JP2009212208A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体チップ１０と、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４と、複数の電極１４にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ１８と、複数のバンプ１８にそれぞれ接触する複数のリード２６と、複数のリード２６が形成されたベース基板２４と、を有する。接着剤２８は、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持する。半導体チップ１０には、収縮する方向の応力が残存している。複数のリード２６には、少なくとも半導体チップ１０から複数のバンプ１８を介して、半導体チップ１０の中央方向に押圧力が加えられている。
【選択図】図６
【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体チップ１０と、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４と、複数の電極１４にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ１８と、複数のバンプ１８にそれぞれ接触する複数のリード２６と、複数のリード２６が形成されたベース基板２４と、を有する。接着剤２８は、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持する。半導体チップ１０には、収縮する方向の応力が残存している。複数のリード２６には、少なくとも半導体チップ１０から複数のバンプ１８を介して、半導体チップ１０の中央方向に押圧力が加えられている。
【選択図】図６
Description
本発明は、半導体モジュール及びその製造方法の製造方法に関する。
特許文献１には、半導体チップの能動面に樹脂突起を設け、能動面の電極から樹脂突起上に配線を設けて、突起電極を形成することが開示されている。これによれば、樹脂突起によって応力を緩和できるとともに、突起電極を電極とは異なるピッチ及び配列で並べることが可能である。しかしながら、特許文献１には、突起電極と実装基板のリードとの電気的な接続性をどのようにして高めるかが開示されていない。
特開２００５−１３６４０２号公報
本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
（１）本発明に係る半導体モジュールは、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
前記複数のバンプにそれぞれ接触する複数のリードと、
前記複数のリードが形成されたベース基板と、
前記半導体チップの前記バンプが形成された面と、前記ベース基板の前記複数のリードが形成された面と、の間で間隔を保持する硬化した接着剤と、
を有し、
前記半導体チップには、収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、少なくとも前記半導体チップから前記複数のバンプを介して、前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられている。本発明によれば、半導体チップの中央方向にバンプからリードに押圧力が加えられているので、半導体装置の外側においてバンプとリードが圧接している。半導体装置の外側は、バンプとリードの剥離が発生し始める側なので、その側において圧接していることで、バンプとリードが離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
（２）この半導体モジュールにおいて、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記複数のリードは、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分にそれぞれ接触し、
前記樹脂突起にも、前記軸に沿って収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられていてもよい。
（３）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、複数の窪みを有し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の窪み内に位置し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられていてもよい。
（４）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
それぞれの前記リードは、前記弦の中央部に対向する部分が、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲がっていてもよい。
（５）この半導体モジュールにおいて、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの外側に近い端部が、いずれかの前記バンプと接触し、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中側に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しなくてもよい。
（６）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、前記複数の第１の接続部と接触する複数の第１のリードと、前記複数の第２の接続部と接触する複数の第２のリードと、を含み、
前記第１の樹脂突起は、前記軸に沿って一列に並ぶ、複数の第１の窪み及び複数の第２の窪みを有し、少なくとも１つの前記第１の窪みと少なくとも１つの前記第２の窪みが交互に配列され、
前記複数の第１の接続部及び前記複数の第１のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の第１の窪み内に位置し、
前記複数の第２のリードは、前記第１の樹脂突起の前記複数の第２の窪み内を通って、前記複数の第２の接続部上に至るように形成されていてもよい。
（７）本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、
（ａ）半導体装置を加熱する工程と、
（ｂ）加熱された前記半導体装置を、接着剤を介して、複数のリードが形成されたベース基板に押圧する工程と、その後、
（ｃ）前記半導体装置及び前記ベース基板の間に押圧力を加えたまま、前記半導体装置を冷却する工程と、
を含み、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
を有し、
前記（ｂ）工程で、前記複数のバンプを複数のリードに押圧し、
前記（ｃ）工程で、前記半導体チップを収縮させて、前記複数のバンプを介して、前記複数のリードに、前記半導体チップの中央方向に押圧力を加える。本発明によれば、半導体チップの中央方向にバンプからリードに押圧力を加えるので、半導体装置の外側においてバンプとリードが圧接する。半導体装置の外側は、バンプとリードの剥離が発生し始める側なので、その側において圧接させることで、バンプとリードが離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
（８）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記（ｂ）工程で、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分を、前記複数のリードに接触させ、
前記（ｃ）工程で、前記樹脂突起も前記軸に沿って収縮させ、前記複数のリードに、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加えてもよい。
（９）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記樹脂突起に、前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部を介して、複数の窪みを形成し、
前記（ｃ）工程で、前記複数のリードに、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加えてもよい。
（１０）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
前記(ｃ)工程で、それぞれの前記リードの、前記弦の中央部に対向する部分を、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲げてもよい。
（１１）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
それぞれの前記リードは、前記半導体チップの外側に近い端部がいずれかの前記バンプと接触して、前記半導体チップの中央方向に押圧され、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中央に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しなくてもよい。
（１２）この半導体モジュールの製造方法において、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、複数の第１のリードと、複数の第２のリードと、を含み、
前記（ｂ）工程で、前記複数の第１のリードを部分的に前記複数の第１の接続部と対向させ、前記複数の第２のリードを部分的に前記複数の第２の接続部と対向させ、かつ、前記複数の第２のリードを部分的に前記第１の接続部を避けて前記第１の樹脂突起と対向させ、前記複数の第２のリードを前記第１の樹脂突起にめり込ませ、
前記（ｃ）工程で、前記第１の樹脂突起の収縮に従って前記第２のリードを屈曲させてもよい。
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
前記複数のバンプにそれぞれ接触する複数のリードと、
前記複数のリードが形成されたベース基板と、
前記半導体チップの前記バンプが形成された面と、前記ベース基板の前記複数のリードが形成された面と、の間で間隔を保持する硬化した接着剤と、
を有し、
前記半導体チップには、収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、少なくとも前記半導体チップから前記複数のバンプを介して、前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられている。本発明によれば、半導体チップの中央方向にバンプからリードに押圧力が加えられているので、半導体装置の外側においてバンプとリードが圧接している。半導体装置の外側は、バンプとリードの剥離が発生し始める側なので、その側において圧接していることで、バンプとリードが離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
（２）この半導体モジュールにおいて、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記複数のリードは、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分にそれぞれ接触し、
前記樹脂突起にも、前記軸に沿って収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられていてもよい。
（３）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、複数の窪みを有し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の窪み内に位置し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられていてもよい。
（４）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
それぞれの前記リードは、前記弦の中央部に対向する部分が、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲がっていてもよい。
（５）この半導体モジュールにおいて、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの外側に近い端部が、いずれかの前記バンプと接触し、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中側に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しなくてもよい。
（６）この半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、前記複数の第１の接続部と接触する複数の第１のリードと、前記複数の第２の接続部と接触する複数の第２のリードと、を含み、
前記第１の樹脂突起は、前記軸に沿って一列に並ぶ、複数の第１の窪み及び複数の第２の窪みを有し、少なくとも１つの前記第１の窪みと少なくとも１つの前記第２の窪みが交互に配列され、
前記複数の第１の接続部及び前記複数の第１のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の第１の窪み内に位置し、
前記複数の第２のリードは、前記第１の樹脂突起の前記複数の第２の窪み内を通って、前記複数の第２の接続部上に至るように形成されていてもよい。
（７）本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、
（ａ）半導体装置を加熱する工程と、
（ｂ）加熱された前記半導体装置を、接着剤を介して、複数のリードが形成されたベース基板に押圧する工程と、その後、
（ｃ）前記半導体装置及び前記ベース基板の間に押圧力を加えたまま、前記半導体装置を冷却する工程と、
を含み、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
を有し、
前記（ｂ）工程で、前記複数のバンプを複数のリードに押圧し、
前記（ｃ）工程で、前記半導体チップを収縮させて、前記複数のバンプを介して、前記複数のリードに、前記半導体チップの中央方向に押圧力を加える。本発明によれば、半導体チップの中央方向にバンプからリードに押圧力を加えるので、半導体装置の外側においてバンプとリードが圧接する。半導体装置の外側は、バンプとリードの剥離が発生し始める側なので、その側において圧接させることで、バンプとリードが離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
（８）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記（ｂ）工程で、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分を、前記複数のリードに接触させ、
前記（ｃ）工程で、前記樹脂突起も前記軸に沿って収縮させ、前記複数のリードに、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加えてもよい。
（９）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記樹脂突起に、前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部を介して、複数の窪みを形成し、
前記（ｃ）工程で、前記複数のリードに、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加えてもよい。
（１０）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
前記(ｃ)工程で、それぞれの前記リードの、前記弦の中央部に対向する部分を、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲げてもよい。
（１１）この半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
それぞれの前記リードは、前記半導体チップの外側に近い端部がいずれかの前記バンプと接触して、前記半導体チップの中央方向に押圧され、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中央に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しなくてもよい。
（１２）この半導体モジュールの製造方法において、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、複数の第１のリードと、複数の第２のリードと、を含み、
前記（ｂ）工程で、前記複数の第１のリードを部分的に前記複数の第１の接続部と対向させ、前記複数の第２のリードを部分的に前記複数の第２の接続部と対向させ、かつ、前記複数の第２のリードを部分的に前記第１の接続部を避けて前記第１の樹脂突起と対向させ、前記複数の第２のリードを前記第１の樹脂突起にめり込ませ、
前記（ｃ）工程で、前記第１の樹脂突起の収縮に従って前記第２のリードを屈曲させてもよい。
（第１の実施の形態）
（半導体装置）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールに使用される半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図であり、図３は、図１に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
（半導体装置）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールに使用される半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図であり、図３は、図１に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
半導体装置１は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０は、矩形の面を有している。半導体チップ１０には、集積回路１２（トランジスタ等）が形成されている。半導体チップ１０には、集積回路１２に電気的に接続されるように、複数の電極１４が形成されている。電極１４は、１列又は複数列（平行な複数列）に並んでいる。電極１４は、半導体チップ１０の矩形の面の辺（例えば長方形の長辺）に沿って（平行に）並んでいる。電極１４は、内部配線（図示せず）を介して集積回路１２に電気的に接続されている。半導体チップ１０には、電極１４の少なくとも一部が露出する様に、電極１４上に位置する開口を有する絶縁膜１６（例えばパッシベーション膜）が形成されている。絶縁膜１６は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機材料のみで形成されていてもよい。絶縁膜１６は、集積回路１２の上方に形成されている。
複数の電極１４にそれぞれ複数のバンプ１８が電気的に接続されている。複数のバンプ１８は、金などの金属のみから形成してもよい（メッキやワイヤボンディングのボールによって設けられる）が、本実施の形態では、バンプ１８は、樹脂突起２０及び複数の配線２２からなる。
半導体チップ１０（絶縁膜１６上）には、樹脂突起２０が設けられている。半導体チップ１０の矩形の面の辺（例えば長方形の長辺）に沿って（平行に）延びる樹脂突起２０が示されており、複数の樹脂突起２０が平行に配列されている。樹脂突起２０は、弾性変形する性質を有する。樹脂突起２０の材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等を用いてもよい。
樹脂突起２０は長尺状に形成されている。樹脂突起２０は、延長方向に沿った軸ＡＸ（図１参照）に直交する断面が、図２に示すように弓形（円の弧とその両端を結ぶ弦によってできる図形）をなしている。樹脂突起２０は、その断面において、弓形の弦が絶縁膜１６上に配置されている。樹脂突起２０の表面（半導体チップ１０とは反対側を向く面）は、凸曲面になっている。樹脂突起２０の表面は、樹脂突起２０の長手軸を回転軸として、回転軸の周囲に平行に位置する直線を回転させて描かれる回転面である。樹脂突起２０の表面は、円柱を中心軸に平行な平面で切断して得られた形状の曲面（円柱の回転面の一部）の形状をなしている。樹脂突起２０は、上面よりも下面が広くなるように、末広がりの形状になっている。
半導体チップ１０には、複数の配線２２が形成されている。配線２２の材料として、Ａｕ、Ｔｉ、ＴｉＷ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ又は鉛フリーはんだ等を使用することができる。複数の配線２２は、電極１４上から樹脂突起２０上に至るように形成されている。複数の配線２２は、隣同士の間隔をあけて樹脂突起２０の上面に形成されている。１つの樹脂突起２０上に複数の配線２２が形成されている。配線２２は、樹脂突起２０の延長方向に沿った軸ＡＸに交差するように延びる。配線２２は、電極１４上から、絶縁膜１６上を通って、樹脂突起２０上に至る。樹脂突起２０上では、配線２２の表面は、樹脂突起２０の表面に従った曲面になっている。配線２２と電極１４は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜（図示せず）が介在していてもよい。配線２２は、樹脂突起２０の、電極１４とは反対側の端部を越えて、絶縁膜１６上に至るように形成されている。
図３の例では、樹脂突起２０は、配線２２を支持する領域とこれに隣接する領域（配線２２からの露出領域）が平坦（同じ高さ）になっているが、変形例として、配線２２からの露出領域をエッチングして溝を形成してもよい。
（半導体モジュールの製造方法）
次に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体装置１を用意する。半導体モジュールの製造方法では、上述した半導体装置１を加熱する。加熱によって半導体チップ１０が膨張する。半導体チップ１０が軸ＡＸ（図１参照）に沿って長い場合、その方向の膨張量が大きい。加熱によって樹脂突起２０も膨張する。樹脂突起２０は軸ＡＸに沿って膨張する。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体装置１を用意する。半導体モジュールの製造方法では、上述した半導体装置１を加熱する。加熱によって半導体チップ１０が膨張する。半導体チップ１０が軸ＡＸ（図１参照）に沿って長い場合、その方向の膨張量が大きい。加熱によって樹脂突起２０も膨張する。樹脂突起２０は軸ＡＸに沿って膨張する。
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を説明する図であり、それぞれ、直交する線に沿って切断した断面を示している。
本実施の形態では、加熱された半導体装置１を、接着剤２８を介して、ベース基板２４に搭載する。ベース基板２４は、弾性変形する性質を有し、樹脂などからなるフレキシブル基板であってもよい。ベース基板２４には、リード２６が形成されている。リード２６はベース基板２４に接着されている（例えば両者間に接着層が介在する）が、完全に固定されていないので、ベース基板にリードをスパッタリングで形成する例とは異なる。リード２６の延長方向（図４（Ｂ）で紙面の表裏面方向）に直交する幅Ｗ１は、配線２２の延長方向（図４（Ｂ）で紙面の表裏面方向）に直交する幅Ｗ２よりも狭い。半導体モジュールの製造方法では、リード２６は、樹脂突起２０の延長方向に沿った軸ＡＸ（図１参照）に交差して延びるように配置する。複数の配線２２の樹脂突起２０上の部分（バンプ１８）を、複数のリード２６に接触させる。
図５及び図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を説明する図である。図５に示すように、半導体装置１及びベース基板２４の間に押圧力を加える。詳しくは、加熱された半導体装置１を、接着剤２８を介して、複数のリード２６が形成されたベース基板２４に押圧する。複数のバンプ１８を複数のリード２６に押圧する。樹脂突起２０に、複数の配線２２及び複数のリード２６の接触部を介して、複数の窪み３０を形成する。リード２６及び配線２２を樹脂突起２０にめり込ませて、樹脂突起２０に窪み３０を形成する。樹脂突起２０が弾性変形し、ベース基板２４も弾性変形してもよい。複数の配線２２及び複数のリード２６の接触部を、それぞれ、複数の窪み３０内に配置する。配線２２は、窪み３０内でその内面に沿って屈曲する。押圧力によって、半導体装置１及びベース基板２４の間で接着剤２８を流動させる（例えば排出する）。熱によって、接着剤２８を硬化収縮させる。
図６に示すように、半導体装置１及びベース基板２４の間に押圧力を加えたまま、半導体装置１を冷却する。半導体チップ１０を収縮させて、複数のバンプ１８を介して、複数のリード２６に、半導体チップ１０の中央方向（図６の矢印）に押圧力を加える。樹脂突起２０も軸ＡＸに沿って収縮させ、複数のリード２６に、樹脂突起２０からも、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向に押圧力を加える。複数のリード２６に、樹脂突起２０の複数の窪み３０の内面から、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向に押圧力を加える。その結果、リード２６は、その延長方向に直交する断面（図６に示す断面）において、半導体チップ１０の外方向側から中央方向に押圧される。そして、図６に示すように、リード２６は、その延長方向に直交する断面（図６に示す断面）を回転させるように傾く。その回転の方向は、図６で右回り（半導体チップ１０の外方向から、リード２６のバンプ１８側を通って、半導体チップ１０の中央方向に回る方向）である。リード２６の、半導体チップ１０の中央側の端部が、ベース基板２４にめりこむ。接着剤２８が硬化するまで押圧力を維持する。接着剤２８が硬化したら押圧力を解除する。こうして、半導体モジュールを製造する。
本実施の形態によれば、半導体チップ１０の中央方向にバンプ１８からリード２６に押圧力を加えるので、半導体装置１の外側においてバンプ１８とリード２６が圧接する。半導体装置１の外側は、バンプ１８とリード２６の剥離が発生し始める側なので、その側において圧接させることで、バンプ１８とリード２６が離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
図７は、図６が示す断面に直交する断面によって半導体モジュールの製造方法を説明する図である。図７に示すように、樹脂突起２０の断面形状は弓形を描いており、弓形の弧にリード２６がめりこむ。そうすると、リード２６の側面に接触する窪み３０の内面も弓形になる。そのため、樹脂突起２０の弓形の弦の中央部上方（弧の上端部）において窪み３０が最も深くなっている。そして、窪み３０にめり込んだリード２６は、半導体チップ１０又はそれと樹脂突起２０の収縮力で加えられる押圧力によって屈曲する。なお、接着剤２８によって、半導体チップ１０とベース基板２４は、対向面に沿ってスライドしないように固定されている。
図８は、ベース基板を仮想線で示した半導体モジュールの平面図である。図８では、リード２６は、ベース基板２４側の面を上にして示してある。それぞれのリード２６は、樹脂突起の弓形の弦の中央部（図８では軸ＡＸに交差する方向の幅の中央部）に対向する部分３２が、弦の両端部（図８では軸ＡＸに交差する方向の幅の両端部）に対向する部分３４よりも、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向（図８に示す矢印）に曲がる。簡単に言うと、リード２６は、樹脂突起２０との重複部分において、半導体チップ１０の中央方向に凸となるように屈曲している。この曲がり方は、樹脂突起２０の上述した断面形状に起因する。
（半導体モジュール）
図６〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールを説明する図でもある。半導体モジュールは、上述した半導体装置１と、ベース基板２４と、を有する。複数のバンプ１８にそれぞれ複数のリード２６が接触している。ベース基板２４は、リード２６の樹脂突起２０とは反対側を支持する。樹脂突起２０は、弾性変形によって形成された複数の窪み３０を有する。複数の配線２２の複数のリード２６との接触部は、それぞれ、複数の窪み３０内（その表面上）に形成されている。接着剤２８が、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持している。また、接着剤２８によって、半導体チップ１０とベース基板２４は、対向面に沿ってスライドしないように固定されている。
図６〜図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールを説明する図でもある。半導体モジュールは、上述した半導体装置１と、ベース基板２４と、を有する。複数のバンプ１８にそれぞれ複数のリード２６が接触している。ベース基板２４は、リード２６の樹脂突起２０とは反対側を支持する。樹脂突起２０は、弾性変形によって形成された複数の窪み３０を有する。複数の配線２２の複数のリード２６との接触部は、それぞれ、複数の窪み３０内（その表面上）に形成されている。接着剤２８が、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持している。また、接着剤２８によって、半導体チップ１０とベース基板２４は、対向面に沿ってスライドしないように固定されている。
半導体チップ１０には、収縮する方向の応力が残存している。少なくとも半導体チップ１０から複数のバンプ１８を介して、複数のリード２６には、半導体チップ１０の中央方向（軸ＡＸに沿った方向）に押圧力が加えられている。樹脂突起２０にも、軸ＡＸに沿って収縮する方向の応力が残存している。複数のリード２６は、複数の配線２２の樹脂突起２０上の部分にそれぞれ接触している。複数のリード２６には、樹脂突起２０からも、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向（軸ＡＸに沿った方向）に押圧力が加えられている。複数のリード２６には、樹脂突起２０の複数の窪み３０の内面から、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向に押圧力が加えられている。
本実施の形態によれば、半導体チップ１０の中央方向にバンプ１８からリード２６に押圧力が加えられているので、半導体装置１の外側においてバンプ１８とリード２６が圧接している。半導体装置１の外側は、バンプ１８とリード２６の剥離が発生し始める側なので、その側において圧接していることで、バンプ１８とリード２６が離れることを防止し、電気的な接続信頼性を確保することができる。
図７に示すように、樹脂突起２０の断面形状は弓形を描いており、弓形の弧にリード２６がめりこんでいる。リード２６の側面に接触する窪み３０の内面も弓形になっている。樹脂突起２０の弓形の弦の中央部上方（弧の上端部）において窪み３０が最も深くなっている。
図８に示すように、それぞれのリード２６は、樹脂突起２０の弓形の弦の中央部（図８では軸ＡＸに交差する方向の幅の中央部）に対向する部分３２が、弦の両端部（図８では軸ＡＸに交差する方向の幅の両端部）に対向する部分３４よりも、軸ＡＸに沿って半導体チップ１０の中央方向（図８に示す矢印）に曲がっている。簡単に言うと、リード２６は、樹脂突起２０との重複部分において、半導体チップ１０の中央方向に凸となるように屈曲している。そして、リード２６には、その屈曲の凸の反対側（凹）から、凸方向に向けて、押圧力が加えられている。押圧力は、半導体チップ１０の収縮に伴う残存応力又はそれに加えて樹脂突起２０の収縮に伴う残存応力によって加えられる。
リード２６は、樹脂突起２０と重複しない部分においても屈曲している。図８の例では、リード２６の樹脂突起２０との重複部に隣接して、直線部があり、直線部に隣接して屈曲部がある。変形例として、リード２６の樹脂突起２０との重複部に隣接して屈曲部があってもよい。なお、半導体モジュールを有する電子機器として、ノート型パーソナルコンピュータ又は携帯電話などが挙げられる。
（第２の実施の形態）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体モジュールに使用される半導体装置を示す平面図である。本実施の形態では、樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起４０，４２を含む。複数の配線は、第１の樹脂突起４０上に至る複数の第１の配線４４と、第２の樹脂突起４２上に至る複数の第２の配線４６と、を含む。複数の第１の配線４４は、第１の樹脂突起４０上に位置する複数の第１の接続部４８を含む。複数の第２の配線４６は、第２の樹脂突起４２上に位置する複数の第２の接続部５０を含む。半導体チップ５２は、複数の第１の電極５４と、複数の第２の電極５６を有する。複数の第１の電極５４に複数の第１の配線４４が電気的に接続されている。複数の第２の電極５６に複数の第２の配線４６が電気的に接続されている。複数の第１の電極５４及び複数の第２の電極５６は、一列に配列されており、交互に反対方向に引き出されている。そのため、複数の第１の接続部４８と複数の第２の接続部５０とは千鳥状に配列されている。半導体装置２について、その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体モジュールに使用される半導体装置を示す平面図である。本実施の形態では、樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起４０，４２を含む。複数の配線は、第１の樹脂突起４０上に至る複数の第１の配線４４と、第２の樹脂突起４２上に至る複数の第２の配線４６と、を含む。複数の第１の配線４４は、第１の樹脂突起４０上に位置する複数の第１の接続部４８を含む。複数の第２の配線４６は、第２の樹脂突起４２上に位置する複数の第２の接続部５０を含む。半導体チップ５２は、複数の第１の電極５４と、複数の第２の電極５６を有する。複数の第１の電極５４に複数の第１の配線４４が電気的に接続されている。複数の第２の電極５６に複数の第２の配線４６が電気的に接続されている。複数の第１の電極５４及び複数の第２の電極５６は、一列に配列されており、交互に反対方向に引き出されている。そのため、複数の第１の接続部４８と複数の第２の接続部５０とは千鳥状に配列されている。半導体装置２について、その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す平面図である。本実施の形態に係る製造方法では、上記半導体装置２を用意する。また、複数の第１のリード５８と、複数の第２のリード６０と、が形成されたベース基板６２を用意する。第１及び第２のリード５８，６０は交互に平行に配列されている。第１及び第２のリード５８，６０は、均一ピッチで配列されている。
複数の第１のリード５８を部分的に複数の第１の接続部４８と対向させる。複数の第２のリード６０を部分的に複数の第２の接続部５０と対向させる。複数の第２のリード６０を部分的に第１の接続部４８を避けて第１の樹脂突起４０と対向させる。そして、複数の第２のリード６０を第１の樹脂突起４０にめり込ませる。また、第１の樹脂突起４０の収縮による押圧力によって、第２のリード６０を屈曲させる。詳しくは、第１の樹脂突起４０が延びる方向に沿って、半導体チップ５２の中央方向（図１０の矢印）に、第２のリード６０の第１の樹脂突起４０と重複する部分を移動させ、これに隣接する部分を屈曲させる。また、第１の実施の形態で説明したのと同様に、第１の樹脂突起４０の収縮に伴って第１のリード５８も屈曲させる。半導体モジュールの製造方法について、その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体モジュールを示す平面図である。複数のリードは、複数の第１の接続部４８と接触する複数の第１のリード５８と、複数の第２の接続部５０と接触する複数の第２のリード６０と、を含む。第１の樹脂突起４０は、複数の第１の窪み６４及び複数の第２の窪み６６を有する。少なくとも１つの第１の窪み６４と少なくとも１つの第２の窪み６６は、交互に配列されている。複数の第１の窪み６４及び複数の第２の窪み６６は、第１の樹脂突起４０が延びる方向の軸ＡＸに沿って一列に並ぶ。第１の接続部４８及び第１のリード５８の接触部は、第１の窪み６４内に位置している。この点は第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
本実施の形態では、複数の第２のリード６０は、第１の樹脂突起４０の複数の第２の窪み６６内を通って、複数の第２の接続部５０上に至るように形成されている。第２のリード６０は、第１の樹脂突起４０の外側で屈曲している。そして、第２のリード６０の第１の樹脂突起４０と重複する部分６８が、第１の樹脂突起４０が延びる方向に沿って、半導体チップ５２の中央方向（図１１の矢印）に移動している。また、第１のリード５８の第１の樹脂突起４０と重複する部分７０も、第１の樹脂突起４０が延びる方向に沿って、半導体チップ５２の中央方向に移動している。したがって、第１及び第２のリード５８，６０は、いずれも、第１の樹脂突起４０と重複する部分６８，７０において同方向に移動しているので、そのピッチを元のまま（すなわち同一ピッチで）維持することができる。半導体モジュールの製造方法について、その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
（第３の実施の形態）
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体モジュール及びその製造方法を説明する断面図である。本実施の形態では、それぞれのリード１２６の、半導体チップ１１０の外側に近い端部１２７は、いずれかのバンプ１１８と接触している。それぞれのリード１２６の、半導体チップ１１０の中側に近い端部１２９は、いずれのバンプ１１８とも接触しない。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。本発明はこのような形態も含む。
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体モジュール及びその製造方法を説明する断面図である。本実施の形態では、それぞれのリード１２６の、半導体チップ１１０の外側に近い端部１２７は、いずれかのバンプ１１８と接触している。それぞれのリード１２６の、半導体チップ１１０の中側に近い端部１２９は、いずれのバンプ１１８とも接触しない。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。本発明はこのような形態も含む。
本実施の形態に係る製造方法では、それぞれのリード１２６は、半導体チップ１１０の外側に近い端部１２７がいずれかのバンプ１１８と接触するので、半導体チップ１１０の収縮方向の残存応力によって中央方向（図１２の矢印）に押圧される。一方、それぞれのリード１２６の、半導体チップ１１０の中央に近い端部１２９は、いずれのバンプ１１８とも接触しないので、この端部１２９には押圧力は加えられない。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。本発明はこのような形態も含む。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１…半導体装置、 ２…半導体装置、 １０…半導体チップ、 １２…集積回路、 １４…電極、 １６…絶縁膜、 １８…バンプ、 ２０…樹脂突起、 ２２…配線、 ２４…ベース基板、 ２６…リード、 ２８…接着剤、 ３２…部分、 ３４…部分、 ４０…第１の樹脂突起、 ４２…第２の樹脂突起、 ４４…第１の配線、 ４６…第２の配線、 ４８…第１の接続部、 ５０…第２の接続部、 ５２…半導体チップ、 ５４…第１の電極、 ５６…第２の電極、 ５８…第１のリード、 ６０…第２のリード、 ６２…ベース基板、 ６８…部分、 ７０…部分、 １１０…半導体チップ、 １１８…バンプ、 １２６…リード、 １２７…端部、 １２９…端部
Claims (12)
- 集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
前記複数のバンプにそれぞれ接触する複数のリードと、
前記複数のリードが形成されたベース基板と、
前記半導体チップの前記バンプが形成された面と、前記ベース基板の前記複数のリードが形成された面と、の間で間隔を保持する硬化した接着剤と、
を有し、
前記半導体チップには、収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、少なくとも前記半導体チップから前記複数のバンプを介して、前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられている半導体モジュール。 - 請求項１に記載された半導体モジュールにおいて、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記複数のリードは、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分にそれぞれ接触し、
前記樹脂突起にも、前記軸に沿って収縮する方向の応力が残存し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられている半導体モジュール。 - 請求項２に記載された半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、複数の窪みを有し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の窪み内に位置し、
前記複数のリードには、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力が加えられている半導体モジュール。 - 請求項３に記載された半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
それぞれの前記リードは、前記弦の中央部に対向する部分が、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲がっている半導体モジュール。 - 請求項１又は２に記載された半導体モジュールにおいて、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの外側に近い端部が、いずれかの前記バンプと接触し、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中側に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しない半導体モジュール。 - 請求項２に記載された半導体モジュールにおいて、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、前記複数の第１の接続部と接触する複数の第１のリードと、前記複数の第２の接続部と接触する複数の第２のリードと、を含み、
前記第１の樹脂突起は、前記軸に沿って一列に並ぶ、複数の第１の窪み及び複数の第２の窪みを有し、少なくとも１つの前記第１の窪みと少なくとも１つの前記第２の窪みが交互に配列され、
前記複数の第１の接続部及び前記複数の第１のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の第１の窪み内に位置し、
前記複数の第２のリードは、前記第１の樹脂突起の前記複数の第２の窪み内を通って、前記複数の第２の接続部上に至るように形成されている半導体モジュール。 - （ａ）半導体装置を加熱する工程と、
（ｂ）加熱された前記半導体装置を、接着剤を介して、複数のリードが形成されたベース基板に押圧する工程と、その後、
（ｃ）前記半導体装置及び前記ベース基板の間に押圧力を加えたまま、前記半導体装置を冷却する工程と、
を含み、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプと、
を有し、
前記（ｂ）工程で、前記複数のバンプを複数のリードに押圧し、
前記（ｃ）工程で、前記半導体チップを収縮させて、前記複数のバンプを介して、前記複数のリードに、前記半導体チップの中央方向に押圧力を加える半導体モジュールの製造方法。 - 請求項７に記載された半導体モジュールの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体装置は、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす樹脂突起と、
前記複数の電極上から、前記樹脂突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記樹脂突起上に至る複数の配線と、
をさらに有し、
前記複数のバンプは、前記樹脂突起及び前記複数の配線からなり、
前記（ｂ）工程で、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分を、前記複数のリードに接触させ、
前記（ｃ）工程で、前記樹脂突起も前記軸に沿って収縮させ、前記複数のリードに、前記樹脂突起からも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加える半導体モジュールの製造方法。 - 請求項８に記載された半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記樹脂突起に、前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部を介して、複数の窪みを形成し、
前記（ｃ）工程で、前記複数のリードに、前記樹脂突起の前記複数の窪みの内面から、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に押圧力を加える半導体モジュールの製造方法。 - 請求項９に記載された半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記樹脂突起は、前記軸に直交する断面が弓形をなし、前記弓形の弦が前記絶縁膜上に配置され、
前記(ｃ)工程で、それぞれの前記リードの、前記弦の中央部に対向する部分を、前記弦の両端部に対向する部分よりも、前記軸に沿って前記半導体チップの中央方向に曲げる半導体モジュールの製造方法。 - 請求項７又は８に記載された半導体モジュールの製造方法において、
前記（ｃ）工程で、
それぞれの前記リードは、前記半導体チップの外側に近い端部がいずれかの前記バンプと接触して、前記半導体チップの中央方向に押圧され、
それぞれの前記リードの、前記半導体チップの中央に近い端部は、いずれの前記バンプとも接触しない半導体モジュールの製造方法。 - 請求項８に記載された半導体モジュールの製造方法において、
前記樹脂突起は、並列する第１及び第２の樹脂突起を含み、
前記複数の配線は、前記第１の樹脂突起上に至る複数の第１の配線と、前記第２の樹脂突起上に至る複数の第２の配線と、を含み、
前記複数の第１の配線の、前記第１の樹脂突起上に位置する複数の第１の接続部と、前記複数の第２の配線の、前記第２の樹脂突起上に位置する複数の第２の接続部と、が千鳥状に配列され、
前記複数のリードは、複数の第１のリードと、複数の第２のリードと、を含み、
前記（ｂ）工程で、前記複数の第１のリードを部分的に前記複数の第１の接続部と対向させ、前記複数の第２のリードを部分的に前記複数の第２の接続部と対向させ、かつ、前記複数の第２のリードを部分的に前記第１の接続部を避けて前記第１の樹脂突起と対向させ、前記複数の第２のリードを前記第１の樹脂突起にめり込ませ、
前記（ｃ）工程で、前記第１の樹脂突起の収縮に従って前記第２のリードを屈曲させる半導体モジュールの製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| JPH09246325A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Nec Corp | 半導体素子の実装構造及びその製造方法 |
| JP2004327527A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法並びに電子機器 |
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| JP2004327527A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法並びに電子機器 |
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