JP2006167866A - 微細加工装置及び微細加工方法 - Google Patents
微細加工装置及び微細加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006167866A JP2006167866A JP2004364003A JP2004364003A JP2006167866A JP 2006167866 A JP2006167866 A JP 2006167866A JP 2004364003 A JP2004364003 A JP 2004364003A JP 2004364003 A JP2004364003 A JP 2004364003A JP 2006167866 A JP2006167866 A JP 2006167866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- probe
- oxide film
- scanning
- faraday current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 試料2に電圧を印加する印加電圧手段6と、試料2と探針3とをXY方向に相対移動させる走査手段7と、試料2の周囲の湿度調整する湿度調整手段8と、酸化化学反応に起因するファラデー電流を検出するファラデー電流検出手段9と、ファラデー電流を経過時間に関連付けて予め検出する検出部10と、経過時間に関連付けられたファラデー電流に基づいて、酸化膜が所望する体積となる動作点を予め設定する設定部11と、ファラデー電流が動作点で一定となるように、印加電圧手段9と走査手段7とのうち少なくとも一方を制御して、一定走査速度のもとで印加電圧の変化又は一定印加電圧のもとで走査速度の変化の少なくとも一方の変化を行わせる制御部12とを備えている微細加工装置1を提供する。
【選択図】 図1
Description
このように微細な酸化膜のパターンが表面に形成された試料は、その後、例えば、パターンをマスクとしてエッチングやイオンの叩き込み等が行われる。そして、マスクとなっていたパターンを除去することで、試料を上記パターンで加工したり、パターン以外の領域をドーピングさせる等各種の加工を行うことができる。
例えば、印加電圧を高くした場合には、該印加電圧に略比例して膜厚が増すので、線幅、膜厚等、体積が大きな酸化膜を形成することができる。また、湿度が高い場合には、試料上に存在する吸着水の量が増加するので、電流が流れ易くなると共に化学変化し易くなり、同様に線幅、膜厚等、体積の大きな酸化膜を形成することができる。更に、走査速度を遅くした場合には、探針と試料との接触時間が増え、やはり同様に線幅、膜厚等、体積の大きな酸化膜を形成することができる。
例えば、湿度0%の条件下では、試料表面上に吸着水が存在しないので、試料に電圧を印加しても、試料表面上に化学反応(酸化反応)が起きず、酸化膜が形成されない。
一方、逆に湿度が極端に高い(100%に近い状態)場合には、探針を試料表面に接触した際に、探針の周囲に多量の吸着水が存在してしまう。この状態で電圧を印加すると、電流が酸化膜の生成のための化学反応(酸化反応)に使用されずに、吸着水の表面を流れて試料側に逃げてしまい、酸化膜が生成されない。つまり、電流は流れるが、陽極酸化が行われない現象が生じてしまう。
また、探針と試料表面との間を流れ、酸化膜の生成のための化学反応に起因するものがファラデー電流と呼ばれている。具体的には、吸着水と、酸素と、試料の材質、例えば、シリコンとの化学反応に伴う電荷の移動分をファラデー電流と称している。
このように、酸化膜を生成させるためには、電子電流をなくし、確実にファラデー電流のみの反応をさせるために、湿度を最適な状態(例えば、30〜50%)に設定することが必要とされている。
このパターン形成の工程が終了した後、確実に酸化膜が所望の線幅、膜厚等の体積でパターン形成されたか否かを、探針を利用して表面形状を測定することで判断する。この測定工程の結果、例えば、パターンが途中で切れていた場合や、線幅が極端に細い、膜厚が薄い等の不具合により修正が必要な箇所があった場合には、再度陽極酸化を行って修正する修正工程を行う。
このように、酸化膜のパターニング、酸化状態の測定(確認)、再度の陽極酸化による不具合修正という3つの工程を経て、試料表面上に所望の形状で酸化膜のパターン形成を行っている。
そこで、このような不都合をなくす方法として、微細酸化パターン形成方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
この微細酸化パターン形成方法は、試料表面上に形成したいパターンの中から、予めパターンが重なる(重複)位置を検出し、該位置での印加電圧或いは印加電流の線密度が他の位置(重複していない位置)と同じになるように、プローブ速度や印加電圧や印加電流を補正する方法である。こうすることで、パターンが交差したとしても、線幅、膜厚、体積が均一な酸化膜をパターン形成することができる。
即ち、パターン形成した酸化膜が、所定の酸化状態、即ち、線幅、膜厚等の体積で形成されているか否かを確認するには、パターンを形成した後に、再度表面形状を測定することが必要であり、この測定ではじめて酸化状態を確認できるものであった。つまり、酸化膜のパターン形成時に、酸化状態が十分であるか否かを同時に判断することはできなかった。そのため、パターン形成の工程及び測定の工程という2つの工程を行わなければならず、手間と時間がかかり生産効率が悪かった。
更に、特許文献2記載の方法は、試料表面上に形成するパターンを、予め把握している場合にしか適用することができないので、利便性に欠けるものであった。
本発明の微細加工装置は、導電性の試料に正極側の電圧を印加させた状態で試料表面に探針を接触させ、陽極酸化により該探針と接触している試料表面上に酸化膜を形成する微細加工装置であって、前記試料を載置する載置台と、先端に前記探針を有し、該探針が前記試料表面に接触可能に配された導電性のプローブと、前記試料に前記電圧を印加する印加電圧手段と、前記試料と前記探針とを、前記試料表面に平行な方向に相対移動させる走査手段と、少なくとも前記試料の周囲の湿度を所定の湿度に調整する湿度調整手段と、前記陽極酸化の際、前記探針と前記試料表面との間の酸化化学反応に起因するファラデー電流を検出するファラデー電流検出手段と、検出された前記ファラデー電流を、前記陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出部と、前記経過時間に関連付けられたファラデー電流に基づいて、前記酸化膜が所望する体積となる動作点を予め設定する設定部と、検出された前記ファラデー電流が前記動作点で一定となるように、前記印加電圧手段と前記走査手段とのうち少なくとも一方を制御して、一定走査速度のもとで印加電圧の変化又は一定印加電圧のもとで走査速度の変化の少なくとも一方の変化を行わせる制御部とを備えていることを特徴とするものである。
次いで、印加電圧手段により、試料にプラス(正極)の電圧を印加し、探針を試料表面に接触させる。探針を接触させると、探針と試料表面との間に電流が流れると共に、吸着水、試料の周囲の酸素及び導電性の試料の材質(例えば、シリコン)とで酸化化学反応が生じ、探針と接触している試料表面に酸化膜(例えば、SiO2)が形成(生成)される。この際、上述したように、吸着水が最適な量だけ存在しているので、陽極酸化に寄与しない電子電流の発生をなくした状態で陽極酸化を行って酸化膜を形成することができる。
これにより、ファラデー電流検出手段は、導電性のプローブを介してこのファラデー電流のみを高精度に検出する。
そして、検出部により、ファラデー電流検出手段で検出したファラデー電流を、陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出工程を行う。陽極酸化の開始時点では、まだ試料表面上に多くの酸化膜が形成されていないので、電気抵抗が少なく電流が流れ易くなっている。即ち、多くのファラデー電流を検出することができる。また、陽極酸化が進み、酸化膜が形成されるにしたがって、電気抵抗が高くなるので、電流が流れ難くなる。即ち、ファラデー電流が少なくなってくる。そして、最後には完全に形成された酸化膜により、電気抵抗がさらに高くなり、電流が流れない状態となる。即ち、ファラデー電流が検出されなくなる。
このように、ファラデー電流は、時間の経過と共に減少する。つまり、酸化膜が成長し、その体積が大きくなるのにつれて減少する。従って、このファラデー電流を検出することで、酸化膜の膜厚、幅等の体積を知ることができる。
特に、走査工程の際に、ファラデー電流検出手段で検出した現在のファラデー電流が、動作点で一定となるように制御部が制御を行っている。
例えば、制御部は、走査速度を変化させるよう走査手段の制御を行う。具体的には、動作点よりファラデー電流が下回った場合には、酸化膜の体積が所望の体積よりも大きくなろうとしていることを示しているので、走査速度を上げて探針を速く移動させる。これにより、酸化膜が所望の体積より大きくなることを防止する。一方、探針を移動させた結果、酸化膜が形成されていない領域に探針が達した場合には、ファラデー電流が動作点よりも上回った状態となる。このときには、逆に走査速度を遅くして、酸化化学反応の時間を多く与えてやり、所望の体積になるように酸化膜を形成させる。このように、走査速度を制御することで、印加電圧が一定だとしても、酸化膜の体積を一定にすることができる。
なお、制御部は、走査手段及び印加電圧手段の両方を制御しても構わない。
また、酸化状態の確認を行っているので、従来必要であった修正の工程が不要となり、この修正にかかる時間を短縮できることからも、生産効率の向上化を図ることができる。
また、試料表面に汚れや塵埃等が付着しており、これらが探針に付着して探針の電気抵抗が変化したとしても、実際に検出されるファラデー電流に基づいて、動作点が一定となるように酸化膜の体積を確認するので、汚れや塵埃等の影響をなくすことができる。
更に、予め酸化膜のパターンを把握していなくても適用可能であるので、利便性に優れている。
これにより、走査工程時に、既に所定の体積で形成した酸化膜に探針が再度達した場合(例えば、酸化膜パターンが交差している場合等)、該酸化膜を速度を上げた状態で乗り越えることができる。従って、酸化膜のパターニングにかける時間をさらに短縮することができる。
このように、試料表面と探針とが常時接触するのではなく、周期的に接触したときにのみ酸化膜が形成されるので、より線幅を細く、また、膜厚を薄い状態で酸化膜を形成できる。従って、より微細な酸化膜パターンを形成することができる。
本実施形態の微細加工装置1は、図1に示すように、導電性、例えば、シリコン製の試料2にプラス(正極)の電圧を印加させた状態で試料表面2aに探針3を接触させ、陽極酸化により該探針3と接触している試料表面2a上に酸化膜(SiO2)Aを形成するものであって、試料2を載置する試料台(載置台)4と、先端に上記探針3を有し、該探針3が試料表面2aに接触可能に配された導電性のプローブ5と、上記試料2に電圧を印加する印加電圧制御部(印加電圧手段)6と、試料2と探針3とを、試料表面2aに平行なXY方向に相対移動させる走査手段7と、少なくとも試料2の周囲の湿度を所定の湿度に調整する湿度調整手段8と、陽極酸化の際、探針3と試料表面2aとの間の酸化化学反応に起因するファラデー電流を検出するファラデー電流検出部(ファラデー電流検出手段)9と、検出されたファラデー電流を、陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出部10と、経過時間に関連付けられたファラデー電流に基づいて、酸化膜Aが所望する体積となる動作点を予め設定する設定部11と、これらを総合的に制御する制御部12とを備えている。
上記真空容器15は、金属材料等により箱状に形成されており、内部に上述した試料2、試料台4及びプローブ5を密閉状態で収納している。また、真空容器15内には、底面にベース17が取り付けられており、その上面に、試料2を試料表面2aに垂直なZ方向に移動可能なZステージ18及び試料2を上記XY方向に移動可能なXYステージ19が設けられている。
また、上記プローブ5は、例えば、シリコン、シリコンナイトライドや窒化珪素等の材料で形成され、表面に金やロジウム等でコーティングされたカンチレバー20と、該カンチレバー20の先端に形成された上記探針3と、カンチレバー20の基端側に取り付けられた導電性の取付台21とを有しており、該取付台21が真空容器15内の上面側に取り付けられた電気絶縁部品22を介して固定されている。これにより、プローブ5全体は、真空容器15に絶縁状態で固定されている。
また、真空容器15の外側には、上記ファラデー電流検出部9に加え、該真空容器15に隣接して設けられた上記真空ポンプ16と、上記印加電圧制御部6と、XYステージ19の走査速度を制御する走査速度制御部23と、上記制御部12、検出部10及び設定部11が設けられている。
なお、XYステージ19及び走査速度制御部23は、上記走査手段7を構成している。
また、制御部12は、ファラデー電流検出部9で検出されたファラデー電流が動作点で一定となるように、印加電圧制御部6と走査手段7とのうち少なくとも一方を制御して、一定走査速度のもとで印加電圧の変化、又は一定印加電圧のもとで走査速度の変化の少なくとも一方の変化を行わせるようになっている。
更に、制御部12は、検出されたファラデー電流が下限値を下回ったときに、印加電圧制御部6の作動を停止させると共に、走査速度を、一定走査速度又は速度変化時の最大速度よりも速くするように走査手段7を制御するようになっている。これら制御方法については、後に詳細に説明する。
湿度供給部26は、ドライエアーに所定の湿度を持った水蒸気を混合させた空気を真空容器15内に供給し、少なくとも試料2の周囲の湿度を、例えば、湿度を30%から50%に調整できるようになっている。このように、ドライエアーと水蒸気との混合比率を変化させることで、湿度を任意に設定できるようになっている。
本実施形態の微細加工方法は、少なくとも試料2の周囲の湿度を所定の湿度に調整する湿度調整工程と、試料2に電圧を印加させて陽極酸化処理を行い、探針3と試料表面2aとの間の酸化化学反応に起因するファラデー電流を、陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出工程と、経過時間に関連付けされたファラデー電流に基づいて、酸化膜Aが所望する体積となる動作点を予め設定する設定工程と、該設定工程後、陽極酸化を行いながら探針3と試料表面2aとをXY方向に相対移動させ、探針3で試料表面2a上を走査する走査工程とを有している。
そして、走査工程の際、ファラデー電流を検出し、検出したファラデー電流が動作点で一定となるように、一定走査速度のもとで印加電圧を変化、又は、一定印加電圧のもとで走査速度を変化のうち、少なくともどちらか一方の変化を行わせるようになっている。
上述した各工程について、以下に詳細に説明する。なお、本実施形態においては、制御部12が一定印加電圧のもとで走査手段7を制御して、走査速度を変化させる場合を例にして説明する。よって、速度調整工程は、検出されたファラデー電流が下限値を下回ったときに、速度変化時の最大速度よりも速くさせる工程である。
また、この湿度調整工程の際、少なくとも試料2の周囲の圧力を任意の圧力に調整する圧力調整工程を行い、一旦周囲の圧力を真空状態にした後に所望の湿度のガスを導入し、周囲の圧力を大気圧に調整するようにしても良い。
即ち、湿度供給部26を作動させる前に真空ポンプ16を作動させて、真空容器15内の圧力を一旦真空状態にする。そして、真空状態になった後に、湿度供給部26を作動させて真空容器15内に湿度30%のガスを導入し、該真空容器15内の圧力を大気圧状態にする。こうすることで、より短時間で湿度を所望する値に調整することが可能であるので、湿度調整にかかる手間をなくし、時間の短縮化を図ることができる。
なお、本実施形態において、ファラデー電流とは、酸化化学反応に伴う電荷の移動分を意味している。
また、真空容器15内の湿度は、極端に湿度が高くない(例えば、湿度30%)状態であるので、ファラデー電流を検出する際に、装置側のリーク電流の影響がない状態で検出を行える。つまり、真空容器15内の湿度が極端に高い場合には、取付台21を固定している電気絶縁部品22の表面に微小な吸着水層が存在してしまう。この吸着水層が存在すると、電気絶縁部品22の表面を電流が流れてしまい、ファラデー電流を検出する際の誤差となってしまう(例えば、Hiromi Kuramochi、他2名、Minute Current Detection during Anodic Oxidation by Atomic Force Microscope At High Humidity、JPN.J.Appl.Phys Vol.42 (2003) pp.5892-5895 Part 1, No.9A, September 2003参照)。
本実施形態においては、湿度調整手段8を有しているので、このリーク電流の影響もなくした状態でファラデー電流のみを高精度に検出することができる。
また、図5に示すように、陽極酸化が進み、酸化膜Aが形成されるにしたがって、電気抵抗が高くなるので電流が流れ難くなる。即ち、図4に示すように、検出されるファラデー電流は少なくなってくる。
そして、最後には、図6に示すように完全に形成された酸化膜Aにより、電気抵抗がさらに高くなり電流が流れない状態となる。即ち、ファラデー電流が検出されなくなる。
このように、ファラデー電流は、時間の経過と共に減少する。つまり、酸化膜Aが成長し、その体積が大きくなるにつれて減少する。よって、検出部10は、図4に示すように、経過時間に関連付けて右肩下がりのファラデー電流を検出する。また、このファラデー電流を検出することで、酸化膜Aの膜厚、幅等の体積を知ることができる。
この設定工程終了後、図7に示すように、陽極酸化を行いながら走査手段7を作動させて、探針3で試料表面2aを走査する走査工程を行う。これにより、図8及び図9に示すように、試料表面2aに酸化膜Aを連続して形成してライン状の酸化膜Aのパターンを形成することができる。
つまり、動作点よりも検出したファラデー電流が下回った場合、即ち、下限値に近づいた場合には、酸化膜Aの体積が所望の体積よりも大きくなろうとしていることを示しているので、走査速度を上げて探針3を速く移動させる。これにより、酸化膜Aが所望の体積よりも大きくなることを防止できる。一方、探針3を移動させた結果、酸化膜Aがまだ形成されていない領域に探針3が達した場合には、ファラデー電流が動作点よりも上回った、即ち、上限値に近づいた状態となる。この場合には、逆に走査速度を遅くして、酸化化学反応にかける時間を多くし、所望の体積になるように酸化膜Aを形成する。このように走査速度の制御を行うことで、一定印加電圧のもとで酸化膜Aの体積を一定にすることができる。
また、酸化状態の確認を酸化膜Aのパターン形成と同時に行っているので、従来必要であった修正の工程が不要となり、この工程にかかる時間を短縮できることからも生産効率の向上化を図ることができる。
また、試料表面2aに汚れや塵埃等が付着しており、これらが探針3に付着して探針3の電気抵抗が変化したとしても、実際に検出されるファラデー電流に基づいて、動作点が一定となるように酸化膜Aの体積を確認するので、汚れや塵埃等の影響をなくすことができる。更に、予め形成したい酸化膜Aのパターンを把握していなくても適用可能であるので、利便性に優れている。
この際、制御部12は、ファラデー電流が下限値を下回ったことを受けて、走査手段7を制御して、速度変化時の最大速度(即ち、ファラデー電流の動作点を一定にするために走査速度を変化させる走査工程時の最大速度)よりも速くさせる速度調整工程を行う。これにより、既存の酸化膜A’を速度を上げた状態で乗り越えることができる。従って、酸化膜Aのパターニングにかける時間をさらに短縮することができる。また、既存の酸化膜A’を通過して、探針3が酸化膜Aが形成されていない試料表面2aに再度達した場合には、ファラデー電流が高くなり上述した通常の走査工程に戻ることになる。
こうすることで、図11及び図12に示すように、膜厚t1及び線幅L1で酸化膜A1をライン状にパターン形成した後に、続けて膜厚t2及び線幅L2で酸化膜A2をライン状にパターン形成し、さらに続けて膜厚t3及び線幅L3で酸化膜A3をライン状にパターン形成することができる。このように、複数の体積を有する酸化膜を組み合わせてパターン形成できるので、利便性がさらに向上する。
更に、図15から図17に示すように、仮に酸化膜A4の膜厚t4を酸化膜A5の膜厚t5に後から一致させたい場合にも、ファラデー電流に基づいているので、再度の走査工程を行って酸化膜A4の領域のみに酸化膜を追加して膜厚を容易且つ確実に一致させることができる。
具体的には、動作点よりもファラデー電流が下回った場合には、酸化膜Aの体積が所望の体積よりも大きくなろうとしていることを示しているので、印加電圧を下げて酸化化学反応を低下させる。これにより、酸化膜Aが所望の体積よりも大きくなることを防止する。一方、酸化膜Aが形成されていない領域に探針3が達した場合には、電気抵抗が低いのでファラデー電流が動作点よりも上回った状態となる。このときには、印加電圧を上げて酸化化学反応を促進させる。これにより、所望の体積となるように酸化膜Aを形成させる。このように、印加電圧を制御することで、走査速度が一定だとしても、所望の体積となるように酸化膜Aを形成することができる。
また、制御部12は、走査手段7及び印加電圧制御部6をそれぞれ単独で制御するのではなく、走査手段7及び印加電圧制御部6を両方同時に制御しても構わない。
この場合には、探針3が試料表面2aに接触した瞬間にのみ陽極酸化が行われ、酸化膜Aが形成される。このように、探針3と試料表面2aとが常時接触するのではなく、周期的に接触したときにのみ酸化膜Aが形成されるので、より線幅を細く、また、膜厚を薄い状態で酸化膜Aを形成できる。従って、より微細な酸化膜Aのパターンを形成することができる。
更に、探針3の先端にカーボンナノチューブを取り付け、該カーボンナノチューブで酸化膜Aを形成しても構わない。この場合は、さらに微細な酸化膜Aのパターンを形成することができる。
また、例えば、試料台4に、試料2を加熱又は冷却して任意の温度に調整可能な温度調整機構を設け、試料2を任意の温度に調整する調整工程を行っても構わない。こうすることで、試料2を加熱又は冷却した状態でも酸化膜Aをパターン形成することができるので、使い易い。
1 微細加工装置
2 試料
2a 試料表面
3 探針
5 プローブ
6 印加電圧制御部(印加電圧手段)
7 走査手段
8 湿度調整手段
9 ファラデー電流検出部(ファラデー電流検出手段)
10 検出部
11 設定部
12 制御部
15 真空容器(収納容器)
16 真空ポンプ(圧力調整手段)
Claims (12)
- 導電性の試料に正極側の電圧を印加させた状態で試料表面に探針を接触させ、陽極酸化により該探針と接触している試料表面上に酸化膜を形成する微細加工装置であって、
前記試料を載置する載置台と、
先端に前記探針を有し、該探針が前記試料表面に接触可能に配された導電性のプローブと、
前記試料に前記電圧を印加する印加電圧手段と、
前記試料と前記探針とを、前記試料表面に平行な方向に相対移動させる走査手段と、
少なくとも前記試料の周囲の湿度を所定の湿度に調整する湿度調整手段と、
前記陽極酸化の際、前記探針と前記試料表面との間の酸化化学反応に起因するファラデー電流を検出するファラデー電流検出手段と、
検出された前記ファラデー電流を、前記陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出部と、
前記経過時間に関連付けられたファラデー電流に基づいて、前記酸化膜が所望する体積となる動作点を予め設定する設定部と、
検出された前記ファラデー電流が前記動作点で一定となるように、前記印加電圧手段と前記走査手段とのうち少なくとも一方を制御して、一定走査速度のもとで印加電圧の変化又は一定印加電圧のもとで走査速度の変化の少なくとも一方の変化を行わせる制御部とを備えていることを特徴とする微細加工装置。 - 請求項1記載の微細加工装置において、
前記設定部は、前記所望する体積の許容範囲となる前記ファラデー電流の上限値及び下限値を、前記動作点を中心として予め設定可能であり、
前記制御部は、検出された前記ファラデー電流が前記下限値を下回ったときに、前記印加電圧手段の作動を停止すると共に、前記走査速度を、前記一定走査速度又は前記速度変化時の最大速度よりも速くするよう前記走査手段を制御することを特徴とする微細加工装置。 - 請求項1又は2記載の微細加工装置において、
前記設定部は、前記所望する酸化膜の体積がそれぞれ異なる前記動作点を予め複数設定可能であり、
前記制御部は、前記複数の動作点から任意に選択された動作点に基づいて制御を行うことを特徴とする微細加工装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の微細加工装置において、
前記探針が前記試料表面を叩いて周期的に試料表面に接触するように、前記プローブを試料表面に垂直な方向に所定の周波数及び振幅で振動させる加振手段を備えていることを特徴とする微細加工装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の微細加工装置において、
少なくとも前記試料を密閉可能に内部に収納する収納容器と、
該収納容器内の圧力を、任意の圧力に調整可能な圧力調整手段とを備えていることを特徴とする微細加工装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の微細加工装置において、
前記試料を加熱又は冷却して任意の温度に調整する温度調整機構を備えていることを特徴とする微細加工装置。 - 導電性の試料に正極側の電圧を印加させた状態で、試料表面に導電性のプローブの先端に配された探針を接触させ、陽極酸化により該探針と接触している試料表面上に酸化膜を形成する微細加工方法であって、
少なくとも前記試料の周囲の湿度を所定の湿度に調整する湿度調整工程と、
前記試料に前記電圧を印加させて前記陽極酸化を行い、前記探針と前記試料表面との間の酸化化学反応に起因するファラデー電流を、陽極酸化の経過時間に関連付けて予め検出する検出工程と、
前記経過時間に関連付けられたファラデー電流に基づいて、前記酸化膜が所望する体積となる動作点を予め設定する設定工程と、
該設定工程後、前記陽極酸化を行いながら前記探針と前記試料とを前記試料表面に平行な方向に相対移動させ、探針で試料表面上を走査する走査工程とを備え、
該走査工程の際、前記ファラデー電流を検出し、検出したファラデー電流が前記動作点で一定となるように、一定走査速度のもとで印加電圧を変化、又は、一定印加電圧のもとで走査速度を変化のうち、少なくともどちらか一方の変化を行わせることを特徴とする微細加工方法。 - 請求項7記載の微細加工方法において、
前記設定工程の際、前記所望する体積の許容範囲となる前記ファラデー電流の上限値及び下限値を、前記動作点を中心として予め設定し、
前記走査工程は、検出された前記ファラデー電流が前記下限値を下回ったときに、前記試料への電圧印加を停止すると共に、前記走査速度を、前記一定走査速度又は前記速度変化時の最大速度よりも速くさせる速度調整工程を有していることを特徴とする微細加工方法。 - 請求項7又は8記載の微細加工方法において、
前記設定工程の際、前記所望する酸化膜の体積がそれぞれ異なる前記動作点を予め複数設定可能であり、
前記走査工程は、前記複数の動作点から任意に選択された動作点に基づいて、前記印加電圧と前記走査速度とのうち少なくともどちらか一方を変化させることを特徴とする微細加工方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の微細加工方法において、
前記探針が前記試料表面を叩いて周期的に試料表面に接触するように、前記プローブを試料表面に垂直な方向に所定の周波数及び振幅で振動させる加振工程を備えていることを特徴とする微細加工方法。 - 請求項7から10のいずれか1項に記載の微細加工方法において、
前記湿度調整工程は、少なくとも前記試料の周囲の圧力を任意の圧力に調整する圧力調整工程を有しており、一旦周囲の圧力を真空状態にした後に所望の湿度のガスを導入し、試料の周囲の圧力を大気圧に調整することを特徴とする微細加工方法。 - 請求項7から11のいずれか1項に記載の微細加工方法において、
前記試料を加熱又は冷却して任意の温度に調整する調整工程を備えていることを特徴とする微細加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004364003A JP4699748B2 (ja) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | 微細加工装置及び微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004364003A JP4699748B2 (ja) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | 微細加工装置及び微細加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006167866A true JP2006167866A (ja) | 2006-06-29 |
JP4699748B2 JP4699748B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=36669140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004364003A Expired - Fee Related JP4699748B2 (ja) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | 微細加工装置及び微細加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4699748B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008122325A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Jeol Ltd | 走査プローブ顕微鏡 |
JP2008243850A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sharp Corp | 被加工物の加工方法および配線形成方法並びに半導体基板の製造方法 |
JP2009257852A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Ltd | プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法 |
CN104374954A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-02-25 | 苏州飞时曼精密仪器有限公司 | 一种扫描探针显微镜的探针与样品趋近装置及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012859A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細酸化パターン形成方法 |
JPH10507000A (ja) * | 1995-01-31 | 1998-07-07 | デジタル・インストルメンツ・インコーポレーテッド | 位相または周波数の検出を用いる軽打原子間力顕微鏡 |
JPH10253644A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 原子間力顕微鏡 |
JP2002181687A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
JP2002264099A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Canon Inc | 微細加工装置および微細加工方法 |
-
2004
- 2004-12-16 JP JP2004364003A patent/JP4699748B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10507000A (ja) * | 1995-01-31 | 1998-07-07 | デジタル・インストルメンツ・インコーポレーテッド | 位相または周波数の検出を用いる軽打原子間力顕微鏡 |
JPH1012859A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細酸化パターン形成方法 |
JPH10253644A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 原子間力顕微鏡 |
JP2002181687A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
JP2002264099A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Canon Inc | 微細加工装置および微細加工方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008122325A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Jeol Ltd | 走査プローブ顕微鏡 |
JP2008243850A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Sharp Corp | 被加工物の加工方法および配線形成方法並びに半導体基板の製造方法 |
JP2009257852A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Ltd | プローブ顕微鏡及び絶縁不良の検査装置,絶縁不良検査方法 |
CN104374954A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-02-25 | 苏州飞时曼精密仪器有限公司 | 一种扫描探针显微镜的探针与样品趋近装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4699748B2 (ja) | 2011-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105374713B (zh) | 差动泵送反应气体喷射器 | |
Irmer et al. | Fabrication of Ti/TiO x tunneling barriers by tapping mode atomic force microscopy induced local oxidation | |
Rangelow et al. | Pattern-generation and pattern-transfer for single-digit nano devices | |
TW201308391A (zh) | 以聚焦粒子束處理基板的方法與裝置 | |
US11977097B2 (en) | Methods and devices for extending a time period until changing a measuring tip of a scanning probe microscope | |
KR102327590B1 (ko) | 스캐닝 프로브 현미경의 측정 팁을 검사하기 위한 방법 및 장치 | |
Lenk et al. | Experimental study of field emission from ultrasharp silicon, diamond, GaN, and tungsten tips in close proximity to the counter electrode | |
JP4699748B2 (ja) | 微細加工装置及び微細加工方法 | |
CN108538765B (zh) | 刻蚀装置以及图形的转移方法 | |
JP4322930B2 (ja) | インプリント方法 | |
JPH06267940A (ja) | 微細加工装置 | |
JP3247079B2 (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
JP4631004B2 (ja) | ナノギャップ電極の製造方法 | |
JP2653575B2 (ja) | カンチレバー体及びこれを用いた表面修正装置 | |
JP2001168070A (ja) | 集束イオンビーム装置のガス供給機構 | |
Yamashita et al. | Flexure structural scanner of tip scan type for high-speed scanning tunneling microscopy | |
Guo et al. | Development of UHV dynamic nanostencil for surface patterning | |
US20200216954A1 (en) | Atomic layer polishing method and device therefor | |
KR101479746B1 (ko) | 국소 플라즈마 에칭 장치 및 에칭 방법 | |
JP2006005110A (ja) | 微細構造の作製方法及び作製装置 | |
JP2009129547A (ja) | 電界放出型電子源およびそれを用いた電子線応用装置 | |
JP4322929B2 (ja) | インプリント装置 | |
TWI719666B (zh) | 在半導體物件上移動結構的方法及檢驗半導體物件的檢驗裝置 | |
JP2007201211A (ja) | ナノギャップ電極の製造方法 | |
JPH02245602A (ja) | 走査型顕微鏡用探針の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071120 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4699748 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |