JP2009224686A - 熱電変換モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 異なる結線方法や異なる使用方法に対応できる熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 上下に配置した下側絶縁基板２１と上側絶縁基板２２の対向する面に下部電極２３と上部電極２４を形成し、下部電極２３と上部電極にそれぞれ熱電素子２７の上下の端面を固定することにより熱電変換モジュール２０を構成した。また、下側絶縁基板２１の左右方向の両端部を上側絶縁基板２２の両端部よりも外部側に突出させて突出部２１ａを形成し、その上面にそれぞれ一対の外部接続用電極２５ａ，２６ａおよび一対の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂを形成した。そして、外部接続用電極２５ａ，２６ａにリード線１６ａ，１６ｂを用いた電力供給部を形成し、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂでもう一方の電力供給部を構成した。
【選択図】 図４

Description

本発明は、上下に配置した一対の絶縁基板の対向する両面に形成された電極に、熱電素子の上下の端面をそれぞれ固定することにより電極と熱電素子とを電気的に接続して構成される熱電変換モジュールに関する。

従来から、熱電気変換の一つであるペルチェ効果を利用して熱変換を行う熱電変換モジュールが半導体レーザーパッケージやセンサパッケージに搭載されて、半導体レーザーやセンサを加熱・冷却することにより一定温度に維持することが行われている（例えば、特許文献１参照）。この半導体レーザーパッケージ（半導体レーザー装置）では、円板からなるベースの中央にＬ字形の支持体が固定され、この支持体の内側垂直壁の上部に熱電変換モジュール（熱電冷却装置）の発熱面が固定されている。また、熱電変換モジュールの吸熱面には、サブマウントを介して半導体レーザー素子が固定され、支持体の水平片の上部における半導体レーザー素子の下方に受光素子が固定されている。

そして、この半導体レーザーパッケージが備える熱電変換モジュールでは、一対の絶縁基板（配線基板）における相対向する内側の面の所定箇所に複数の下部電極および上部電極（配線層）が形成されている。そして、対向する下部電極および上部電極にそれぞれ熱電素子（ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子）の上下の端面を接合することにより、熱電素子を下部電極および上部電極を介して直列に接続している。また、フランジには、６本から１０本のリードが貫通固定されており、各リードの上端はワイヤを介して、熱電変換モジュール、半導体レーザー素子および受光素子などに接続されている。

しかしながら、この半導体レーザーパッケージでは、リードと熱電変換モジュールとをワイヤで接続する際の作業がし難いという問題がある。このため、一対の絶縁基板のうちの下側に配置される絶縁基板の一端部を外側に向って延長させた熱電変換モジュールも開発されている（例えば、特許文献２参照）。この熱電変換モジュール（熱電モジュール）では、一対の絶縁基板のうちの下側に配置される絶縁基板の一端部は外側に向って延長されており、その延長部分の上面に形成された電極の上面にポスト電極が設けられている。このポスト電極は、パッケージ側のリードまたは電極パッドに対向して配置され、ボンディングワイヤによりパッケージ側のリードまたは電極パッドに接続される。
特開昭５９−２００４８１号公報 特開２００２−３７４００８号公報

しかしながら、前述した熱電変換モジュールを半導体レーザーパッケージやセンサパッケージ等に用いる場合には、熱電変換モジュールの電力供給部と、パッケージ側の導電部とを接続する方法として、リード線を用いて結線する方法と、ボンディングワイヤを用いた方法とが一般に用いられる。また、ボンディングワイヤを用いる方法には、高さ調整のためのブロック電極が必要な場合と、必要ない場合とがある。このため、使用する結線方法に応じて異なる電極を備えた熱電変換モジュールを用意しなければならないという問題がある。

本発明は、前述した問題に対処するためになされたもので、その目的は、異なる結線方法や異なる使用方法に対応できる熱電変換モジュールを提供することである。

前述した目的を達成するため、本発明に係る熱電変換モジュールの構成上の特徴は、対向させて上下に配置した一対の絶縁基板における対向する両面の所定箇所に複数の電極を形成し、複数の電極に複数の熱電素子の上下の端面をそれぞれ固定することにより、複数の電極と複数の熱電素子とを電気的に接続して構成される熱電変換モジュールであって、一対の絶縁基板のうちの下側の絶縁基板の前後方向および左右方向の少なくとも一方の両端部を上側の絶縁基板の両端部よりも外部側に突出させその突出した突出部の上面にそれぞれ複数の電極のうちの所定の電極に接続された複数の外部接続用電極を形成し、突出部に形成された複数の外部接続用電極を用いてそれぞれ一対からなる複数組みの電力供給部を形成したことにある。

本発明に係る熱電変換モジュールでは、下側の絶縁基板の両端の突出部にそれぞれ複数の外部接続用電極を形成し、その複数の外部接続用電極を用いてそれぞれ、外部電源から熱電変換モジュールに電力を供給するための一対からなる複数組みの電力供給部を形成している。したがって、使用に応じた任意の一対の電力供給部を適宜選択して用いることができる。この場合、それぞれ一対からなる電力供給部どうしを異なる種類の電力供給部で構成することが好ましい。例えば、複数の電力供給部のうちの任意の一対の電力供給部をワイヤボンディング用のものにしておくとともに、他の一対の電力供給部をリード線用のものにしておき、使用方法に応じて適宜どちらかを選択することができる。また、外部接続用電極に接続する電極は、外部接続用電極の接続部分の近傍に位置するもの適宜選択する。なお、本発明に係る熱電変換モジュールにおける上下は、熱電変換モジュールを単体として見たときの上下であり、熱電変換モジュールが所定の装置に組み込まれた状態では、その上下は、水平方向になったり反転したりする場合もある。

また、本発明に係る熱電変換モジュールでは、下側の絶縁基板の前後方向および左右方向の少なくとも一方向の両端部を上側の絶縁基板の両端部よりも外部側に突出させているので、下側の絶縁基板の中央部に上側の絶縁基板が位置する。したがって、下側の絶縁基板が、半導体レーザーパッケージ（ＴＯ−ＣＡＮパッケージ）のベースの中央に配置される場合、上側の絶縁基板も半導体レーザーパッケージのベース中央に配置される。半導体レーザーパッケージにおいては、半導体レーザーは、上側の絶縁基板上に搭載されて温度制御を受けるため、この半導体レーザーも半導体レーザーパッケージの中央に位置することが好ましい。本発明に係る熱電変換モジュールでは、これが可能になるため、より好ましい半導体レーザーパッケージを得ることができる。

本発明に係る熱電変換モジュールの他の構成上の特徴は、下側の絶縁基板の長手方向に沿った両端部で突出部を構成し、突出部のうちの一方の突出部に同じ種類の電力供給部からなり互いに異なる極性を備えた一対の電力供給部を設け、他方の突出部に、一方の突出部に設けられた電力供給部とは異なる種類の同じ電力供給部からなり互いに異なる極性を備えた一対の電力供給部を設けたことにある。これによると、一方または他方の突出部に設けられた近傍に位置する一対の電力供給部を用いて、熱電変換モジュールに電力を供給することができる。

本発明に係る熱電変換モジュールのさらに他の構成上の特徴は、下側の絶縁基板の長手方向に沿った両端部で突出部を構成し、突出部のうちの一方の突出部に異なる種類の電力供給部からなり同じ極性を備えた二つの電力供給部を設け、他方の突出部に、一方の突出部に設けられた二つの電力供給部と同じ種類の二つの電力供給部からなり一方の突出部に設けられた二つの電力供給部とは極性の異なる極性を備えた二つの電力供給部を設けたことにある。これによると、一方の突出部と他方の突出部とに離れて設けられた一対の電力供給部を用いて、熱電変換モジュールに電力を供給することができる。

本発明に係る熱電変換モジュールのさらに他の構成上の特徴は、それぞれ一対からなる種類の異なる電力供給部を、外部接続用電極を平面型電極パッドで構成した一対の電力供給部、平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にブロック型電極パッドを設置して構成される一対の電力供給部および平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にリード線を接続して構成される一対の電力供給部の三組の一対からなる電力供給部または三組の一対からなる電力供給部のうちの任意の二組の一対からなる電力供給部としたことにある。これによると、種々の結線方法で熱電変換モジュールに電力を供給することができる。

本発明に係る熱電変換モジュールのさらに他の構成上の特徴は、平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にリード線を接続して構成される一対の電力供給部が予め備わっており、リード線を使用しない場合には、リード線を除去または切断して用いられることにある。これによると、例えば、リード線を、熱電変換モジュールの導通検査用に用い、導通検査が終了したのちは、リード線を除去または切断することができる。この場合、実際の使用時には、もう一方の一対の電力供給部が用いられる。

本発明に係る熱電変換モジュールのさらに他の構成上の特徴は、下側の絶縁基板の所定の両端の突出部に形成された複数組の一対の電力供給部のうちの任意の一対の電力供給部を適宜選択し、選択された一対の電力供給部を半導体レーザーパッケージの導電部に接続して使用されることにある。これによると、異なる結線方法に対応できる熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージを得ることができる。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図面を用いて説明する。図１は、同実施形態に係る熱電変換モジュール２０を備えた半導体レーザーパッケージ（ＴＯ−ＣＡＮパッケージ）１０の要部を示している。この半導体レーザーパッケージ１０は、半導体レーザーを発振する装置であり、ベース１１を備えた密閉状の装置本体（ベース１１の上部には、透明ウィンドウ付きキャップが設けられているが、この部分の図示は省略している。）内に温度調節用の熱電変換モジュール２０等の各種の部材を収容して構成されている。ベース１１は、コバールや鉄からなる円板で構成されている。

熱電変換モジュール２０はベース１１の上面にハンダ付けや接着剤により接合され、熱電変換モジュール２０の上面には、設置用部材１２を介してフォトダイオード１３、レーザーダイオード１４およびサーミスタ１５が設置されている。また、ベース１１には、上下面を貫通する貫通孔（図示せず）が２個１組となって所定間隔を保って４組形成され、それらの貫通孔にコバールからなる本発明に係る導電部としてのリード１６がそれぞれ取り付けられている。このリード１６は、半導体レーザーパッケージ１０が備える各部材と、外部の制御装置等とを接続するためのもので、リード１６のうちの所定の一対のリード１６の上端は他のリード１６の上端よりも上方に突出してやや高くなっている。

そして、その上端が高い位置にある一対のリード１６の上端側部分には、リード線１６ａ，１６ｂ（図２参照）の一端部が巻き付けられてハンダにより固定されている。このリード線１６ａ，１６ｂは、表面に錫メッキまたは金メッキが施された軟銅線で構成されており、その他端部は、熱電変換モジュール２０に接続されている。また、リード線１６ａ，１６ｂが接続されたリード１６以外のリード１６は、フォトダイオード１３、レーザーダイオード１４およびサーミスタ１５に、所定の金ワイヤー（図示せず）を介して接続される。

各一対のリード１６は、プラス側とマイナス側の極性になるようにして電源に接続される。そして、各貫通孔の内周面と各リード１６の周面とがガラス層によって固定され、このガラス層によって、ベース１１の各貫通孔は密閉されるとともに、ベース１１と各リード１６とは絶縁される。なお、ベース１１の上面には、熱電変換モジュール２０の固定をしやすくするために、ニッケルメッキと金メッキとからなる二層のメッキ層が施されている。

熱電変換モジュール２０は、アルミナや窒化アルミなどからなる四角板状の下側絶縁基板２１と上側絶縁基板２２とからなる一対の絶縁基板を備えている。図２に示したように、下側絶縁基板２１の平面視による形状は長方形に形成され、上側絶縁基板２２の平面視による形状は正方形に形成されている。また、熱電変換モジュール２０の高さ方向の長さは、０．８ｍｍに設定され、下側絶縁基板２１の左右方向および前後方向（図１での左右方向および前後方向で、以後、本実施形態における左右方向および前後方向は、図１の配置に基づいて記載する。）の長さは、左右方向が４．０ｍｍ、前後方向が２．０ｍｍで、上側絶縁基板２２の各辺の長さは、１．６ｍｍに設定されている。

そして、上側絶縁基板２２は、平面視の状態で下側絶縁基板２１の中央部分に配置されている。すなわち、図２に示した状態で下側絶縁基板２１における上側絶縁基板２２の外周側に位置する部分で本発明に係る突出部２１ａが構成される。下側絶縁基板２１の上面における上側絶縁基板２２に対向する部分には、一定間隔を保って複数の下部電極２３が形成され、上側絶縁基板２２の下面には、一定間隔を保って複数の上部電極２４が形成されている。

また、下側絶縁基板２１の突出部２１ａにおける長手方向に沿った両側には、外部接続用電極２５ａ，２５ｂを含むコ字状の電極パッド２５と、外部接続用電極２６ａ，２６ｂを含むコ字状の電極パッド２６が下部電極２３が形成された領域を囲むようにして前後対象に形成されている。なお、説明の便宜上、図１では電極パッド２５ｃ，２６ｃを省略しており、同様に、後の説明で用いる図４、図６、図７、図９および図１０においても電極パッドの図示は省略している。図２に示したように、電極パッド２５，２６は、それぞれ左右両側に面積の広い四角形の外部接続用電極２５ａ，２５ｂおよび外部接続用電極２６ａ，２６ｂが形成され、外部接続用電極２５ａ，２５ｂが左右に延びる帯状部分２５ｃで接続され、外部接続用電極２６ａ，２６ｂが左右に延びる帯状部分２６ｃで接続されている。

そして、下側絶縁基板２１の上面に形成された下部電極２３のうちの左側端部の前部に設けられた下部電極２３の左端部と、電極パッド２５の外部接続用電極２５ｂにおけるその下部電極２３の左端部に対向する部分との間には接続用電極２３ａが形成されている。また、下側絶縁基板２１の上面に形成された下部電極２３のうちの左側端部の後部に設けられた下部電極２３の左端部と、電極パッド２６の外部接続用電極２６ｂにおけるその下部電極２３の左端部に対向する部分との間には接続用電極２３ｂが形成されている。

接続用電極２３ａを介して、電極パッド２５と前部側の下部電極２３とは接続され、接続用電極２３ｂを介して電極パッド２６と後部の下部電極２３とは接続されている。そして、直方体に形成されたビスマス・テルル系の合金からなる複数の熱電素子２７が、それぞれ下端面を下部電極２３にハンダ付けにより固定され、上端面を上部電極２４にハンダ付けにより固定されて下側絶縁基板２１と上側絶縁基板２２とを一体的に連結している。また、上部電極２４は、それぞれ下部電極２３に対して熱電素子２７の略１個分に等しい距離をずらして上側絶縁基板２２に取り付けられている。

これらの下部電極２３、接続用電極２３ａ，２３ｂ、電極パッド２５，２６および上部電極２４は、それぞれ銅層、ニッケル層および金層を順次積層して形成されており、銅層が下側絶縁基板２１および上側絶縁基板２２に接合されている。また、電極パッド２５，２６における外部接続用電極２５ｂ，２６ｂは、ワイヤボンディングが可能な領域であり、この部分の金層は１μｍ以上の厚みに形成されている。そして、熱電素子２７の下端面および上端面は、各熱電素子２７、下部電極２３および上部電極２４が電気的に接続されるようにして、各下部電極２３および上部電極２４に２個ずつ接合されている。

また、熱電素子２７は、ともにＢｉやＴｅ等で構成されているがその組成は若干異なるＰ型熱電素子とＮ型熱電素子とで構成されており、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子とが交互に配置されている。上側絶縁基板２２の上面には、銅層、ニッケル層および金層との３層からなるメタライズ層２８が形成されている。また、図示していないが、下側絶縁基板２１の下面にも、銅層、ニッケル層および金層との３層からなるメタライズ層が形成されている。この熱電変換モジュール２０は、ベース１１の上面に設けられたニッケルメッキと金メッキとからなる二層のメッキ層を介してハンダによりベース１１に固定されている。また、熱電変換モジュール２０の上面には、メタライズ層２８を介して、設置用部材１２がハンダにより固定されている。なお、熱電変換モジュール２０とベース１１および熱電変換モジュール２０と設置用部材１２はエポキシ系あるいはシリコーン系の接着剤で接合してもよい。

設置用部材１２はアルミナ、窒化アルミ、Ｃｕ系合金、ＣｕＷ合金等で構成されており、熱電変換モジュール２０の上面に固定された水平基板１２ａ、水平基板１２ａの左縁部に垂直に配置された垂直基板１２ｂ、垂直基板１２ｂの右側面の上端に設けられたレーザーダイオード取付板１２ｃとで構成されている。そして、水平基板１２ａの上面中央に、フォトダイオード１３が検出部を上方に向けて設置され、レーザーダイオード取付板１２ｃの右側面中央にレーザーダイオード１４が、フォトダイオード１３の上方に位置するようにして設置されている。なお、設置用部材１２は、別々の部材からなる水平基板１２ａ、垂直基板１２ｂおよびレーザーダイオード取付板１２ｃで構成してもよいし、水平基板１２ａ、垂直基板１２ｂおよびレーザーダイオード取付板１２ｃを一体からなる部材にしたもので構成してもよい。

レーザーダイオード１４は、レーザーの発振を行い、フォトダイオード１３は、レーザーダイオード１４から出力されるレーザーのパワーの検出を行う。また、水平基板１２ａの上面における右側部分に、サーミスタ１５が設置されている。このサーミスタ１５は設置用部材１２の温度を測定する。また、下側絶縁基板２１の突出部２１ａに形成された電極パッド２５の外部接続用電極２５ａには、ハンダによってリード線１６ａの先端部が固定され、電極パッド２６の外部接続用電極２６ａには、ハンダによってリード線１６ｂの先端部が固定されている。

そして、各リード１６の基端部は制御装置（図示せず）に接続されている。この制御装置は、電源に接続されており、熱電変換モジュール２０とレーザーダイオード１４には、制御装置を介して電源から電力が供給される。また、レーザーダイオード１４が発振するレーザーの強さは、フォトダイオード１３の検出値に応じて制御装置が制御し、熱電変換モジュール２０の作動は、サーミスタ１５の検出値に応じて制御装置が制御する。なお、この熱電変換モジュール２０では、電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ａ，２６ａとリード線１６ａ，１６ｂとで、一方の電力供給部が構成され、電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂで他方の電力供給部が構成される。

このように構成された半導体レーザーパッケージ１０を用いて、半導体レーザーを発振させる場合には、各リード１６、金ワイヤー（図示せず）およびリード線１６ａ，１６ｂ等を介して熱電変換モジュール２０とレーザーダイオード１４に電流を流す。これによって、レーザーダイオード１４がレーザーを発振する。その間、フォトダイオード１３の検出値に応じて、レーザーダイオード１４が発振するレーザーの強さが制御される。また、サーミスタ１５が検出する温度に応じて、熱電変換モジュール２０に流れる電流量や電流の向きを変更する制御が行われ、設置用部材１２の温度（レーザーダイオード１４の温度）は一定の温度に維持される。

この熱電変換モジュール２０をリード線１６ａ，１６ｂを用いず、ボンディングワイヤ１７（図４参照）を用いて、上端の高さを他のリード１６と同じにしてベース１１に取り付けられたリード１６に接続する場合には、図３に示したように、リード線１６ａ，１６ｂを切断しておく。そして、図４に示したように、下側絶縁基板２１の突出部２１ａに形成された電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂと、所定の一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続する。

なお、図４では、熱電変換モジュール２０の左右が図１とは逆になって、リード線１６ａ，１６ｂが接続された位置が変わっているが、これは説明の便宜上、熱電変換モジュール２０に電力を供給する電力供給部が右側に位置するように示したもので、後述する他の実施形態においても同様の関係で示した図を用いて説明する。外部接続用電極２５ｂ，２６ｂと、所定のリード１６とを接続するボンディングワイヤ１７の両端部は、圧着によって、それぞれ電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂとその近傍に位置するリード１６とに接合される。このボンディングワイヤ１７を用いる半導体レーザーパッケージ１０ａも、前述した半導体レーザーパッケージ１０と同様、半導体レーザーの発振を行うことができる。

また、熱電変換モジュール２０を製造する工程においては、リード線１６ａ，１６ｂを導通検査用に用いることもできる。導通検査は、例えば、熱電変換モジュール２０に接続されたリード線１６ａ，１６ｂの両端部から熱電変換モジュール２０に電流を流しそのときの電気抵抗を検出することによって行うことができ、電気抵抗の検出値が所定範囲内であればその熱電変換モジュール２０は、良品で、検出値が所定範囲外であれば不良品であると判定する。そして、不良品と判定された熱電変換モジュール２０については、廃棄処分等の所定の処理を行い、良品については、リード線１６ａ，１６ｂを切断して、図３に示した状態にする。

このように、本実施形態に係る熱電変換モジュール２０を備えた半導体レーザーパッケージ１０では、熱電変換モジュール２０における下側絶縁基板２１の突出部２１ａの一方に電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ａ，２６ａとリード線１６ａ，１６ｂとで構成される一対の電力供給部を形成し、下側絶縁基板２１の突出部２１ａの他方に電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂで構成される他の一対の電力供給部を形成している。したがって、電力供給部として、外部接続用電極２５ａ，２６ａとリード線１６ａ，１６ｂとを用いる場合には、図２に示した熱電変換モジュール２０をそのまま使用することができる。

また、電力供給部として、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂと一対のボンディングワイヤ１７とを用いる場合には、リード線１６ａ，１６ｂを切断して、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂと所定の一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続することができる。このように、本実施形態に係る熱電変換モジュール２０によると、リード線１６ａ，１６ｂを用いた結線方法と、ボンディングワイヤ１７を用いた結線方法とを適宜選択して用いることができる。

また、本実施形態に係る熱電変換モジュール２０では、下側絶縁基板２１の両側に位置する突出部２１ａに設けたそれぞれの一対の電力供給部を互いに異なる極性を備えた一対の電力供給部としたため、近傍に位置する一対の電力供給部を用いて、熱電変換モジュール２０に電力を供給することができる。さらに、本実施形態では、熱電変換モジュール２０を半導体レーザーパッケージ１０，１０ａに組み込んで、半導体レーザーの温度を一定に維持するようにしているため、異なる結線方法に対応できる熱電変換モジュール２０を備えるとともに、精度のよい検出等ができる半導体レーザーパッケージ１０を得ることができる。

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る熱電変換モジュール２０ａを示している。この熱電変換モジュール２０ａは、図２に示した熱電変換モジュール２０における外部接続用電極２５ａ，２６ａにリード線１６ａ，１６ｂを接続せず、外部接続用電極２５ａ，２６ａをそのまま一方の電力供給部として用いるとともに、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに本発明に係るブロック型電極パッドとしてのブロック電極２９ａ，２９ｂを設置して他方の電力供給部とした構成になっている。この熱電変換モジュール２０ａも、前述した半導体レーザーパッケージ１０，１０ａの装置本体と同様の密閉状の装置本体に組み込まれて、図６に示した半導体レーザーパッケージ３０や図７に示した半導体レーザーパッケージ３０ａが得られる。

この熱電変換モジュール２０ａにおけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール２０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。また、半導体レーザーパッケージ３０が備える装置本体は、図４に示した半導体レーザーパッケージ１０ａが備える装置本体と同一であり、半導体レーザーパッケージ３０ａが備える装置本体は、図１に示した半導体レーザーパッケージ１０が備える装置本体と同一である。したがって、半導体レーザーパッケージ３０，３０ａが備える装置本体についても同一部分に同一符号を記して説明は省略する。

まず、熱電変換モジュール２０ａを用いて、電極パッド２５，２６の一方の一対の外部接続用電極２５ａ，２６ａを、装置本体における上端の高さが他のリード１６と同じに形成された所定の一対のリード１６に接続する場合には、図６に示したように、下側絶縁基板２１の突出部２１ａの一方に形成された外部接続用電極２５ａ，２６ａと、所定の一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続する。この場合、ブロック電極２９ａ，２９ｂは使用しない。

また、熱電変換モジュール２０ａを用いて、電極パッド２５，２６の他方の一対の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、図７に示したように、ブロック電極２９ａ，２９ｂの上面と、一対のリード１６の上端面との間をボンディングワイヤ１７で接続する。この場合、電極パッド２５，２６の一方の外部接続用電極２５ａ，２６ａは使用しない。

これによると、電力供給部として、外部接続用電極２５ａ，２６ａと一対のボンディングワイヤ１７とを用いる場合には、外部接続用電極２５ａ，２６ａと所定の一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続することができる。また、電力供給部として、他方の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂと一対のボンディングワイヤ１７とを用いる場合には、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂと一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続することができる。

このように、本実施形態に係る熱電変換モジュール２０ａによると、ブロック電極２９ａ，２９ｂを用いたワイヤボンディングと、ブロック電極２９ａ，２９ｂを用いないワイヤボンディングとを適宜選択して用いることができる。この場合、ボンディングワイヤ１７の両端部の高さが略同じになるため、ワイヤボンディングする際の操作が容易になる。この熱電変換モジュール２０ａにおけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール２０と同様である。

（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る熱電変換モジュール２０ｂを示している。この熱電変換モジュール２０ｂは、図２に示した熱電変換モジュール２０における電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂにブロック電極２９ａ，２９ｂを設置した構成になっている。この熱電変換モジュール２０ｂは、前述した半導体レーザーパッケージ１０等の装置本体と同様の密閉状の装置本体に組み込まれて、図９に示した半導体レーザーパッケージ４０や、図１０に示した半導体レーザーパッケージ４０ａが得られる。

この熱電変換モジュール２０ｂにおけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール２０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。また、半導体レーザーパッケージ４０，４０ａが備える装置本体は、図１に示した半導体レーザーパッケージ１０が備える装置本体と同一である。したがって、半導体レーザーパッケージ４０，４０ａが備える装置本体についても同一部分に同一符号を記して説明は省略する。

このように構成された熱電変換モジュール２０ｂを用いて、電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ａ，２６ａに接続されたリード線１６ａ，１６ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、図９に示したように、リード線１６ａ，１６ｂの先端部を、それぞれ一対のリード１６の外周に巻き付けてハンダで固定する。この場合、ブロック電極２９ａ，２９ｂは使用しない。

また、熱電変換モジュール２０ｂを用いて、電極パッド２５，２６の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、まず、図１１に示したように、熱電変換モジュール２０ｂからリード線１６ａ，１６ｂの先端側部分を切断する。ついで、図１０に示したように、ブロック電極２９ａ，２９ｂの上面と、一対のリード１６の上端面との間をボンディングワイヤ１７で接続する。

これによると、電力供給部として、外部接続用電極２５ａ，２６ａとリード線１６ａ，１６ｂとを用いる場合には、他方の外部接続用電極２５ｂ，２６ｂとブロック電極２９ａ，２９ｂは使用せず、外部接続用電極２５ａ，２６ａと所定の一対のリード１６との間をリード線１６ａ，１６ｂで接続することができる。また、電力供給部として、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂと一対のボンディングワイヤ１７とを用いる場合には、外部接続用電極２５ａ，２６ａとリード線１６ａ，１６ｂとは使用せず、外部接続用電極２５ｂ，２６ｂに設けられたブロック電極２９ａ，２９ｂと一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続することができる。

このように、本実施形態に係る熱電変換モジュール２０ｂによると、リード線１６ａ，１６ｂを用いた結線方法と、ブロック電極２９ａ，２９ｂを用いたワイヤボンディングによる結線方法とを適宜選択して用いることができる。この場合も、リード線１６ａ，１６ｂおよびボンディングワイヤ１７の両端部の高さが略同じになるため、結線する際の操作が容易になる。この熱電変換モジュール２０ｂにおけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール２０と同様である。

（第４実施形態）
図１２は、本発明の第４実施形態に係る熱電変換モジュール５０を示している。この熱電変換モジュール５０では、一対の電極パッド５５，５６が、下側絶縁基板５１の長手方向に沿った部分でなく、下側絶縁基板５１の長手方向の両端部分に形成されている。すなわち、突出部５１ａの一方に形成された二つの外部接続用電極５５ａ，５５ｂを短い帯状部分５５ｃで接続して電極パッド５５が構成され、突出部５１ａの他方に形成された二つの外部接続用電極５６ａ，５６ｂを短い帯状部分５６ｃで接続して電極パッド５６が構成されている。帯状部分５５ｃは、外部接続用電極５５ａ，５５ｂにおける下側絶縁基板５１の中央側に位置する端部どうしを接続し、帯状部分５６ｃは、外部接続用電極５６ａ，５６ｂにおける下側絶縁基板５１の中央側に位置する端部どうしを接続している。

そして、下側絶縁基板５１の上面に形成された下部電極（図示せず）のうち、図１２に示した状態で、右上に位置する下部電極の上端部と、電極パッド５５の外部接続用電極５５ｂの下端部との間に接続用電極５３ａが形成されている。また、右下に位置する下部電極の下端部と、電極パッド５６の外部接続用電極５６ｂの上端部との間に接続用電極５３ｂが形成されている。接続用電極５３ａを介して電極パッド５５と一方の下部電極とが接続され、接続用電極５３ｂを介して電極パッド５６と他方の下部電極とが接続されている。

そして、電極パッド５５の外部接続用電極５５ｂに、ハンダによってリード線１６ｃの端部が固定され、電極パッド５６の外部接続用電極５６ｂに、ハンダによってリード線１６ｄの端部が固定されている。この熱電変換モジュール５０も、前述した半導体レーザーパッケージ１０等の装置本体と同様の密閉状の装置本体に組み込まれて所定の半導体レーザーパッケージ（図示せず）が得られる。この場合、リード線１６ｃ，１６ｄが接続されるリードは、多少離れた位置にある一対のリードとなる。この熱電変換モジュール５０におけるそれ以外の部分の構成については、熱電変換モジュール２０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。

この場合も、熱電変換モジュール５０を用いて、電極パッド５５の外部接続用電極５５ｂに接続されたリード線１６ｃと電極パッド５６の外部接続用電極５６ｂに接続されたリード線１６ｄとを装置本体のリード１６に接続したり、ボンディングワイヤ１７を用いて電極パッド５５の外部接続用電極５５ａと電極パッド５６の外部接続用電極５６ａとを装置本体のリード１６とに接続したりすることができる。リード線１６ｃ，１６ｄを用いる場合には、電極パッド５５の外部接続用電極５５ａと電極パッド５６の外部接続用電極５６ａとは使用しない。また、ボンディングワイヤ１７を用いる場合には、図１３に示したようにリード線１６ｃ，１６ｄは切断しておく。

これによると、熱電変換モジュール５０の長手方向の両端部にリード線１６ｃ，１６ｄやボンディングワイヤ１７を接続して、離れた位置に一対の電力供給部を設けた状態で熱電変換モジュール５０を作動させることができる。この熱電変換モジュール５０におけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール２０と同様である。また、この熱電変換モジュール５０が組み込まれて構成される半導体レーザーパッケージの作用効果も、前述した半導体レーザーパッケージ１０等の作用効果と同様である。

（第５実施形態）
図１４は、本発明の第５実施形態に係る熱電変換モジュール６０を示している。この熱電変換モジュール６０は、図１２に示した熱電変換モジュール５０における電極パッド５５の外部接続用電極５５ｂにリード線１６ｃを接続せず、電極パッド５６の外部接続用電極５６ｂにもリード線１６ｄを接続せず、外部接続用電極５５ｂ，５６ｂだけで一対の電力供給部を構成した状態になっている。そして、電極パッド５５の外部接続用電極５５ａにブロック電極６９ａを設置するとともに、電極パッド５６の外部接続用電極５６ａにブロック電極６９ｂを設置してもう一方の一対の電力供給部を構成した状態になっている。

この熱電変換モジュール６０も、前述した半導体レーザーパッケージ３０，３０ａ等の装置本体と同様の密閉状の装置本体に組み込まれて、所定の半導体レーザーパッケージ（図示せず）が得られる。この熱電変換モジュール６０におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール５０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。また、熱電変換モジュール６０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体は、熱電変換モジュール５０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体と同一である。

この熱電変換モジュール６０を用いて、電極パッド５５，５６のそれぞれ一方に形成された一対の外部接続用電極５５ｂ，５６ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６と同じに形成された所定の一対のリード１６に接続する場合には、電極パッド５５，５６のそれぞれ一方に形成された外部接続用電極５５ｂ，５６ｂと、所定の一対のリード１６との間をボンディングワイヤ１７で接続する。この場合、ブロック電極６９ａ，６９ｂは使用しない。

また、熱電変換モジュール６０を用いて、電極パッド５５，５６のそれぞれ他方に形成された一対の外部接続用電極５５ａ，５６ａに設けられたブロック電極６９ａ，６９ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、ブロック電極６９ａ，６９ｂの上面と、一対のリード１６の上端面との間をボンディングワイヤ１７で接続する。この場合、電極パッド５５，５６のそれぞれ一方に形成された一対の外部接続用電極５５ｂ，５６ｂは使用しない。

これによると、ブロック電極６９ａ，６９ｂを用いたワイヤボンディングと、ブロック電極６９ａ，６９ｂを用いないワイヤボンディングとを適宜選択して用いることができ、さらに、熱電変換モジュール６０の長手方向の両端部に一対のボンディングワイヤ１７を接続して、離れた位置に一対の電力供給部を設けた状態で熱電変換モジュール６０を作動させることができる。この熱電変換モジュール６０におけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール５０と同様である。

（第６実施形態）
図１５は、本発明の第６実施形態に係る熱電変換モジュール７０を示している。この熱電変換モジュール７０は、図１２に示した熱電変換モジュール５０における電極パッド５５の外部接続用電極５５ａにブロック電極７９ａを設置し、電極パッド５６の外部接続用電極５６ａにブロック電極７９ｂを設置した構成になっている。この熱電変換モジュール７０は、前述した半導体レーザーパッケージ１０の装置本体と同様のベース１１を備えた密閉状の装置本体に組み込まれて、所定の半導体レーザーパッケージ（図示せず）が得られる。この熱電変換モジュール７０におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール５０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。

この熱電変換モジュール７０を用いて、電極パッド５５，５６のそれぞれ一方に形成された外部接続用電極５５ｂ，５６ｂに接続されたリード線１６ｃ，１６ｄを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、図１５に示したリード線１６ｃ，１６ｄの先端部を、それぞれ一対のリード１６の外周に巻き付けてハンダで固定する。この場合、外部接続用電極５５ａ，５６ａおよびブロック電極７９ａ，７９ｂは使用しない。

また、熱電変換モジュール７０を用いて、電極パッド５５，５６のそれぞれ他方に形成された外部接続用電極５５ａ，５６ａに設けられたブロック電極７９ａ，７９ｂを、装置本体における上端の高さが他のリード１６よりも高くなった一対のリード１６に接続する場合には、まず、図１６に示したように、熱電変換モジュール７０からリード線１６ｃ，１６ｄを切断したのちに、ブロック電極７９ａ，７９ｂの上面と、一対のリード１６の上端面との間をボンディングワイヤ１７で接続する。

これによると、リード線１６ｃ，１６ｄを用いた結線方法とブロック電極７９ａ，７９ｂを用いたワイヤボンディングによる結線方法とを適宜選択して用いることができる。この場合も、リード線１６ｃ，１６ｄおよびボンディングワイヤ１７の両端部の高さが略同じになるため、結線する際の操作が容易になる。この熱電変換モジュール７０におけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール２０ｂと同様である。

（第７実施形態）
図１７は、本発明の第７実施形態に係る熱電変換モジュール８０を示している。この熱電変換モジュール８０は、図１２に示した熱電変換モジュール５０における電極パッド５５，５６および接続用電極５３ａ，５３ｂを変更したものである。すなわち、この熱電変換モジュール８０では、電極パッド８５の外部接続用電極８５ａ，８５ｂを接続する帯状部分８５ｃが下側絶縁基板８１の中央側でなく外部側に形成され、電極パッド８６の外部接続用電極８６ａ，８６ｂを接続する帯状部分８６ｃも下側絶縁基板８１の中央側でなく外部側に形成されている。

そして、下側絶縁基板８１の上面に形成された下部電極（図示せず）のうち、図１７に示した状態で、左上に位置する下部電極の上端部と、電極パッド８５の外部接続用電極８５ａの下端部との間に接続用電極８３ａが形成されている。また、電極パッド８６には、外部接続用電極８６ｂの外側縁部から下側絶縁基板８１の長手方向に縁部に沿って延びる接続用電極８３ｂが接続されており、この接続用電極８３ｂの先端部は、図１７に示した状態で、右上に位置する下部電極の右端部に接続されている。

この熱電変換モジュール８０におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール５０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。また、熱電変換モジュール８０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体は、熱電変換モジュール５０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体と略同一である。また、熱電変換モジュール８０の使用方法も前述した熱電変換モジュール５０と同じであり、熱電変換モジュール８０における作用効果についても、前述した熱電変換モジュール５０と同様である。なお、熱電変換モジュール８０におけるリード線１６ｃ，１６ｄに代えてブロック電極を用いてもよいし、外部接続用電極８５ａ，８６ａの上面にブロック電極を設置してもよい。

（第８実施形態）
図１８は、本発明の第８実施形態に係る熱電変換モジュール９０を示している。この熱電変換モジュール９０は、図２に示した熱電変換モジュール２０における電極パッド２５，２６および接続用電極２３ａ，２３ｂを変更したものである。すなわち、この熱電変換モジュール９０では、電極パッド９５の外部接続用電極９５ａ，９５ｂが、下側絶縁基板９１の一方の対角線上に位置する角部に配置され、電極パッド９６の外部接続用電極９６ａ，９６ｂが、下側絶縁基板９１のもう一方の対角線上に位置する角部に配置されている。

そして、外部接続用電極９５ａ，９５ｂを接続する帯状部分９５ｃは、外部接続用電極９５ａの外側縁部から下側絶縁基板９１の長手方向の縁部に沿って外部接続用電極９６ｂ側に延び、外部接続用電極９６ｂの手前で直角方向に屈曲して外部接続用電極９５ｂまで延びている。また、外部接続用電極９６ａ，９６ｂを接続する帯状部分９６ｃは、外部接続用電極９５ａの外側縁部から下側絶縁基板９１の長手方向の縁部に沿って外部接続用電極９５ｂの外部側角部近傍まで延び、外部接続用電極９５ｂを囲むようにして直角方向に屈曲して外部接続用電極９６ｂまで延びている。

そして、下側絶縁基板９１の上面に形成された下部電極（図示せず）のうち、図１８に示した状態で、右上に位置する下部電極の上端部と、電極パッド９５の外部接続用電極９５ｂの下端部との間に接続用電極９３ａが形成されている。また、右下に位置する下部電極の下端部と、電極パッド９６の外部接続用電極９６ａの上端部との間に接続用電極９３ｂが形成されている。この熱電変換モジュール９０におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール２０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。

また、熱電変換モジュール９０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体は、熱電変換モジュール２０が組み込まれる半導体レーザーパッケージ１０が備える装置本体と略同一である。また、熱電変換モジュール９０の使用方法も前述した熱電変換モジュール２０と同じであり、熱電変換モジュール９０における作用効果についても、前述した熱電変換モジュール２０と同様である。なお、熱電変換モジュール９０においても、リード線１６ａ，１６ｂに代えてブロック電極を用いてもよいし、外部接続用電極９５ｂ，９６ｂの上面にブロック電極を設置してもよい。

（第９実施形態）
図１９は、本発明の第９実施形態に係る熱電変換モジュール１００を示している。この熱電変換モジュール１００は三組の電力供給部を備えたものであり、下側絶縁基板１０１の突出部１０１ａにおける長手方向に沿った両側には、外部接続用電極１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを含む電極パッド１０５と、外部接続用電極１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃを含む電極パッド１０６とが前後対象（図１９では左右対称）に形成されている。電極パッド１０５，１０６は、それぞれ左右両側の一方に形成された面積の大きな四角形の外部接続用電極１０５ａ，１０６ａと、左右両側の他方に形成された面積の小さなそれぞれ一対の外部接続用電極１０５ｂ，１０５ｃおよび外部接続用電極１０６ｂ，１０６ｃとを備えている。

外部接続用電極１０５ｂ，１０５ｃおよび外部接続用電極１０６ｂ，１０６ｃの大きさは略同じになっており、外部接続用電極１０５ａ，１０６ａの面積の半分よりもやや小さな面積に設定されている。そして、外部接続用電極１０５ａ，１０５ｂが左右に延びる帯状部分１０５ｄで接続され、外部接続用電極１０５ｂ，１０５ｃが前後に延びる帯状部分１０５ｅで接続されている。また、外部接続用電極１０６ａ，１０６ｂが左右に延びる帯状部分１０６ｄで接続され、外部接続用電極１０６ｂ，１０６ｃが前後に延びる帯状部分１０６ｅで接続されている。

そして、この熱電変換モジュール１００は、外部接続用電極１０５ｂ，１０６ｂをそのまま電力供給部として用いるとともに、外部接続用電極１０５ｃ，１０６ｃにブロック電極１０９ａ，１０９ｂを設置して他方の電力供給部とした構成になっている。この熱電変換モジュール１００におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール２０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。すなわち、この熱電変換モジュール１００では、外部接続用電極１０５ａ，１０５ｂに接続された、リード線１６ａ，１６ｂでさらに他の電力供給部が構成される。

また、熱電変換モジュール１００が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体は、熱電変換モジュール２０が組み込まれる半導体レーザーパッケージ１０が備える装置本体と略同一である。この熱電変換モジュール１００によると、リード線１６ａ，１６ｂを用いた結線方法と、ボンディングワイヤ１７を用いた結線方法とを適宜選択して用いることができる。さらに、ブロック電極１０９ａ，１０９ｂを用いたワイヤボンディングと、ブロック電極１０９ａ，１０９ｂを用いないワイヤボンディングとを適宜選択して用いることができる。この熱電変換モジュール１００におけるそれ以外の作用効果については、前述した熱電変換モジュール２０と同様である。

（第１０実施形態）
図２０は、本発明の第１０実施形態に係る熱電変換モジュール１１０を示している。この熱電変換モジュール１１０は、熱電変換モジュール７０を変形したものであり、一対の電極パッド１１５，１１６が、下側絶縁基板１１１の長手方向の両端部分に形成されている。そして、突出部１１１ａの一方に形成された二つの外部接続用電極１１５ａ，１１５ｂが、短い帯状部分で接続されるのではなく、同じ幅で連続する一体からなる四角状の電極パッド１１５で構成されている。同様に、突出部１１１ａの他方に形成された二つの外部接続用電極１１６ａ，１１６ｂも短い帯状部分で接続されるのではなく、同じ幅で連続する一体からなる四角状の電極パッド１１６で構成されている。電極パッド１１５，１１６のように、複数の電極パッドが短い帯状部分で接続されていない場合においても、このように複数組の電力供給部を備えることができる。

この熱電変換モジュール１１０におけるそれ以外の部分の構成については、前述した熱電変換モジュール７０と同一である。したがって、同一部分に同一符号を記して説明は省略する。また、熱電変換モジュール１１０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体は、熱電変換モジュール７０が組み込まれる半導体レーザーパッケージが備える装置本体と略同一である。さらに、この熱電変換モジュール１１０の作用効果についても、前述した熱電変換モジュール７０と同様である。

また、前述した第１〜第１０実施形態の変形例として、それぞれの外部接続用電極２５ａ等に、リード線やブロック電極を設置せずに、すべての外部接続用電極２５ａ等だけで電力供給部を構成したり、すべての外部接続用電極２５ａ等にリード線を接続して電力供給部を構成したり、すべての外部接続用電極２５ａ等にブロック電極を設置して電力供給部を構成したりすることができる。この場合、一方の一対の電力供給部を導電テスト用に用い、他方の一対の電力供給部を熱電変換モジュール２０等への給電に用いることができる。

また、本発明は、前述した各実施形態に限定するものでなく、適宜変更実施が可能である。例えば、前述した各実施形態では、下側絶縁基板２１等の長さを、長手方向だけでなく、幅方向も上側絶縁基板２２の一辺の長さよりも長くしているが、下側絶縁基板２１等の幅方向の長さは、上側絶縁基板２２の一辺の長さと同じにしてもよい。また、前述した各実施形態では、各電極パッド２５等をそれぞれ外部接続用電極２５ａ，２５ｂ等を帯状部分２５ｃ等で接続して一体に形成しているが、各外部接続用電極２５ａ，２５ｂ等をそれぞれ別体で構成して、それぞれを対応する下部電極２３に接続してもよい。さらに、熱電変換モジュール２０等を構成する各部材の材質、形状、サイズ等も使用目的に応じて変更することができる。

本発明の第１実施形態に係るリード線を用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 図１に示した熱電変換モジュールの平面図である。 図１に示した熱電変換モジュールのリード線を切断した状態を示した平面図である。 第１実施形態に係るボンディングワイヤを用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 （ａ）は本発明の第２実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ断面図である。 第２実施形態に係るブロック電極を用いずボンディングワイヤを用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 第２実施形態に係るブロック電極およびボンディングワイヤを用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 本発明の第３実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 第３実施形態に係るリード線を用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 第３実施形態に係るブロック電極およびボンディングワイヤを用いた熱電変換モジュールを備えた半導体レーザーパッケージの要部を示した正面図である。 図８に示した熱電変換モジュールのリード線を切断した状態を示した平面図である。 本発明の第４実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 図１２に示した熱電変換モジュールのリード線を切断した状態を示した平面図である。 本発明の第５実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 本発明の第６実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 図１５に示した熱電変換モジュールのリード線を切断した状態を示した平面図である。 本発明の第７実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 本発明の第８実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 本発明の第９実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。 本発明の第１０実施形態に係る熱電変換モジュールを示した平面図である。

符号の説明

１０，１０ａ，３０，３０ａ，４０，４０ａ…半導体レーザーパッケージ、１６…リード、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ…リード線、２０，２０ａ，２０ｂ，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１１０…熱電変換モジュール、２１，５１，８１，９１，１０１…下側絶縁基板、２１ａ，５１ａ，１０１ａ…突出部、２２…上側絶縁基板、２３…下部電極、２３ａ，２３ｂ，５３ａ，５３ｂ，８３ａ，８３ｂ，９３ａ，９３ｂ…接続用電極、２４…上部電極、２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，５５ａ，５５ｂ，５６ａ，５６ｂ，８５ａ，８５ｂ，８６ａ，８５ｂ，９５ａ，９５ｂ，９６ａ，９６ｂ，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１１５ａ，１１５ｂ，１１６ａ，１１６ｂ…外部接続用電極、２７…熱電素子、２９ａ，２９ｂ，６９ａ，６９ｂ，７９ａ，７９ｂ，１０９ａ，１０９ｂ…ブロック電極。

Claims (7)

1. 対向させて上下に配置した一対の絶縁基板における対向する両面の所定箇所に複数の電極を形成し、前記複数の電極に複数の熱電素子の上下の端面をそれぞれ固定することにより、前記複数の電極と前記複数の熱電素子とを電気的に接続して構成される熱電変換モジュールであって、
   前記一対の絶縁基板のうちの下側の絶縁基板の前後方向および左右方向の少なくとも一方の両端部を上側の絶縁基板の両端部よりも外部側に突出させその突出した突出部の上面にそれぞれ前記複数の電極のうちの所定の電極に接続された複数の外部接続用電極を形成し、前記突出部に形成された複数の外部接続用電極を用いてそれぞれ一対からなる複数組みの電力供給部を形成したことを特徴とする熱電変換モジュール。
2. 前記それぞれ一対からなる電力供給部どうしを異なる種類の電力供給部で構成した請求項１に記載の熱電変換モジュール。
3. 前記下側の絶縁基板の長手方向に沿った両端部で前記突出部を構成し、前記突出部のうちの一方の突出部に同じ種類の電力供給部からなり互いに異なる極性を備えた一対の電力供給部を設け、他方の突出部に、前記一方の突出部に設けられた電力供給部とは異なる種類の同じ電力供給部からなり互いに異なる極性を備えた一対の電力供給部を設けた請求項２に記載の熱電変換モジュール。
4. 前記下側の絶縁基板の長手方向に沿った両端部で前記突出部を構成し、前記突出部のうちの一方の突出部に異なる種類の電力供給部からなり同じ極性を備えた二つの電力供給部を設け、他方の突出部に、前記一方の突出部に設けられた二つの電力供給部と同じ種類の二つの電力供給部からなり前記一方の突出部に設けられた二つの電力供給部とは極性の異なる極性を備えた二つの電力供給部を設けた請求項２に記載の熱電変換モジュール。
5. 前記それぞれ一対からなる種類の異なる電力供給部を、前記外部接続用電極を平面型電極パッドで構成した一対の電力供給部、前記平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にブロック型電極パッドを設置して構成される一対の電力供給部および前記平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にリード線を接続して構成される一対の電力供給部の三組の一対からなる電力供給部または前記三組の一対からなる電力供給部のうちの任意の二組の一対からなる電力供給部とした請求項２ないし４のうちのいずれか一つに記載の熱電変換モジュール。
6. 前記平面型電極パッドからなる外部接続用電極の上面にリード線を接続して構成される一対の電力供給部が予め備わっており、前記リード線を使用しない場合には、前記リード線を除去または切断して用いられる請求項５に記載の熱電変換モジュール。
7. 前記下側の絶縁基板の所定の両端の突出部に形成された複数組の一対の電力供給部のうちの任意の一対の電力供給部を適宜選択し、前記選択された一対の電力供給部を半導体レーザーパッケージの導電部に接続して使用される請求項１ないし６のうちのいずれか一つに記載の熱電変換モジュール。

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