JP2009245674A - 荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法 - Google Patents
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Abstract
パターンの形状や試料特性に応じて,高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや,設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより,画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し,画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに,設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより,類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。
【選択図】 図1
Description
撮像画像や撮像条件のみでは,画像上の各領域における試料特性情報が得られず,また画像上において空間的に離れた領域が,同様の試料特性(材質特性・電気特性・レイヤ特性等)を有しているか否かを判別することができない。このため,各領域に対して試料特性に応じて適切な画質改善処理を施したり,試料特性の差異を顕在化したり,特定の特性を持つ試料のみを強調したりといった処理を施すことができない。
従来手法において,異なる領域間のコントラストを強調したり,領域毎に処理パラメータを最適化するような処理を行うためには,画像の領域分割を行う必要がある。しかし,領域分割には長い処理時間を要するという問題があり,領域分割の精度と処理時間の両立が困難である。
ユーザが特に観察したい試料上の領域は,設計データとの差が大きい領域である場合が多い。このような領域を自動で強調するような画質改善処理は,従来手法では困難である。
図5(b)に本実施例における画質改善部226’’’の構成を示す。図2で説明した画質改善部226と同じ機能を有する部分は、同じ番号を付している。本実施例における画質改善部226’’’は、設計データ読込102を行う設計データ読込部231,位置合わせ103を行う位置合わせ部232,撮像画像111のセグメンテーションを行うセグメンテーション部236、および画質改善処理502を行う画質改善処理部233’’’を備えている。
Claims (10)
- 集束させた荷電粒子ビームをパターンが形成された試料の表面に照射して走査する荷電粒子ビーム照射部と、該荷電粒子照射部により荷電粒子ビームを照射して走査することにより前記試料から発生する二次荷電粒子を検出して前記試料表面の二次荷電粒子像を生成する二次荷電粒子像取得部とを備えた荷電粒子像取得手段と、
該荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像を処理する画質改善手段と、
該画像処理手段で処理した結果を出力する出力手段と
を備えた荷電粒子顕微鏡装置であって、
前記画質改善手段は、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後,前記試料上に形成したパターンの設計データを用いて前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする荷電粒子顕微鏡装置。 - 前記荷電粒子像取得手段は走査型電子顕微鏡(SEM)であって、前記画質改善手段は、前記走査型電子顕微鏡(SEM)で取得した試料のSEM画像の画質を改善することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子顕微鏡装置。
- 前記荷電粒子顕微鏡装置は,さらに前記画質改善手段で画質を改善した画像を処理して前記試料の欠陥検出、欠陥画像の取得、または前記パターンの寸法計測の何れかの処理を行う画像処理手段と有することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子顕微鏡装置
- 前記画質改善手段は、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後に、前記設計データのパターン形状情報を修正し、該形状情報を修正した設計データを用いて前記二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子顕微鏡装置。
- 前記画質改善手段は、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後に、設計情報を用いて前記二次荷電粒子像を領域分割し、前記設計データを用いて該領域分割した前記二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子顕微鏡装置。
- 集束させた荷電粒子ビームをパターンが形成された試料の表面に照射して走査することにより前記試料から発生する二次荷電粒子を検出して前記試料表面の二次荷電粒子像を生成し、該生成した前記試料表面の二次荷電粒子像を処理する荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法であって、
前記試料上に形成したパターンの設計データと前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後,前記試料上に形成したパターンの設計データを用いて前記生成した試料表面の二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法。 - 前記集束させた荷電粒子ビームが電子ビームであって前記試料表面の二次荷電粒子像はSEM画像であり、前記試料表面のSEM画像の画質を前記設計データを用いて改善することを特徴とする請求項6記載の荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法。
- 前記画質を改善することを、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後に、設計情報または試料特性情報を用いて前記二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする請求項6記載の荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法。
- 前記画質を改善することを、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後に、前記設計データのパターン形状情報を修正し、該形状情報を修正した設計データを用いて前記二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする請求項6記載の荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法。
- 前記画質を改善することを、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後に、設計情報を用いて前記二次荷電粒子像を領域分割し、前記設計データを用いて該領域分割した前記二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする請求項6記載の荷電粒子顕微鏡装置を用いた画像処理方法。
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