JP2018037218A - 電池モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】制御基板の通電構造における各種性能を向上できる電池モジュールを提供する。【解決手段】第1のバスバー23は、接続部42から上方へ屈曲する屈曲部43を少なくとも有している。このように、第1のバスバー23が屈曲部43を有していることにより、当該屈曲部43が寸法誤差を吸収することで、押し込み負荷の発生を抑制できる。また、屈曲部43は、少なくともFET基板22の縁部32aよりも、平面方向における内側に配置される。FET基板22の縁部32a付近の領域32bは、第1のバスバー23から露出し、第1のバスバー23も当該領域32bから離間した状態となる。従って、当該領域32bを放熱面として確保することができる。また、FET基板22の縁部32aに電子部品が設けられている場合に、第1のバスバー23が当該電子部品と接触することを防止することで、絶縁性も向上させることができる。【選択図】図2

Description

本発明は、電池モジュールに関する。
電池モジュールとして、例えば特許文献1に記載されたものがある。特許文献1の電池モジュールは、電池セルが複数配列されてなる配列体を有しており、これ配列体は、エンドプレート、タイロッド等で連結されている。このような電池モジュールは、電池セルにて電力を発生し、外部の機器に対して電力を供給することができる。
特開2003−36830号公報
上述のような電池モジュールは、電池セルで発電した電力のON−OFFを制御するための制御基板(FET基板)を有する場合がある。このような制御基板が設けられる場合、電池セル側の接続端子と、制御基板との間がバスバーで接続される。しかしながら、このようなバスバーを設けた場合、バスバーと制御基板が接触することにより(例えば図3参照)、制御基板の放熱性の問題、制御基板上の電子部品とバスバーとが近接することによる絶縁性の低下の問題が生じる。また、接続端子と制御基板との部品精度が十分でない場合は、バスバーを締結した時に制御基板に押し込み負荷がかかるという問題がある。従って、これらの問題を解消し、制御基板の通電構造における各種性能を向上することが求められていた。
そこで、本発明は、制御基板の通電構造における各種性能を向上できる電池モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る電池モジュールは、電池セルと、電池セルで発生した電力の通電の切り替えを行う制御基板と、電池セル側の端子と制御基板とを電気的に接続する第1のバスバーと、出力側の端子と前記制御基板とを電気的に接続する第2のバスバーと、を備え、第1のバスバーは、制御基板の平面方向に沿って延びると共に、制御基板と接続される第1の接続部と、第1の接続部から上方へ屈曲する第1の屈曲部と、を少なくとも有し、第1の屈曲部は、少なくとも制御基板の縁部よりも、平面方向における内側に配置される。
電池モジュールは、電池セル側の端子と制御基板とを電気的に接続する第1のバスバーを備えている。また、第1のバスバーは、制御基板の平面方向に沿って延びると共に、制御基板と接続される第1の接続部と、第1の接続部から上方へ屈曲する第1の屈曲部と、を少なくとも有している。例えば、図3に示すように、バスバーが制御基板からまっすぐに延びている場合は、接続端子と制御基板との間の部品精度が確保されていなくては、バスバーを締結したときに寸法誤差に起因する押し込み負荷が制御基板にかかる可能性がある。しかし、第1のバスバーが第1の屈曲部を有していることにより、当該第1の屈曲部が寸法誤差を吸収することで、このような押し込み負荷の発生を抑制できる。また、第1の屈曲部は、少なくとも制御基板の縁部よりも、平面方向における内側に配置される。従って、制御基板の縁部付近の領域は、第1のバスバーから露出し、第1のバスバーも当該領域から離間した状態となる。従って、当該領域を放熱面として確保することができ、当該領域から離間した部分において、第1のバスバーの放熱性を向上できる。また、制御基板の縁部に電子部品が設けられている場合に、第1のバスバーが当該電子部品と接触することを防止することで、絶縁性も向上させることができる。以上により、制御基板の通電構造における各種性能を向上させることができる。
第2のバスバーは、制御基板の平面方向に沿って延びると共に、制御基板と接続される第2の接続部と、第2の接続部から上方へ屈曲する第2の屈曲部と、を少なくとも有し、第2の屈曲部は、少なくとも制御基板の縁部よりも、平面方向における内側に配置されてよい。これにより、第2のバスバー側においても、第1のバスバーの上述の効果を奏することができる。
第2のバスバーは、ヒューズに接続されていてよい。ヒューズは、制御基板よりも発熱が多い部材であるが、第2のバスバーの放熱性を高めることにより、ヒューズから制御基板に熱が伝達されることを抑制できる。
第1のバスバーは、制御基板の外側において、電池セル側の端子に接続される、第3の接続部と、第3の接続部から上方へ屈曲する第3の屈曲部と、を備えてよい。これにより、入力側の端子と制御基板との間の寸法誤差の吸収効果を向上させることができる。
第2のバスバーは、制御基板の外側において、出力側の端子に接続される、第4の接続部と、第4の接続部から上方へ屈曲する第4の屈曲部と、を備えてよい。第2のバスバー側においても、第1のバスバーと同様の寸法誤差の吸収効果を向上させることができる。
本発明によれば、電池モジュールの制御基板の通電構造における各種性能を向上する。
本発明の実施形態に係る電池モジュールを示す平面図である。 本発明の実施形態に係る電池モジュールの基板構成を示す模式図である。 比較例に係る電池モジュールの基板構成を示す模式図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、電池モジュールを示す平面図である。図1に示す電池モジュール1は、例えば、複数の電池モジュール1が筐体内に収容されて電池パックとされた状態で用いられる。
図1に示すように、電池モジュール1は、電池セル11がセルホルダ21に保持された状態で複数配列されてなる配列体15と、配列体15の配列方向D(図1の左右方向)の一方側(図1の右側)に配置された弾性部材31と、配列体15及び弾性部材31に対して配列方向Dの両側に配置された一対のエンドプレート41と、一対のエンドプレート41同士を連結する複数のボルト51と、配列体15と弾性部材31との間に配置されたミドルプレート61と、を備えている。
電池セル11は、矩形箱状のケース内に電極組立体を収容してなる電池であり、例えばリチウムイオン二次電池等の非水電解質二次電池である。電池セル11は、この例では、7つ配列されている。電池セル11は、セルホルダ21に保持された状態で配列されている。隣り合う電池セル11同士は、伝熱プレート(不図示)を介して密着している。隣り合う電池セル11の電極端子13は、バスバー14によって互いに電気的に接続されており、これにより、隣り合う電池セル11が電気的に直列に接続されている。これら電池セル11、セルホルダ21、伝熱プレート12、及びバスバー14によって配列体15が構成されている。
この電池モジュール1は、図1において二点鎖線で示すように、配列体15の上面側に基板構造100を備えている。図2に、基板構造100の概略構成図を示す。図2に示すように、基板構造100は、ベース20と、FET基板(制御基板)22と、第1のバスバー23と、第2のバスバー24と、第1の接続端子(電池セル側の端子)26と、第2の接続端子(出力側の端子)27と、を備えている。この基板構造100は、電池セル11で発生した電力が第1の接続端子26及び第1のバスバー23を介してFET基板22へ供給される。また、FET基板22から第2のバスバー24及び第2の接続端子27を介して外部へ向けて電力が出力される。従って、電池セル11側の第1の接続端子26が入力側の端子に該当し、第2の接続端子27が外部の装置へ電力を供給する出力側の端子に該当する。
ベース20は、基板構造100のFET基板22等の各構成要素を電池モジュール1に実装させるための部材である。ベース20は、樹脂等の材質によって構成される板状部材である、なお、ベース20は、更にアルミプレート(不図示)上に載置されており、当該アルミプレートが配列体15の上面側に固定されている。例えば、アルミプレートは、エンドプレート41及びセルホルダ21の上端部に固定されていてよい。また、アルミプレートは、基板構造100内で発生した熱を放熱する機能を有している。
FET基板22は、電池セル11で発生した電力の通電の切り替えを行う基板である。FET基板22は、電池セル11の第2で発生した電力の通電のON−OFFを制御する。FET基板22は、ベース20上に載置された基板32と、基板32の上面に実装された制御素子33と、を備えている。制御素子33は、基板32の中央寄りの位置に配置されている。FET基板22は、電池セル11で発生した電力が通電されるものであるため、強電流が流れ、通常の電気基板に比して発熱量が多く、熱くなりやすい基板である。
第1の接続端子26は、ベース20上において、FET基板22から平面方向に離間した位置に形成されている。第1の接続端子26は、第1のバスバー23を介して、FET基板22へ電池セル11からの電力を供給する端子である。本実施形態では、FET基板22の一の縁部32aから外側へ離間した位置に配置されている。第1の接続端子26は、第1のバスバー23をボルト55で締結することによって、当該第1のバスバー23と接続可能な構成となっている。第1の接続端子26は、電池セル11側(すなわち入力側)のラインEL1と電気的に接続されている。本実施形態では、第1の接続端子26は、ベース20の上面から円筒状の突出部56を備えている。この突出部56は、内部にボルト55に対する雌ネジ部26aが形成されている。
第2の接続端子27は、ベース20上において、FET基板22から平面方向に離間した位置に形成されている。第2の接続端子27は、第2のバスバー24を介して、FET基板22を介して電池セル11の電力を外部へ供給する端子である。本実施形態では、FET基板22の他の縁部32cから外側へ離間した位置に配置されている。第2の接続端子27は、第2のバスバー24をボルト57で締結することによって、当該第2のバスバー24と接続可能な構成となっている。第2の接続端子27は、出力側のラインEL2と電気的に接続されている。本実施形態では、第2の接続端子27は、ベース20に穴を形成して、当該穴にボルト57に対する雌ネジ部27aが形成されている。なお、第2の接続端子27には、ヒューズ58が接続されている。ヒューズ58は、第2のバスバー24と共にボルト57で締結されている。ヒューズ58は、FET基板22よりも多くの発熱を行う素子である。
第1のバスバー23は、電池セル11とFET基板22とを電気的に接続する部材である。第1のバスバー23は、接続部(第1の接続部)42と、屈曲部(第1の屈曲部)43と、延在部44と、接続部(第3の接続部)47と、屈曲部(第3の屈曲部)46と、を備えている。
接続部42は、FET基板22の平面方向に沿って延びると共に、FET基板22と接続される部分である。接続部42は、FET基板22の基板32の上面のうち、一の縁部32a寄りの位置に接続されている。また、接続部42は、ボルト54で基板32に締結されることによって、当該基板32に接続されている。接続部42の基板32に対する接触部分の寸法L1は、ボルト54の頭部の座面、及び屈曲部43を確保するのに必要な寸法が少なくとも確保されている。ただし、寸法L1は、接続部42の先端部と基板32の縁部32aとの間の寸法L2よりも小さい寸法に設定されている。
屈曲部43は、接続部42から上方へ屈曲する部分である。屈曲部43は、接続部42に対して直角に立ち上がるように屈曲している。ここで、屈曲部43は、少なくともFET基板22の縁部32aよりも平面方向における内側に配置されている。従って、基板32の上面は、屈曲部43と縁部32aとの間の領域32bにおいて、露出している。従って、基板32の領域32bはバスバー23から露出しているため、FET基板22で発生した熱を放熱する放熱面としての機能も有することができる。また、基板32の領域32bには電子部品が配置されることもあるが、このような電子部品とバスバー23とを離間させることができるため、バスバー23とFET基板22との間の絶縁性を確保することができる。基板32の表面から上方へ延びる屈曲部43の高さ寸法は特に限定されない。ただし、屈曲部43の上端に接続される延在部44と基板32の領域32bとの間に、放熱を行うのに十分な隙間を確保できるような寸法に設定すればよい。
延在部44は、屈曲部43の上端から、基板32の縁部32aよりも平面方向における外側へ向かって、当該平面方向に延びる部分である。延在部44が屈曲部43からどこまで延びるかは、第1の接続端子26の位置に合わせて適宜設定すればよい。
接続部47は、FET基板22の外側において、電池セル11側の第1の接続端子26に接続される部分である。本実施形態では、第1の接続端子26は、ベース20の上面から突出している。従って、接続部47は、突出部56の上端面の上に配置され、ボルト55によって当該突出部56に締結される。接続部47は、第1の接続端子26からFET基板22側へ向かって延びている。
屈曲部46は、接続部47から上方へ屈曲する部分である。屈曲部46は、接続部47に対して直角に立ち上がるように屈曲している。ここで、屈曲部46は、第1の接続端子26とFET基板22との間に配置されている。屈曲部46の水平方向における位置は、特に限定されない。ただし、延在部44及び屈曲部46の放熱性を確保できる程度に、FET基板22から離れた位置に屈曲部46が配置されていればよい。また、後述の電流センサ70の検出部71を配置できる程度の長さを接続部47が確保できるように、屈曲部46の水平方向の位置が決められてよい。屈曲部46の上端の高さ位置は、延在部44の高さ位置、すなわち屈曲部43の上端の高さ位置と等しくなる。ただし、延在部44は必ずしも水平に延びていなくともよく、例えば水平方向に対して傾斜していたり、階段状に複数回屈曲しているような場合、屈曲部46の上端は、屈曲部43と異なる位置に配置されてよい。
第1のバスバー23には、電流センサ70の検出部71が取り付けられている。電流センサ70は、検出部71が取り付けられている箇所における電流を検出する機能を有する。本実施形態では、検出部71は、接続部47のうち、第1の接続端子26と屈曲部46との間の部分に取り付けられている。ただし、検出部71を取り付ける位置は特に限定されず、屈曲部46であってもよく、延在部44であってもよい。
第2のバスバー24は、出力側の第2の接続端子27とFET基板22とを電気的に接続する部材である。第2のバスバー24は、接続部(第2の接続部)62と、屈曲部(第2の屈曲部)63と、延在部64と、接続部(第4の接続部)67と、屈曲部(第4の屈曲部)66と、を備えている。
接続部62は、FET基板22の平面方向に沿って延びると共に、FET基板22と接続される部分である。接続部62は、FET基板22の基板32の上面のうち、他の縁部32c寄りの位置に接続されている。また、接続部62は、ボルト59で基板32に締結されることによって、当該基板32に接続されている。接続部62の基板32に対する接触部分の寸法L3は、ボルト59の頭部の座面、及び屈曲部63を確保するのに必要な寸法が少なくとも確保されている。ただし、寸法L3は、接続部62の先端部と基板32の縁部32cとの間の寸法L4よりも小さい寸法に設定されている。
屈曲部63は、接続部62から上方へ屈曲する部分である。屈曲部63は、接続部62に対して直角に立ち上がるように屈曲している。ここで、屈曲部63は、少なくともFET基板22の縁部32cよりも平面方向における内側に配置されている。従って、基板32の上面は、屈曲部63と縁部32cとの間の領域32dにおいて、露出している。従って、基板32の領域32dはバスバー23から露出しているため、FET基板22で発生した熱を放熱する放熱面としての機能も有することができる。また、基板32の領域32dには電子部品が配置されることもあるが、このような電子部品とバスバー24とを離間させることができるため、バスバー24とFET基板22との間の絶縁性を確保することができる。基板32の表面から上方へ延びる屈曲部63の高さ寸法は特に限定されない。ただし、屈曲部63の上端に接続される延在部64と基板32の領域32dとの間に、放熱を行うのに十分な隙間を確保できるような寸法に設定すればよい。
延在部64は、屈曲部63の上端から、基板32の縁部32cよりも平面方向における外側へ向かって、当該平面方向に延びる部分である。延在部64が屈曲部63からどこまで延びるかは、第2の接続端子27の位置に合わせて適宜設定すればよい。
接続部67は、FET基板22の外側において、出力側の第2の接続端子27に接続される部分である。本実施形態では、第2の接続端子27は、ベース20に形成されている。従って、接続部67は、ベース20上に配置され、ボルト57によって当該ベース20に締結される。接続部67は、第2の接続端子27からFET基板22側へ向かって延びている。
屈曲部66は、接続部67から上方へ屈曲する部分である。屈曲部66は、接続部67に対して直角に立ち上がるように屈曲している。ここで、屈曲部66は、第2の接続端子27とFET基板22との間に配置されている。屈曲部66の水平方向における位置は、特に限定されない。ただし、延在部64及び屈曲部66の放熱性を確保できる程度に、FET基板22から離れた位置に屈曲部66が配置されていればよい。屈曲部66の上端の高さ位置は、延在部64の高さ位置、すなわち屈曲部63の上端の高さ位置と等しくなる。ただし、延在部64は必ずしも水平に延びていなくともよく、例えば水平方向に対して傾斜していたり、階段状に複数回屈曲しているような場合、屈曲部66の上端は、屈曲部63と異なる位置に配置されてよい。
ここで、第1のバスバー23及び第2のバスバー24のFET基板22に対する取付方向について、更に詳細に説明する。第1のバスバー23は、FET基板22の縁部32aに接続され、第2のバスバー24は、縁部32cに接続されている。図2では、説明の便宜上、縁部32aと縁部32cは、互いに対向する縁部であるものとして示されている。しかしながら、縁部32aと縁部32cは、必ずしも互いに対向していなくともよく、互いに交差する縁部であってもよく、同一の縁部であってもよい。例えば、図1において、縁部32aと縁部32cは、基板構造100のうちの縁部A側と縁部B側の何れかの縁部であってよく、縁部C側と縁部D側の何れかの縁部であってよい。また、縁部32aと縁部32cは、基板構造100のうちの縁部A側と縁部D側の何れかの縁部であってよく、縁部D側と縁部B側の何れかの縁部であってよく、縁部B側と縁部C側の何れかの縁部であってよく、縁部C側と縁部A側の何れかの縁部であってよい。また、縁部32aと縁部32cは、基板構造100のうちの縁部A側の縁部であってよく、縁部B側の縁部であってよく、縁部C側の縁部であってよく、縁部D側の縁部であってよい。また、図2に示すバスバー23,24は、平面方向における一の方向に延びているが、中途位置において、平面方向において、異なる方向へ曲がっていてもよい。
次に、本実施形態に係る電池モジュール1の作用・効果について説明する。
まず、図3を参照して、比較例に係る電池モジュールの基板構造200について説明する。図3に示すように、基板構造200における第1のバスバー123は、FET基板22と第1の接続端子26との間で屈曲することなく真っ直ぐに延びている。また、第2のバスバー124の接続部162は、FET基板22の接続箇所から基板32上を縁部32cに至るまで真っ直ぐに延びている。また、第2のバスバー124は、縁部32cの外側で、下方へ屈曲する屈曲部166を有し、接続部167にて第2の接続端子27と接続されている。
このような比較例に係る電池モジュールでは、バスバー123,124とFET基板22の基板32とが接触することにより、当該部分は基板32及びバスバー123,124共に放熱を行うことができないため、FET基板22の放熱性の問題が生じる。また、FET基板22上の電子部品とバスバー123,124とが近接することにより、絶縁距離が不十分となり、絶縁性の低下の問題が生じる。また、製造時の寸法のばらつき等により、接続端子とFET基板22との部品精度が十分でない場合は、バスバー123,124を締結した時にFET基板22に押し込み負荷がかかるという問題が生じる。従って、これらの問題を解消し、FET基板22の通電構造における各種性能を向上することが求められていた。
これに対し、電池モジュール1は、電池セル11側の第1の接続端子26とFET基板22とを電気的に接続する第1のバスバー23を備えている。また、第1のバスバー23は、FET基板22の平面方向に沿って延びると共に、FET基板22と接続される接続部42と、接続部42から上方へ屈曲する屈曲部43と、を少なくとも有している。このように、第1のバスバー23が屈曲部43を有していることにより、当該屈曲部43が寸法誤差を吸収することで、押し込み負荷の発生を抑制できる。
また、屈曲部43は、少なくともFET基板22の縁部32aよりも、平面方向における内側に配置される。従って、FET基板22の縁部32a付近の領域32bは、第1のバスバー23から露出し、第1のバスバー23も当該領域32bから離間した状態となる。従って、当該領域32bを放熱面として確保することができる。また、当該領域32bから離間した部分において、第1のバスバー23の放熱性を向上できる。具体的には、屈曲部43の両面は、発熱しているFET基板22から露出し、且つ離間した位置に配置されているため、大気中へ十分に放熱を行うことができる。さらには、屈曲部43が形成されることによって、基板32から上方へ離間して、宙に浮いた状態で配置される延在部44においても、十分な放熱性を確保することができる。このように、基板32の上面、及び第1のバスバー23の放熱性を確保できる事は、電池セル11からの強電流が流れることで発熱量が多くなるFET基板22においては特に効果的である。また、FET基板22の縁部32aに電子部品が設けられている場合に、第1のバスバー23が当該電子部品と接触することを防止することで、絶縁性も向上させることができる。以上により、FET基板22の通電構造における各種性能を向上させることができる。
第2のバスバー24は、FET基板22の平面方向に沿って延びると共に、FET基板22と接続される接続部62と、接続部62から上方へ屈曲する第2の屈曲部63と、を少なくとも有している。また、屈曲部63は、少なくともFET基板22の縁部32cよりも、平面方向における内側に配置されている。これにより、第2のバスバー24側においても、第1のバスバー23の上述の効果を奏することができる。
第2のバスバー24は、ヒューズ58に接続されていている。ヒューズ58は、FET基板22よりも発熱が多い部材であるが、第2のバスバー24の放熱性を高めることにより、ヒューズ58からFET基板22に熱が伝達されることを抑制できる。
第1のバスバー23は、FET基板22の外側において、電池セル11側の第1の接続端子26に接続される接続部47と、接続部47から上方へ屈曲する屈曲部46と、を備えている。これにより、入力側の第1の接続端子26とFET基板22との間の寸法誤差の吸収効果を向上させることができる。
第2のバスバー24は、FET基板22の外側において、出力側の第2の接続端子27に接続される接続部67と、接続部67から上方へ屈曲する屈曲部66と、を備えている。第2のバスバー24側においても、第1のバスバー23と同様の寸法誤差の吸収効果を向上させることができる。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。
例えば、上述の実施形態では、第1のバスバー23及び第2のバスバー24の両方が屈曲部43,63を有していたが、少なくとも第1のバスバー23が屈曲部43を有していればよい。
また、各種構成要素の配置や形状は上述の実施形態に限定されず、本発明の趣旨の範囲で適宜変更してよい。例えば、接続端子26,27は、ベースから突出させて構成していてもよく、ベース自体に貫通孔を設けて構成してもよく、どちらの接続端子がどのような構成を有するかは特に限定されない。また、それに応じてバスバー23,24の構成も適宜変更してよい。
1…電池モジュール、11…電池セル、22…FET基板(制御基板)、23…第1のバスバー、24…第2のバスバー、26…第1の接続端子(電池セル側の端子)、27…第2の接続端子(出力側の端子)、42…接続部(第1の接続部)、43…屈曲部(第1の屈曲部)、46…屈曲部(第3の屈曲部)、47…接続部(第3の接続部)、62…接続部(第2の接続部)、63…屈曲部(第2の屈曲部)、66…屈曲部(第4の屈曲部)、67…接続部(第4の接続部)。

Claims (5)

  1. 電池セルと、
    前記電池セルで発生した電力の通電の切り替えを行う制御基板と、
    前記電池セル側の端子と前記制御基板とを電気的に接続する第1のバスバーと、
    出力側の端子と前記制御基板とを電気的に接続する第2のバスバーと、を備え、
    前記第1のバスバーは、
    前記制御基板の平面方向に沿って延びると共に、前記制御基板と接続される第1の接続部と、
    前記第1の接続部から上方へ屈曲する第1の屈曲部と、を少なくとも有し、
    前記第1の屈曲部は、少なくとも制御基板の縁部よりも、前記平面方向における内側に配置される、電池モジュール。
  2. 前記第2のバスバーは、
    前記制御基板の平面方向に沿って延びると共に、前記制御基板と接続される第2の接続部と、
    前記第2の接続部から上方へ屈曲する第2の屈曲部と、を少なくとも有し、
    前記第2の屈曲部は、少なくとも制御基板の縁部よりも、前記平面方向における内側に配置される、請求項1に記載の電池モジュール。
  3. 前記第2のバスバーは、ヒューズに接続されている、請求項1又は2に記載の電池モジュール。
  4. 前記第1のバスバーは、
    制御基板の外側において、前記電池セル側の端子に接続される、第3の接続部と、
    前記第3の接続部から上方へ屈曲する第3の屈曲部と、を備える、請求項1〜3の何れか一項に記載の電池モジュール。
  5. 前記第2のバスバーは、
    制御基板の外側において、前記出力側の端子に接続される、第4の接続部と、
    前記第4の接続部から上方へ屈曲する第4の屈曲部と、を備える、請求項1〜4の何れか一項に記載の電池モジュール。
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