JP2009250972A - 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ - Google Patents

半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ Download PDF

Info

Publication number
JP2009250972A
JP2009250972A JP2008264113A JP2008264113A JP2009250972A JP 2009250972 A JP2009250972 A JP 2009250972A JP 2008264113 A JP2008264113 A JP 2008264113A JP 2008264113 A JP2008264113 A JP 2008264113A JP 2009250972 A JP2009250972 A JP 2009250972A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
suction
stage
fixed housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008264113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4971283B2 (ja
Inventor
Ho Jin Kim
ホ ジン キム、
Hyoung Bae Kim
ヒョン ベ キム、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KOREA TECHNO Co Ltd
Original Assignee
KOREA TECHNO Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KOREA TECHNO Co Ltd filed Critical KOREA TECHNO Co Ltd
Publication of JP2009250972A publication Critical patent/JP2009250972A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4971283B2 publication Critical patent/JP4971283B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/2813Producing thin layers of samples on a substrate, e.g. smearing, spinning-on
    • G01N2001/2826Collecting by adsorption or absorption
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/38Diluting, dispersing or mixing samples
    • G01N2001/383Diluting, dispersing or mixing samples collecting and diluting in a flow of liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】本発明はウエーハが回転プレート上で真空圧力の吸入、排出制御で吸着維持される。
【解決手段】本発明は、円形の固定ハウジング11と、該固定ハウジング11の内側で回転可能に設置されてその中心部で吸着通路13を形成すると共に底部の真空ポート16と連結され、外側の回転力によって回転する吸着プレート14と、該吸着プレート14を駆動する前記固定ハウジング11の底部に設置され、前記吸着プレート14に接続されるステップモーター17から成るステージ本体10;該ステージ本体10の固定ハウジング11の下部空間を形成する柱22で支えられるベースプレート20;該ベースプレート20が上、下移動するその底部でシリンダーロッドに連結されるシリンダー24;前記ステージ本体10の外側でウエーハを支える各ジグ30を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は半導体ウエーハの汚染物質を測定する装置に係るもので、特に、汚染物質を捕集するためにウエーハ表面をスキャンする場合にウエーハをローディングし、回転させるスキャンステージに関する。
半導体デバイス(Device)が高集積化されながら半導体製造ライン及び製造工程上で発生する色々な汚染物質はウエーハ表面に吸着されて半導体デバイスの性能及び収率に影響を及ぼしている。
このため、ウエーハ表面の汚染物質の分析工程は半導体デバイス製造において大事であり、これを解決するために従来は各半導体製造ライン及び各製造工程の間に所定ウエーハを選択した後、この選択されたウエーハ表面をスキャニングしてウエーハ表面の汚染物質分析のための汚染物質サンプルを捕集し、これを原子吸光分析(Atomic absorption spectroscopy)、誘導結合質量分析(ICP−mass spectroscopy)等の破壊分析法や全反射蛍光X線分析(Total X−ray fluorescent analyzer)のような非破壊分析法で分析している。
すなわち、従来は各製造ライン及び各製造工程で所定のウエーハを選択した後、このウエーハ表面の汚染物質を捕集する前に正確な汚染物質捕集のためにこのウエーハ表面をコーティング(Coating)している酸化膜(Oxide)を先に除去しなければならなく、これは気相分解装置(Vapor phase decomposition apparatus)により実現された。
かかる気相分解装置は工程が進行される工程チャンバー(Chamber)と、チャンバー内にウエーハがローディング(Loading)されるローディングプレート(Loading plate)と、ウエーハ表面をコーティングしている酸化膜を分解させるためのフッ酸(HF;hydrofluoric acid)が盛られた容器から構成されて、ウエーハが工程チャンバーに設置されたローディングプレートに移送されると、このウエーハが一定時間工程チャンバー内に安着されるようにして容器から自然増発したフッ酸蒸気によってウエーハ表面をコーティングしていた酸化膜が全部分解されるようにする。
以後、ユーザー(User)はウエーハを工程チャンバーから取り出した後、ウエーハ表面上にスキャニング溶液を落とし、ユーザーが直接マニュアル(Manual)でウエーハ表面をスキャニング溶液でスキャニングしてウエーハ表面の汚染分析のための汚染物質サンプルを捕集した。
かかる半導体ウエーハ汚染物質測定装置としては特許第10−0383264号が知られている。この半導体ウエーハの汚染物質捕集装置は全体的に工程チャンバー、移送ユニット、ローダー部、気相分解ユニット、スキャニングユニット、ドライユニット、アンローダー部及び汚染物質捕集装置を全般的に制御する中央制御ユニットから構成される。
この時、移送ユニット、ローダー部、気相分解ユニット、スキャニングユニット、ドライユニット及びアンローダー部は工程チャンバー内に設置されるが、移送ユニットをセンター(Center)にして、ローダー部とアンローダー部が夫々始点と終点になる半円状に設置される。ここで、気相分解ユニット、スキャニングユニット、そしてドライユニットは順次的にローダー部とアンローダー部の間に設置される。
添付図面のうち図8は従来の半導体ウエーハの汚染物質捕集装置の全体を概略的に示す図である。
この図面に示すように、半導体製造ラインおよび製造工程においてウエーハの汚染程度を分析するために任意のウエーハが選択されると、ユーザーはこのウエーハを汚染物質捕集装置の工程チャンバー内に位置したローダー部に移送する。
以後、ユーザーが工程チャンバーを密閉させた後、汚染物質捕集装置を稼動すると、移送ユニットはローダー部に位置したウエーハを気相分解ユニットのローディングプレートに移送させて、気相分解ユニットはローディングプレートに移送されたウエーハを密閉させた後、フッ酸の蒸気を利用してウエーハ表面にコーティングされた酸化膜を分解させる。
次いで、ウエーハ表面にコーティングされた酸化膜の分解が完了すると、移送ユニットはまた気相分解ユニットに位置したウエーハをスキャニングユニットのウエーハアライナに移送させる。
以後、ウエーハアライナはアラインハンドを利用して移送されたウエーハの位置を正確に整列させると同時に、スキャニングアームはノズルトレイ位置に回転してノズルトレイに備えられたノズルを挿入した後、ノズルトレイの中央に設置されたスキャニング溶液ボトルでスキャニング溶液を所定量だけ吸入してウエーハの上部に移動した後、ゆっくりウエーハの中央に接近する。
次いで、スキャニングアームはウエーハセンターとスキャニングアームに挿入されたノズルがほとんど触れようとする時に接近を中止し、接近が中止すると、ポンプはスキャニングアームのポンピング流路を通してノズルに吸入されたスキャニング溶液の一部をウエーハ表面に排出してノズルの下段部とウエーハ表面の間にスキャニング溶液が水滴状に凝集されるようにする。
以後、スキャニングアームに挿入されたノズルの下段部にスキャニング溶液が水滴状に凝集されてウエーハ表面と接触すると、ウエーハアライナはウエーハをゆっくり一方向に回転させて、スキャニングアームはノズルの下段部、すなわち、スキャニング溶液がウエーハ表面と接触した部分を一側方向にゆっくり移動させる。この時、ウエーハ表面の汚染物質は外部に露出されたスキャニング溶液と接触することでスキャニング溶液内に吸収されることはもちろんである。
この時、スキャニングアームはスキャニングアームが一度動く時にウエーハが一回りし、スキャニングアームがもう一度動くと、ウエーハがまた一回りするステップバイステップ(Step by step)でウエーハをスキャニングする。このように、スキャニング溶液がノズルの下段部から離脱することなく、ウエーハのスキャニングが完了すると、ウエーハアライナは回転を止めるようになってスキャニングユニットも移動を止めるようになり、ポンプはポンピング流路を利用してウエーハをスキャニングしたスキャニング溶液を全部ノズル内に吸入する。
スキャニングアームはユーザーの選択によって二つの方法で動作するが、ユーザーがウエーハを原子吸光分析で分析しようとする場合、スキャニングアームはサンプリングコップトレイに回転してサンプリングコップにウエーハをスキャニングした汚染物質サンプルを全部排出する。排出が完了するとスキャニングアームは、再び回転してノズルがノズルボトルの上部に位置するようにした後、スキャニングアームに設置されたノズル離脱手段を利用してスキャニングアームに挿入されたノズルがスキャニングアームから離脱してノズルボトルに落ちるようにする。
その後、ウエーハは移送ユニットによってアンローダー部に移送されると同時に外部にアンロードされ、汚染物質の捕集工程は終了する。ただし、ユーザーがウエーハを全反射蛍光X線分析で分析しようとする場合、スキャニングユニットはウエーハをスキャニングした汚染物質サンプルをウエーハ表面のセンターにまたゆっくり排出した後、また回転してノズルがノズルボトルの上部に位置するようにした後、スキャニングアームに設置されたノズル離脱手段を利用してスキャニングアームに挿入されたノズルがスキャニングアームから離脱してノズルボトルに落ちるようにする。次いで、ウエーハはドライユニットのヒーティングプレートに移送されて乾燥された後、またアンローダー部に移送されて、汚染物質の捕集工程は完了する。
従来のスキャンステージはこのような汚染物質をスキャンして捕集する過程で単にウエーハのロディンサンテを維持することにとどまり、回転板体の両側面を回転ローラーに接触させて回転させる構造であるだけで、ウエーハを移動させる時にいちいちロボットアームのエンドエフェクターが自らウエーハの底部に挿入されるようにしてローディングさせるため、不安定であるという問題点があった。
韓国特許第10−0383264号
本発明はこのような従来の問題点を改善し、ウエーハが回転プレート上で真空圧力の吸入、排出制御で吸着維持されるようにする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを提供することを目的とする。
本発明はこのようなスキャンステージを提供すると共に、その下部のベースプレートを上、下動可能にしてウエーハがローディングする時に下部から引き上げられることを容易にするスキャンステージを提供することを目的とする。
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのウエーハ吸着プレートが回転する構造を提供することを目的とする。
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの外郭側でウエーハをローディングする時に分離が容易になるように独立的な各ジグを備えたスキャンステージを提供することを目的とする。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは前記目的を達成すると共にウエーハの搭載有無を検出するか、または回転体の回転有無を検出する手段を提供することを目的とする。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは吸着プレート構造を改善して固定ハウジングの内側で回転可能にすると共に、回転体の上面でウエーハが真空吸着される吸着口を形成し、真空ラインと真空ポートとしてスキャンステージ上にウエーハが吸着維持されることを目的とする。
本発明は回転体と固定ハウジングとに二元化してステップモーターを固定ハウジングに設置し、回転体の段階別の回転が精密に行われるようにすることにもその目的がある。
本発明はジグが12インチと8インチウエーハとを兼ねてチャッキング可能にすることを目的とする。
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは、円形の固定ハウジングと、該固定ハウジングの内側で回転可能に設置される回転体と、該回転体の中心部で吸着通路を形成すると共に底部の真空ポートと連結される吸着プレートと、前記回転体を駆動するために前記固定ハウジングの底部に設置されるステップモーターから成るステージ本体と;該本体の固定ハウジングの下部空間を形成するように柱で支えられるベースプレートと;前記本体の外側でウエーハを支える各ジグと;前記ベースプレートが上、下移動するようにその底部でシリンダーロッドで連結されるシリンダーを含んで成ることを特徴とする。
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのジグは12インチウエーハと8インチウエーハとを兼ねて支えるように第1突条部と第2突条部から成ることが好ましい。
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの前記各ジグはウエーハの有無を検出するセンサーをさらに備えることが好ましい。
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのハウジングは回転プレートの回転有無を検出するセンサーをさらに備えることが好ましい。
本発明はこのような従来の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージが有する問題点を改善し、ウエーハが回転プレート上で真空圧力の吸入、排出制御で吸着維持されるようにする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを提供し得るという効果がある。
本発明はこのようなスキャンステージを提供すると共に、その下部のベースプレートを上、下動可能にしてウエーハをローディングする時に下部から引き上げられることが容易であるという効果がある。
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのウエーハ吸着プレートが、固定手段から回転手段が分離されて回転する新しいタイプのスキャンステージを提供し得るという効果がある。
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの外郭側でウエーハをローディングする時に分離が容易になるように独立的な各ジグを備えたスキャンステージを提供し得るという効果がある。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは前記目的を達成すると共に、ウエーハの搭載有無を検出するか、または回転体の回転有無を検出する手段を提供し得るという効果がある。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは吸着プレート構造が改善されて固定ハウジングの内側で回転可能にすると共に、回転体の上面でウエーハが真空吸着する吸着口を形成して真空ラインと真空ポートとしてスキャンステージ上にウエーハが吸着維持されるという効果がある。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは回転体と固定ハウジングとに二元化してステップモーターを固定ハウジングに設置して回転体の段階別の回転が精密に行われるという効果がある。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのジグは12インチと8インチウエーハとを兼ねてチャックキング可能にした効果がある。
以下、本発明の好ましい実施形態について添付図面を用いて具体的に説明する。
添付図面のうち図1aは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の全体外部を示す斜視図で、図1bは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す平面概略図である。
前記各図面に示す本明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置は全体的に外部と遮断された空間内で、特に、入口部に位置してウエーハサイズのうち300mm、200mm、150mmでウエーハカセットを区分して開放するオープナー700と、該オープナー700に安着されたカセット内のウエーハをつかんで移送するロボットアーム600と、該ロボットアーム600によって移送されたウエーハ表面の1次酸化膜を分解する本発明によるVPDユニット100と、酸化膜が分解されたウエーハを支持した状態で回転させるスキャンステージ400と、該スキャンステージ400上に位置したウエーハ上に溶液を接触させるためにスキャニングユニット500がx、y、z軸の3軸移動して吸入、洗浄部300で試薬を吸入した後、移動してスキャンステージ400上のウエーハでスキャニングが行われ、以後に分析装置200のボトル内にスキャニングされた溶液を排出するようになり、排出後のノズルは吸入、洗浄部300でノズル内を洗浄した後、試薬を再吸入した後にスキャニング動作が繰り返される。スキャニングに関してはその説明を省略する。即ち、ノズル内の溶液が所定量吸入された状態でウエーハの所定位置に至ると、ウエーハを回転させながら溶液を一部排出させてウエーハの表面上に接触するようにする。大部分の表面を直線方向に移動すると同時にウエーハを回転させて、ウエーハ表面の大部分に溶液が接触しながら汚染物質が捕集される。この捕集された汚染物質の溶液をノズルの吸入状態で分析機に移動して空いた空間のボトルに排出させる。
以後、試験が終わった各ウエーハを移送ユニットロボットアームがアライナに移動させて各ウエーハのIDを認識すると同時に整列させてカセットに移して入れるようになる。
このような汚染物質が含まれた溶液をボトルに排出することで、本発明の全体的な装置の動作は終わる。次いで、ユーザーは測定装備を用いてボトルごとの汚染度を測定するようになるのである。
添付図面のうち図2は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを抜粋して示す斜視図で、図3は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの底部を抜粋して示す斜視図で、図4は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の一部を切開したスキャンステージの抜粋斜視図である。
前記各図面に示す本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは、スキャンステージ本体10と、ベースプレート20と、各ジグ30から成る。
まず、前記ステージ本体10は円形の固定ハウジング11と、該固定ハウジング11の内側で回転可能に設置される回転体12と、該回転体12の中心部で吸着通路15(図7c参照)を形成すると共に上面には吸着孔13を成し、底部には真空ポート16と連結される吸着プレート14と、前記回転体12を駆動するために前記固定ハウジング11の底部に設置され、前記回転体12の軸と噛み合って回転するようにするステップモーター17から成る。
したがって、前記真空ポート16により前記吸着プレート14に近接したウエーハを吸着孔13で真空吸入して吸着維持し、ウエーハが吸着された回転体12は下方のステップモーター17により駆動されて回転されるようになる。該回転体12の回転によりウエーハが回転することで、前述したスキャニング作業が行われる。
あるいは、前記回転体12と吸着プレート14とを分離することなく、一体に構成することができ、この時、前記吸着プレート14には吸着孔13の代わりに真空ポート16と連通される真空ライン15(図7c参照)と連通すると共に、前記吸着プレート14の上面に突出する吸着口19(図7a〜c参照)を形成して実施することができる。
一方、前記固定ハウジング11は前記吸着プレート14の回転の有無を検出するセンサー18を形成して前記回転体12の初期回転位置を検出するようになる。
前記ベースプレート20は前記ステージ本体10の固定ハウジング11の下部空間を形成するように各柱22で支えられ、前記ベースプレート20は上、下移動するようにその底部にシリンダーロッド23(図5a参照)で連結されるシリンダー24を設置して成る。
各ジグ30は前記ステージ本体10の外側でウエーハを支えるようにするもので、図面上の三つを円形上3等分して配置し、前記固定ハウジング11とは独立的に設置するが、12インチ、8インチのウエーハを選択的に搭載するようになる。
このようなジグ30は12インチウエーハと8インチウエーハとを兼ねて支えるように第1突条部32と第2突条部34から成る。
夫々のジグ30にはウエーハの有無を検出するセンサー32a、34aを設置し、該当ウエーハの有無および12インチ、8インチのサイズを区別する。
添付図面のうち図5a、5bは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇、下降作用図である。
以下、前記各図面を用いて本発明スキャンステージの昇下降作用を説明する。
前記ベースプレート20の下方に位置したシリンダー24は下降状態である(図5a)。以後、前記シリンダー24を動作させてシリンダーロッド23を押し上げると、該シリンダーロッド23の上方に連結されたベースプレート20が上方移動する(図5b)。
前記ベースプレート20の各柱22は固定ハウジング11を支えているから、該固定ハウジング11を上昇させることで、前記吸着プレート14に搭載されたウエーハにロボットアームのエンドエフェクティングが可能になる。
前記固定ハウジング11の下部にはステップモーター17で前記回転体12(図2参照)を回転させるために軸との間にギア接続構造を有することが好ましい(本発明では具体的な構造を省略)。
前記真空ポート16の真空を解除すると共に、各ジグ30の上に搭載されたウエーハをスキャンアームがエンドエフェクティングするように上向移動させるようになり、これは前記シリンダー24の動作で上昇するようになり、ウエーハが所定の高さに上昇すると、ロボットアーム(スキャンアーム)がウエーハを持ち上げて移動させるようになる。
添付図面のうち図6a、6bは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。
前記各図面に示すように、本発明によるスキャンステージの各ジグ30は前記ステージ本体10の外側でウエーハを支えるように三つが3等分されて配置されていて、12インチウエーハと8インチウエーハとを兼ねて支えるように第2突条部34と第1突条部32を一つのジグ30に夫々形成して成り、各ジグ30にはこのようなウエーハの搭載有無を検出するセンサー32a、34a(図2参照)を有しているから、該当ウエーハの搭載有無を検出するようになる。
すなわち、図6aは8インチウエーハが搭載された状態であって、各ジグ30の第1突条部32に位置しているが、図6bは12インチウエーハが第2突条部34に位置していることを示している。
添付図面のうち図7a、7b、7cは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。
本実施形態の吸着プレート14もウエーハを搭載すると同時に前記真空ポート16により吸着させてウエーハの流動を防止する。
すなわち、前記吸着プレート14は底部の真空ポート16で吸着プレート14の内部に形成された真空ライン15に連通され、該真空ライン15で数個の吸着口19が突出形成されて成る。
このような本発明による吸着プレート14は真空ポート16によりウエーハを吸着維持すると同時に、前記固定ハウジング11の下部に設置されたステップモーター17で回転体12を所定速度で回転させながら汚染物質のスキャニング作業が行われる。
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の全体外部を示す斜視図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す平面概略図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを抜粋して示す斜視図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの底部を抜粋して示す斜視図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の一部を切開したスキャンステージを示す抜粋斜視図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇下降作用図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇下降作用図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。 本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。 従来の半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す斜視図である。
符号の説明
10 ステージ本体
11 固定ハウジング
12 回転体
13 吸着通路
14 吸着プレート
16 真空ポート
17 ステップモーター
20 ベースプレート
22 柱
24 シリンダー
30 ジグ

Claims (6)

  1. 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージにおいて、
    円形の固定ハウジングと、該固定ハウジングの内側において回転可能に設置されてその中心部で吸着通路を形成すると共に底部の真空ポートと連結され、外側の回転力によって回転する吸着プレートと、該吸着プレートを駆動するために前記固定ハウジングの底部に設置され、前記吸着プレートに接続されるステップモーターから成るステージ本体;
    該ステージ本体の固定ハウジングの下部空間を形成するように柱で支えられるベースプレート;
    該ベースプレートが上、下移動するようにその底部でシリンダーロッドに連結されるシリンダー;および
    前記ステージ本体の外側でウエーハを支える各ジグを含むことを特徴とする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
  2. 前記吸着プレートはその外側にステップモーターで駆動される回転体をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
  3. 前記ジグは12インチウエーハと8インチウエーハとを兼ねて支えるように第1突条部と第2突条部から成ることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
  4. 前記各ジグはウエーハの搭載有無を検出するセンサーをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
  5. 前記固定ハウジングは回転体の回転有無を検出するセンサーをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
  6. 前記吸着プレートは、
    固定ハウジングの内側で回転可能に設置され、該吸着プレートの上面に吸着口を形成すると共に内部で真空ラインを成し、底部の真空ポートと連通されることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
JP2008264113A 2008-04-03 2008-10-10 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ Active JP4971283B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080031130A KR100970243B1 (ko) 2008-04-03 2008-04-03 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캔 스테이지
KR10-2008-0031130 2008-04-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009250972A true JP2009250972A (ja) 2009-10-29
JP4971283B2 JP4971283B2 (ja) 2012-07-11

Family

ID=41132373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008264113A Active JP4971283B2 (ja) 2008-04-03 2008-10-10 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7975996B2 (ja)
JP (1) JP4971283B2 (ja)
KR (1) KR100970243B1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100970243B1 (ko) * 2008-04-03 2010-07-16 코리아테크노(주) 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캔 스테이지
US20130291365A1 (en) * 2012-05-03 2013-11-07 Fluke Corporation Accessory mounting system
CN104377156A (zh) * 2014-09-26 2015-02-25 南通富士通微电子股份有限公司 一种固定装置
KR101653987B1 (ko) * 2015-04-10 2016-09-05 엔비스아나(주) 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법
KR102295704B1 (ko) * 2016-02-26 2021-08-30 엔비스아나(주) 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법
CN106002682B (zh) * 2016-06-03 2017-07-14 广东工业大学 一种五金件通用夹具
CN105973672A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 湖南万通科技股份有限公司 一种物料缩分设备
US11049741B2 (en) * 2017-12-01 2021-06-29 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
KR102267278B1 (ko) * 2020-10-08 2021-06-21 주식회사 위드텍 운송 인클로저 내부 오염도 측정 및 운송 인클로저에 포함된 웨이퍼의 표면오염 동시 측정 시스템.

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385330A (ja) * 1986-09-29 1988-04-15 Shimadzu Corp 試料台
JPH04287922A (ja) * 1991-01-22 1992-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置
JPH07176580A (ja) * 1993-11-02 1995-07-14 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ表面の不純物の分析方法およびその装置
JPH07174676A (ja) * 1993-11-05 1995-07-14 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 気中不純物捕集方法、並びに気中不純物量測定方法、並びに気中不純物捕集装置、並びに気中不純物量測定装置
JPH08159935A (ja) * 1994-12-12 1996-06-21 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 全反射蛍光x線分析器用サンプル作製装置
JPH1126549A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Nidek Co Ltd 半導体ウェハ搬送装置
JP2007142292A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Advanced Mask Inspection Technology Kk 基板検査装置
JP2008060278A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Hitachi High-Technologies Corp 位置決め装置、ステージおよび検査または処理の装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3787039A (en) * 1972-02-04 1974-01-22 R Zeichman Pneumatic hold down table
US4320580A (en) * 1980-09-03 1982-03-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and device for determining the position of a cutting tool relative to the rotational axis of a spindle-mounted workpiece
US5065495A (en) * 1987-06-10 1991-11-19 Tokyo Electron Limited Method for holding a plate-like member
US5028182A (en) * 1990-03-23 1991-07-02 Kyung Park Vacuum absorption device for use in glass sheet chamfering apparatus
KR0136427B1 (ko) * 1995-04-14 1998-04-24 이대원 평면 스텝 모터를 이용한 노광 장비 스테이지의 미소 각도 보정장치 및 그 방법
US5685513A (en) * 1995-05-17 1997-11-11 Nihon Biso Co., Ltd. Vacuum-suction attachment pad
US5590870A (en) * 1995-06-02 1997-01-07 Advanced Machine & Engineering Co. Universal holding system for a contoured workpiece
KR100383264B1 (ko) * 2001-03-21 2003-05-09 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 오염물질 포집장치 및 포집방법
KR100479308B1 (ko) * 2002-12-23 2005-03-28 삼성전자주식회사 기판상의 불순물을 포집하기 위한 장치 및 이를 이용한불순물 포집방법
KR100532200B1 (ko) * 2003-02-21 2005-11-29 삼성전자주식회사 불순물 포집 장치 및 방법
JP2008034553A (ja) 2006-07-27 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
KR100970243B1 (ko) * 2008-04-03 2010-07-16 코리아테크노(주) 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캔 스테이지

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385330A (ja) * 1986-09-29 1988-04-15 Shimadzu Corp 試料台
JPH04287922A (ja) * 1991-01-22 1992-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置
JPH07176580A (ja) * 1993-11-02 1995-07-14 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ表面の不純物の分析方法およびその装置
JPH07174676A (ja) * 1993-11-05 1995-07-14 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 気中不純物捕集方法、並びに気中不純物量測定方法、並びに気中不純物捕集装置、並びに気中不純物量測定装置
JPH08159935A (ja) * 1994-12-12 1996-06-21 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 全反射蛍光x線分析器用サンプル作製装置
JPH1126549A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Nidek Co Ltd 半導体ウェハ搬送装置
JP2007142292A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Advanced Mask Inspection Technology Kk 基板検査装置
JP2008060278A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Hitachi High-Technologies Corp 位置決め装置、ステージおよび検査または処理の装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7975996B2 (en) 2011-07-12
KR100970243B1 (ko) 2010-07-16
JP4971283B2 (ja) 2012-07-11
US20090250569A1 (en) 2009-10-08
KR20090105586A (ko) 2009-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4971283B2 (ja) 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ
JP4903764B2 (ja) 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のvpdユニットとそのドア開閉装置
KR100968781B1 (ko) 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 스캐닝 암과, 이를이용한 스캐닝 유닛
JP3603278B2 (ja) 蛍光x線分析システムおよびそれに用いるプログラム
US11441975B2 (en) Controlling method of preprocessing apparatus
KR101581376B1 (ko) 기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법
JP3584262B2 (ja) 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム
KR100383264B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 오염물질 포집장치 및 포집방법
KR101448911B1 (ko) 자성 입자를 이용한 분석물질의 전처리 장치, 이를 이용한 분석물질의 검출장치 및 검출방법
CN114424067A (zh) 自动取样装置和方法
CN217766212U (zh) 自动进样设备
US7255114B2 (en) Ion sampling system for wafer
CN216067498U (zh) 一种用于测试大直径硅片背面金属含量的新型机械手
JPH02229428A (ja) 半導体処理装置
JP2000187038A (ja) オートサンプラ
JP6610127B2 (ja) 液体分注装置及び液体分注方法
CN1278403C (zh) 晶圆表面离子取样系统及方法
JP3627918B2 (ja) 半導体基板の表面評価分析装置とそれに用いる冶具
WO1997040357A1 (fr) Equipement d'extraction automatique et equipement de mesure automatique de la concentration d'une substance constitutive d'un echantillon liquide
JPH11160208A (ja) X線分析用試料調整方法および装置
JP2004069502A (ja) 局所微量化学分析の不純物回収方法及びその不純物回収装置
JP2001074753A (ja) 自動分析装置
KR930002514B1 (ko) 반도체기판 표면불순물 회수장치
KR20240092673A (ko) 시료 자동 분석장치
JP3629535B2 (ja) 蛍光x線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光x線分析システム

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090811

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090812

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090917

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120327

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120405

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4971283

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250