JP2009206380A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】信号の伝送エラーの発生を十分に防止できる配線回路基板を提供する。
【解決手段】サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１が形成される。第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成され、第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成される。また、第２の絶縁層４２上には、配線パターンＷ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成される。第３の絶縁層４３の比誘電率は、第１および第２の絶縁層４１，４２のいずれの比誘電率よりも大きい。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

図５は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図５のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。

導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。

このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。

ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。

そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図６に示す配線回路基板が提案されている。

図６は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。

第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。

上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。

上記構成を有する図６のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。
特開２００４−１３３９８８号公報

ところで、図５および図６に示すサスペンション基板９００，９１０においては、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２のインピーダンスは、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２と金属基板９０２との間の結合容量の大きさによって変化する。

ここで、図６のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の距離と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の距離と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。

この場合、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の結合容量と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の結合容量と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。

そのため、サスペンション基板９１０の構成では、書込用導体Ｗ１と書込用導体Ｗ２とでインピーダンスに差が生じ、読取用導体Ｒ１と読取用導体Ｒ２とでインピーダンスに差が生じる。それにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２による差動信号の伝送エラーおよび読取用導体Ｒ１，Ｒ２による差動信号の伝送エラーが発生するおそれがある。

本発明の目的は、信号の伝送エラーの発生を十分に防止できる配線回路基板を提供することである。

（１）本発明に係る配線回路基板は、導電性基板と、導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、第１の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、第２の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、第３の絶縁層の比誘電率は第１の絶縁層の比誘電率および第２の絶縁層の比誘電率よりも高く、第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成するものである。

この配線回路基板においては、導電性基板上に第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に第１の配線パターンが形成される。また、第１の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成され、第２の絶縁層上に第２の配線パターンが形成される。そして、第２の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第３の絶縁層の比誘電率は、第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも高く設定される。このような構成において、第１および第２の配線パターンにより第１の信号線路対が構成される。

上記のような構成において、第２の配線パターンに電位が与えられると、第２の配線パターンの下面と導電性基板との間、第２の配線パターンの側面と導電性基板との間および第２の配線パターンの上面と導電性基板との間に電界が形成される。

したがって、導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量は、第２の配線パターンの下面と導電性基板との間に存在する第１および第２の絶縁層の厚さならびに比誘電率だけでなく、第３の絶縁層の比誘電率を含む要素に基づいて与えられる。

一方、第１の配線パターンに電位が与えられると、第１の配線パターンの下面と導電性基板との間、第１の配線パターンの側面と導電性基板との間および第１の配線パターンの上面と導電性基板との間に電界が形成される。

したがって、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量は、第１の絶縁層の厚さおよび比誘電率だけでなく、第２の絶縁層の比誘電率を含む要素に基づいて与えられる。

ここで、第３の絶縁層の比誘電率は第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率より高い。したがって、導電性基板と第２の配線パターンとの間の距離が導電性基板と第１の配線パターンとの間の距離に比べて短くても、導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量を導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量と同等の値にすることができる。

この場合、第１および第２の配線パターンにより信号を伝送する際に、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを同等の値にすることができる。それにより、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを防止することができる。

（２）第１の配線パターンと第２の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されてもよい。

この場合、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量と導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量とを容易に同等の値にすることができる。したがって、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。

（３）導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量と導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量とが略等しくなるように第１〜第３の絶縁層の比誘電率がそれぞれ設定されてもよい。

この場合、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを確実に同等の値にすることができる。それにより、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。

（４）第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとが略等しくなるように第１〜第３の絶縁層の比誘電率がそれぞれ設定されてもよい。

この場合、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを確実に防止することができる。

（５）第３の絶縁層は、高誘電率材料を含む樹脂により形成されてもよい。

この場合、高誘電率材料の添加量を調整することにより、第３の絶縁層の比誘電率を容易に第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも高くすることができる。その結果、配線回路基板の製造が容易となる。

（６）高誘電率材料はチタン酸バリウムを含んでもよい。この場合、チタン酸バリウムを用いることにより、第３の絶縁層の比誘電率を容易に第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも高くすることができる。

（７）配線回路基板は、第１の配線パターンから間隔をおいて第１の絶縁層上に形成される第３の配線パターンと、第２の配線パターンから間隔をおいて第２の絶縁層上に形成される第４の配線パターンとをさらに備え、第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成してもよい。

この場合、第１の信号線路対および第２の信号線路対を用いて異なる情報を示す信号を伝送することができる。

また、第１の絶縁層上に第３の配線パターンが形成され、第２の絶縁層上に第４の配線パターンが形成されている。したがって、第１および第２の配線パターンと同様に、導電性基板に対する第４の配線パターンの静電容量を導電性基板に対する第３の配線パターンの静電容量と同等の値にすることができる。それにより、第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを防止することができる。

（８）配線回路基板は、導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。

この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。

そして、第１の信号線路対を構成する第１および第２の配線パターン、および第２の信号線路対を構成する第３および第４の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みおよび読取りを行うことができる。

この場合、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーおよび第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生が十分に防止されているので、書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

本発明によれば、信号の伝送エラーの発生を防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。

（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線縦断面図である。

図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。

サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。

サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。

図２に示すように、絶縁層４０は、第１、第２および第３の絶縁層４１，４２，４３からなる。サスペンション本体部１０上には第１の比誘電率を有する第１の絶縁層４１が形成されている。

第１の絶縁層４１上には、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１、および磁気ディスクに対して情報の読取りを行うための読取用配線パターンＲ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。

さらに、第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように、第２の比誘電率を有する第２の絶縁層４２が形成されている。

第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成され、読込用配線パターンＲ１の上方位置に読込用配線パターンＲ２が形成されている。

さらに、第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように、第３の比誘電率を有する第３の絶縁層４３が形成されている。

サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。

本実施の形態においては、第３の比誘電率は第１および第２の比誘電率よりも高い。

（１−２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。

図３および図４は、本実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。

サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の金属材料からなる長尺状基板を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みｔ１は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を形成する。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の厚みｔ３は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１との間の間隔ｄ１は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との間および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との密着性および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との密着性が向上される。

その後、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように第１の絶縁層４１上に主としてポリイミド樹脂からなる第２の絶縁層４２を形成する。

第２の絶縁層４２の厚みｔ４は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

本実施の形態においては、第２の絶縁層４２は、第１の絶縁層４１と同じ材料により形成される。したがって、第２の絶縁層４２の第２の比誘電率は、第１の絶縁層４１の第１の比誘電率と同じである。なお、第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２を互いに異なる材料により形成してもよい。この場合、第１の誘電率と第２の誘電率とが異なっていてもよい。

次に、図４（ｄ）に示すように、第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を形成する。ここで、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上方位置に形成する。

これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とが対向し、読取用配線パターンＲ１の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とが対向する。

書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、配線パターンＷ１，Ｒ１と同様にして形成する。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の厚みｔ５は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の幅ｓ３，ｓ４は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との間の間隔ｄ２は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との間および第２の絶縁層４２と読取用配線パターンＲ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との密着性および第２の絶縁層４２と読取用配線パターンＲ２との密着性が向上される。

最後に、図４（ｅ）に示すように、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第３の絶縁層４３上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。

第３の絶縁層４３の厚みｔ６は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の上面から第３の絶縁層４３の上面までの厚みｈ２は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

第３の絶縁層４３は、例えばポリイミド樹脂に高い比誘電率を有するチタン酸バリウムを添加して分散させることにより形成する。ポリイミド樹脂へのチタン酸バリウムの添加量を調整することにより、第３の絶縁層４３の第３の比誘電率を調整することができる。これにより、第３の絶縁層４３の第３の比誘電率を第１の絶縁層４１の第１の比誘電率および第２の絶縁層４２の第２の比誘電率よりも高くすることができる。

第３の比誘電率は、８以上４０以下であり、１０以上３０以下であることが好ましい。また、第１の比誘電率および第２の比誘電率は、２．５以上３．８以下であり、２．８以上３．５以下であることが好ましい。

上記のように、サスペンション本体部１０上に複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２および絶縁層４０を形成することにより、サスペンション基板１が完成する。

サスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅ｓ１，ｓ３が互いに等しく、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｓ２，ｓ４も互いに等しい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は互いに等しくてもよいし、異なってもよい。書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との幅ｓ３，ｓ４も互いに等しくてもよいし、異なってもよい。

第１〜第３の絶縁層４１〜４３には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂材料を用いてもよい。

なお、第１〜第３の絶縁層４１〜４３にそれぞれ異なる絶縁材料を用いてもよく、同じ絶縁材料を用いてもよい。したがって、例えば、第３の絶縁層４３を第１および第２の絶縁層４１，４２と異なる絶縁材料により形成することにより、第３の絶縁層４３の比誘電率を第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率より高く設定してもよい。

また、第２の絶縁層４２と第３の絶縁層４３との間に第２および第３の比誘電率と異なる比誘電率を有する他の絶縁層がさらに形成されてもよい。また、サスペンション本体部１０と第１の絶縁層４１との間に第１の比誘電率と異なる比誘電率を有する絶縁層がさらに形成されてもよい。

また、第３の絶縁層４３に添加される高誘電率材料は、チタン酸バリウムに限らず、チタン酸鉛等の他のチタン酸塩、ジルコン酸バリウム等のジルコン酸塩、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の他の高誘電率材料であってもよい。

（１−３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ２は、第２の絶縁層４２上において第３の絶縁層４３に覆われるように形成されている。

この場合、書込用配線パターンＷ２に電位が与えられると、書込用配線パターンＷ２の下面とサスペンション本体部１０との間、書込用配線パターンＷ２の側面とサスペンション本体部１０との間および書込用配線パターンＷ２の上面とサスペンション本体部１０との間に電界が形成される。

したがって、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量は、書込用配線パターンＷ２の下面とサスペンション本体部１０との間に存在する第１および第２の絶縁層４１，４２の厚さならびに第１および第２の比誘電率だけでなく、第３の絶縁層４３の第３の比誘電率を含む要素に基づいて与えられる。

一方、書込用配線パターンＷ１は、第１の絶縁層４１上において第２の絶縁層４２に覆われるように形成されている。

この場合、書込用配線パターンＷ１に電位が与えられると、書込用配線パターンＷ１の下面とサスペンション本体部１０との間、書込用配線パターンＷ１の側面とサスペンション本体部１０との間および書込用配線パターンＷ１の上面とサスペンション本体部１０との間に電界が形成される。

したがって、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量は、第１の絶縁層４１の厚さおよび第１の比誘電率だけでなく、第２の絶縁層４２の第２の比誘電率を含む要素に基づいて与えられる。

ここで、本実施の形態においては、第３の比誘電率が第１および第２の比誘電率より高い。したがって、サスペンション本体部１０と書込用配線パターンＷ２との間の距離がサスペンション本体部１０と書込用配線パターンＷ１との間の距離に比べて短くても、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量をサスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量と同等の値にすることができる。

この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により差動信号を伝送する際に、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとを同等の値にすることができる。

また、読込用配線パターンＲ２は第２の絶縁層４２上において第３の絶縁層４３に覆われるように形成され、読込用配線パターンＲ１は第１の絶縁層４１上において第２の絶縁層４２に覆われるように形成されている。

この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と同様に、サスペンション本体部１０と読込用配線パターンＲ２との間の距離がサスペンション本体部１０と読込用配線パターンＲ１との間の距離に比べて短くても、サスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ２の静電容量をサスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ１の静電容量と同等の値にすることができる。

それにより、読込用配線パターンＲ１，Ｒ２により差動信号を伝送する際に、読込用配線パターンＲ１のインピーダンスと読込用配線パターンＲ２のインピーダンスとを同等の値にすることができる。

これらの結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーおよび読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の不平衡による差動信号の伝送エラーが発生することを確実に防止することができる。

また、書込用配線パターンＷ１の上方に書込用配線パターンＷ２が配置され、読取用配線パターンＲ１の上方に読取用配線パターンＲ２が配置されている。そのため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。

これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が防止される。

以上の結果、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

（１−４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、サスペンション本体部１０が導電性基板の例であり、書込用配線パターンＷ１または読取用配線パターンＲ１が第１または第３の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２または読取用配線パターンＲ２が第２または第４の配線パターンの例であり、タング部１２がヘッド部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。 第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。 従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。

符号の説明

１ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１２ タング部
４１ 第１の絶縁層
４２ 第２の絶縁層
４３ 第３の絶縁層
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン

Claims (8)

1. 導電性基板と、
   前記導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、
   前記第１の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、
   前記第２の配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、
   前記第３の絶縁層の比誘電率は前記第１の絶縁層の比誘電率および前記第２の絶縁層の比誘電率よりも高く、
   前記第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成することを特徴とする配線回路基板。
2. 前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記導電性基板に対する前記第１の配線パターンの静電容量と前記導電性基板に対する前記第２の配線パターンの静電容量とが略等しくなるように前記第１〜第３の絶縁層の比誘電率がそれぞれ設定されることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記第１の配線パターンのインピーダンスと前記第２の配線パターンのインピーダンスとが略等しくなるように前記第１〜第３の絶縁層の比誘電率がそれぞれ設定されることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
5. 前記第３の絶縁層は、高誘電率材料を含む樹脂により形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 高誘電率材料はチタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項５記載の配線回路基板。
7. 前記第１の配線パターンから間隔をおいて前記第１の絶縁層上に形成される第３の配線パターンと、
   前記第２の配線パターンから間隔をおいて前記第２の絶縁層上に形成される第４の配線パターンとをさらに備え、
   前記第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
8. 前記導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項７記載の配線回路基板。

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