JP4262592B2 - パターン計測方法 - Google Patents
パターン計測方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4262592B2 JP4262592B2 JP2003432012A JP2003432012A JP4262592B2 JP 4262592 B2 JP4262592 B2 JP 4262592B2 JP 2003432012 A JP2003432012 A JP 2003432012A JP 2003432012 A JP2003432012 A JP 2003432012A JP 4262592 B2 JP4262592 B2 JP 4262592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- image
- measurement
- model data
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
Description
本発明の第1の目的は、このような複雑な形状を持つ対象パターンに対して、SEMを用いて所望の箇所を計測するために必要な画像処理パラメタを容易に設定する手段を提供することである。
また、本発明の別の目的は、実際に形成されたパターンの立体形状を、非破壊で正確に評価することを可能にする手段を提供することである。
次に、得られた各箇所の寸法を用いて、断面モデルデータの寸法を変更して表示用のデータを作成する(ステップ1052)。例えば、最下層のボトム幅計測値がモデルデータよりも10nm細ければ、10nm細くしたデータを作成する。最後に、作成されたデータを断面形状として画面に表示する(ステップ1053)。立体形状は横方向の寸法だけではなく、高さも評価する必要があるが、多くの構造は、パターンの高さは成膜により決まり、また膜厚は膜厚計などの別の方法により十分な精度に管理されていることが多いため、横方向の寸法だけの評価でもおおよその立体形状を推定することは可能である。このように、計測された結果とモデルデータを用いることで、立体形状の推定が可能となる。このとき,膜厚計測結果あるいは成膜の仕様値を用いて各層の高さ(厚さ)とする。これらのデータは膜厚計あるいは設計データなどからネットワーク経由で入手することが可能である。
また一般に、反射電子像は、対象物の原子番号に依存して、信号量が変化することが知られており、材質依存性が高い。このため、図3(b)や図3(e)のように、異なる材質の組み合わせにより形成されているパターンでは、反射電子像を用いることで、2次電子よりも高精度な計測が可能となる。また、第8の実施例と同様に、反射電子のチルト像を用いてパターン寸法計測を行ってもよい。本実施の形態を第1から実施例7と組み合わせて用いることで、材質の境界部分の評価が容易となり、より正確なパターン評価が可能となる。
411・・・計測箇所設定値 4101・・・Si基板 4102・・・酸化膜層
4103・・・窒化膜層 4103・・・酸化膜層
Claims (9)
- パターンの寸法を計測する方法であって、
評価対象パターンの形状および材質のモデルデータを作成し、
該作成したモデルデータ上において計測箇所を指定し、
電子線シミュレーションにより前記作成したモデルデータの模擬電子線信号を生成し、
該生成された模擬電子線信号において前記指定された計測箇所周辺の模擬電子線信号に
おいて極大値又は極小値を取る点、または前記信号の1次微分波形の極大値又は極小値を
取る点又はゼロになる点、又は前記信号の2次微分波形の極大値又は極小値を取る点又は
ゼロになる点などの特徴のある点を検出し、
該検出した模擬電子線信号における前記特徴のある点のうち前記指定された計測箇所に
最も近い点を選択し、
該選択した指定された計測箇所に最も近い特徴のある点を検出したときの前記模擬電子
線信号を処理した条件をパターン計測条件として設定し、
試料上に形成された前記評価対象パターンと同じ形状のパターンを電子顕微鏡で撮像し
て2次電子画像を得、
該撮像して得た2次電子画像を前記設定したパターン計測条件を用いて処理することに
より前記パターンの寸法を計測する
ことを特徴とするパターンの計測方法。 - 前記作成した形状および材質のモデルデータの模擬電子線信号を生成するステップにお
いて、前記作成した形状および材質のモデルデータを前記評価対象パターンの実断面画像
データを用いて補正し、該補正した形状および材質のモデルデータを用いて模擬電子線信
号を生成することを特徴とする請求項1記載のパターンの計測方法。 - 前記作成した形状および材質のモデルデータと前記選択した画像信号に特徴のある点に
対応する前記構造データ上の点とを画面上に表示する工程を更に含むことを特徴とする請
求項1記載のパターンの計測方法。 - 前記作成した形状および材質のモデルデータの模擬電子線信号を生成するステップにお
いて、前記作成した形状および材質のモデルデータの模擬電子線信号に対して寸法計測の
ための所定のエッジ検出処理を行い、該エッジ検出処理により検出されたエッジ検出位置
に相当する点を画面上で前記形状および材質のモデルデータ上に重ねて表示することを特
徴とする請求項1記載のパターンの計測方法。 - パターンの寸法を計測する方法であって、
評価対象パターンの形状および材質のモデルデータを作成し、
該作成したモデルデータ上において計測箇所を指定し、
電子線シミュレーションにより前記作成したモデルデータの模擬電子線信号を生成し、
該生成した模擬電子線信号に対して前記指定した計測箇所とその近傍の領域に対してエ
ッジ検出処理を行ってエッジの位置を検出し、
該検出したエッジの位置に相当する前記モデルデータ上の点を記憶し、
前記評価対象パターンと同一の形状の検査パターンが形成された試料を電子顕微鏡で撮
像して前記検査パターンの2次電子画像を取得し、
該取得した2次電子画像に対して前記模擬電子線信号に対して行ったのと同じ条件でエ
ッジ検出処理を行って2次電子画像上でのエッジの位置を検出し、
該検出した2次電子画像上でのエッジの位置の情報と前記モデルデータ上のエッジの位
置
の情報とを用いて前記モデルデータを修正し、
該修正したモデルデータに基いて前記評価対象パターンの断面形状を求め画面上に表示
する
ことを特徴とするパターンの計測方法。 - 前記評価対象パターンの断面形状を、前記2次電子画像と共に画面上に表示することを
特徴とする請求項5記載のパターンの計測方法。 - 前記評価対象パターンの形状および材質のモデルデータを作成するステップにおいて、
前記評価対象パターンの構造データの高さ情報を、前記評価対象パターンを構成する膜の
膜厚を計測して得た情報又は前記評価対象パターンの高さを直接計測して得た情報又は成
膜の仕様の情報の何れかから得ることを特徴とする請求項5記載のパターン計測方法。 - 前記パターンの2次電子画像が、チルト画像を含むことを特徴とする請求項1または5
に記載のパターン計測方法。 - 前記チルト画像に基いて前記評価対象パターンの高さ情報を得ることを特徴とする請求
項8記載のパターンの計測方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003432012A JP4262592B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | パターン計測方法 |
US11/019,995 US7335881B2 (en) | 2003-12-26 | 2004-12-23 | Method of measuring dimensions of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003432012A JP4262592B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | パターン計測方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005189137A JP2005189137A (ja) | 2005-07-14 |
JP4262592B2 true JP4262592B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=34789842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003432012A Expired - Fee Related JP4262592B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | パターン計測方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7335881B2 (ja) |
JP (1) | JP4262592B2 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4231831B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2009-03-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡 |
US7381950B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Characterizing dimensions of structures via scanning probe microscopy |
US9292187B2 (en) | 2004-11-12 | 2016-03-22 | Cognex Corporation | System, method and graphical user interface for displaying and controlling vision system operating parameters |
US7720315B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-05-18 | Cognex Technology And Investment Corporation | System and method for displaying and using non-numeric graphic elements to control and monitor a vision system |
JP2006234588A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン測定方法、及びパターン測定装置 |
JP2007080327A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | 記録媒体欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US20070093044A1 (en) * | 2005-10-25 | 2007-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Method of depositing a metal layer onto a substrate and a method for measuring in three dimensions the topographical features of a substrate |
KR101085413B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2011-11-21 | 가부시키가이샤 토프콘 | 반도체 측정 장치 및 반도체 측정 방법 |
JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
CN102680507B (zh) * | 2006-02-17 | 2015-05-06 | 株式会社日立高新技术 | 扫描型电子显微镜装置以及使用它的摄影方法 |
US7514681B1 (en) * | 2006-06-13 | 2009-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electrical process monitoring using mirror-mode electron microscopy |
JP4795146B2 (ja) * | 2006-07-10 | 2011-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム装置,プローブ制御方法及びプログラム |
JP2008203109A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン寸法計測方法及びその装置 |
US7791022B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-09-07 | Advantest Corp. | Scanning electron microscope with length measurement function and dimension length measurement method |
JP4971050B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2012-07-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の寸法測定装置 |
JP4586051B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡 |
JP5192795B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム測定装置 |
US7925937B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for testing embedded memory read paths |
JP5103219B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法計測方法 |
JP2011033423A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形状選択方法、及びパターン測定装置 |
JP5174757B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-04-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体パターンの計測方法及び計測システム |
JP5593197B2 (ja) | 2010-10-22 | 2014-09-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 形状計測方法およびそのシステム |
JP5651428B2 (ja) | 2010-10-27 | 2015-01-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定方法,パターン測定装置及びそれを用いたプログラム |
US8443309B2 (en) | 2011-03-04 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification |
JP5728351B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-06-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 断面形状推定方法および断面形状推定装置 |
US9396532B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-07-19 | Siemens Healthcare Diagnostics, Inc. | Cell feature-based automatic circulating tumor cell detection |
US9236219B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-01-12 | Macronix International Co., Ltd. | Measurement of line-edge-roughness and line-width-roughness on pre-layered structures |
JP2013200319A (ja) * | 2013-07-10 | 2013-10-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
JP6224467B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-11-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン評価装置および走査型電子顕微鏡 |
US10190875B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-01-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measurement condition setting device and pattern measuring device |
KR102410666B1 (ko) | 2015-01-09 | 2022-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 계측 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US11669953B2 (en) * | 2015-01-30 | 2023-06-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Pattern matching device and computer program for pattern matching |
EP3314571B1 (en) * | 2015-06-29 | 2020-10-07 | General Electric Company | Method and system for detecting known measurable object features |
JP2019185972A (ja) | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びパターンの深さ計測方法 |
JP2019184354A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置、電子顕微鏡装置を用いた検査システム及び電子顕微鏡装置を用いた検査方法 |
WO2020043525A1 (en) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods of optimal metrology guidance |
JP6867357B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2021-04-28 | 本田技研工業株式会社 | 塗工量の計測方法 |
JP7149906B2 (ja) | 2019-08-07 | 2022-10-07 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法 |
DE102019131693A1 (de) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Messgerät zur untersuchung einer probe und verfahren zum bestimmen einer höhenkarte einer probe |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002303586A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
JP4158384B2 (ja) | 2001-07-19 | 2008-10-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム |
US7098456B1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-08-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for accurate e-beam metrology |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003432012A patent/JP4262592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-23 US US11/019,995 patent/US7335881B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7335881B2 (en) | 2008-02-26 |
US20050173633A1 (en) | 2005-08-11 |
JP2005189137A (ja) | 2005-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4262592B2 (ja) | パターン計測方法 | |
JP4220358B2 (ja) | 半導体パターン計測方法 | |
JP5103219B2 (ja) | パターン寸法計測方法 | |
KR101828124B1 (ko) | 패턴 평가 방법 및 패턴 평가 장치 | |
US8507856B2 (en) | Pattern measuring method and pattern measuring device | |
JP4223979B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡装置及び走査型電子顕微鏡装置における装置としての再現性能評価方法 | |
US7408155B2 (en) | Measuring method and its apparatus | |
KR101730917B1 (ko) | 오버레이 오차 측정 장치 및 컴퓨터 프로그램 | |
US7888638B2 (en) | Method and apparatus for measuring dimension of circuit pattern formed on substrate by using scanning electron microscope | |
US7230243B2 (en) | Method and apparatus for measuring three-dimensional shape of specimen by using SEM | |
US20060210143A1 (en) | Method and apparatus for measuring shape of a specimen | |
US8214166B2 (en) | Method and its system for calibrating measured data between different measuring tools | |
JP2007218711A (ja) | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 | |
JP2007248087A (ja) | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 | |
US20090212215A1 (en) | Scanning electron microscope and method of measuring pattern dimension using the same | |
JP6207893B2 (ja) | 試料観察装置用のテンプレート作成装置 | |
KR101683548B1 (ko) | 전자 빔을 이용한 오버레이 측정장치와 이의 측정방법 | |
JP2004128197A (ja) | パターン接続精度検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051024 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4262592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |