KR100825797B1 - 반도체 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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finger
substrate
wire
semiconductor package
forming
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KR20060130837A
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김경만
양선모
한창훈
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 와이어를 사용하는 반도체 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지는 기판; 상기 기판 상에 하나 이상의 반도체칩이 순차적으로 적층되는 반도체칩군; 상기 기판 상의 핑거(finger)와 상기 반도체칩 상의 칩패드(chip pad)를 전기적으로 연결하는 와이어;를 포함하고, 상기 와이어의 일단은 상기 핑거의 상면 및 상기 핑거의 측면에서 상기 핑거와 본딩(bonding)이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 와이어가 핑거의 상면 및 측면에서 본딩이 형성된다.
와이어, 핑거, 돌기, 칩패드, 범프

Description

반도체 패키지 및 그 제조방법{Semiconductor package and method for manufacturing the same}
도 1a는 종래 기술에 따른 반도체 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 1b는 종래 기술에 따른 핑거 상에 형성된 돌기들을 도시한 사시도이다.
도 1c는 도 1b에서 X-X' 라인을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 제1실시예에 따른 핑거의 사시도이다.
도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 핑거와 돌기가 본딩되는 구조를 도시한 단면도이다.
도 2d는 도 2c에 도시된 구조의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지의 일부 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 패키지의 일부 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5d는 핑거를 형성하는 제1방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6d는 핑거를 형성하는 제2방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a는 캐필러리(capillary)와 돌기볼을 도시한 단면도이다.
도 7b는 도 7a에서 도시된 돌기볼에서 형성된 돌기를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 130 : 반도체칩
111 : 핑거 160 : 와이어
162 : 돌기 164 : 범프
본 발명은 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 와이어본딩에 관한 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것이다.
전자 휴대 기기 등이 소형화됨에 따라, 반도체 패키지의 두께에 대한 감소 요구가 더욱 증대하고 있다. 한편, 하나의 기판 상에 다수 개의 반도체칩들이 배열 또는 적층되어 실장되는 형태, 예컨대, 다층 칩 패키지(MCP: Multi-Chip Package) 형태가 개발되고 있다. 따라서 반도체칩 상의 칩패드(chip pad)와 기판 상의 핑거(finger)를 전기적으로 연결하는 와이어의 수는 많아지는 반면 기판 상의 핑거는 미세화되어 와이어와 핑거와의 본딩(bonding)이 문제가 된다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체 패키지를 도시한 단면도 또는 사시도이다.
도 1a는 종래 기술에 따른 반도체 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 기판(10) 상에 제1 반도체칩(30_1)이 접착층(20_1)에 의해 접착되어 위치하고, 제1 반도체칩(30_1) 상에 제2 반도체칩(30_2)이 접착층(20_2)에 의해 접착되어 위치한다. 한편 제1 반도체칩(30_1) 상의 제1 칩패드(31_1)와 기판(10) 상의 핑거(11)를 전기적으로 연결하기 위해 제1 와이어(60_1)가 형성되는데 제1 와이어(60_1)의 일단은 핑거(11) 상에 돌기(62_1)를 형성하고 타단은 제1 칩패드(31_1) 상에 범프(bump,64_1)를 형성한다. 그리고 제2 반도체칩(30_2) 상의 제2 칩패드(31_2)와 기판(10) 상의 핑거(11)를 전기적으로 연결하기 위해 제2 와이어(60_2)가 형성되는데 제2 와이어(60_2)의 일단은 핑거(11) 상에 돌기(62_2)를 형성하고 타단은 제2 칩패드(31_2) 상에 범프(64_2)를 형성한다.
도 1b는 종래 기술에 따른 핑거 상에 형성된 돌기들을 도시한 사시도이고, 도 1c는 도 1b에서 X-X' 라인을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1b를 참조하면, 핑거(11) 상에 제1 와이어(60_1)의 일단을 형성하는 돌기(62_1) 및 제2 와이어(60_2)의 일단을 형성하는 돌기(62_2)가 위치한다. 통상적으로 돌기는 와이어를 제공하는 캐필러리의 팁 부근에서 형성되는 돌기볼을 핑거 상에서 하중을 가하여 형성된다. 기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서 핑거(11)의 상면은 사각형이다. 핑거(11)의 상면에서 단변방향의 폭은 돌기(62_1, 62_2)의 폭보다 작으나 장변방향의 폭은 돌기(62_1, 62_2)의 폭보다 크므로, 돌기볼에 하중 을 가하여도 돌기(62_1, 62_2)는 핑거(11)의 상면의 아래에 위치하기 어렵다. 따라서 핑거(11)의 측면에서는 돌기(62_1, 62_2)와 접촉이 발생하지 않는다.
도 1b와 도 1c를 참조하면, 핑거(11) 상에 제2 와이어(60_2)의 일단을 형성하는 돌기(62_2)가 위치한다. 통상적으로 와이어를 제공하는 캐필러리의 팁 부근에서 형성되는 돌기볼을 핑거 상에서 하중을 가하여 돌기가 형성된다. 기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서 핑거(11)의 상면(11a)은 단변과 장변을 가지는 직사각형이다. 핑거(11)의 상면(11a)에서 단변방향의 폭(도 1c에서 도시된 핑거 상면의 폭)은 돌기(62_1, 62_2)의 폭보다 작으나 핑거(11)의 상면에서 장변방향의 폭은 돌기(62_1, 62_2)의 폭보다 크므로, 돌기볼(미도시)에 하중을 가하여도 돌기(62_1, 62_2)는 핑거(11)의 상면(11a) 아래에서 형성되기 어렵다. 따라서 핑거(11)의 측면(11c)에서는 돌기(62_1, 62_2)와 접촉이 발생하지 않는다.
즉, 와이어의 일단을 형성하는 돌기는 기판 상의 핑거와 핑거의 상면에서만 본딩(bonding)이 발생하게 된다. 그런데 핑거가 미세화됨에 따라 핑거의 상면의 면적도 미세화되고 이에 따라 전기적 접촉 면적이 작아져서 전기저항이 높아지게 된다. 또한 본딩되는 면적이 작아져서 물리적 충격에 의해 쉽게 와이어가 핑거에서 탈착되어 불량을 유발하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 와이어와 핑거의 본딩되는 면적을 크게 하는 반도체 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 반도체 패키지를 제조하 는 반도체 패키지의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지는 기판; 상기 기판 상에 하나 이상의 반도체칩이 순차적으로 적층되는 반도체칩군; 상기 기판 상의 핑거(finger)와 상기 반도체칩 상의 칩패드(chip pad)를 전기적으로 연결하는 와이어;를 포함하고, 상기 와이어의 일단은 상기 핑거의 상면 및 상기 핑거의 측면에서 상기 핑거와 본딩(bonding)이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 핑거는 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면의 최대폭이 상기 와이어의 일단을 형성하는 돌기의 폭보다 작은 것이 바람직하다.
또한 상기 핑거는 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면이 상기 핑거의 하면 이내에 위치하는 것이 바람직하다.
상기 핑거는 상기 핑거의 상면이 정사각형인 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법은 핑거를 가지는 기판을 형성하는 단계; 칩패드를 가지는 하나 이상의 반도체칩을 상기 기판 상에 적층하는 단계; 상기 핑거와 상기 칩패드를 전기적으로 연결하는 와이어를 형성하는 와이어본딩 단계;를 포함하며, 상기 와이어의 일단은 상기 핑거의 상면 및 상기 핑거의 측면에서 상기 핑거와 본딩이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 와이어본딩 단계는 상기 와이어를 제공하는 캐필러리(capillary)의 팁 부근에서 형성되는 돌기볼을 상기 핑거 상에서 하중을 가하여 상기 와이어의 일단 에 돌기를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 핑거를 가지는 기판은 상기 기판 상에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막 상에 상기 핑거가 위치할 영역을 덮는 드라이 필름 패턴을 형성하는 단계; 상기 드라이 필름 패턴을 식각마스크로 하여 상기 금속막을 식각하여 금속막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 공정으로 제조될 수 있다.
또는 상기 핑거를 가지는 기판은 상기 기판 상에 상기 핑거가 위치할 영역을 노출시키는 드라이 필름 패턴을 형성하는 단계; 상기 핑거가 위치할 영역에 금속막 패턴을 도금하는 단계;를 포함하는 공정으로 제조될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐서 막, 영역, 또는 기판등과 같은 하나의 구성요소가 또 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 다른 구성요소에 직접 접촉하거나 중간에 개재되는 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다.
또한, "하부의(lower)" 또는 "바닥(bottom)" 및 "상부의(upper)" 또는 "정상(top)"과 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대 한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 하부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 상부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "하부의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여, "하부의" 및 "상부의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 유사하게, 도면들의 하나에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 "아래의(below or beneath)"라고 묘사되어 있는 요소들은 상기 다른 요소들의 "위의(above)" 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "아래의"라는 용어는, 위 및 아래의 방향 모두를 포함할 수 있다.
제1실시예
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지에서 핑거의 사시도이다, 그리고 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지에서 핑거와 돌기가 본딩되는 구조를 도시한 단면도이고, 도 2d는 도 2c에서 도시된 구조의 평면도이다.
도 2a 및 도 2c를 참조하면, 기판(110) 상에 반도체칩(130)이 접착층(120)에 의해 접착되어 위치하고, 반도체칩(130) 상의 칩패드(131)와 기판(110) 상의 핑거(111)를 전기적으로 연결하기 위해 와이어(160)가 형성되는데 와이어(160)의 일단은 핑거(111) 상에 돌기(162)를 형성하고 타단은 칩패드(131) 상에 범프(164)를 형성한다. 와이어(160)의 일단은 핑거(111)의 상면(111a) 및 측면(111c)에서 핑 거(111)와 본딩(bonding)이 형성된다. 바람직하게는 와이어(160)의 일단에는 돌기(160a)가 형성되므로, 돌기(160a)가 핑거(111)의 상면(111a) 및 측면(111c)에서 핑거(111)와 본딩(bonding)이 형성된다. 와이어(160)는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 또한 핑거(111)는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.
도 2b를 참조하면, 핑거(111)는 핑거의 상면(111a)이 다각형일 수 있으며, 특히 네 변의 길이가 같은 사각형일 수 있으며, 바람직하게는 정사각형의 형상을 가질 수 있다. 한편, 본 발명의 제1실시예의 다른 변형예로서는 핑거의 상면(111a)이 원형일 수 있다.
도 2d를 참조하면, 기판(기판의 상면)의 수직 방향으로의 투영에 있어서 핑거의 상면(111a)의 폭(W1)이 와이어(160)의 일단을 형성하는 돌기(162)의 폭(W2)보다 작도록 핑거(111)를 형성되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서 핑거의 상면(111a)의 최대폭이 돌기(162)의 폭보다 작다. 예를 들어 핑거의 상면(111a)이 장변과 단변으로 구성된 직사각형의 형상을 가지는 경우 상기 단변 뿐만 아니라 상기 장변도 상기 돌기의 폭보다 작은 것이 바람직하다.
기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서, 핑거(111)는 핑거의 상면(111a)이 핑거의 하면(111b) 이내에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 기판의 수 직 방향으로의 투영에 있어서, 핑거의 상면(111a)이 핑거의 하면(111b)과 일치하도록 형성될 수도 있다.
제2실시예
도 3a는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
기판(110) 상에 제1 반도체칩(130_1)이 접착층(120_1)에 의해 접착되어 위치하고, 제1 반도체칩(130_1) 상에 제2 반도체칩(130_2)이 접착층(120_2)에 의해 접착되어 위치한다. 한편 제1 반도체칩(130_1) 상의 제1 칩패드(131_1)와 기판(110) 상의 제1 핑거(111_1)를 전기적으로 연결하기 위해 제1 와이어(160_1)가 형성되는데 제1 와이어(160_1)의 일단은 제1 핑거(111_1) 상에 돌기(162_1)를 형성하고 타단은 제1 칩패드(131_1) 상에 범프(164_1)를 형성한다. 그리고 제2 반도체칩(130_2) 상의 제2 칩패드(131_2)와 기판(110) 상의 제2 핑거(111_2)를 전기적으로 연결하기 위해 제2 와이어(160_2)가 형성되는데 제2 와이어(160_2)의 일단은 제2 핑거(111_2) 상에 돌기(162_2)를 형성하고 타단은 제2 칩패드(131_2) 상에 범프(164_2)를 형성한다. 즉, 2개 이상의 반도체칩들(130_1, 130_2)이 적층되는 경우 와이어(160_1, 160_2)는 복수개로 형성되고 핑거(111_1, 111_2)도 대응하여 상기 복수개로 형성된다. 제1실시예에서 설명한 핑거(111)에 대한 기술적 사상들은 상기 복수개의 핑거들의 각각(111_1, 111_2)에 대해서 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 와이어(160_1)의 일단을 형성하는 돌기(162_1)은 대응하는 핑거(111_1)의 상면 및 측면에서 본딩이 형성된다. 또한 예를 들어, 기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서, 핑거(111_1)의 상면의 최대폭이 돌기(162_1)의 폭보다 작고, 핑거(111_1) 의 상면이 핑거(111_1)의 하면 이내에 위치하는 것이 바람직하다.
도 3b는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 패키지의 일부에 대한 단면도이다.
도 3b를 참조하면 복수개의 와이어들에 대응하여 상기 복수개의 핑거들(111_1, 111_2, 111_3, 111_4)이 형성되는데 상기 복수개의 핑거들은 기판 상에 형성되는 도전성의 브릿지(bridge, 115)에 의해 전기적으로 차례로 연결된다. 브릿지(115)의 높이는 핑거들(111_1, 111_2, 111_3, 111_4)의 높이보다 작은 것이 바람직하다. 또한 브릿지(115)는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.
제3실시예
도 3c는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 패키지의 일부에 대한 단면도이다.
도 3c를 참조하면, 본 발명의 제3실시예는 복수개의 핑거들(111_1, 111_2, 111_3 및 111_4)이 브릿지 없이 바로 핑거들의 측면이 차례로 접촉하여 전기적으로 연결되는 구조를 가진다. 도 3c에서는 핑거의 측면과 핑거의 하면의 경계에서 핑거들이 상호 접촉하는 것으로 도시되지만, 핑거들간의 피치가 작아져서 핑거의 측면 상에서 직접 접촉될 수 있다. 한편, 핑거들 상호간의 전기적 연결구조 이외에는 본 발명의 제2실시예서 설명한 기술적 사상들은 제3실시예에서도 동일하게 적용될 수 있다.
제4실시예
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 먼저 핑거(111_1, 111_2)를 가지는 기판(110)을 제공한다. 핑거가 복수개인 경우에는 핑거 상호간에 브릿지(115)가 형성되어 전기적으로 연결될 수 있다.
여기에서 기판 상에 핑거를 형성하는 방법들에 대해 살펴본다.
도 5a 내지 도 5d는 기판 상에 핑거를 형성하는 제1방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 기판(210) 상에 금속막(220)을 형성한다. 바람직하게는 금속막(220)은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함할 수 있다. 또한 바람직하게는 금속막(220)은 도금에 의해 형성될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 금속막(220) 상에 핑거가 위치할 영역을 덮는 드라이필름 패턴(230)을 형성한다. 여기에서, 드라이필름은 식각시 하부 패턴을 형성하기 위한 보호막 필름이다. 드라이필름 패턴(230)을 형성하는 물질막 증착, 노광 및 식각 공정은 당업자들에게는 통상적인 방법이므로 여기에서는 설명을 생략한다.
도 5c를 참조하면, 드라이필름 패턴(230)을 식각마스크로 하여 금속막(220)을 식각하여 금속막 패턴(220a)을 형성한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 습식식각을 이용하여 금속막 패턴(220a)을 형성하는 경우에는 금속막 패턴(220a)의 상면 이 하면보다 좁아져서 사다리꼴 모양의 단면으로 형성될 수 있다.
도 5d를 참조하면, 드라이필름 패턴(230)을 제거하여 기판(210) 상에 금속막 패턴(220a)이 형성되는 구조를 완성한다. 여기에서 금속막 패턴(220a)이 기판 상의 핑거가 될 수 있다.
한편, 금속막(220)이 도금에 의해 형성되는 경우에는 금속막(220)을 형성하기 단계 이전에 기판(210) 상에 구리막을 시드막(seed layer)으로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 금속막 패턴(220a)을 형성하는 단계 이후에 드라이필름 패턴(230)을 식각마스크로 하여 상기 시드막을 식각하여 시드막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 기판 상에 핑거를 형성하는 제2방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 기판(310) 상에 드라이필름(330)을 형성한다.
도 6b를 참조하면, 기판(310) 상에 핑거가 위치할 영역을 노출시키는 드라이필름 패턴(330a)을 형성한다.
도 6c를 참조하면, 핑거가 위치할 영역에 금속막 패턴(340)을 도금한다.
예를 들어, 드라이필름 패턴(330a)을 포함하는 기판(310)의 전면에 금속막을 도금한 후 드라이필름 패턴(330a)이 노출될 때까지 전면을 에치백 또는 연마하여 금속막 패턴(340)을 형성할 수 있다. 금속막 패턴(340)은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.
도 6d를 참조하면, 드라이필름 패턴(330a)을 제거하여 기판(310) 상에 금속막 패턴(340)이 형성되는 구조를 완성한다. 여기에서 금속막 패턴(340)이 기판 상의 핑거가 될 수 있다.
한편, 드라이필름(330)을 형성하는 단계 이전에 기판(310) 상에 구리막을 시드막(seed layer)으로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기판 상의 핑거가 복수개인 경우 상기 핑거들을 상호 연결하는 브릿지가 형성될 수 있는데, 기판 상에 형성되는 도전성의 브릿지는 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 통상적인 방법으로 형성될 수 있으므로 여기에서는 브릿지의 형성 방법에 대한 설명은 생략한다.
계속하여 도 4b를 참조하면, 기판(110) 상에 하나 이상의 반도체칩(130_1, 130_2)이 순차적으로 적층하게 된다. 기판과 전기적으로 연결하기 위하여, 제1 반도체칩(130_1) 상에는 제1 칩패드(131_1)이 형성되고 제2 반도체칩(130_2) 상에는 제2 칩패드(131_2)가 형성된다.
도 4c를 참조하면, 제1 반도체칩(130_1)상에 형성되는 제1 칩패드(131_1) 상에 제1 범프(164_1)를 형성한다. 제1 범프(164_1)는 와이어와 동일한 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
도 4d를 참조하면, 제1 핑거(111_1) 상에 제1 돌기(162_1)를 형성한다. 제1 돌기(162_1)는 제1 핑거(111_1)의 상면 및 제1 핑거(111_1)의 측면에서 본딩이 되도록 형성된다.
여기에서, 돌기가 형성되는 방법을 살펴본다.
도 7a는 캐필러리(capillary)의 팁 부근에서 형성되는 돌기볼을 도시한 단면도이고, 도 7b는 도 7a에서 도시된 돌기볼에 하중을 가하여 형성된 돌기를 도시한 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 와이어(160)를 제공하는 캐필러리(170)의 팁(tip) 부근에서 돌기볼(161)이 위치한다. 돌기볼(161)은 구형일 수 있으며 와이어(160)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 캐필러리(170)의 팁 부근에 형성된 돌기볼(161)을 핑거의 상면과 접촉한 상태에서 하중을 가하여 돌기볼(161)을 변형시켜 와이어(160)의 일단에 돌기(162)를 형성한다. 캐필러리의 홀 크기(Hole size, H)는 와이어(160)의 직경(WD)을 결정한다. 캐필러리의 챔버 직경(Chamber Diameter, CD)과 챔버각(Chamber Angle, CA)은 돌기볼(161)의 크기 및 모양을 각각 결정한다. 캐필러리(170)의 팁 직경(T)은 상기 핑거의 상면의 폭보다 큰 것이 바람직하다. 또한 기판의 수직 방향으로의 투영에 있어서, 상기 핑거의 상면의 폭은 돌기(162)의 폭 또는 돌기볼(162)의 직경보다 작으므로 돌기볼(161)에 하중을 가하는 동안 돌기(162)는 상기 핑거의 상면 및 측면에서 상기 핑거와 본딩이 형성된다.
돌기(162)를 형성하기 위해 돌기볼(161)에 하중을 가하는 조건은 5 msec 내지 55 msec 의 시간동안 110℃ 내지 180℃ 의 온도에서 10 gF 내지 70 gF 의 하중을 적용하는 것이 바람직하다. 상기 하중조건 미만일 경우에는 돌기(162)가 핑거의 측면에서 본딩이 형성되기 어렵고, 상기 하중조건을 초과하는 경우에는 핑거의 상면에 바람직하지 않은 데미지(damage)가 발생할 수 있다.
계속하여 도 4e를 참조하면, 제1 돌기(162_1)와 제1 범프(164_1)를 전기적으 로 연결하는 제1 와이어(160_1)를 형성하는 와이어본딩이 수행된다. 바람직하게는 캐필러리가 계속 도전성 물질을 제공하며 이동함으로써, 제1 와이어(160_1)가 제1 돌기(162_1)로부터 연장되어 제1 범프(164_1)까지 형성된다. 한편, 캐필러리가 계속 도전성 물질을 제공하며 이동함으로써, 제1 와이어(160_1)가 제1 범프(164_1)로부터 연장되어 제1 돌기(162_1)까지 형성될 수도 있다.
도 4f를 참조하면, 제1 와이어(160_1)를 형성하는 방법과 동일한 방법으로 제2 와이어(160_2)를 형성한다. 바람직하게는 돌기(162_1, 162_2) 및 와이어(160_1, 160_2)는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함할 수 있다.
발명의 특정 실시예들에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 따라서, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.
본 발명에 의한 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법에 따르면, 핑거의 상면 및 측면에서 와이어와 본딩이 형성되어 미세한 핑거 상에서도 와이어본딩을 수행할 수 있다.

Claims (25)

  1. 핑거를 가지는 기판;
    상기 기판 상에 적층되고 칩패드를 가지는 하나 이상의 반도체칩;
    상기 핑거와 상기 칩패드(chip pad)를 전기적으로 연결하는 와이어;를 포함하고,
    상기 와이어의 일단은 상기 핑거의 상면 및 상기 핑거의 측면에서 상기 핑거와 본딩(bonding)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 와이어의 일단에 돌기가 형성되고, 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면의 최대폭이 상기 돌기의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면이 상기 핑거의 하면 이내에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  4. 제2항에 있어서, 상기 핑거의 상면은 다각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다각형은 네 변의 길이가 같은 사각형인 것을 특징으 로 하는 반도체 패키지.
  6. 제2항에 있어서, 상기 핑거의 상면은 원형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  7. 제2항에 있어서, 상기 와이어는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  8. 제2항에 있어서, 상기 핑거는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  9. 제2항에 있어서, 상기 와이어는 복수개로 형성되고, 상기 핑거도 대응하여 복수개로 형성되며, 복수개로 형성되는 상기 핑거는 상기 기판 상에 형성되는 도전성의 브릿지(bridge)로 차례로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 브릿지의 높이는 상기 핑거의 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  11. 제10항에 있어서, 상기 브릿지는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  12. 제3항에 있어서, 상기 와이어는 복수개로 형성되고 상기 핑거도 대응하여 복수개로 형성되며, 상기 복수개로 형성되는 상기 핑거는 상기 핑거의 측면이 차례로 접촉하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  13. 핑거를 가지는 기판을 형성하는 단계;
    칩패드를 가지는 하나 이상의 반도체칩을 상기 기판 상에 적층하는 단계;
    상기 핑거와 상기 칩패드를 전기적으로 연결하는 와이어를 형성하는 와이어본딩 단계;를 포함하며,
    상기 와이어의 일단은 상기 핑거의 상면 및 상기 핑거의 측면에서 상기 핑거와 본딩이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 와이어본딩 단계는 상기 와이어를 제공하는 캐필러리(capillary)의 팁 부근에서 형성되는 돌기볼을 상기 핑거 상에서 하중을 가하여 상기 와이어의 일단에 돌기를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 패키지 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면의 최대폭은 상기 돌기볼의 직경보다 작도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 기판의 수직 방향 투영에 있어서 상기 핑거의 상면의 최대폭은 상기 돌기의 폭보다 작도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 핑거를 가지는 기판을 형성하는 단계는
    상기 기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
    상기 금속막 상에 상기 핑거가 위치할 영역을 덮는 드라이 필름 패턴을 형성하는 단계;
    상기 드라이 필름 패턴을 식각마스크로 하여 상기 금속막을 식각하여 금속막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금속막은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 단계는 도금에 의해 형성하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 단계 이전에 상기 기판 상에 구리막을 시드막(seed layer)으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  21. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 핑거를 가지는 기판을 형성하는 단계는
    상기 기판 상에 상기 핑거가 위치할 영역을 노출시키는 드라이 필름 패턴을 형성하는 단계;
    상기 핑거가 위치할 영역에 금속막 패턴을 도금하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 금속막 패턴은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 드라이 필름 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 기판 상에 구리막을 시드막(seed layer)으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  24. 제14항에 있어서, 상기 돌기 및 상기 와이어는 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 일군(一群)의 원소들 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
  25. 제14항에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는 5 msec 내지 55 msec 의 시간동안 110℃ 내지 180℃ 의 온도에서 10 gF 내지 70 gF 의 하중을 가하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064907A (ko) * 1999-12-20 2001-07-11 마이클 디. 오브라이언 와이어본딩 방법 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20020065733A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20060092536A (ko) * 2005-02-18 2006-08-23 엠케이전자 주식회사 반도체 패키징용 구리 본딩 와이어

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6835898B2 (en) * 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
JPH0982742A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング方法
JP4391671B2 (ja) 2000-06-30 2009-12-24 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板及びその製造方法
US6937477B2 (en) * 2004-01-21 2005-08-30 Global Advanced Packaging Technology H.K. Limited Structure of gold fingers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064907A (ko) * 1999-12-20 2001-07-11 마이클 디. 오브라이언 와이어본딩 방법 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20020065733A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20060092536A (ko) * 2005-02-18 2006-08-23 엠케이전자 주식회사 반도체 패키징용 구리 본딩 와이어

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