JP2009257852A - プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法 - Google Patents

プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009257852A
JP2009257852A JP2008105234A JP2008105234A JP2009257852A JP 2009257852 A JP2009257852 A JP 2009257852A JP 2008105234 A JP2008105234 A JP 2008105234A JP 2008105234 A JP2008105234 A JP 2008105234A JP 2009257852 A JP2009257852 A JP 2009257852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
sample
probe
conductor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008105234A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4945503B2 (ja
Inventor
Michiko Honbo
享子 本棒
Katsumi Mabuchi
勝美 馬渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2008105234A priority Critical patent/JP4945503B2/ja
Publication of JP2009257852A publication Critical patent/JP2009257852A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4945503B2 publication Critical patent/JP4945503B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

【課題】
電子デバイス材料のマイグレーションの発生箇所を検出し、その発生原因を検討するための絶縁不良の検査装置を提供する。
【解決手段】
探針と試料を介して配置される電極と、探針と電極間に電圧を印加して探針と電極間の試料に流れる電流を検出する測定装置を有するプローブ顕微鏡において、試料内における所望の二点間に電圧を印加することにより、発生するマイグレーションを検知して絶縁不良を判定するプローブ顕微鏡にある。
【選択図】図1

Description

本発明は、絶縁体もしくは誘電体と導電体とよりなる試料の絶縁不良を検出する方法及び装置に関する。特に、プローブ顕微鏡、またはこれを用いた検査装置に関する。
近年、半導体集積回路装置の多機能化が進行し、1個の半導体チップに複数の回路を作りこむことが進められている。また、半導体集積回路装置の製造コストを低減するために、半導体素子および配線を微細化して、半導体チップの面積を小さくし、半導体ウエハ1枚当たりの取得チップ数を増加することが進められている。このような電子デバイスでは、絶縁体もしくは誘電体と導電体とが微小間隔で積層、もしくは隣接された構成を有する。絶縁体もしくは誘電体と導電体との接合部では、周囲環境と材料とが複合的に作用することによってマイグレーションを発生し、電子回路の短絡を引き起こす場合がある。電子機器の信頼性を評価する上では、マイグレーションの評価が重要である。
従来の絶縁性評価方法として、HAST(高温加速耐湿性寿命試験Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test)(非特許文献1)がある。試験槽内に一定の温度,湿度,一定の圧力下で配線基材を放置し、2つの導電体間に電圧を印加し続ける。同じ導電体間に電圧を印加して、そのとき流れる電流を検出し、絶縁抵抗とする。あるいは、同じ導電体間に既知の抵抗を挟んで、その間の電圧を計測することにより、絶縁抵抗とする。絶縁抵抗が低下し、絶縁不良を起こした時間で評価する。短期間評価できる寿命試験である。
また、プリント配線板の環境試験方法として温湿度定常試験(特許文献2)がある。試験槽内に一定の温度,湿度下で配線基材を放置し、2つの導電体間に電圧を印加し続ける。同じ導電体間に電圧を印加して、そのとき流れる電流を検出し絶縁抵抗とする。あるいは、同じ導電体間に既知の抵抗を挟んで、その間の電圧を計測することにより、絶縁抵抗とする。絶縁抵抗が低下し、絶縁不良を起こした時間で評価する。
社団法人 日本電子回路工業会 JPCA規格 プリント配線板環境試験方法JPCA−ET08−2007 社団法人 日本電子回路工業会 JPCA規格 プリント配線板環境試験方法JPCA−ET02〜04−2007
上記従来の手法では、いずれの試験方法においても、不良箇所は、試験終了後に試験槽から取り出して、実体顕微鏡による外観観察や、SEM観察が行われ、マイグレーションの発生を確認する方法である。従って、マイグレーションの発生箇所をその場観察することは困難である。
そこで、本願発明の目的は、上記の従来の技術を踏まえ、絶縁体もしくは誘電体と導電体とが隣接もしくは積層した電子デバイス材料の絶縁信頼性を評価する方法及び装置を提供することにある。また、微細配線等を有する試料の破壊された箇所,破壊された原因を究明することのできるプローブ顕微鏡を提供することにある。
上記課題を解決するための本願発明の特徴は、試料内における所望の二点間に電圧を印加する電圧印加装置を有するプローブ顕微鏡にある。特に、2つの電圧印加装置を有し、一つは探針と試料を介して配置される電極との間に電圧を印加する電圧印加装置、もう一つは、試料内にある所望の二点間に電圧を印加する電圧印加装置として使用する。
また、試料の測定環境を特定の環境に制御しながらこれらの電圧印加を行うための測定環境制御装置を設けてもよい。測定環境制御装置は、大気中,真空中,液体中,ガス中,恒湿中のいずれかに可変制御可能である。ガスの種類は特に限定されないが、例えば、窒素ガス,水素ガス,酸素ガス,乾燥空気,アルゴンガス、または、これらの混合ガスを使用することができる。恒湿中では、水中で大気、または前述のガスを攪拌させながら、一定の湿度のガス雰囲気を作り出す恒湿装置、もしくは恒温恒湿装置を併設させる。且つ、雰囲気温度は低温から高温までの特定の温度に可変制御可能である。また、雰囲気ガスの内圧は、低圧から加圧まで可変制御可能である。その結果、特定の温度、及び/又は湿度雰囲気にした状態で、導電体の所望の二点間に電圧を印加することによりマイグレーションを発生させ、探針と電極間に流れる電流を検出することによってマイグレーション発生箇所を特定することができる。
電圧印加装置は、パルス法,フローティング法のいずれかの印加方法が選択可能であり、且つ、これらの組み合わせによる印加条件の制御が可能である。電圧印加装置は、パルス法,フローティング法のいずれも、印加する時間間隔や、休止時間,電圧値の制御,電圧の向き、即ち、プラスとマイナスの選択,サイクル試験などの条件制御が可能である。
本発明のプローブ顕微鏡は、導電体と絶縁体及び/又は誘電体が積層、もしくは隣接してなる試料を観察する場合、絶縁体及び/又は誘電体を電極に接触させ、導電体の所望の二点間に電圧を印加させる工程と、探針と電極間に電圧を印加して、探針と電極間に流れる電流を検出する工程とを有することを特徴とする絶縁不良の検査装置として使用することもできる。
試料内に、絶縁体及び/又は誘電体と積層、もしくは隣接する導電体が二箇所以上存在する場合には、どの位置の導電体間に電圧を印加するかを設定・切り替えする印加電圧切替手段を設けることができる。例えば、複数の導電体に接続して、電圧を印加する導電体を選択できるスイッチング機構を有するコントロールユニットを備えることができる。試料内に絶縁体及び/又は誘電体と導電体とが積層されている場合、例えば、ビルドアップ基板などには、複数の導電体にそれぞれ端子を接続し、電圧の極性をプラスにする導電体と、マイナスにする導電体を選択できるようになっている。このコントロールユニットは電極と接続する導電体を選択できる機構を有する。これにより電極と接続する導電体と、試料内に電圧を印加する導電体とを分けて接続する必要がない。また、電極と接続する導電体と、試料内に電圧を印加する導電体とを、同一とする選択もできる。
本発明の絶縁不良検査装置は、プローブ顕微鏡と同様の機構を備える。すなわち、探針と電極間に電圧を印加する電圧印加装置と、試料の表面形状像を得る手段と、抵抗から表面形状像とを対比させてプロファイルを作成する手段と、プロファイルから試料の不良内容を特定する評価手段と、試料内における所望の二点間に電圧を印加する電圧印加装置を有し、試料内における所望の二点間に電圧を印加させながら不良箇所を特定する。
本発明の検査装置には、原子間力顕微鏡(AFM)を用いることができる。原子間力顕微鏡(AFM)は、探針を表面に接触させながら形状像を計測する装置であり、微少な探針を試料表面に対して平行に走査させ、同時に、該試料表面の凹凸に沿うように該探針を該試料表面に対し垂直方向に移動させ、試料表面の微小な構造を観察する。形状測定と同時に、探針と電極間に電圧を印加して、探針と電極間に流れる電流を検出することにより、試料の任意の箇所における抵抗を測定することが可能である。
このようなAFMなどの表面形状計測装置に、試料内における所望の二点間に電圧を印加する電圧印加装置を備えることにより、材料内の二つの導電体間にバイアス電圧を印加しマイグレーションを発生させ、電子デバイス材料のマイグレーション性を評価する。
マイグレーションが発生した部分では局部的な抵抗の低下を生ずる。マイグレーションが発生した場所を特定するために、探針と電極間に電圧を印加して、探針と電極間に流れる電流を検出し、電流像として二次元マッピング化する。形状像と電流像とを重ね合わせれば、マイグレーションが発生した場所が特定できる。さらに、電流に特定の閾値を設けてその閾値以上の電流値が流れる箇所をマイグレーション像としてマッピングすることにより、不良箇所を表示できる。さらに、不良箇所の面積、あるいは、積算電流量を求めることにより、不良度合いを見積もることができる。
本発明の試料の評価方法は、上記のプローブ顕微鏡や絶縁不良検査装置により、探針と電極間に電圧を印加して、探針と電極間に流れる電流を検出することにより、試料の任意の箇所における抵抗を測定することにより、試料の欠陥や耐マイグレーション性能を観察する方法である。本発明によれば、マイグレーションの発生箇所を検出し得る方法と、絶縁不良の検査方法を提供でき、電子デバイスなどの絶縁信頼性の向上を図ることができる。
本発明によれば、電子デバイス材料のマイグレーションの発生箇所を検出できる。また、絶縁不良検査装置を提供できる。
以下、本発明について具体例を挙げて説明する。
本願発明者らは、試料を高温,高湿中に放置し、試料内の所望の二点間にバイアス電圧を印加して耐マイグレーション性を検討した。特に、マイグレーションが発生する起点をその場観察ができれば、試料由来の不純物の存在が原因なのか、あるいは、デザインに起因するものなのか、材料の組成によるものなのかを特定することができる。これらが判れば、電子デバイス材料の組成,添加物配合比,プロセス条件やデザイン等の最適化が可能である。その結果、例えば、半導体配線基板やプリント配線基板の検査方法,はんだの検査方法,めっきの検査方法,ビアの加工の検査方法,電線の検査方法,導電体と絶縁体、もしくは誘電体とのコンポジット材料の検査方法などに使用でき、またその結果、更なる電子デバイス,電子デバイス材料の高信頼性に貢献できる。本願発明者らは、走査型プローブ顕微鏡に着目した。
探針と試料を介して配置される電極と、探針と電極間に電圧を印加して探針と電極間の試料に流れる電流を検出する測定装置を有するプローブ顕微鏡において、試料内における所望の二点間に電圧を印加する。この際、周囲の環境温度を上げたり、湿度を上げたり、水蒸気圧を上げたり、長時間に亘ってこのような環境に晒したりすることにより、マイグレーションが発生する。このマイグレーションが発生した場所を検知することにより、絶縁不良の原因を特定することが出来る。例えば、特定の添加剤にマイグレーションが集中している場合には、その添加剤が、絶縁不良の原因である。また、配線幅の間隔やデザインなどが原因でマイグレーションが生じる場合には、特定のデザイン、あるいは特定の配線間隔の場所でマイグレーションが集中する。さらに、導電体の大きさや分散間隔などが原因である場合には、特定の大きさの導電体,特定の間隔の分散距離に集中してマイグレーションが発生する。試験時間によるマイグレーション起点の発生率を評価して、絶縁性の優劣をつけても良い。また、流れる電流値の大きさで絶縁性の優劣を判断することもできる。従来は、絶縁抵抗が下がった段階で解体して、外観を検察していた。従って、どこがマイグレーションの発生の始まり、即ち、起点であったかを知ることができなかった。本発明では、マイグレーションの発生前から、次第に発生し始めるまでを連続して観察することが可能であり、且つ、電流像の解析から定量的な絶縁不良の診断ができる。このようにして、電子デバイス、及び電子デバイス材料の絶縁信頼性を判定する検査装置として使用することが可能である。
本発明の絶縁不良検査方法は、LSI配線板,プリント配線板等にも適用することができる。電子機器の高機能,高性能化の要求は、プリント配線板のデザインに影響を及ぼしており、絶縁信頼性の保証が難しくなった。マイグレーションの形態の中でもCAF(Conductive Anodic Filaments)は、貫通スルーホールのデザインや、コア基材の材料,貫通スルーホールの加工条件などが絶縁性に影響すると考えられる。リジットプリント配線板に代表されるマザーボード、及びバーイン用評価ボードにおいて、ソケット実装密度の増大により、スルーホール壁間の絶縁性に問題が生じる可能性がある。他にもめっき,はんだ,フラックス,素体,パッケージ材料などの電子デバイス材料の種類によっても、マイグレーションの発生状況が異なる。特にPbフリー化によって、マイグレーションの発生状況が変化すると考えられる。
他には、FPD(Flat Panel Display)用ドライバーICの実装に必要なパッケージとして、多出力化が容易で、搭載される電子機器の設計自由度が高いなどの特徴を持つFPC(Flexible Printed Circuit)が多く使用されている。FPCにはTCP(Tape Carrier Package)とCOF(Chip on Film)の2層構造が挙げられる。特に、COFは、基材の絶縁信頼性に関してその現象が複雑である。本発明の絶縁不良検査方法は、このような製品にも採用可能である。
また、電子機器の高機能化に伴い、絶縁体もしくは誘電体において微小サイズの粒子状、あるいは繊維状の導電体が分散された材料が様々な用途向けに開発されている。本発明の絶縁不良検査方法は、このような絶縁体もしくは誘電体と導電体とが微小間隔で積層もしくは隣接されたマトリックス構造の試料にも適用できる。例えば、放熱性樹脂や耐熱性樹脂,導電性樹脂、あるいはこれらのフィルムなどである。こうした材料では、過酷な使用環境においても、絶縁体もしくは誘電体が、絶縁信頼性を維持し続ける必要がある。
電線や水中ケーブルなどは、ケーブルの表面を絶縁膜でコーティングした導電体と絶縁体との隣接構造を有する。これらのケーブルは、周囲の環境が水中,高温,電界作用下であるなど特殊な環境下で使用され得る。その結果、水トリー(マイグレーションの一種)などが発生し、短絡や、放電などの支障をもたらす。本発明の絶縁不良検査方法は、このようなケーブルにも採用することができる。
以下、図面を用いた実施例により、詳細に説明する。
実施例1では、走査型プローブ顕微鏡の機構を主として用い、試料の絶縁不良を検知する検査装置の第一の実施形態を説明する。図1は、本例を示す図である。
本実施例の検査装置は、一定環境を作るための測定環境制御装置1と、これに接続し、試料を一定環境に保持できる環境制御セル2を備える。除振台3の上に、環境制御セル2と、環境制御セル2の位置を移動させる移動機構(微動/粗動機構4)とを有し、試料台アタッチメント5を介して、試料用ヒーター6,電極7,試料台8が設けられている。移動機構(微動/粗動機構4)は、試験セルの位置を大きく変化させる粗動と、微調整する微動の両方が可能である。
試料9は、試料台8の上に設置され、試料台8と電極7との間は導通が取られている。試料台8に電極7が埋め込まれていても良い。試料9は所望の場所で試料台8と導通が取られている。導通は一般に導電性ペーストが使用されるが、はんだでも溶接でもその方法は限定されない。
試料9は試料内電圧プラス端子15と試料内電圧マイナス端子16とを用いて試料内の所望の2箇所に接続させる。接続方法としては、導電性ペーストが使用されるが、はんだでも溶接でもその方法は限定されない。試料内電圧プラス端子15と試料内電圧マイナス端子16とは試料内の所望の2点間に電圧を印加する試料内電圧印加装置17に接続されている。印加電圧は5から100Vの範囲で実施するのがマイグレーション評価として好ましい。
試料の表面の形状は、カンチレバー11の先端の探針を試料表面に接触させ、カンチレバーホルダー10に取り付けられたカンチレバー11のバネの変位を検知する方法で計測する。カンチレバー変位検出光学系12は、カンチレバー11の背面にレーザー光を当てるとともに、フォトダイオードなどの検知装置で反射した光の座標軸からカンチレバー11のバネ変位を読み取り、試料の凹凸形状を計測する。また、カンチレバー11の先端の探針を試料表面に接触させることによって形状のみならず電流を計測する。本実施例では、電極7とカンチレバー11とを探針−電極間電圧印加装置13に接続して、カンチレバー11の先端の探針と電極7の間に電圧を印加したときに流れる電流を電流検出器14で計測する。カンチレバーと電極との間の電圧印加には、ポテンショガルバノスタッドなどを使用してもよい。
環境制御セル内は、試料の評価条件を備えるよう環境を調整することができる。例えば、エレクトロマイグレーションの評価の場合には、大気中でも良い。熱マイグレーションの評価の場合には、真空中、または、窒素中やアルゴン中で100℃から300℃の温度範囲に制御する。イオンマイグレーション(エレクトロケミカルマイグレーションとも言う)の評価の場合には、湿度雰囲気85%RHから93%RHで、40℃から130℃の温度範囲に制御する。この時のガスの種類は、空気でも窒素でもアルゴンでも良い。特にHAST試験条件では水蒸気圧を0.12MPaから0.23MPaに制御する。また、イオンマイグレーション(エレクトロケミカルマイグレーションとも言う)の評価の場合には、試料を水中に浸漬させた状態であっても良い。このときの水温は室温から85℃まで制御させる。
図2は、本例の検査装置の試料への接続例を示す図である。図2を用い、マイグレーションの評価方法の一例を以下に示す。
(1)検査対象の試料は、2つの導電体18a,18bに挟まれた絶縁体19を有する試料9である。試料を、試料台8上に設置し、銀ペーストを用いて固定する。また、2つの導電体18a,18bに、試料内電圧プラス端子15と試料内電圧マイナス端子16とをそれぞれ銀ペーストを用いて接着させる。
(2)測定環境制御装置1により、試料の測定環境を制御し、周囲の雰囲気を空気中、130℃,85%RH,水蒸気圧0.23MPaにする。試料用ヒーター6を用いて、試料台8の温度を130℃に制御する。
(3)試料内電圧印加装置17を用いて、導電体18aと導電体18bとの間に100Vの電圧を印加した。印加方法はフローティング法を採用し、100Vの電圧を18時間印加し続けた。なお、他の例としては電圧を10m秒間隔のパルスで、休止を10分入れながら繰り返しサイクルを実施するなどの電圧印加方法がある。
(4)図示していないが、試料内電圧印加装置17は、絶縁抵抗を計測するための絶縁抵抗器を備えても良く、2つの導電体18a,18bに挟まれた絶縁体19の絶縁抵抗を計測しても良い。
(5)探針−電極間電圧印加装置13を用いて、カンチレバー11の先端の探針と電極7間に100Vの電圧を印加する。微動/粗動機構4により、カンチレバー11の先端の探針と試料9との間を水平(XY)方向、および垂直(Z)方向へ移動させながら、形状を計測する。形状計測と同時に、探針と電極7間に流れる電流を電流検出器14で計測する。
(6)形状データは形状像として、電流データは電流像として二次元マッピング化させる。図3は形状像、図4−Aは電流像である。形状像では明るいほどZ方向の高さが高く、電流像では明るいほど電流が流れている。特に、マイグレーション発生点では電流が増加する。マイグレーションの発生した箇所では、電極と探針の間に流れる電流を検知することにより、導電体間で誘電体部分に析出した析出物(導体)の影響があると考えられる。図4−Aの明るく示したところ(白い点)が電流の流れたところである。図中の○で示したところが、マイグレーションの起点である。電流像を形状像と重ね合わせることにより、さらに詳しくどの位置でマイグレーションが発生しているかを特定できる。図4−Bは重ね合わせ像である。白い点が電流の流れたところであり、バックの明るい紫色は形状の高いところ、濃い紫色は形状の低いところである。濃い紫色の部分に白い点が集中しており、高さの低いところで電流が流れ易くなっていることが分かる。
(7)電流像より、一画面当り、もしくは、一定面積における積算電流密度を測定する。図4において、一画面当りの積算電流密度は26pA/(nm)2であった。
(8)放置した時間を横軸にして積算電流値をプロットすることにより、絶縁信頼性を評価する。図5は積算電流値の時間変化をプロットした図である。各製品別に積算電流密度の閾値を設定して、閾値以上に到達するものを不良として選別する。また、マイグレーションの発生した箇所を特定できる。
上記のような図2の試料への接続例のほか、図6−a,図6−b,図6−c,図6−d,図6−e,図6−fは、本例の試料への異なる接続例を示す図である。図6−aは、LSI内の配線構造部分における耐マイグレーション性評価例であり、互い違いに配置された配線間に接続して測定する例である。図6−bは、プリント基板における耐マイグレーション性評価例であり、スルーホールめっきの部分と任意の配線間とに接続して測定する例である。図6−cは、導電性フィルム内の耐マイグレーション性評価例であり、フィルム内に分散された微小な任意の導電物質間に接続して測定する例である。図6−dは、プリント基板における耐CAF特性評価例であり、上下のめっき層間に接続して測定する例である。図6−eは、水中ケーブルの耐マイグレーション性評価例であり、ケーブルの外側の被覆部分に導電テープを貼り、そこの部分とケーブル中心の銅線部分とに接続して測定する例である。図6−fは、COFの耐マイグレーション性評価例であり、銅パターン間に接続して測定する例である。目的に応じ、接続方法をかえ、耐マイグレーション性を観察することができる。
実施例2では、走査型プローブ顕微鏡の機構を主として用い、試料の絶縁不良を検知する検査装置の第二の実施形態を説明する。図7は、本例を示す図である。
本実施例の検査装置は、実施例1と同様、一定環境を作るための測定環境制御装置1と、これに接続し、試料を一定環境に保持できる環境制御セル2を備える。除振台3の上に、環境制御セル2と、環境制御セル2の位置を移動させる移動機構(微動/粗動機構4)とを有し、試料台アタッチメント5を介して、試料用ヒーター6,電極7,試料台8が設けられている。試料9は、試料台8の上に設置され、カンチレバーホルダー10に取り付けられたカンチレバー11の先端の探針を試料表面に接触させることによって形状、並びに電流を計測する。試料台8と電極7との間は導通が取られている。試料の形状は、カンチレバー11のバネの変位を検知する方法で計測する。カンチレバー変位検出光学系12は、カンチレバー11の背面にレーザー光を当てるとともに、反射した光の座標軸からカンチレバー11のバネ変位を読み取り、試料の凹凸形状を計測する。
本例は複数の試料内電圧端子20a,20b,20c,20dと、カンチレバーに接続された端子、電極に接続された端子をコントロールユニット21に繋いでいる。コントロールユニット21では、試料内電圧端子20a,20b,20c,20dの中から、プラス極性の電圧を印加したい端子とマイナス極性の電圧を印加したい端子の2本を選択するスイッチング機構を有する。コントロールユニット21で、選択された2つの端子は試料内電圧印加装置17に接続される。さらに、試料内電圧端子20a,20b,20c,20dと電極に接続された端子の中から、カンチレバーに接続された端子に対して電圧を印加したい端子の選択もできる。この2つの端子はコントロールユニット21で探針−試料もしくは電極間電圧印加装置22に接続される。電圧を印加したときに流れる電流を電流検出器14で計測する。
図8は、試料内に導電体が4箇所ある場合の試料への接続例を示す図である。4つの導電体18a,18b,18c,18dはコントロールユニットに接続する。接続方法は実施例1と同様である。4つの導電体18a,18bに挟まれた絶縁体19を有する試料9は、試料台8に設置し、銀ペーストを用いて接着させる。例えば、導電体18aにプラス極性、導電体18dにマイナス極性の電圧を印加したい場合、この2つを選択すれば良い。選択した導電体18a,18dは自動的に試料内電圧印加装置17に接続される。さらに、探針と導電体18c間に流れる電流を計測したい場合には、導電体18cを選択する。そうすれば、自動的に探針−試料もしくは電極間電圧印加装置22に接続され、探針と導電体18c間に流れる電流を電流検出器14で計測できる。
あるいは、導電体18aにプラス極性、導電体18bにマイナス極性の電圧を印加して、探針と導電体18c間に流れる電流を計測してもよい。または、導電体18cにプラス極性、導電体18dにマイナス極性の電圧を印加して、探針と電極間に流れる電流を計測してもよい。
いずれの計測方法においても2つの導電体間のマイグレーション発生起点で電流が増加し、電流像と形状像から、発生起点の特定ができる。また、一画面当り、もしくは、一定面積における積算電流密度を測定することにより、導電体間の配置デザインの影響を明らかに出来る。
〔比較例1〕
図9は、従来の走査型プローブ顕微鏡を示す模試図(比較例1)である。実施例1,2と同様に、測定環境制御装置1と、これに接続し、試料を一定環境に保持できる環境制御セル2を備える。除振台3の上に、環境制御セル2と、環境制御セル2の位置を移動させる移動機構(微動/粗動機構4)とを有し、試料台アタッチメント5を介して、試料用ヒーター6,電極7,試料台8が設けられている。試料9は、試料台8の上に設置され、カンチレバーホルダー10に取り付けられたカンチレバー11の先端の探針を試料表面に接触させることによって形状、並びに電流を計測する。試料台8と電極7との間は導通が取られている。試料の形状は、カンチレバー11のバネの変位を検知する方法で計測する。カンチレバー変位検出光学系12は、カンチレバー11の背面にレーザー光を当てるとともに、反射した光の座標軸からカンチレバー11のバネ変位を読み取り、試料の凹凸形状を計測する。一方、電流は、電極7とカンチレバー11とを探針−電極間電圧印加装置13に接続して、カンチレバー11の先端の探針と電極7の間に電圧を印加したときに流れる電流を電流検出器14で計測する。但し、従来の走査型プローブ顕微鏡では試料9内に電圧を印加するための、試料内電圧端子、並びに、試料内電圧印加装置17を備えていない。そのため、マイグレーションを発生させることができないことから、絶縁不良の起こしやすい箇所や、その発生原因を検査することができない。
実施例1に係る走査型プローブ顕微鏡の構成例を説明する図である。 実施例1に係る試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係る形状像である。 実施例1に係る電流像である。 実施例1に係る電流像と形状像の重ね合わせ像である。 実施例1に係る放置時間に対する積算電流値をプロットした図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例1に係るその他の試料の接続例を説明する図である。 実施例2に係る走査型プローブ顕微鏡の構成例を説明する図である。 実施例2に係る試料の接続例を説明する図である。 比較例1に係る走査型プローブ顕微鏡の構成例を説明する図である。
符号の説明
1 測定環境制御装置
2 環境制御セル
3 除振台
4 微動/粗動機構
5 試料台アタッチメント
6 試料用ヒーター
7 電極
8 試料台
9 試料
10 カンチレバーホルダー
11 カンチレバー
12 カンチレバー変位検出光学系
13 探針−電極間電圧印加装置
14 電流検出器
15 試料内電圧プラス端子
16 試料内電圧マイナス端子
17 試料内電圧印加装置
18 導電体
19 絶縁体
20 試料内電圧端子
21 コントロールユニット
22 探針−試料もしくは電極間電圧印加装置

Claims (12)

  1. 探針と、前記探針と試料を介して配置される電極と、前記探針と前記電極間に電圧を印加し、探針と電極間に流れる電流を検出する電流検出装置と、を有するプローブ顕微鏡であって、
    試料の所望の二点間に電圧を印加する少なくとも二つの電圧端子と、前記電圧端子間に電圧を印加する電圧印加装置とを有することを特徴とするプローブ顕微鏡。
  2. 請求項1に記載されたプローブ顕微鏡であって、
    試料を所望の雰囲気にさらすための環境制御装置を有することを特徴とするプローブ顕微鏡。
  3. 請求項2に記載されたプローブ顕微鏡であって、
    前記環境制御装置は、試料の雰囲気の成分,湿度,温度,圧力の少なくともいずれかを可変制御することを特徴とするプローブ顕微鏡。
  4. 請求項1ないし3のいずれかに記載されたプローブ顕微鏡であって、
    前記電圧印加装置は、パルス法またはフローティング法を切り替えて電圧を印加するための印加電圧切替手段を有することを特徴とするプローブ顕微鏡。
  5. 請求項4に記載されたプローブ顕微鏡であって、
    前記電圧印加装置は、パルス法またはフローティング法を組み合わせた印加条件制御を行うことを特徴とするプローブ顕微鏡。
  6. 導電体と、絶縁体または誘電体とよりなる試料の絶縁不良の検査方法であって、
    前記試料の導電体の所望の二点間に絶縁体を介して電圧を印加し、
    かつ前記試料の絶縁体の所望の二点間に電圧を印加し、前記絶縁体の二点間に流れる電流を検出することを特徴とする絶縁不良の検査方法。
  7. 請求項6に記載の絶縁不良の検査方法であって、
    前記導電体の所望の二点間への電圧の印加は、所望の温度,湿度に制御された雰囲気下で試料にマイグレーションを発生させる工程であり、
    前記絶縁体の所望の二点間への電圧の印加は、前記試料のマイグレーション発生箇所を特定する工程であることを特徴とする絶縁不良の検査方法。
  8. 請求項6または7に記載の絶縁不良の検査方法であって、
    前記試料は導電体と絶縁体または誘電体が積層されてなる試料、もしくは導電体と絶縁体または誘電体が隣接して構成される試料であることを特徴とする絶縁不良の検査方法。
  9. 探針と、前記探針と対向する位置に試料を介して配置される電極と、前記探針と前記電極間に電圧を印加し、探針と電極間に流れる電流を検出する電流検出装置と、前記試料の導電体の所望の二点間に電圧を印加する少なくとも二つの電圧端子と、前記電圧端子間に電圧を印加する電圧印加装置とを有し、
    前記電流検出装置の電流値に基づき導電体と絶縁体または誘電体とが積層、もしくは隣接してなる試料の絶縁不良を観察する絶縁不良の検査装置。
  10. 請求項9に記載の絶縁不良の検査装置であって、
    前記電圧端子を3以上有し、前記電圧印加装置は電圧を印加する少なくとも2の電圧端子を選択するスイッチング機構を有することを特徴とする絶縁不良の検査装置。
  11. 請求項9に記載の絶縁不良の検査装置であって、前記電圧端子を接続する導電体を選択するコントロールユニットを有し、前記コントロールユニットは電圧を印加する電圧端子を選択するスイッチング機構を有することを特徴とする絶縁不良の検査装置。
  12. 請求項9または11に記載の絶縁不良の検査装置であって、前記試料の表面形状像を得る手段と、前記検出される電流値と前記表面形状像とを対比させ、プロファイルを作成する手段と、前記プロファイルから試料の不良箇所および不良内容を特定する評価手段とを有する絶縁不良の検査装置。
JP2008105234A 2008-04-15 2008-04-15 プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法 Expired - Fee Related JP4945503B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008105234A JP4945503B2 (ja) 2008-04-15 2008-04-15 プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008105234A JP4945503B2 (ja) 2008-04-15 2008-04-15 プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009257852A true JP2009257852A (ja) 2009-11-05
JP4945503B2 JP4945503B2 (ja) 2012-06-06

Family

ID=41385466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008105234A Expired - Fee Related JP4945503B2 (ja) 2008-04-15 2008-04-15 プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4945503B2 (ja)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59141076A (ja) * 1983-01-31 1984-08-13 Nec Home Electronics Ltd 絶縁試験装置
JPH034179A (ja) * 1989-06-01 1991-01-10 Fujitsu Ltd コンタクトプローブによる電気的試験方法
JPH0822796A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Res Dev Corp Of Japan 探針被覆原子移動方法
JP2000097838A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Canon Inc 表面観察装置及び表面観察方法
JP2001185593A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体デバイスの評価装置およびその方法並びに半導体デバイスの製造方法
JP2001318127A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Nec Corp 配線ショート箇所の検査方法及び検査装置
JP2002031655A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Yoshikazu Nakayama ナノチューブ端子を用いた四端子測定装置
JP2002048833A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Hioki Ee Corp 回路基板検査装置
JP2005285903A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sharp Corp エレクトロマイグレーション評価装置およびそれを用いた半導体装置の配線信頼性評価方法
JP2006167866A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Sii Nanotechnology Inc 微細加工装置及び微細加工方法
JP2007279070A (ja) * 2007-07-23 2007-10-25 Hitachi Ltd 試料分析方法
JP2008002952A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Toshiba Corp 走査型プローブ顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡用試料及びその形成方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59141076A (ja) * 1983-01-31 1984-08-13 Nec Home Electronics Ltd 絶縁試験装置
JPH034179A (ja) * 1989-06-01 1991-01-10 Fujitsu Ltd コンタクトプローブによる電気的試験方法
JPH0822796A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Res Dev Corp Of Japan 探針被覆原子移動方法
JP2000097838A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Canon Inc 表面観察装置及び表面観察方法
JP2001185593A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体デバイスの評価装置およびその方法並びに半導体デバイスの製造方法
JP2001318127A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Nec Corp 配線ショート箇所の検査方法及び検査装置
JP2002031655A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Yoshikazu Nakayama ナノチューブ端子を用いた四端子測定装置
JP2002048833A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Hioki Ee Corp 回路基板検査装置
JP2005285903A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sharp Corp エレクトロマイグレーション評価装置およびそれを用いた半導体装置の配線信頼性評価方法
JP2006167866A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Sii Nanotechnology Inc 微細加工装置及び微細加工方法
JP2008002952A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Toshiba Corp 走査型プローブ顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡用試料及びその形成方法
JP2007279070A (ja) * 2007-07-23 2007-10-25 Hitachi Ltd 試料分析方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4945503B2 (ja) 2012-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6605951B1 (en) Interconnector and method of connecting probes to a die for functional analysis
US6590409B1 (en) Systems and methods for package defect detection
US7633309B2 (en) Inspection method, inspection apparatus and computer-readable storage medium storing program for inspecting an electrical property of an object
JP2020012685A (ja) プローブ、検査治具、及び検査装置
WO2009154217A1 (ja) 検査用接触構造体
JPWO2020145073A1 (ja) 接触端子、検査治具、及び検査装置
US6452410B1 (en) Apparatus and method for electrolytic bare board testing
JP2005257568A (ja) 電子部品実装用プリント配線板の電気検査方法および電気検査装置ならびにコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2008203077A (ja) 回路検査装置及び回路検査方法
JP4945503B2 (ja) プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法
JP2004279270A (ja) 抵抗測定装置、基板検査装置および基板検査方法
JP2006200973A (ja) 回路基板検査方法およびその装置
JP2010153263A (ja) 異方性導電シート、その製造方法、基板体、検査装置、部品モジュール、および電子製品
JP2005315775A (ja) 片面移動式プローブを用いた4端子検査方法及び4端子検査用治具
JP2008292372A (ja) 検査支援システムを搭載する回路検査装置とその検査支援方法
JP4287255B2 (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
KR20150131007A (ko) 절연 검사 방법 및 절연 검사 장치
JP2004132699A (ja) 接続装置、半導体チップ検査装置及び接続装置の製造方法
JP2005049314A (ja) プロービングテスト法およびプローブ状態検出装置
JP2004361249A (ja) 基板検査装置
JP2006053052A (ja) 検査装置および検査方法
JP2014020815A (ja) 基板検査装置および基板検査方法
Canumalla et al. A study on ranking of commercial fluxes for electrochemical migration (ECM) propensity for Cu, Sn and Ag surface finishes
JP4181019B2 (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
JP5111297B2 (ja) 情報生成装置および基板検査システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100325

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120207

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120305

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees