力端子との間に接続されたpMOSトランジスタである第2のMOSトランジスタと、
前記出力端子と前記電源との間に接続され、前記定電圧回路の出力がゲートに接続されたnMOSトランジスタである第3のMOSトランジスタと、
前記接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに前記固定電圧が印加された第4のMOSトランジスタと、
前記第4のMOSトランジスタの他端および前記第2のMOSトランジスタのゲートに 一端が接続され、ダイオード接続されたpMOSトランジスタである第5のMOSトランジスタと、
前記第5のMOSトランジスタの他端と前記定電圧回路の出力との間に接続され、ダイオード接続されたnMOSトランジスタである第6のMOSトランジスタと、を備え、
前記第5のMOSトランジスタのしきい値電圧は、前記第2のMOSトランジスタのしきい値電圧以上に設定され、
前記第6のMOSトランジスタのしきい値電圧は、前記第3のMOSトランジスタのしきい値電圧以下に設定されていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一態様である実施例1に係る電源回路100の構成の一例を示す回路図である。
図1に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路100は、定電圧回路1と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ3と、第3のMOSトランジスタ4と、出力端子5と、第1の分圧回路6と、第1の差動増幅回路7と、を備える。
定電圧回路1は、電圧Vconに設定された定電圧を出力するようになっている。この定電圧回路1は、第1の定電圧用MOSトランジスタ1aと、第2の定電圧用MOSトランジスタ1bと、定電圧用分圧回路1cと、定電圧用差動増幅回路1dと、を有する。
第1の定電圧用MOSトランジスタ1aは、ここではpMOSトランジスタであり、電源と第3のMOSトランジスタ4のゲートとの間に接続されている。
第2の定電圧用MOSトランジスタ1bは、ここではnMOSトランジスタであり、第3のMOSトランジスタ4のゲートに一端が接続され、ダイオード接続されている。
この第2の定電圧用MOSトランジスタ1bのしきい値電圧は、例えば、第3のMOSトランジスタ4のしきい値電圧と等しくなるように設定されている。これにより、第2の定電圧用MOSトランジスタ1bのソースの電位と、第3のMOSトランジスタ4のソースの電位(出力電圧Vinternal)とが等しくなるように設定することができる。
定電圧用分圧回路1cは、第2の定電圧用MOSトランジスタ1bの他端(ソース)と接地との間に接続されている。この定電圧用分圧回路1cは、抵抗値R1を有する分圧抵抗1c1と、この分圧抵抗1c1に直列に接続された抵抗値R2を有する分圧抵抗1c2と、を有する。
この定電圧用分圧回路1cは、第2の定電圧用MOSトランジスタ1bと接地との間の電圧を、所定の分圧比R2/(R1+R2)で分圧した分圧電圧Vaを出力するようになっている。
定電圧用差動増幅回路1dは、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力されるとともに、分圧電圧Vaが非反転入力端子に入力され、第1の定電圧用MOSトランジスタ1aのゲートに出力が接続されている。
この定電圧用差動増幅回路1dは、分圧電圧Vaが基準電圧Vrefよりも高い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ1aがオフするように信号を出力する。一方、この定電圧用差動増幅回路1dは、分圧電圧Vaが基準電圧Vrefよりも低い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ1aがオンするように信号を出力する。これにより、定電圧回路1は、一定の電圧Vconを出力することができる。
また、第1のMOSトランジスタ2は、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第2のMOSトランジスタ3は、ここではnMOSトランジスタであり、第1のMOSトランジスタ2の他端(ドレイン)と電源との間に接続され、定電圧回路1の出力がゲートに接続されている。すなわち、第2のMOSトランジスタ3は、ここではnMOSトランジスタであり、第1のMOSトランジスタ2の他端(ドレイン)と出力端子5との間に接続されている。
第3のMOSトランジスタ4は、ここではpMOSトランジスタであり、第1のMOSトランジスタ2の他端(ドレイン)と電源との間で、第2のMOSトランジスタと直列に接続されている。すなわち、第3のMOSトランジスタ4は、ここではnMOSトランジスタであり、出力端子5と電源との間に接続され、定電圧回路1の出力がゲートに接続されている。
出力端子5は、第2のMOSトランジスタ3と第3のMOSトランジスタ4との間に接続され、電源電圧Vddを降圧した出力電圧Vinternalを出力するようになっている。
第1の分圧回路6は、出力端子5と接地との間に接続されている。この第1の分圧回路6は、抵抗値R3を有する分圧抵抗6aと、この分圧抵抗6aに直列に接続された抵抗値R4を有する分圧抵抗6bと、を有する。
この第1の分圧回路6は、出力端子5の出力電圧Vinternalを第1の分圧比R4/(R3+R4)で分圧した第1の分圧電圧V1を出力するようになっている。
第1の差動増幅回路7は、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力されるとともに第1の分圧電圧V1が非反転入力端子に入力され、第2のMOSトランジスタ3のゲートに出力が接続されている。
この第1の差動増幅回路7は、第1の分圧電圧V1が基準電圧Vrefよりも高い場合は、第2のMOSトランジスタ3がオンするように信号を出力する。これにより、式(1)に示す条件が満たされる場合、第2のMOSトランジスタ3がオンとなり、第1のMOSトランジスタ2にブリーダ電流が流れる。

Vinternal×R4/(R3+R4)>Vref・・・(1)
一方、この第1の差動増幅回路7は、第1の分圧電圧V1が基準電圧Vrefよりも低い場合は、第2のMOSトランジスタ3がオフするように信号を出力する。これにより、式(2)に示す条件が満たされる場合、第2のMOSトランジスタ3がオフとなり、第1のMOSトランジスタ2に流れるブリーダ電流が制限される。

Vinternal×R4/(R3+R4) <Vref・・・(2)
このように、第1の差動増幅回路7は、出力端子5の出力電圧Vinternalに応じて、第1のMOSトランジスタ2に流れるブリーダ電流のオン/オフ制御を行うようになっている。
これにより、出力電圧Vinternalが或るしきい値よりも低い場合には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
ここで、図2は、本実施例1および従来の電源回路の出力電圧Vinteranlと時間tとの関係を示す図である。なお、図2においては、電源回路の次段に接続されて出力電圧Vinternalが供給される次段回路の消費電流が、大きい場合、中程度の場合、小さい場合の3通りについて示している。
図2に示すように、次段回路の消費電流が小さい場合には、本実施例1の電源回路において、既述の式(1)に示す条件を満たす。したがって、実施例1の電源回路および従来の電源回路おいても、ブリーダ電流が流れるため到達電圧に差が生じない。
一方、次段回路の消費電流が大きい場合には、本実施例1の電源回路において、既述の式(2)に示す条件を満たす。したがって、本実施例1の電源回路では、ブリーダ電流が制限される。
これにより、出力電圧Vinternalの到達電圧には、本実施例1の電源回路と従来の電源回路との間に差が生じる。すなわち、本実施例1の電源回路の方が、従来の電源回路よりも、出力電圧Vinternalが高くなる。
また、次段回路の消費電流が中程度である場合、第2のMOSトランジスタ3がオフならば式(1)に示す条件が成立し 、第2のMOSトランジスタ3がオンならば式(2)に示す条件が成立し得る。
したがって、本実施例1の電源回路では、第2のMOSトランジスタ3の状態がオン/オフを繰り返し、定常状態になると、式(3)に示す関係が成立すると考えられる。
なお、この場合も、本実施例1の電源回路の方が、従来の電源回路よりも、出力電圧Vinternalが高くなる。

Vinternal×R4/(R3+R4) = Vref・・・(3)
このように、実施例1の電源回路100は、従来の電源回路と比較して、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
実施例1では、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合に、ブリーダ電流をカットして消費電流の削減を図るための電源回路の構成の一例について述べた。
本実施例では、特に、より細かくブリーダ電流を制御するための電源回路の構成の例について述べる。
図3は、本発明の一態様である実施例2に係る電源回路200の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例1と同様の符号を付された構成は、実施例1と同様の構成である。
図3に示すように、電源回路200は、実施例1の電源回路100と比較して、第4のMOSトランジスタ2aと、第5のMOSトランジスタ3aと、第6のMOSトランジスタ2bと、第7のMOSトランジスタ3bと、第2の差動増幅回路7aと、第3の差動増幅回路7bと、をさらに備える。
第4のMOSトランジスタ2aは、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第5のMOSトランジスタ3aは、ここではnMOSトランジスタであり、第4のMOSトランジスタ2aと出力端子5との間に接続されている。
第6のMOSトランジスタ2bは、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第7のMOSトランジスタ3bは、ここではnMOSトランジスタであり、第6のMOSトランジスタ2bと出力端子5との間に接続されている。
すなわち、直列に接続された第1のMOSトランジスタ2と第2のMOSトランジスタ3、直列に接続された第4のMOSトランジスタ2aと第5のMOSトランジスタ3a、および、直列に接続された第6のMOSトランジスタ2bと第7のMOSトランジスタ3bが接地と出力端子5との間で並列に接続されている。
なお、例えば、電源回路200の第1のMOSトランジスタ2、第4のMOSトランジスタ2a、第6のMOSトランジスタ2bの駆動力の和は、実施例1の電源回路100の第1のMOSトランジスタ2の駆動力と同じになるようにしてもよい。これにより、電源回路100と電源回路200の最大ブリーダ電流を同じにすることができる。
ここで、第1の分圧回路206は、実施例1の第1の分圧回路6と同様に、出力端子5と接地との間に接続されている。この第1の分圧回路206は、抵抗値R3を有する分圧抵抗206aと、抵抗値R4を有する分圧抵抗206bと、抵抗値R5を有する分圧抵抗206cと、抵抗値R6を有する分圧抵抗206dと、を有する。これらの分圧抵抗206a、206b、206c、206dは、出力端子5と接地との間で直列に接続されている。
この第1の分圧回路206は、出力端子5の出力電圧Vinternalを第1の分圧比(R4+R5+R6)/(R3+R4+R5+R6)で分圧した第1の分圧電圧V1を出力するようになっている。さらに、第1の分圧回路206は、出力端子5の出力電圧Vinternalを第2の分圧比(R5+R6)/(R3+R4+R5+R6)で分圧した第2の分圧電圧V2を出力するようになっている。さらに、第1の分圧回路206は、出力端子5の出力電圧Vinternalを第3の分圧比R6/(R3+R4+R5+R6)で分圧した第3の分圧電圧V3を出力するようになっている。
すなわち、この第1の分圧回路206は、複数の異なる分圧電圧を出力できるようになっている。
ここで、第1の差動増幅回路7は、実施例1と同様に、第1の分圧電圧V1が基準電圧Vrefよりも高い場合は、第2のMOSトランジスタ3がオンするように信号を出力する。これにより、式(4)に示す条件が満たされる場合、第2のMOSトランジスタ3がオンとなり、第1のMOSトランジスタ2にブリーダ電流が流れる。

Vinternal×(R4+R5+R6)/(R3+R4+R5+R6)>Vref
・・・(4)
一方、この第1の差動増幅回路7は、実施例1と同様に、第1の分圧電圧V1が基準電圧Vrefよりも低い場合は、第2のMOSトランジスタ3がオフするように信号を出力する。これにより、式(5)に示す条件が満たされる場合、第2のMOSトランジスタ3がオフとなり、第1のMOSトランジスタ2に流れるブリーダ電流が制限される。

Vinternal×(R4+R5+R6)/(R3+R4+R5+R6) <Vref
・・・(5)
また、第2の差動増幅回路7aは、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力されるとともに第2の分圧電圧V2が非反転入力端子に入力され、第5のMOSトランジスタ3aのゲートに出力が接続されている。
この第2の差動増幅回路7aは、第2の分圧電圧V2が基準電圧Vrefよりも高い場合は、第5のMOSトランジスタ3aがオンするように信号を出力する。これにより、式(6)に示す条件が満たされる場合、第5のMOSトランジスタ3aがオンとなり、第4のMOSトランジスタ2aにブリーダ電流が流れる。

Vinternal×(R5+R6)/(R3+R4+R5+R6)>Vref・・・(6)
一方、この第2の差動増幅回路7aは、第2の分圧電圧V2が基準電圧Vrefよりも低い場合は、第5のMOSトランジスタ3aがオフするように信号を出力する。これにより、式(7)に示す条件が満たされる場合、第5のMOSトランジスタ3aがオフとなり、第4のMOSトランジスタ2aに流れるブリーダ電流が制限される。

Vinternal×(R5+R6)/(R3+R4+R5+R6)<Vref・・・(7)
また、第3の差動増幅回路7bは、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力されるとともに第3の分圧電圧V3が非反転入力端子に入力され、第7のMOSトランジスタ3bのゲートに出力が接続されている。
この第3の差動増幅回路7bは、第3の分圧電圧V3が基準電圧Vrefよりも高い場合は、第7のMOSトランジスタ3bがオンするように信号を出力する。これにより、式(8)に示す条件が満たされる場合、第7のMOSトランジスタ3bがオンとなり、第6のMOSトランジスタ2bにブリーダ電流が流れる。

Vinternal×R6/(R3+R4+R5+R6)>Vref・・・(8)
一方、この第3の差動増幅回路7bは、第3の分圧電圧V3が基準電圧Vrefよりも低い場合は、第7のMOSトランジスタ3bがオフするように信号を出力する。これにより、式(9)に示す条件が満たされる場合、第7のMOSトランジスタ3bがオフとなり、第6のMOSトランジスタ2bに流れるブリーダ電流が制限される。

Vinternal×R6/(R3+R4+R5+R6)<Vref・・・(9)
上記構成を用いれば、出力電圧Vinternalが上昇するとともに、第2のMOSトランジスタ3、第5のMOSトランジスタ3a、第7のMOSトランジスタ3bが順にオンとなり、ブリーダ電流も増加する。
このように、電源回路200は、実施例1の電源回路100よりも、ブリーダ電流を細かく制御することができる。
よって、本実施例2の電源回路200は、実施例1の電源回路100よりも細かく出力電圧Vinternalを制御しつつ、無駄な電流消費を減らすことができる。
本実施例ではブリーダを3系統に分割したが、同様にして、2系統に分割、または、さらに多くの系統に増やしてもよい。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
実施例1、2では、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合に、ブリーダ電流をカットして消費電流の削減を図るための電源回路の構成の例について述べた。
本実施例では、ブリーダ電流を制御するための電源回路の他の構成の例について述べる。
図4は、本発明の一態様である実施例3に係る電源回路300の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例1と同様の符号を付された構成は、実施例1と同様の構成である。
図4に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路300は、第1の定電圧回路301と、第2の定電圧回路302と、出力端子5と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ304と、を備える。
第1のMOSトランジスタ2は、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第2のMOSトランジスタ303は、pMOSトランジスタであり、第1のMOSトランジスタ2の他端(ドレイン)と出力端子5との間に接続され、第2の定電圧回路302の出力がゲートに接続されている。この第2のMOSトランジスタ303は、例えば、そのサイズが第4の定電圧用MOSトランジスタ302bのサイズよりも大きくなるように設計されている。
第3のMOSトランジスタ304は、nMOSトランジスタであり、出力端子5と電源との間に接続され、第1の定電圧回路301の出力がゲートに接続されている。この第3のMOSトランジスタ304は、例えば、そのサイズが第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのサイズよりも大きくなるように設計されている。
第1の定電圧回路301は、電圧Vcon1に設定された第1の定電圧を出力するようになっている。なお、第1の定電圧は、出力電圧Vinternalの目標値(設定値)となるターゲット電圧Vtargetと、第3のMOSトランジスタ304のしきい値電圧と、の和と同等か低く設定されている。
この第1の定電圧回路301は、実施例1の定電圧回路と同様に、例えば、第1の定電圧用MOSトランジスタ301aと、第2の定電圧用MOSトランジスタ301bと、定電圧用分圧回路301cと、定電圧用差動増幅回路301dと、を有する。
第1の定電圧用MOSトランジスタ301aは、ここではpMOSトランジスタであり、電源と第3のMOSトランジスタ304のゲートとの間に接続されている。
第2の定電圧用MOSトランジスタ301bは、ここではnMOSトランジスタであり、第3のMOSトランジスタ304のゲートに一端(ドレイン)が接続され、ダイオード接続されている。
この第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのしきい値電圧は、例えば、第3のMOSトランジスタ304のしきい値電圧と等しくなるように設定されている。これにより、第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのソースの電位と、第3のMOSトランジスタ304のソースの電位(出力電圧Vinternal)とが等しくなるように設定することができる。
定電圧用分圧回路301cは、第2の定電圧用MOSトランジスタ301bの他端(ソース)と接地との間に接続されている。この定電圧用分圧回路301cは、抵抗値R1を有する分圧抵抗301c1と、この分圧抵抗301c1に直列に接続された抵抗値R2を有する分圧抵抗301c2と、を有する。なお、抵抗値R1と抵抗値R2とは、例えば、第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのソースの電位がターゲット電圧Vtargetと等しくなるように、選択される。
この定電圧用分圧回路301cは、第2の定電圧用MOSトランジスタ301bと接地との間の電圧を、所定の分圧比R2/(R1+R2)で分圧した分圧電圧Va1を出力するようになっている。
定電圧用差動増幅回路301dは、基準電圧Vref1が反転入力端子に入力されるとともに、分圧電圧Va1が非反転入力端子に入力され、第1の定電圧用MOSトランジスタ301aのゲートに出力が接続されている。
この定電圧用差動増幅回路301dは、分圧電圧Va1が基準電圧Vref1よりも高い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ301aがオフするように信号を出力する。一方、この定電圧用差動増幅回路301dは、分圧電圧Va1が基準電圧Vref1よりも低い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ301aがオンするように信号を出力する。これにより、第1の定電圧回路301は、一定の電圧Vcon1を出力することができる。
第2の定電圧回路302は、電圧Vcon2に設定された第2の定電圧を出力するようになっている。なお、第2の定電圧は、出力電圧Vinternalのターゲット電圧Vtargetと、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧と、の和に等しく設定されている。
この第2の定電圧回路302は、例えば、第3の定電圧用MOSトランジスタ302aと、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bと、定電圧用分圧回路302cと、定電圧用差動増幅回路302dと、を有する。
第3の定電圧用MOSトランジスタ302aは、ここではnMOSトランジスタであり、接地と第2のMOSトランジスタ303のゲートとの間に接続されている。
第4の定電圧用MOSトランジスタ302bは、ここではpMOSトランジスタであり、第2のMOSトランジスタ303のゲートに一端(ドレイン)が接続され、ダイオード接続されている。
この第4の定電圧用MOSトランジスタ302bのしきい値電圧は、例えば、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧と等しくなるように設定されている。これにより、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bのソースの電位と、第2のMOSトランジスタ303のソースの電位(出力電圧Vinternal)とが等しくなるように設定することができる。
定電圧用分圧回路302cは、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bの他端(ソース)と接地との間に接続されている。この定電圧用分圧回路302cは、抵抗値R3 を有する分圧抵抗302c1と、この分圧抵抗302c1に直列に接続された抵抗値R4を有する分圧抵抗302c2と、を有する。なお、抵抗値R3と抵抗値R4とは、例えば、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bのソースの電位がターゲット電圧Vtargetと等しくなるように、選択される。
この定電圧用分圧回路302cは、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bと電源との間の電圧を、所定の分圧比R4/(R3+R4)で分圧した分圧電圧Va2を出力するようになっている。
定電圧用差動増幅回路302dは、基準電圧Vref2が反転入力端子に入力されるとともに、分圧電圧Va2が非反転入力端子に入力され、第3の定電圧用MOSトランジスタ302aのゲートに出力が接続されている。
この定電圧用差動増幅回路302dは、分圧電圧Va2が基準電圧Vref2よりも高い場合は、第3の定電圧用MOSトランジスタ302aがオンするように信号を出力する。一方、この定電圧用差動増幅回路302dは、分圧電圧Va2が基準電圧Vref2よりも低い場合は、第3の定電圧用MOSトランジスタ302aがオフするように信号を出力する。
これにより、第2の定電圧回路302は、一定の電圧Vcon2を出力することができる。
ここで、上記構成を有する電源回路300は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧Vtargetと一致したときに、第2のMOSトランジスタ303と第3のMOSトランジスタ304とが同時にオンし得る。この場合、第3のMOSトランジスタ304、第2のMOSトランジスタ303、第1のMOSトランジスタ2に、貫通電流が流れてしまう。
そこで、出力電圧Vinternalが、ターゲット電圧Vtarget近傍の或る範囲(以下、不感帯と呼ぶ)の電圧値である場合には、第2のMOSトランジスタ303および第3のMOSトランジスタ304がオフになるようにする必要がある。
以下、第2のMOSトランジスタ303および第3のMOSトランジスタ304がオフする該不感帯を設定するための条件について説明する。
(a)第3の定電圧用MOSトランジスタ302a、第4の定電圧用MOSトランジスタ302b、定電圧用分圧回路302c、および定電圧用差動増幅回路302dからなるフィードバックループにより、ノードBの電圧がターゲット電圧Vtargetとなるように制御される。
したがって、第4の定電圧用MOSトランジスタ302bのしきい値電圧をVth302b(<0V)とすると、電圧Vcon2はターゲット電圧Vtargetとしきい値電圧Vth302bとの和となる。
このとき、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧をVth303(<0V)とすると、Vth302b=Vth303+ΔV2となるように設定する。ここで、ΔV2は0Vよりも大きい電圧とする。
これにより、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔV2との和よりも高ければオンする。
一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔV2との和よりも低ければオフする。これにより、第1のMOSトランジスタ2に流れるブリーダ電流を制限する。
つまり、Vtarget+ΔV2 > Vinternal > Vtarget を不感帯として、出力電圧Vinternalが制御される。
このように、実施例3の電源回路300は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、上述の貫通電流の発生を抑制しつつ、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
なお、上記(a)の場合に代えて、(b)第3のMOSトランジスタのしきい値電圧が第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのしきい値電圧よりも高くなるようにしてもよい。この場合も第2のMOSトランジスタ303および第3のMOSトランジスタ304がオフする該不感帯を設定することができる。
また、上記(a)の場合に代えて、(c)分圧比R2/(R1+R2)を大きくしてもよい。この場合も第2のMOSトランジスタ303および第3のMOSトランジスタ304がオフする該不感帯を設定することができる。
また、上記(a)の場合に代えて、(d)分圧比R4/(R3+R4)を小さくしてもよい。この場合も第2のMOSトランジスタ303および第3のMOSトランジスタ304がオフする該不感帯を設定することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
既述の実施例1ないし3では、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合に、ブリーダ電流をカットして消費電流の削減を図るための電源回路の構成の一例について述べた。
本実施例では、出力電圧に関するフィードバックループを用いずに、ブリーダ電流を制御するための電源回路の構成の例について述べる。
図5は、本発明の一態様である実施例4に係る電源回路400の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例1、3と同様の符号を付された構成は、実施例1、3と同様の構成である。
図5に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路400は、出力端子5と、定電圧回路301と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ304と、第4のMOSトランジスタ401と、第5のMOSトランジスタ402と、第6のMOSトランジスタ403と、を備える。
定電圧回路301は、実施例3と同様に、電圧Vcon1に設定された定電圧を出力するようになっている。
第1のMOSトランジスタ2は、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第2のMOSトランジスタ303は、pMOSトランジスタであり、第1のMOSトランジスタ2の他端(ドレイン)と出力端子5との間に接続されている。
第3のMOSトランジスタ304は、nMOSトランジスタであり、出力端子5と電源との間に接続され、定電圧回路301の出力がゲートに接続されている。
第4のMOSトランジスタ401は、ここではnMOSトランジスタであり、接地に一端(ソース)が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧Vbiasが印加されている。
第5のMOSトランジスタ402は、pMOSトランジスタであり、第4のMOSトランジスタ401の他端(ドレイン)および第2のMOSトランジスタのゲートに一端(ドレイン)が接続され、ダイオード接続されている。この第5のMOSトランジスタ402のしきい値電圧は、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧以上に設定されている。
第6のMOSトランジスタ403は、nMOSトランジスタであり、第5のMOSトランジスタ402の他端(ソース)と定電圧回路301の出力との間に接続され、ダイオード接続されている。この第6のMOSトランジスタ403のしきい値電圧は、第3のMOSトランジスタ304のしきい値電圧以下に設定されている。
ここで、以上のような構成を有する電源回路400が無駄なブリーダ電流をカットするための条件および動作について説明する。
第3のMOSトランジスタ304のしきい値電圧をVth304とする。このとき、第6のMOSトランジスタ403のしきい値電圧Vth403をVth304−ΔV1に設定する。
また、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧をVth303(<0V)とする。このとき、第5のMOSトランジスタ402のしきい値電圧Vth402をVth303+ΔV2に設定する。
また、第2のMOSトランジスタ303と第3のMOSトランジスタ304とが同時にオンして貫通電流が流れないように、ΔV1とΔV2の和が0Vよりも大きい値となるようにする。このとき、ノードBの電圧(Vcon2)は、ターゲット値VtargetよりもΔV1だけ高い電位となる。
したがって、ノードBの電圧Vcon2は、式(10)のように表される。なお、式(10)において、ΔV = ΔV1 + ΔV2とする。

Vcon2=Vtarget−|Vth303|+ΔV・・・(10)
これにより、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも高ければオンする。一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも低ければオフする。
このように、実施例4の電源回路400は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
なお、ノードAの電位は、第5のMOSトランジスタ402、第6のMOSトランジスタ403のサブスレショルド電流によって上昇し得る。このため、ブリーダとして既述のように第4のMOSトランジスタ401が設けられている。
なお、第5、6のMOSトランジスタ402、403は、第3のMOSトランジスタ304よりもサイズが小さくてもよい。したがって、第4のMOSトランジスタ401に流れるブリーダ電流を非常に小さく制限することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
既述の実施例4では、出力電圧に関するフィードバックループを用いずに、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合に、ブリーダ電流をカットして消費電流の削減を図るための電源回路の構成の一例について述べた。
本実施例5では、実施例4の構成を変形させた電源回路の構成の例について述べる。
図6は、本発明の一態様である実施例5に係る電源回路500の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例4と同様の符号を付された構成は、実施例4と同様の構成である。
図6に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路500は、実施例4の電源回路400と同様に、出力端子5と、定電圧回路301と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ304と、第4のMOSトランジスタ401と、第5のMOSトランジスタ402と、第6のMOSトランジスタ403と、を備える。
ここで、第6のMOSトランジスタ403は、実施例4の場合とは異なり、第5のMOSトランジスタ402の他端(ソース)と電源との間に接続され、定電圧回路301の出力にゲートが接続されている。
このように第6のMOSトランジスタ403を接続した場合も、電源回路500は、実施例4と同様の動作をすることができる。
すなわち、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも高ければオンする。一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも低ければオフする。
このように、実施例5の電源回路500は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
既述の実施例5では、実施例4の構成を変形させた電源回路の構成の例について述べた。
本実施例6では、実施例4の構成を変形させた電源回路の構成の他の例について述べる。
図7は、本発明の一態様である実施例6に係る電源回路600の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例4と同様の符号を付された構成は、実施例4と同様の構成である。
図7に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路600は、実施例4の電源回路400と同様に、出力端子5と、定電圧回路301と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ304と、第4のMOSトランジスタ401と、第5のMOSトランジスタ402と、を備える。
なお、実施例4の第6のMOSトランジスタ403は、その機能が第2の定電圧用MOSトランジスタ301bに含められ、省略されている。
ここで、第3のMOSトランジスタ304と第2の定電圧用MOSトランジスタ301bのしきい値電圧は等しく設定されている。すなわち、実施例4で説明したΔV1が0Vになっている。
したがって、第2のMOSトランジスタ303と第3のMOSトランジスタ304とが同時にオンして貫通電流が流れないように、第5のMOSトランジスタ402のしきい値電圧は、第2のMOSトランジスタ303のしきい値電圧よりも大きい(絶対値で小さい)値に設定する必要がある。すなわち、実施例4の説明で説明したΔV2を0Vよりも大きい値にしておく必要がある。
このように第6のMOSトランジスタ403を省略した場合も、電源回路600は、実施例4と同様の動作をすることができる。
すなわち、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも高ければオンする。一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalがターゲット電圧VtargetとΔVの和よりも低ければオフする。
このように、実施例6の電源回路600は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
実施例6では、実施例4の構成を変形させた電源回路の構成の一例について述べた。
本実施例7では、この実施例6の構成を変形させた電源回路の構成の例について述べる。
図8は、本発明の一態様である実施例7に係る電源回路700の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例1、6と同様の符号を付された構成は、実施例1、6と同様の構成である。
図8に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路700は、出力端子5と、分圧回路6と、定電圧回路701と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ704と、第4のMOSトランジスタ401と、第5のMOSトランジスタ402と、差動増幅回路707と、を備える。
定電圧回路701は、定電圧用MOSトランジスタ701aと、定電圧用分圧回路701cと、定電圧用差動増幅回路701dと、を有する。
定電圧用MOSトランジスタ701aは、ここではpMOSトランジスタであり、電源と第5のMOSトランジスタ402のソースとの間に接続されている。
定電圧用分圧回路701cは、定電圧用MOSトランジスタ701aの一端(ドレイン)と接地との間に接続されている。この定電圧用分圧回路701cは、抵抗値R1を有する分圧抵抗701c1と、この分圧抵抗701c1に直列に接続された抵抗値R2を有する分圧抵抗701c2と、を有する。なお、抵抗値R1と抵抗値R2とは、例えば、定電圧用MOSトランジスタ701aのドレインの電位がターゲット電圧Vtargetと等しくなるように、選択される。
この定電圧用分圧回路701cは、定電圧用MOSトランジスタ701aと接地との間の電圧を、所定の分圧比R2/(R1+R2)で分圧した分圧電圧Vaを出力するようになっている。
定電圧用差動増幅回路701dは、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力されるとともに、分圧電圧Vaが非反転入力端子に入力され、定電圧用MOSトランジスタ701aのゲートに出力が接続されている。
この定電圧用差動増幅回路701dは、分圧電圧Vaが基準電圧Vrefよりも高い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ701aがオフするように信号を出力する。一方、この定電圧用差動増幅回路701dは、分圧電圧Vaが基準電圧Vrefよりも低い場合は、定電圧用MOSトランジスタ701aがオンするように信号を出力する。これにより、定電圧回路701は、一定の電圧Vconを出力するように動作する。したがって、第5のMOSトランジスタ402のドレインの電位は、一定の電圧に維持される。
また、差動増幅回路707は、分圧電圧V1が基準電圧Vrefよりも高い場合は、第1の定電圧用MOSトランジスタ701aがオフするように信号を出力する。一方、この定電圧用差動増幅回路701dは、分圧電圧Vaが基準電圧Vrefよりも低い場合は、定電圧用MOSトランジスタ701aがオンするように信号を出力する。
実施例6と同様に、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalが所定値よりも高ければオンする。一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalが所定値よりも低ければオフする。
このように、実施例7の電源回路700は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
実施例7では、実施例6の構成を変形させた電源回路の構成の一例について述べた。
本実施例8では、この実施例7の構成を変形させた電源回路の構成の例について述べる。
図9は、本発明の一態様である実施例8に係る電源回路800の構成の一例を示す回路図である。なお、実施例1、3、7と同様の符号を付された構成は、実施例1、3、7と同様の構成である。
図9に示すように、電源電圧Vddを降圧した電圧Vinternalを出力する電源回路800は、出力端子5と、分圧回路6と、定電圧回路302と、第1のMOSトランジスタ2と、第2のMOSトランジスタ303と、第3のMOSトランジスタ704と、差動増幅回路707と、を備える。
上述のように、実施例3の第2の定電圧回路302と同じ符号が付された定電圧回路302は、実施例3の第2の定電圧回路302と同様の構成である。この定電圧を出力する定電圧回路302の出力は第2のMOSトランジスタ303のゲートに接続されている。
以上のような構成を有する電源回路800において、既述の実施例7と同様に、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalが所定値よりも高ければオンする。一方、第2のMOSトランジスタ303は、出力電圧Vinternalが所定値よりも低ければオフする。
このように、実施例8の電源回路800は、出力電圧Vinternalが或る値よりも低い場合(次段回路の消費電流が大きい場合)には、ブリーダ電流をカットして無駄な電流消費を抑制することができる。
以上のように、本実施例に係る電源回路によれば、消費電流を削減することができる。
本発明の一態様である実施例1に係る電源回路100の構成の一例を示す回路図である。 本実施例1および従来の電源回路の出力電圧Vinteranlと時間tとの関係を示す図である。 本発明の一態様である実施例2に係る電源回路200の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例3に係る電源回路300の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例4に係る電源回路400の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例5に係る電源回路500の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例6に係る電源回路600の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例7に係る電源回路700の構成の一例を示す回路図である。 本発明の一態様である実施例8に係る電源回路800の構成の一例を示す回路図である。
符号の説明
1 定電圧回路
1a 第1の定電圧用MOSトランジスタ
1b 第2の定電圧用MOSトランジスタ
1c 定電圧用分圧回路
1c1、1c2 分圧抵抗
1d 定電圧用差動増幅回路
2 第1のMOSトランジスタ
2a 第4のMOSトランジスタ
2b第6のMOSトランジスタ
3、303 第2のMOSトランジスタ
3a 第5のMOSトランジスタ
3b 第7のMOSトランジスタ
4、304、704 第3のMOSトランジスタ
5 出力端子
6、206 第1の分圧回路
6a、6b、206a、206b、206c、206d 分圧抵抗
7 第1の差動増幅回路
7a 第2の差動増幅回路
7b 第3の差動増幅回路
100、200、300、400、500、600、700、800 電源回路
301 第1の定電圧回路
301a 第1の定電圧用MOSトランジスタ
301b 第2の定電圧用MOSトランジスタ
301c 定電圧用分圧回路
301d 定電圧用差動増幅回路
302 第2の定電圧回路
302a 第3の定電圧用MOSトランジスタ
302b 第4の定電圧用MOSトランジスタ
302c 定電圧用分圧回路
302d 定電圧用差動増幅回路
401 第4のMOSトランジスタ
402 第5のMOSトランジスタ
403 第6のMOSトランジスタ
701 定電圧回路
701a 定電圧用MOSトランジスタ
301c 定電圧用分圧回路
301d 定電圧用差動増幅回路
707 差動増幅回路

Claims (5)

  1. 電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
    定電圧を出力する定電圧回路と、
    接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
    前記第1のMOSトランジスタの他端と電源との間に接続され、前記定電圧回路の出力がゲートに接続された第2のMOSトランジスタと、
    前記第1のMOSトランジスタの他端と前記電源との間で、前記第2のMOSトランジスタと直列に接続された第3のMOSトランジスタと、
    前記第2のMOSトランジスタと前記第3のMOSトランジスタとの間に接続され、前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
    前記出力端子の電圧を第1の分圧比で分圧した第1の分圧電圧を出力する第1の分圧回路と、
    基準電圧および前記第1の分圧電圧が入力され、前記第2のMOSトランジスタのゲートに出力が接続された第1の差動増幅回路と、を備え、
    前記第1の差動増幅回路は、
    前記第1の分圧電圧が前記基準電圧よりも高い場合は、前記第2のMOSトランジスタがオンするように信号を出力し、
    前記第1の分圧電圧が前記基準電圧よりも低い場合は、前記第2のMOSトランジスタがオフするように信号を出力する
    ことを特徴とする電源回路。
  2. 前記接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第4のMOSトランジスタと、
    前記第4のMOSトランジスタと前記出力端子との間に接続された第5のMOSトランジスタと、
    前記第1の分圧回路が前記出力端子の電圧を前記第1の分圧比と異なる第2の分圧比で分圧し出力した第2の分圧電圧および前記基準電圧が入力され、前記第5のMOSトランジスタのゲートに出力が接続された第2の差動増幅回路と、をさらに備え、
    前記第2の差動増幅回路は、
    前記第2の分圧電圧が前記基準電圧よりも高い場合は、前記第5のMOSトランジスタがオンするように信号を出力し、
    前記第2の分圧電圧が前記基準電圧よりも低い場合は、前記第5のMOSトランジスタがオフするように信号を出力する
    ことを特徴とする請求項1に記載の電源回路。
  3. 電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
    前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
    第1の定電圧を出力する第1の定電圧回路と、
    第2の定電圧を出力する第2の定電圧回路と、
    接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
    前記第1のMOSトランジスタの他端と前記出力端子との間に接続され、前記第2の定電圧回路の出力がゲートに接続されたpMOSトランジスタである第2のMOSトランジスタと、
    前記出力端子と前記電源との間に接続され、前記第1の定電圧回路の出力がゲートに接続されたnMOSトランジスタである第3のMOSトランジスタと、を備え、
    前記第1の定電圧は、前記出力電圧の目標値であるターゲット電圧と前記第3のMOSトランジスタのしきい値電圧との和と同等か低く設定され、
    前記第2の定電圧は、前記ターゲット電圧と前記第2のMOSトランジスタのしきい値電圧との和よりも高く設定されている
    ことを特徴とする電源回路。
  4. 電源電圧を降圧した電圧を出力する電源回路であって、
    前記電源電圧を降圧した出力電圧を出力するための出力端子と、
    定電圧を出力する定電圧回路と、
    接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに固定電圧が印加された第1のMOSトランジスタと、
    前記第1のMOSトランジスタの他端と前記出力端子との間に接続されたpMOSトランジスタである第2のMOSトランジスタと、
    前記出力端子と前記電源との間に接続され、前記定電圧回路の出力がゲートに接続されたnMOSトランジスタである第3のMOSトランジスタと、
    前記接地に一端が接続され、定電流が流れるようにゲートに前記固定電圧が印加された第4のMOSトランジスタと、
    前記第4のMOSトランジスタの他端および前記第2のMOSトランジスタのゲートに 一端が接続され、ダイオード接続されたpMOSトランジスタである第5のMOSトランジスタと、
    前記第5のMOSトランジスタの他端と前記定電圧回路の出力との間に接続され、ダイオード接続されたnMOSトランジスタである第6のMOSトランジスタと、を備え、
    前記第5のMOSトランジスタのしきい値電圧は、前記第2のMOSトランジスタのしきい値電圧以上に設定され、
    前記第6のMOSトランジスタのしきい値電圧は、前記第3のMOSトランジスタのしきい値電圧以下に設定されている
    ことを特徴とする電源回路。
  5. 前記定電圧回路は、
    前記電源と前記第3のMOSトランジスタのゲートとの間に接続された第1の定電圧用MOSトランジスタと、
    前記第3のMOSトランジスタのゲートに一端が接続され、ダイオード接続された第2の定電圧用MOSトランジスタと、
    前記第2の定電圧用MOSトランジスタの他端と前記接地との間に接続され、所定の分圧比で分圧した分圧電圧を出力する定電圧用分圧回路と、
    前記基準電圧および前記分圧電圧が入力され、前記第1の定電圧用MOSトランジスタのゲートに出力が接続された定電圧用差動増幅回路と、を有する
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の電源回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012203931A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2018180576A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 富士通セミコンダクター株式会社 降圧回路及び半導体集積回路

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101260801B1 (ko) * 2011-01-13 2013-05-06 에스케이하이닉스 주식회사 전압 레귤레이터 및 전압 레귤레이팅 방법
DE102014212502B4 (de) * 2014-06-27 2018-01-25 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Überspannungskompensation für einen Spannungsreglerausgang
KR102029490B1 (ko) * 2014-09-01 2019-10-07 삼성전기주식회사 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치
CN108241399B (zh) * 2016-12-27 2021-02-02 上海华虹集成电路有限责任公司 功耗阶跃抑制电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243516A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2007316811A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Fujitsu Ten Ltd 直流電源装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4524317A (en) * 1983-08-23 1985-06-18 Leff Millard Precision, dynamic low voltage measurement system
JP3274306B2 (ja) 1995-01-20 2002-04-15 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US6292424B1 (en) * 1995-01-20 2001-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba DRAM having a power supply voltage lowering circuit
JP3802239B2 (ja) * 1998-08-17 2006-07-26 株式会社東芝 半導体集積回路
JP3539940B2 (ja) * 2001-07-30 2004-07-07 沖電気工業株式会社 電圧レギュレータ
US6707280B1 (en) * 2002-09-09 2004-03-16 Arques Technology, Inc. Bidirectional voltage regulator sourcing and sinking current for line termination
US7589507B2 (en) * 2005-12-30 2009-09-15 St-Ericsson Sa Low dropout regulator with stability compensation
US7973518B2 (en) * 2008-06-05 2011-07-05 Intel Corporation Low noise voltage regulator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243516A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2007316811A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Fujitsu Ten Ltd 直流電源装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012203931A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2018180576A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 富士通セミコンダクター株式会社 降圧回路及び半導体集積回路

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