JP2000266706A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＡＤ上のレイアウト画像とＳＥＭ画像との
間におけるマッチングを高い精度で処理することができ
る倹素装置および検査方法を提供する。 【解決手段】 半導体デバイス４に電子ビーム２を照射
して表面から発生する二次電子および反射電子を検出し
て画像信号を出力し、この画像信号を処理してＳＥＭ画
像を形成するＳＥＭと、ＣＡＤ設計情報に基づいて半導
体デバイス４の表面部のレイアウト画像を表示する表示
部１４と、レイアウト画像と二次元電子像との形状誤差
を補正した上で、画像マッチングによりそれぞれの座標
系の対応関係を算出する画像照合部１９とを備え、画像
照合部１９により得られた上記対応関係に基づいてレイ
アウト画像上で指示する所望の検査箇所に対応する半導
体デバイス４上の箇所を算出し、偏向コイル制御部８に
制御信号を供給して算出した箇所に電子ビーム２が照射
されるように偏向コイルを制御してＳＥＭ画像を取得す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子ビームを用いた
検査装置および検査方法に関し、特に、ＣＡＤ上のレイ
アウト情報と実際のＳＥＭ画像との間におけるマッチン
グ精度が高い検査装置および検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子ビームテスタにおいては、被
試験体である、例えば半導体デバイスの表面の観測ポイ
ントを決定する際に、電子ビームテスタで得られるＳＥ
Ｍ(Scanning Electron Microscope)画像上で指定してい
たが、近年これをＣＡＤ(Computer Aided Design)のレ
イアウト画像上で指定する手法が行われるようになっ
た。これはＣＡＤによる設計情報に基づくレイアウトを
ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)などの画面上に表示したレイ
アウト画像上で所望の検査点を指定し、指定した点が、
実際のＳＥＭ画像上のどの点に相当するかを算出するこ
とにより、実際に測定する箇所を求めようとするもので
ある。この手法によれば、予めＣＡＤ上で観測すべき点
を指定しておくことにより、実際の測定時に人間が指示
を要することなく無人で測定を行えるという利点があ
る。

【０００３】上記手法においては、観測箇所を抽出する
ために、レイアウト画像とＳＥＭ画像との間でマッチン
グを行うことになる。即ち、２つの画像を相互に対比し
てその形状がほぼ一致しているか否かを調べ、ほぼ一致
していれば両者の座標系の対応関係を算出し、この対応
関係に基づいてレイアウト画像上で指定した観測箇所
が、ＳＥＭ画像上のどの箇所に相当するかを算出する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
デバイスのより一層の微細化に伴い、このマッチングが
困難となってきている。例えば、半導体デバイスの表面
部に形成された金属配線を電子ビームテスタで観測する
場合、電子ビームテスタでは、直接配線を観測するので
はなく、配線上に形成された保護膜の形状を観測してい
る。即ち、ＣＡＤデータ上で例えば幅１ミクロンの配線
があったとしても、電子ビームテスタにより取得される
二次元電子像上では１ミクロンの配線の上に被せられた
保護膜の幅として認識されるため、１ミクロンを超える
配線幅として観測されてしまう。さらに、バスラインの
ように複数の配線が平行に配置されているような場合
は、配線と配線との間隙に保護膜が埋め込まれてしまう
ため、二次元電子像上ではこのような配線と配線の間隙
は観測できず、バスライン全体の短手方向における端か
ら端までの長さに相当する幅を有する幅広い配線のよう
に観測されてしまう。つまり、画像マッチングを行うＣ
ＡＤのレイアウト画像と、電子ビームテスタから得られ
る二次元電子像とでは、同じ場所の画像であったとして
も両者の画像は大きく異なってしまうことになる。従っ
て、配線の幅が狭くなればなるほど正確な観測位置の抽
出が必要になるにもかかわらず、前述したレイアウト画
像と電子ビームテスタから得られる二次元電子像とが異
なる現象は、配線の幅と配線間隔が狭くなればなるほど
顕著になり、その分マッチングによる誤差も大きくなっ
てしまうという問題が生じていた。

【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、ＣＡＤ上のレイアウト画像と二次元
電子像との間におけるマッチングを高い精度で処理する
ことができる検査装置および検査方法を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の手段に
より上記課題の解決を図る。

【０００７】即ち、本発明にかかる検査装置は、電子ビ
ームを発生させて被検査体に照射する電子ビーム照射手
段と、この電子ビームの照射により上記被検査体の表面
から発生する二次電子および反射電子を検出して画像信
号を出力する二次電子検出手段と、上記画像信号を処理
して上記被試験体の物理的・電気的状態を表す二次元電
子像を出力する画像処理手段と、上記被検査体の設計情
報に基づいて上記被検査体の表面部のレイアウト画像を
表示する表示手段と、上記被試験体の表面構造に起因し
て発生する、上記レイアウト画像と上記二次元電子像と
の形状誤差を補正し、上記レイアウト画像の座標系と上
記二次元電子像の座標系との対応関係を算出する画像照
合手段と、この対応関係に基づいて上記レイアウト画像
内の所望の検査箇所に対応する上記被検査体上の位置に
上記電子ビームが照射されるように上記電子ビームの照
射位置を制御する制御手段と、を備えることを特徴とす
る。

【０００８】上記検査装置は、上記被検査体を上面に載
置して水平面内で移動させるステージと、上記電子ビー
ムを偏向させてその照射位置を制御する電子ビーム偏向
手段と、をさらに備え、上記制御手段は、上記所望の検
査箇所にほぼ対応する上記被検査体上の位置に上記電子
ビームが照射されるように上記ステージを制御して上記
二次元電子画像を取得し、上記対応関係に基づいて所望
の検査箇所に対応する上記被検査体上の位置に上記電子
ビームが照射されるように上記電子ビーム偏向手段を制
御することが好ましい。

【０００９】また、上記画像照合手段は、上記設計情報
に基づいて上記形状誤差を予め設定し、これに基づいて
上記レイアウト画像を補正して補正レイアウト画像を作
成する画像補正手段と、上記被検査体に上記電子ビーム
を照射して得られた二次元電子画像と上記補正レイアウ
ト画像とを対比する画像対比手段と、上記二次元電子像
の形状と上記補正レイアウト画像の形状とが略一致する
場合に、上記レイアウト画像上の所望の検査箇所に対応
する、上記二次元電子像内の箇所の位置を算出する演算
手段と、を含むことが望ましい。

【００１０】さらに、上記画像照合手段は、上記形状誤
差を設定するための所定の係数を格納する記憶手段をさ
らに含み、上記レイアウト画像から上記被試験体の最上
層における配線のパターンである第１のパターンの輪郭
線を抽出し、上記所定の係数に基づく幅を有し上記第１
のパターンの輪郭線から上記配線の外側方向へ拡大させ
た外側輪郭線と上記第１のパターンと同一形状の内側輪
郭線とで囲まれる第２のパターンを形成し、この第２の
パターンから、相互に直交する領域を除き、隣合う領域
同士で相互に重なる領域と相互に接する領域とを削除す
ることにより、上記補正レイアウト画像を作成するとよ
り好適である。

【００１１】また、本発明にかかる検査方法は、被検査
体に電子ビームを照射する第１の過程と、この電子ビー
ムの照射により上記被検査体の表面から発生する二次電
子および反射電子を検出して画像信号を出力する第２の
過程と、上記画像信号を処理して上記被試験体の物理的
・電気的状態を表す二次元電子像を形成して表示する第
３の過程と、上記被検査体の設計情報に基づいて上記被
検査体の表面部のレイアウト画像を表示する第４の過程
と、上記被試験体の表面構造に起因して発生する、上記
レイアウト画像と上記二次元電子像との形状誤差を補正
し、上記レイアウト画像の座標系と上記二次元電子像の
座標系との対応関係を算出する第５の過程と、上記対応
関係に基づいて上記レイアウト画像上で指示する所望の
検査箇所に対応する上記被試験体上の箇所を算出し、上
記第１の過程から上記第３の過程を繰返して上記所望の
箇所に対応する上記被試験体上の箇所の二次元電子像を
出力する第６の過程と、を備えることを特徴とする。

【００１２】上記第５の過程は、上記設計情報に基づい
て上記形状誤差を予め設定し、これに基づいて上記レイ
アウト画像を補正して補正レイアウト画像を作成する過
程と、上記被検査体に上記電子ビームを照射して得られ
た二次元電子像と上記補正レイアウト画像とを対比する
過程と、二次元電子画像の形状と上記補正レイアウト画
像の形状とが略一致する場合に、上記レイアウト画像上
の所望の検査箇所に対応する、上記二次元電子像内の箇
所の位置を算出する過程と、を含むことが好ましい。

【００１３】さらに、上記補正レイアウト画像を作成す
る過程は、上記レイアウト画像から上記被試験体の最上
層における配線のパターンである第１のパターンの輪郭
線を抽出する過程と、上記所定の係数に基づく幅を有し
上記第１のパターンの輪郭線から上記配線の外側方向へ
拡大させた外側輪郭線と上記第１のパターンと同一形状
の内側輪郭線とで囲まれる第２のパターンを形成する過
程と、この第２のパターンから、相互に直交する領域を
除き、隣合う領域同士で相互に重なる領域と相互に接す
る領域とを削除する過程と、を含むとより好適である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のいく
つかについて図面を参照しながら説明する。なお、以下
の各図において、同一の部分は、同一の参照番号を付し
てその説明を適宜省略する。

【００１５】まず、本発明にかかる検査装置の実施の一
形態について図面を参照しながら説明する。

【００１６】図１は、本実施形態の検査装置である電子
ビームテスタの概略構成を示すブロック図である。同図
に示す電子ビームテスタ２０は、被検査体である半導体
デバイス４を搭載してＸ−Ｙ方向に移動させるステージ
６と、このステージ６を制御するステージ制御部１０
と、電子ビーム２を発生させる電子銃１と、この電子ビ
ーム２を偏向させて半導体デバイス４に照射させる偏向
コイル３と、この偏向コイル３を制御する偏向コイル制
御部８と、電子ビーム２の照射により半導体デバイス４
から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子
（以下、二次電子等という）５を検出して半導体デバイ
ス４の表面部の物理的・電気的特性を表す画像信号を出
力する二次電子検出器７と、この画像信号を受けて所望
のデータ（例えば電圧波形、ＳＥＭ画像等）に変換する
信号処理部９と、ＣＡＤによる設計データを格納するメ
モリ１６と、この設計データを受けて半導体デバイス４
のレイアウトを表示するＣＡＤレイアウト表示部１４
と、制御コンピュータ１１とを備えている。信号処理部
９は本実施形態における二次元電子像としてＳＥＭ画像
を出力する。

【００１７】制御コンピュータ１１は、制御部１７の
他、本実施形態において特徴的な画像照合部１９を含
む。

【００１８】画像照合部１９は、ＣＡＤ設計データを受
けて所定の画像処理を経て後述する補正レイアウト画像
を作成する画像補正部１３と、この補正レイアウト画像
と上述したＳＥＭ画像とのマッチングを行う画像対比手
段であるマッチング部１２と、メモリ１５とを備えてい
る。メモリ１５は補正レイアウト画像を作成するための
係数であるパラメータを格納する。

【００１９】制御部１７は、ステージ６の座標系とＣＡ
Ｄレイアウト表示部１４の座標系との相関関係を管理し
ており、ＣＡＤレイアウト表示部１４の表示箇所を変更
すればこの変更に応じてステージ６も移動できるように
制御信号をステージ制御部１０に供給する。

【００２０】図１に示す電子ビームテスタの動作を本発
明にかかる検査方法の実施の一形態として図２および図
３のフローチャートを参照しながら説明する。

【００２１】まず、図２に示すように、ＣＡＤによる半
導体デバイス４の設計データをメモリ１６から引出して
これに基づく概略レイアウトをＣＡＤレイアウト表示部
１４により表示させ、所望の観測箇所をマウス等のポイ
ンティングデバイス（図示せず）を用いて画像上で指定
すると（ステップＳ１）、制御部１７がＣＡＤの設計デ
ータに基づいて指定された観測箇所を含むレイアウト画
像をＣＡＤレイアウト表示部１４に表示させる（ステッ
プＳ２）。ＣＡＤレイアウト表示部１４に表示されたレ
イアウト画像の一例を図４に示す。同図は被試験体であ
る半導体デバイス４の表面部に形成すべき配線パターン
を示すレイアウト画像であり、垂直方向に列をなすよう
に配置された白地の領域が最上層の配線パターンであ
り、また、水平方向に行をなすように配置された斜線で
示す領域が下層配線のパターンである。

【００２２】ステップＳ２の処理に並行して、制御コン
ピュータ１１は、半導体デバイス４上の領域のうち、Ｃ
ＡＤレイアウト表示部１４に表示されたレイアウト画像
にほぼ対応する箇所が観測できるように、ステージ制御
部１０に制御信号を供給してステージ６を移動させ（ス
テップＳ３）、移動後の箇所で、ＳＥＭ画像を取得し、
画像照合部１９の画像マッチング部１２に転送する（ス
テップＳ４）。

【００２３】この一方、画像照合部１９は、ステップＳ
１およびＳ２によりＣＡＤレイアウト表示部１４に表示
されたレイアウト画像に対して以下のとおり処理する。

【００２４】まず、制御部１７から供給された設計デー
タに基づいて、レイアウト画像のうち最上層の配線（第
１のパターン）のみを塗りつぶした画像に変換し、これ
を画像補正部１３に転送する。図４に示すレイアウト画
像についてこの変換処理を行い画像補正部１３に転送し
た画像の例を図５に示す。なお、同図においては図面作
成の便宜上塗りつぶし領域を梨地で示す。

【００２５】次に、この画像を用いて、配線の内側であ
る配線内領域と配線の外側である配線外領域とを判定す
る（ステップＳ５）。この判定は、画像上の塗りつぶし
領域がどうかで簡単に行うことができる。

【００２６】次に、上述の塗りつぶし処理をした画像か
ら輪郭線を抽出する（ステップＳ６）。輪郭線の抽出
は、塗りつぶし処理後の画像を微分処理することにより
簡単に行うことができる。図５に示す画像から輪郭線を
抽出した例を図６に示す。

【００２７】次に、輪郭線を抽出した画像について、輪
郭線を配線外領域に所定量だけ太らせる（ステップＳ
７）。より具体的には、メモリ１５に記憶されたパラメ
ータを引出し、輪郭線をステップＳ５で判定された配線
外領域の方向に上記パラメータに基づく倍率で拡大さ
せ、上記パラメータに基づく所定の幅を有し、この拡大
された輪郭線が外側輪郭線をなし、元の輪郭線が内側輪
郭線をなすパターン（第２のパターン）を形成する。こ
の処理を図６に示す画像に対して行った画像例を図７に
示す。なお、パラメータの値は、主として、検査対象の
半導体デバイスの表面に形成された保護膜の膜厚に応じ
て設定される。

【００２８】次に、第２のパターンについて、太らせた
領域が隣接する外側輪郭線と接触していないか、または
重なっていないかどうか調べる（ステップＳ８）。接触
する部分または重なる部分がない場合はステップＳ１０
の画像マッチングのステップへ進む。接触する部分また
は重なる部分があれば、これを消去していく。図７の画
像例においては２重斜線で示す部分がこれに該当する。
但し、相互に直交する部分は、消去せずに残しておく
（ステップＳ９）。この処理を行った後の画像が補正レ
イアウト画像に該当する。図４に示すレイアウト画像の
補正レイアウト画像を図８に示す。画像補正部１３はこ
の補正レイアウト画像を画像マッチング部１２に転送す
る。

【００２９】画像マッチング部１２は、ステップＳ４で
得られたＳＥＭ画像およびステップＳ９で得られた補正
レイアウト画像に基づいて画像マッチングを行なう。よ
り具体的には、まず、２つの画像を相互に対比してその
形状がほぼ一致しているか否かを調べ（ステップＳ１
０）、一致している場合は、両者の座標系の対応関係を
算出する（図３、ステップＳ１２）。一致していない場
合は、その旨の警告信号を出力し（ステップＳ１１）、
ステップＳ１に戻り他の測定箇所を指定する。

【００３０】次に、図３に示すように、画像マッチング
部１２は、ステップＳ１０で算出した対応関係に基づい
てレイアウト画像上で指定した観測箇所が、ＳＥＭ画像
上のどの箇所に相当するかを算出する（ステップＳ１
３）。

【００３１】この算出結果を受けて、制御コンピュータ
１１は、偏向コイル制御部８を介して偏向コイル３を操
作し、算出結果に対応する半導体デバイス４上の箇所に
電子ビーム２を移動させて照射し（ステップＳ１４）、
その箇所から放出される二次電子等を検出し、所定の波
形データを求める（ステップＳ１５）。

【００３２】さらに、他に測定する箇所があれば（ステ
ップＳ１６）、ステップＳ１に戻って上述の操作を繰り
返し、他に測定する箇所が無ければ（ステップＳ１
６）、電子ビームテスタ２０の動作を終了させる。

【００３３】このように、本実施形態の検査方法によれ
ば、ＣＡＤの設計データに基づいてレイアウト画像を二
次元電子像に近似するように補正するので、画像マッチ
ングに伴って生じる誤差を極めて小さくすることができ
る。これにより、より微細なパターン形成された半導体
デバイスに対しても、ＣＡＤのレイアウト画像を予め指
定するだけで観測箇所を精密に算出するので、優れた効
率で高精度の自動検査を行うことができる。

【００３４】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は、上記形態に限るものでなく、その趣旨
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができ
る。例えば、上記実施形態では、ＣＡＤによる設計デー
タをメモリに格納してオフラインにて利用する形態につ
いて述べたが、これに限ることなく、ＣＡＤと本発明に
かかる検査装置とを所定のインタフェイスを介して接続
し、オンラインで設計データを引出して利用する形態で
も良い。

【００３５】

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明は、以下の
効果を奏する。

【００３６】即ち、本発明にかかる検査装置によれば、
レイアウト画像と二次元電子像との形状誤差を補正し、
レイアウト画像の座標系と二次元電子像の座標系との対
応関係を算出する画像照合手段を備えているので、画像
マッチングに用いるレイアウト画像をより実際のＳＥＭ
画像に近づけることができ、マッチングによる誤差をよ
り少なくすることができる。これにより、より微細なデ
バイスに対しても観測箇所をＳＥＭ像から高い精度で抽
出し、測定を行うことできる検査装置が提供される。

【００３７】また、本発明にかかる検査方法によれば、
レイアウト画像と二次元電子像との形状誤差を補正し、
レイアウト画像の座標系と二次元電子像の座標系との対
応関係を算出する第５の過程を備えているので、画像マ
ッチングに用いるレイアウト画像をより実際のＳＥＭ画
像に近づけることができ、マッチングによる誤差をより
少なくすることができる。これにより、より微細なデバ
イスに対しても観測箇所をＳＥＭ像から高い精度で抽出
し、測定を行うことできる検査方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる検査装置の実施の一形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図２】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
するフローチャートである。

【図３】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
するフローチャートである。

【図４】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
するレイアウト画像の一例である。

【図５】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
する画像例である。

【図６】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
する画像例である。

【図７】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
する画像例である。

【図８】本発明にかかる検査方法の実施の一形態を説明
する画像例である。

【符号の説明】

１ 電子銃 ２ 電子ビーム ３ 偏向コイル ４ 半導体デバイス（被試験体） ５ 二次電子等 ６ ステージ ７ 二次電子検出器 ８ 偏向コイル制御部 ９ 信号処理部 １０ ステージ制御部 １１ 制御コンピュータ １２ 画像マッチング部 １３ 画像補正部 １４ ＣＡＤレイアウト表示部 １５，１６ メモリ １７ 制御部 １９ 画像照合部 ２０ 電子ビームテスタ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子ビームを発生させて被検査体に照射す
   る電子ビーム照射手段と、 前記電子ビームの照射により前記被検査体の表面から発
   生する二次電子および反射電子を検出して画像信号を出
   力する二次電子検出手段と、 前記画像信号を処理して前記被試験体の物理的・電気的
   状態を表す二次元電子像を出力する画像処理手段と、 前記被検査体の設計情報に基づいて前記被検査体の表面
   部のレイアウト画像を表示する表示手段と、 前記被試験体の表面構造に起因して発生する、前記レイ
   アウト画像と前記二次元電子像との形状誤差を補正し、
   前記レイアウト画像の座標系と前記二次元電子像の座標
   系との対応関係を算出する画像照合手段と、 前記対応関係に基づいて前記レイアウト画像内の所望の
   検査箇所に対応する前記被検査体上の位置に前記電子ビ
   ームが照射されるように前記電子ビームの照射位置を制
   御する制御手段と、を備える検査装置。
2. 【請求項２】前記被検査体を上面に載置して水平面内で
   移動させるステージと、 前記電子ビームを偏向させてその照射位置を制御する電
   子ビーム偏向手段と、をさらに備え、 前記制御手段は、前記所望の検査箇所にほぼ対応する前
   記被検査体上の位置に前記電子ビームが照射されるよう
   に前記ステージを制御して前記二次元電子画像を取得
   し、前記対応関係に基づいて所望の検査箇所に対応する
   前記被検査体上の位置に前記電子ビームが照射されるよ
   うに前記電子ビーム偏向手段を制御することを特徴とす
   る請求項１に記載の検査装置。
3. 【請求項３】前記画像照合手段は、 前記設計情報に基づいて前記形状誤差を予め設定し、こ
   れに基づいて前記レイアウト画像を補正して補正レイア
   ウト画像を作成する画像補正手段と、 前記被検査体に前記電子ビームを照射して得られた二次
   元電子画像と前記補正レイアウト画像とを対比する画像
   対比手段と、 前記二次元電子像の形状と前記補正レイアウト画像の形
   状とが略一致する場合に、前記レイアウト画像上の所望
   の検査箇所に対応する、前記二次元電子像内の箇所の位
   置を算出する演算手段と、を含むことを特徴とする請求
   項１または２に記載の検査装置。
4. 【請求項４】前記画像照合手段は、前記形状誤差を設定
   するための所定の係数を格納する記憶手段をさらに含
   み、 前記レイアウト画像から前記被試験体の最上層における
   配線のパターンである第１のパターンの輪郭線を抽出
   し、前記所定の係数に基づく幅を有し前記第１のパター
   ンの輪郭線から前記配線の外側方向へ拡大させた外側輪
   郭線と前記第１のパターンと同一形状の内側輪郭線とで
   囲まれる第２のパターンを形成し、この第２のパターン
   から、相互に直交する領域を除き、隣合う領域同士で相
   互に重なる領域と相互に接する領域とを削除することに
   より、前記補正レイアウト画像を作成することを特徴と
   する請求項３に記載の検査装置。
5. 【請求項５】被検査体に電子ビームを照射する第１の過
   程と、 前記電子ビームの照射により前記被検査体の表面から発
   生する二次電子および反射電子を検出して画像信号を出
   力する第２の過程と、 前記画像信号を処理して前記被試験体の物理的・電気的
   状態を表す二次元電子像を形成して表示する第３の過程
   と、 前記被検査体の設計情報に基づいて前記被検査体の表面
   部のレイアウト画像を表示する第４の過程と、 前記被試験体の表面構造に起因して発生する、前記レイ
   アウト画像と前記二次元電子像との形状誤差を補正し、
   前記レイアウト画像の座標系と前記二次元電子像の座標
   系との対応関係を算出する第５の過程と、 前記対応関係に基づいて前記レイアウト画像上で指示す
   る所望の検査箇所に対応する前記被試験体上の箇所を算
   出し、前記第１の過程から前記第３の過程を繰返して前
   記所望の箇所に対応する前記被試験体上の箇所の二次元
   電子像を出力する第６の過程と、を備える検査方法。
6. 【請求項６】前記第５の過程は、 前記設計情報に基づいて前記形状誤差を予め設定し、こ
   れに基づいて前記レイアウト画像を補正して補正レイア
   ウト画像を作成する過程と、 前記被検査体に前記電子ビームを照射して得られた二次
   元電子像と前記補正レイアウト画像とを対比する過程
   と、 二次元電子画像の形状と前記補正レイアウト画像の形状
   とが略一致する場合に、前記レイアウト画像上の所望の
   検査箇所に対応する、前記二次元電子像内の箇所の位置
   を算出する過程と、を含むことを特徴とする請求項５に
   記載の検査方法。
7. 【請求項７】前記補正レイアウト画像を作成する過程
   は、 前記レイアウト画像から前記被試験体の最上層における
   配線のパターンである第１のパターンの輪郭線を抽出す
   る過程と、 前記所定の係数に基づく幅を有し前記第１のパターンの
   輪郭線から前記配線の外側方向へ拡大させた外側輪郭線
   と前記第１のパターンと同一形状の内側輪郭線とで囲ま
   れる第２のパターンを形成する過程と、 この第２のパターンから、相互に直交する領域を除き、
   隣合う領域同士で相互に重なる領域と相互に接する領域
   とを削除する過程と、を含むことを特徴とする請求項６
   に記載の検査方法。