JP2009200523A - エピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 210
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 80
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 107
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 39
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 32
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 21
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 14
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 8
- YRIZYWQGELRKNT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichloro-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound ClN1C(=O)N(Cl)C(=O)N(Cl)C1=O YRIZYWQGELRKNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 8
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 8
- 229950009390 symclosene Drugs 0.000 description 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 7
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 4
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- -1 iodine, nitrogen oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N dichloroisocyanuric acid Chemical compound ClN1C(=O)NC(=O)N(Cl)C1=O CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWNSFEAWWGGSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-acetyl-4-methylheptanedinitrile Chemical compound N#CCCC(C)(C(=O)C)CCC#N XWNSFEAWWGGSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004153 Potassium bromate Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000007973 cyanuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical class OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940094037 potassium bromate Drugs 0.000 description 1
- 235000019396 potassium bromate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004764 thiosulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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Abstract
【課題】良好な品質のエピタキシャル成長層を備えるエピタキシャル層付き基板、半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったエピタキシャル層付き基板10は、III族窒化物からなるベース基板(III族窒化物基板)としてのGaN基板1と、GaN基板1の表面上に形成されたエピタキシャル成長層5とを備える。GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1020以下である。
【選択図】図4
【解決手段】この発明に従ったエピタキシャル層付き基板10は、III族窒化物からなるベース基板(III族窒化物基板)としてのGaN基板1と、GaN基板1の表面上に形成されたエピタキシャル成長層5とを備える。GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1020以下である。
【選択図】図4
Description
この発明は、エピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法に関し、より特定的には、良好な膜質のエピタキシャル層を形成することが可能なエピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法に関する。
従来、GaN基板などのIII族窒化物基板を含む化合物半導体基板は、その表面を鏡面研磨し、当該表面上にエピタキシャル成長法を用いてエピタキシャル成長層が形成され、発光素子やパワーデバイスなど様々な半導体素子に利用されている。そして、上記のように表面を鏡面研磨する場合、研磨された表面にくもりが発生すると、形成されるエピタキシャル成長層には荒れなどの欠陥が発生し、当該エピタキシャル成長層の品質が損なわれるという問題があった。そのため、上記のようなくもりの発生を抑制する(ヘイズレベルを低減する)さまざまな研磨方法が従来提案されている(たとえば、GaAsについて特許文献1(特開平11−347920号公報)参照)。
しかし、発明者が検討した結果、単にGaNなどのIII族窒化物基板の表面についてヘイズレベルを低減しただけでは、その表面上に形成されるエピタキシャル成長層に荒れなどの欠陥が発生する場合があることが分かった。この場合、上述した従来の研磨方法を適用しても、エピタキシャル成長層での欠陥の発生確率を十分低減することは困難であった。
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、良好な品質のエピタキシャル成長層を形成することが可能なIII族窒化物基板およびその製造方法を提供することである。
また、この発明の他の目的は、上記のようなIII族窒化物基板を用いて、良好な品質のエピタキシャル成長層を備えるエピタキシャル層付き基板およびその製造方法、さらに当該エピタキシャル層付き基板を用いた半導体素子およびその製造方法を提供することである。
発明者らは、III族窒化物基板の表面上に形成したエピタキシャル成長層において品質の低下が発生するメカニズムについて研究を行なった。具体的には、エピタキシャル成長層を形成する前のIII族窒化物基板の表面について詳細な検査(付着物質の種類や数の測定など)を実施し、その検査結果と形成されたエピタキシャル成長層の品質との相関を調査した。その結果、エピタキシャル成長層を形成するときにIII族窒化物基板の表面に存在する、酸性物質の原子個数およびシリコン原子の個数が、形成されるエピタキシャル成長層の品質に大きな影響を与えるという知見を得た。なお、III族窒化物基板とは、たとえばGaNからなる基板やAlNからなる基板、およびその混晶基板(GaxAlyN)をいう。また、酸性物質とは、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、窒素酸化物(NOX)、硫黄酸化物(SOX)、塩化水素など、水と反応してまたは水に溶解して酸性を示す物質をいう。
そして、上述した酸性物質がIII族窒化物基板の表面に付着する原因について、発明者が検討したところ、以下のような現象が起きていると推測された。すなわち、III族窒化物基板(たとえばGaN基板など)を製造する工程では、塩酸、硝酸などの揮発しやすい酸性物質を用いるほか、当該基板の研磨の際には、砥粒を含有する研磨液を使用する。研磨液には酸化剤として塩素系のものを用いることが多く、この研磨液中には酸性物質である塩素が大量に含まれている。これらの酸性物質を用いる研磨工程は、通常排気装置により研磨装置内の雰囲気を排気して行なう。排気装置が酸性物質を排気しきれない場合には、研磨装置内の雰囲気に酸性物質の一部が存在する。この場合、酸性物質がIII族窒化物基板の表面に吸着されると考えられる。そして、このような酸性物質とIII族窒化物基板を構成する元素とが反応を起こし、基板表面において析出物が形成されることも考えられる。このような析出物が形成されると、基板表面の表面粗さやヘイズレベルの値が大きくなる。
III族窒化物基板は研磨された後洗浄され、その後、表面検査がなされる。上述の研磨工程でIII族窒化物基板の表面に酸性物質が多いと、後工程で十分に除去することが困難となる。そのため、最終状態での基板表面の表面粗さやヘイズレベルの値が大きくなる。また、表面検査はクリーンルーム内で行なわれるが、検査の間少なくとも1時間程度、III族窒化物基板はクリーンルームの雰囲気にさらされる。このとき、上述の研磨工程等から流れてきた微量の酸性物質が、III族窒化物基板の表面に吸着されることも考えられる。
また、砥粒としてSiO2などのSi原子を含む物質を含有する研磨液を用いてGaN基板などのIII族窒化物基板の研磨を行なった場合、研磨後に洗浄工程を行なっても基板表面にSi含有物質が残存する場合がある。そして、上述の酸性物質(および/または析出物)やSi含有物質がIII族窒化物基板の表面に過剰に存在すると、当該基板表面上に形成されるエピタキシャル成長層の品質が劣化することを発明者らは見出した。つまり、III族窒化物基板の表面に高品質なエピタキシャル成長層を形成するためには、上述した酸性物質やSi含有物質の基板表面における濃度を低下させることが有効である。そして、発明者らは、上記のように基板表面における酸性物質の濃度を低下させるには、研磨装置内で基板表面に接触する雰囲気ガス中の酸性物質の濃度を極力低減することが有効であることを見出した。また、発明者らは、基板表面に付着するSi含有物質(もしくはシリコン原子)の濃度を低下させるには、研磨工程において用いる研磨液に酸と界面活性剤を含有させることが有効であることを見出した。なお、製造工程の雰囲気中の酸性物質の濃度が高い際に、基板表面の酸性物質の濃度が高くなる問題が生じることは、研磨工程、検査工程によらず他の工程でも同様である。
このような知見によりなされた、この発明に従ったエピタキシャル層付き基板は、III族窒化物からなるベース基板(III族窒化物基板)と、ベース基板の表面上に形成されたエピタキシャル成長層とを備える。ベース基板とエピタキシャル成長層との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1020以下である。
このように構成されたエピタキシャル層付き基板では、ベース基板表面でのシリコン原子の個数が少なく保たれた状態でエピタキシャル成長層が形成されているので、当該エピタキシャル成長層の膜質を良好なものとすることができる。このため、上記エピタキシャル層付き基板を用いて半導体素子(たとえば発光素子)を形成した場合に、エピタキシャル成長層の品質不良に起因して半導体素子が十分な性能を発揮しない(不良品になる)といった問題の発生を抑制できる。なお、エピタキシャル層付き基板とは、ベース基板の表面上に少なくとも1層のエピタキシャル成長法により形成された層(エピタキシャル成長層)が形成された基板を言う。また、上記エピタキシャル層付き基板において、ベース基板とエピタキシャル成長層との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1019以下であってもよい。この場合、エピタキシャル成長層の膜質をより優れたものとすることができる。なお、上記界面における1cm3当りのシリコン原子の個数は好ましくは1×1018以下であり、より好ましくは1×1017以下である。
また、この発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法は、表面の1cm2当りのシリコン原子の個数が3×1013以下であり、III族窒化物からなるベース基板を準備する工程と、ベース基板の当該表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備える。エピタキシャル成長層を形成する工程において形成された当該エピタキシャル成長層とベース基板との界面における1cm3当りのシリコン原子の個数は1×1020以下である。
また、この発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法は、III族窒化物からなるベース基板の表面について、化学機械研磨法による当該表面の研磨、および当該表面のドライエッチングのいずれか一方を行なうことにより、表面のシリコン原子の個数を制御する工程と、ベース基板の表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備える。エピタキシャル成長層を形成する工程において形成された当該エピタキシャル成長層とベース基板との界面における1cm3当りのシリコン原子の個数は1×1020以下である。
また、この発明に従った半導体素子は、上記エピタキシャル層付き基板を用いた半導体素子である。
また、この発明に従った半導体素子の製造方法は、エピタキシャル層付き基板準備工程と、半導体素子を形成する工程とを備える。エピタキシャル層付き基板準備工程では、上述した本発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法を実施する。半導体素子を形成する工程では、上記エピタキシャル層付き基板準備工程により得られたエピタキシャル層付き基板に電極形成工程および加工工程を実施することにより、半導体素子を形成する。
また、この発明に従ったIII族窒化物基板は、表面の1cm2当りの酸性物質の原子の個数が2×1014以下であり、かつ、当該表面の1cm2当りのシリコン(Si)原子の個数が3×1013以下であることを特徴とする。
このようにすれば、III族窒化物基板の表面上に良好な品質のエピタキシャル成長層を形成することができる。なお、III族窒化物基板の表面の1cm2当りの酸性物質の原子の個数を2×1014以下としたのは、この程度以下に酸性物質の原子の個数を抑制すれば当該基板表面の粗さやヘイズレベルを十分小さくできる(基板表面の荒れの程度を十分小さくできる)からである。また、当該表面の1cm2当りのシリコン(Si)原子の個数を3×1013以下としたのは、このようにすれば形成されるエピタキシャル成長層の品質(たとえばエピタキシャル成長層の表面粗さや膜質)を十分良好に保つことができる(たとえば、当該エピタキシャル成長層を発光素子の発光層として利用する場合に所定の発光強度を得ることができる)からである。なお、酸性物質の原子の個数とは、たとえば、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素等のハロゲンのように単体で存在する場合には、ハロゲン原子の個数をいい、窒素酸化物(NOX)、硫黄酸化物(SOX)等の化合物の形で存在する場合には、その化合物の分子の個数をいうものとする。また、シリコン原子の個数とは、シリコンが単体で存在する場合には当該シリコン原子の個数をいい、SiO2のような化合物の形で存在する場合にはその化合物の分子の個数をいう。
上記III族窒化物基板において、表面のヘイズレベルは5ppm以下であってもよい。これは、III族窒化物基板の表面において、1cm2当りの酸性物質の原子の個数(酸性物質の密度)を上述のような値以下とすることにより、当該基板の表面粗さを十分小さくできるため、くもりの程度(ヘイズレベル)も十分小さくすることができるからである。このように基板表面のヘイズレベルを小さくすることで、基板表面に形成されるエピタキシャル成長層の品質の劣化を防止できる。なお、ヘイズレベルの上限を5ppmとしたのは、ヘイズレベルが5ppmを超えると形成されるエピタキシャル成長層の品質が低下し、たとえば当該エピタキシャル成長層を発光素子の発光層などに利用した場合に十分な発光強度が得られなくなるためである。
この発明に従ったIII族窒化物基板は、表面の1cm2当りのシリコン原子の個数が3×1013以下であり、かつ、当該表面のヘイズレベルは5ppm以下であることを特徴とする。また、この発明に従ったIII族窒化物基板は、表面の1cm2当りの酸性物質の原子の個数が2×1014以下であり、かつ、当該表面のヘイズレベルは5ppm以下であることを特徴とする。
このようにすれば、III族窒化物基板の表面上に良好な品質のエピタキシャル成長層を形成することができる。
上記III族窒化物基板において、表面の1cm2当りの酸性物質の原子の個数は、好ましくは9×1013以下である。また、上記III族窒化物基板において、表面のヘイズレベルは好ましくは3ppm以下である。また、上記III族窒化物基板において、表面の1cm2当りのシリコン原子の個数は、好ましくは1×1013以下である。
この場合、III族窒化物基板の表面上に形成されるエピタキシャル成長層の膜質をより向上させることができる。たとえば、当該基板を用いて発光素子を形成し、エピタキシャル成長層により発光層を形成した場合、発光層での発光強度をより大きくすることができる。
また、上記III族窒化物基板の表面粗さはRaで1nm以下であってもよい。また、上記エピタキシャル層付き基板のエピタキシャル成長層表面の粗さはRaで1nm以下であってもよい。さらに、上記III族窒化物基板の表面に形成された加工変質層の厚さは50nm以下であってもよい。また、上記エピタキシャル層付き基板のベース基板の表面に形成された加工変質層の厚さは50nm以下であってもよい。ここで、上述した加工変質層の厚さは、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いた基板の観察により、結晶格子の歪が発生した領域を上記加工変質層として、その歪発生部分(加工変質層)の厚さを測定することにより評価することができる。
この発明に従ったIII族窒化物基板の製造方法は、III族窒化物基板の表面を研磨する研磨工程と、研磨工程の後、III族窒化物基板の表面を洗浄する洗浄工程とを備える。洗浄工程後におけるIII族窒化物基板の表面での1cm2当りの酸性物質の原子の個数を2×1014以下に保つように、研磨工程中および洗浄工程後にIII族窒化基板に接触する雰囲気ガスを制御する。研磨工程においては、化学機械研磨法によりIII族窒化物基板の表面を研磨する。化学機械研磨法において用いられる研磨液には界面活性剤と酸とが含まれている。
このようにすれば、上記雰囲気ガスを制御する(たとえば、III族窒化物基板の周囲から酸性物質を含む雰囲気ガスを迅速に除去できるように排気機構を動作させる、あるいは雰囲気ガスに含まれる酸性物質の濃度を所定の値より低くできるように、雰囲気ガスの流路に酸性物質を除去するための吸着剤を配置する)ことにより、雰囲気ガスから研磨工程中および洗浄工程後のIII族窒化物基板の表面に酸性物質が付着する可能性を低減できる。また、研磨工程において上記のような研磨液を用いることにより、研磨工程後におけるIII族窒化物基板の表面に、研磨液中のSiO2などからなる砥粒(粒子状物質)といった異物(Si含有物質)が付着する可能性を低減できる。このため、III族窒化物基板の表面におけるSi含有物質、すなわちシリコン原子の密度を低くすることができる。
上記III族窒化物基板の製造方法において、研磨液にはさらに酸化剤が含まれていてもよい。この場合、研磨工程における研磨レートを向上させることができる。したがって、III族窒化物基板の製造効率を向上させることができる。
上記III族窒化物基板の製造方法において、研磨液に含まれる酸は特に制限はなく、たとえば、塩酸、フッ酸、臭素酸、ヨウ素酸、硝酸、硫酸、リン酸、炭酸などの無機酸の他に、ギ酸、酢酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、コハク酸、フタル酸、フマル酸、シュウ酸などの有機酸を用いることができる。また、上記III族窒化物基板の製造方法において、有機酸は2価以上のカルボン酸であってもよい。この場合、研磨工程における研磨レートを向上させることができるとともに、研磨液に含まれる酸に起因して当該基板の表面に異物が付着する可能性を低減できる。なお、ここで有機酸とは、酸性を示す有機化合物である。また、研磨液に含まれる界面活性剤には特に制限はなく、カチオン性、アニオン性、ノニオン性のいずれの界面活性剤を用いてもよい。
上記III族窒化物基板の製造方法は、研磨工程の後、洗浄工程に先立って、III族窒化物基板の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液を用いてポリシングする工程をさらに備えていてもよい。また、当該ポリシングする工程においては、III族窒化物基板の表面を酸性溶液を用いてポリシングする工程と、アルカリ性溶液を用いてポリシング工程との両方を順番に実施してもよいし、酸性溶液を用いたポリシング工程および/またはアルカリ性溶液を用いたポリシング工程を複数回繰返してもよい。アルカリ性溶液には特に制限はなく、KOH、NaOH、NH4OH、アミンなどの塩基を用いることができる。この場合、洗浄工程に先立ってIII族窒化物基板の表面から異物をポリシングにより除去できるので、洗浄工程後に当該基板表面での異物(たとえばSi含有物質)の残存という問題の発生確率を低減できる。
なお、化学機械研磨の他に、ドライエッチングにより基板の表面を除去して仕上げることができる。ドライエッチングとは、液体を用いずに、ガス、プラズマ、イオンまたは光などによる気相−固相界面における化学的または物理的反応を利用して、固体であるIII族窒化物基板の表面を除去する方法の総称をいう。
III族窒化物基板のドライエッチングでは塩素系のガスを用いることが多く、基板表面に酸性物質である塩素が残存して存在する場合がある。塩素系ガスには、Cl2、BCl3、SiCl4などがある。ドライエッチングに用いるガスを、これらの塩素系ガスと不活性ガスであるAr、N2との混合ガスにすることもできる。不活性ガスの希釈、圧力、流量などの条件を調整することで基板表面の酸性物質を低減することができる。また、ドライエッチングでIII族窒化物基板の表面を平滑にするためにはプラズマ中にSiが存在することが有効である。SiはSiCl4などのガスによりプラズマ中に添加することもできるし、基板周辺にSi化合物を配置することにより基板と同時にこのSi化合物をエッチングしてプラズマ中に存在させることもできる。なお、エッチング雰囲気中にSiが存在することにより、ドライエッチング後の基板表面にSiが残存する場合がある。この場合、プラズマ中のSiの濃度を制御することにより、基板表面のシリコンを低減することができる。
また、この発明に従ったIII族窒化物基板の製造方法は、塩素系ガスを用いてSi含有雰囲気中でIII族窒化物基板の表面をドライエッチングすることにより、当該表面の1cm2当りの酸性物質の原子の個数が2×1014以下であり、かつ、当該表面の1cm2当りのシリコン原子の個数が3×1013以下とすることを特徴とする。ここで、塩素系ガスとはその成分の組成に塩素を含有するガスを意味し、たとえば塩素ガスや塩素をその組成に含むガス、あるいはこれらのガスを少なくとも1種類含む混合ガスであってもよい。
この発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法は、上記III族窒化物基板の製造方法を実施する基板準備工程と、基板準備工程により得られたIII族窒化物基板の表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備える。このようにすれば、III族窒化物基板の表面上に良好な品質のエピタキシャル成長層を形成できる。
この発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法は、上記III族窒化物基板を準備する基板準備工程と、基板準備工程により準備されたIII族窒化物基板の表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備える。このようにすれば、III族窒化物基板の表面上に良好な品質のエピタキシャル成長層を形成できる。
この発明に従った半導体素子の製造方法は、上記エピタキシャル層付き基板の製造方法を実施するエピタキシャル層付き基板準備工程と、エピタキシャル層付き基板準備工程により得られたエピタキシャル層付き基板に電極形成工程および加工工程を実施することにより、半導体素子を形成する工程とを備える。このようにすれば、優れた品質のエピタキシャル成長層を備えるエピタキシャル層付き基板を用いて半導体素子を形成できるので、エピタキシャル成長層の品質不良に起因する半導体素子の不良発生の確率を低減できる。このため、半導体素子の歩留りの低下を抑制できる。
このように、本発明によれば、III族窒化物基板の表面上に優れた品質のエピタキシャル成長層が形成されたエピタキシャル層付き基板を得ることができるので、当該エピタキシャル層付き基板を用いて半導体素子を形成することにより、半導体素子の不良発生の確率を低減できる。
次に図面を用いて、本発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
図1は、本発明に従ったIII族窒化物基板の一例であるGaN基板を示す斜視模式図である。図2は、図1に示したGaN基板を用いた半導体素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。図3は、図2に示した加工工程の内容を説明するためのフローチャートである。図4は、図1に示したGaN基板を用いたエピタキシャル層付き基板を示す斜視模式図である。図1〜図4を参照して、本発明に従ったGaN基板、エピタキシャル層付き基板および半導体素子の製造方法の実施の形態を説明する。
図1に示すように、本発明に従ったGaN基板1は、後述する処理工程を実施することにより、(たとえば研磨および洗浄後の)表面において、1cm2当りの酸性物質の原子(たとえば塩素原子)の個数が2×1014以下であり、かつ、当該表面の1cm2当りのシリコン原子の個数が3×1013以下である。また、GaN基板1において、表面のヘイズレベルは5ppm以下である。このようにすれば、III族窒化物基板の表面上に良好な品質のエピタキシャル成長層を形成することができる。
上記GaN基板1において、表面3の1cm2当りの酸性物質の原子の個数は、好ましくは9×1013以下である。また、上記GaN基板1において、表面3のヘイズレベルは好ましくは3ppm以下である。また、上記GaN基板1において、表面3の1cm2当りのシリコン原子の個数は、好ましくは1×1013以下である。
この場合、GaN基板1の表面3上に形成されるエピタキシャル成長層5(図4参照)の膜質をより向上させることができる。たとえば、後述するように当該GaN基板1を用いて発光素子を形成し、エピタキシャル成長層により発光層を形成した場合、発光層での発光強度をより大きくすることができる。
なお、上述した酸性物質の原子の個数やシリコン原子の個数は、TXRF(Total X-ray Reflection Fluorescence:全反射蛍光X線分析装置)を用いて測定した。また、ヘイズレベルはTencor社製SURFSCAN4500を用いて測定した。
次に、図2および図3を参照しながら、図1に示したGaN基板を製造する工程を含む、半導体素子の製造方法を説明する。
図2に示すように、まずGaN基板を準備する工程である準備工程(S100)を実施する。この準備工程(S100)では、従来公知の任意の方法によりGaN基板を準備することができる。
次に、GaN基板に対して研磨処理などを施す加工工程(S200)を実施する。この加工工程(S200)での処理内容を、図3を参照しながら説明する。加工工程(S200)では、図3に示すようにまず研磨工程であるCMP工程(S210)が実施される。このCMP工程(S210)では、準備工程(S100)で準備されたGaN基板の表面を化学機械研磨法:CMP(chemical mechanical polishing)を用いて研磨する。この結果、GaN基板の表面は鏡面に仕上げられる。
ここで、CMP工程(S210)で使用する研磨液には、砥粒の他、界面活性剤および酸を添加する。なお、研磨液に含まれる砥粒としては、たとえばSiO2やAl2O3、ZrO2、CeO2、Fe2O3、Cr2O3などを用いることができる。ここで、洗浄性を高めるためには、砥粒を構成する金属元素としてイオン化傾向の高いものを用いることが好ましい。たとえば、イオン化傾向が水素(H)より高い金属元素を含む砥粒を用いると、後述する洗浄工程での砥粒などの除去効率が高くなる。また、酸としては、塩酸など用いてもよいが、リンゴ酸やクエン酸などの有機酸を用いることができる。この有機酸としては、2価以上のカルボン酸を用いることが好ましい。また、研磨液にはさらに酸化剤を添加してもよい。酸化剤としては次亜塩素酸および次亜塩素酸塩、トリクロロイソシアヌル酸(TCIA)などの塩素化イソシアヌル酸、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウムなどの塩素化イソシアヌル酸塩、過マンガン酸カリウムなどの過マンガン酸塩、ニクロム酸カリウムなどのニクロム酸塩、臭素酸カリウムなどの臭素酸塩、チオ硫酸ナトリウムなどのチオ硫酸塩、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、硝酸、過酸化水素水、オゾンなどが好ましく用いられる。
次に、ポリシング工程(S220)を実施する。当該ポリシング工程では、酸性またはアルカリ性のポリシング液を用いる。酸性のポリシング液としては、たとえば塩酸、硝酸、リン酸、クエン酸、リンゴ酸などを用いることができる。また、アルカリ性のポリシング液としては、たとえば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムなどを用いることができる。
次に、洗浄工程(S230)を実施する。この洗浄工程(S230)では、任意の洗浄方法を利用できる。たとえば、洗浄工程(S230)として、純水を用いた純水洗浄を実施してもよい。そして、少なくともCMP工程(S210)中、ポリシング工程(S220)中および洗浄工程(S230)以後の工程では、GaN基板が接触する雰囲気ガス(GaN基板が処理されるクリーンルーム内の雰囲気ガス)について、酸性物質、特に塩素原子の濃度を低く保つことができるようにGaN基板の周囲から雰囲気ガスを排気するとともに、当該雰囲気ガスの循環系統に酸性物質を吸着する吸着剤を配置する。吸着剤としては、たとえば活性炭を用いる。このようにして、雰囲気ガス中の酸性物質、特に塩素原子の濃度を所定値以下(たとえば0.02ppm以下)に保つようにする。この結果、研磨および洗浄後のGaN基板の表面に付着する酸性物質である塩素原子の量を低減できる。なお、ポリシング工程(S220)中においても、GaN基板が接触する雰囲気ガスについて、上述のようにGaN基板の周囲から雰囲気ガスを排気するとともに、当該雰囲気ガスの循環系統に酸性物質を吸着する吸着剤を配置するようにしてもよい。
上述のような工程を実施することにより、図1に示したような、その表面における酸性物質およびシリコン原子の密度が十分小さなGaN基板1を得ることができる。なお加工工程(S200)においては、CMP工程の他にドライエッチング工程によりGaN基板の表面を処理することもできる。ドライエッチング工程はCMP工程に加えて実施することもできる。
次に、図2に示すように、加工工程(S200)により鏡面に仕上げられたGaN基板について、後処理工程(S300)を実施する。この後処理工程(S300)では、たとえばGaN基板の表面上に所定のエピタキシャル成長層を形成する工程(成膜工程)を実施する。この成膜工程の結果、図4に示すようにGaN基板1の表面上にエピタキシャル成長層5が形成されたエピタキシャル層付き基板10を得ることができる。さらに、後処理工程(S300)では、上記エピタキシャル層付き基板10の表面に電極を形成する工程(電極形成工程)、エピ基板10を個々の素子へと分離する分離工程および形成された素子をフレームに接続するといった工程(加工工程)を行なうことにより、発光装置などのデバイスを組立てる組立工程を実施する。
上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、この発明の実施の形態を羅列的に挙げて説明する。この発明に従ったIII族窒化物基板(GaN基板1)の製造方法は、GaN基板1の表面を研磨する研磨工程(CMP工程(S210))と、CMP工程(S210)の後、GaN基板1の表面を洗浄する洗浄工程(S230)とを備える。洗浄工程(S230)後におけるGaN基板1の表面での1cm2当りの酸性物質の原子の個数を2×1014以下に保つように、研磨工程(CMP工程(S210))中および洗浄工程(S230)後にGaN基板1に接触する雰囲気ガスを制御する。具体的には、雰囲気ガス中の酸性物質の濃度を所定値以下に保つように、雰囲気ガス中に活性炭などの酸性物質を吸着する吸着部材を配置する。また、上記CMP工程(S210)中および洗浄工程(S230)後では、雰囲気ガス中の酸性物質の濃度を所定値以下に保つように、排気機構を設けてもよい。CMP工程(S210)においては、化学機械研磨法によりGaN基板1の表面を研磨する。化学機械研磨法において用いられる研磨液には界面活性剤と酸とが含まれている。
このようにすれば、上記雰囲気ガスから酸性物質を除去するように当該雰囲気ガスを制御するので、雰囲気ガスからCMP工程中や洗浄工程後のGaN基板1の表面に酸性物質が付着する可能性を低減できる。また、CMP工程(S210)において上記のような研磨液を用いることにより、CMP工程(S210)後におけるGaN基板1の表面に、研磨液中のSi含有物質が付着する可能性を低減できる。このため、GaN基板1の表面におけるSi含有物質、すなわちシリコン原子の密度を低くすることができる。
上記CMP工程(S210)において、研磨液にはさらに酸化剤が含まれていてもよい。この場合、研磨工程における研磨レートを向上させることができる。
また、研磨液に含まれる酸は有機酸であってもよい。また、当該有機酸は2価以上のカルボン酸であってもよい。この場合、研磨工程における研磨レートを向上させることができるとともに、研磨液に含まれる酸に起因して当該基板の表面に異物が付着する可能性を低減できる。
上記GaN基板の製造方法は、CMP工程(S210)の後、洗浄工程(S230)に先立って、GaN基板1の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液を用いてポリシングする工程(ポリシング工程(S220))をさらに備えていてもよい。また、当該ポリシング工程(S220)においては、GaN基板1の表面を、酸性溶液を用いてポリシングする工程と、アルカリ性溶液を用いてポリシング工程との両方を順番に実施してもよいし、酸性溶液を用いたポリシング工程および/またはアルカリ性溶液を用いたポリシング工程を複数回繰返してもよい。この場合、洗浄工程に先立ってGaN基板1の表面から異物をポリシングにより除去できるので、洗浄工程(S230)後に当該GaN基板1表面での異物の残存という問題の発生確率を低減できる。また、酸性物質についてもポリシング工程により洗浄工程前に減少させることができるので、洗浄工程後の存在量を低減することができる。
また、CMP工程の他にドライエッチング処理を行なうことができるが、上記ドライエッチングとしては、RIE(反応性イオンエッチング)、ICP(誘導結合プラズマ)-RIE、ECR(電子サイクロトロン共鳴)-RIE、CAIBE(化学アシストイオンビームエッチング)、RIBE(反応性イオンビームエッチング)などが挙げられる。
この発明に従ったエピタキシャル層付き基板の製造方法は、上記GaN基板の製造方法を実施する(または上記III族窒化物基板としてのGaN基板1を準備する)基板準備工程(図2の加工工程(S200))と、加工工程(S200)により得られたIII族窒化物基板の表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程(後処理工程(S300)に含まれる成膜工程)とを備える。このようにすれば、GaN基板1の表面3上に良好な品質のエピタキシャル成長層5を形成できる。
この発明に従った半導体素子の製造方法は、上記エピタキシャル層付き基板の製造方法を実施するエピタキシャル層付き基板準備工程(加工工程(S200)および成膜工程)と、エピタキシャル層付き基板準備工程により得られたエピタキシャル層付き基板10に(後処理工程(S300)に含まれる)電極形成工程および加工工程を実施することにより、半導体素子を形成する工程(後処理工程(S300)における成膜工程以後の工程)とを備える。このようにすれば、優れた品質のエピタキシャル成長層5を備えるエピタキシャル層付き基板10を用いて半導体素子を形成できるので、エピタキシャル成長層5の品質不良に起因する半導体素子の不良発生の確率を低減できる。
また、この発明に従ったエピタキシャル層付き基板10は、図4に示すようにIII族窒化物からなるベース基板としてのGaN基板1と、GaN基板1の表面3上に形成されたエピタキシャル成長層5とを備える。GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1020以下である。また、この発明に従ったエピタキシャル層付き基板10は、上記した本発明に従ったIII族窒化物基板としてのGaN基板1と、当該GaN基板1の表面上に形成されたエピタキシャル成長層とを備える。
このように構成されたエピタキシャル層付き基板10では、GaN基板1表面でのシリコン原子の個数が少なく保たれた状態でエピタキシャル成長層5が形成されているので、当該エピタキシャル成長層5の品質を良好なものとすることができる。このため、上記エピタキシャル層付き基板10を用いてたとえば発光素子を形成した場合に、エピタキシャル成長層5の品質不良に起因して素子が不良品になるといった問題の発生を抑制できる。
また、上記エピタキシャル層付き基板において、GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×1019以下であってもよい。この場合、エピタキシャル成長層5の品質をより優れたものとすることができる。なお、GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm3当りのシリコン(Si)原子の個数(Si原子の密度)は、SIMS(二次イオン質量分析法)を用いて測定することができる。たとえば、測定装置はCAMECA社製のセクター磁場型SIMS装置を用い、測定条件として1次イオンにCs+を用いて測定することができる。
本発明の効果を確認するために、以下のような実験を行なった。
(試料の準備)
本発明の実施例の試料として実施例1〜13の試料を、また、比較例として比較例1〜4の試料を準備した。具体的には、実施例1〜13および比較例1〜4となるべきGaN基板を準備した。当該GaN基板はすべて円板状であって、サイズが直径50mmであって厚みが0.5mmとした。これらのGaN基板については、あらかじめ基板表面に対してダイヤモンド砥粒を用いたラッピングを行なった。このラッピングに用いた砥粒としては、平均直径が6μm、2μm、0.5μmのものを準備し、直径の大きい砥粒から小さい砥粒へと段階的に砥粒の径を小さくしながらラッピングを行なった。さらに、当該ラッピングの後、アルミナ砥粒を用いたポリシングを行なった。アルミナ砥粒としては、平均直径が0.5μmの物を用いた。このようにして、GaN基板の試料の表面状態についての前処理を行なった。
(試料の準備)
本発明の実施例の試料として実施例1〜13の試料を、また、比較例として比較例1〜4の試料を準備した。具体的には、実施例1〜13および比較例1〜4となるべきGaN基板を準備した。当該GaN基板はすべて円板状であって、サイズが直径50mmであって厚みが0.5mmとした。これらのGaN基板については、あらかじめ基板表面に対してダイヤモンド砥粒を用いたラッピングを行なった。このラッピングに用いた砥粒としては、平均直径が6μm、2μm、0.5μmのものを準備し、直径の大きい砥粒から小さい砥粒へと段階的に砥粒の径を小さくしながらラッピングを行なった。さらに、当該ラッピングの後、アルミナ砥粒を用いたポリシングを行なった。アルミナ砥粒としては、平均直径が0.5μmの物を用いた。このようにして、GaN基板の試料の表面状態についての前処理を行なった。
(試料に対する研磨加工)
上記のように準備されたGaN基板について、クリーンルーム内で以下のような加工を行なった。なお、クリーンルーム内に設置された研磨装置内の雰囲気ガスについて酸性物質、特に塩素原子の濃度を十分低くしておくため、GaN基板が配置された処理室内部からは雰囲気ガスを排気可能になっている。排気風速は0.6m/sとした。そして、当該研磨装置内において、実施例1〜8、11〜13となるべきGaN基板について、その表面をCMP法により研磨した。実施例1〜8についての研磨において用いた研磨液は、表1に示すように、砥粒としてSiO2を含む。また、実施例11〜13の研磨において用いた研磨液は、各実施例についてそれぞれ砥粒としてZrO2、Cr2O3、Fe2O3を含む。また、研磨液はpH調整を行なうための酸として塩酸、リンゴ酸またはクエン酸を含む。これらの酸を添加することにより、研磨液のpHは2以上4以下程度になっている。また、研磨液には界面活性剤としてポリアクリル酸ナトリウムが0.05質量%だけ添加されている。また、実施例2、5、6、10〜13については、使用する研磨液に酸化剤としてトリクロロイソシアヌル酸(TCIA)が0.1質量%だけ添加されている。実施例1、7には、次亜塩素酸が添加されている。実施例3にはジクロロイソシアヌル酸ナトリウム(Na−DCIA)が添加されている。なお、実施例4、8については酸化剤が添加されていない研磨液を用いた。そして、研磨工程の後、純水洗浄を行なうことにより、表面が鏡面仕上げされたGaN基板を得た。このGaN基板について、後述するように表面のSi濃度、塩素濃度、表面粗さ、ヘイズレベル、および加工変質層の厚みを測定した。
上記のように準備されたGaN基板について、クリーンルーム内で以下のような加工を行なった。なお、クリーンルーム内に設置された研磨装置内の雰囲気ガスについて酸性物質、特に塩素原子の濃度を十分低くしておくため、GaN基板が配置された処理室内部からは雰囲気ガスを排気可能になっている。排気風速は0.6m/sとした。そして、当該研磨装置内において、実施例1〜8、11〜13となるべきGaN基板について、その表面をCMP法により研磨した。実施例1〜8についての研磨において用いた研磨液は、表1に示すように、砥粒としてSiO2を含む。また、実施例11〜13の研磨において用いた研磨液は、各実施例についてそれぞれ砥粒としてZrO2、Cr2O3、Fe2O3を含む。また、研磨液はpH調整を行なうための酸として塩酸、リンゴ酸またはクエン酸を含む。これらの酸を添加することにより、研磨液のpHは2以上4以下程度になっている。また、研磨液には界面活性剤としてポリアクリル酸ナトリウムが0.05質量%だけ添加されている。また、実施例2、5、6、10〜13については、使用する研磨液に酸化剤としてトリクロロイソシアヌル酸(TCIA)が0.1質量%だけ添加されている。実施例1、7には、次亜塩素酸が添加されている。実施例3にはジクロロイソシアヌル酸ナトリウム(Na−DCIA)が添加されている。なお、実施例4、8については酸化剤が添加されていない研磨液を用いた。そして、研磨工程の後、純水洗浄を行なうことにより、表面が鏡面仕上げされたGaN基板を得た。このGaN基板について、後述するように表面のSi濃度、塩素濃度、表面粗さ、ヘイズレベル、および加工変質層の厚みを測定した。
また、実施例9については、ドライエッチング(DE)という手法でGaN基板を加工することにより、表面のSi濃度などを測定するための試料であるGaN基板を準備した。当該加工のドライエッチングは平行平板式のRIE装置を用いた。プロセス条件としては、エッチングガスにCl2ガスとBCl3ガスを使用し、Cl2ガス流量は25sccm(sccm:標準状態のガスが1分間に1cm3流れる流量の単位をいう、以下同じ)、BCl3ガス流量は25sccm、圧力は2.66Pa、RFパワーは200Wとした。
また、実施例10については、実施例1と同様のCMP法による研磨を行なった後、ポリシング(洗浄ポリッシュ)を行なった。当該ポリシングにおいては、ポリシング液としてクエン酸を0.3質量%、TCIAを0.1質量%含む溶液を用いた。その後、実施例1〜9と同様に洗浄工程を行なうことによって表面のSi濃度などを測定するための試料であるGaN基板を準備した。
また、比較例1〜4についても、それぞれCMP法を用いてGaN基板の表面を研磨した。ただし、比較例1については研磨液としてSiO2からなる砥粒とpH調整のための塩酸とを含むものを用いた。また、比較例2については、研磨液として、SiO2からなる砥粒と、pH調整のためのリンゴ酸と、界面活性剤(ポリアクリル酸ナトリウム)と酸化剤(TCIA)とを含むものを用いた。また、比較例3については、研磨液として、ダイヤモンド砥粒と、pH調整のためのリンゴ酸と、界面活性剤(ポリアクリル酸ナトリウム)と酸化剤(TCIA)とを含むものを用いた。また、比較例4については、研磨液として、SiCからなる砥粒と、pH調整のためのリンゴ酸と、界面活性剤(ポリアクリル酸ナトリウム)と酸化剤(TCIA)とを含むものを用いた。なお、界面活性剤および酸化剤の含有率はそれぞれ0.3質量%、0.1質量%であった。
そして、比較例1〜4について、実施例1〜8、11〜13と同様に研磨工程後に純水洗浄を行なうことで、表面のSi濃度などを測定するための試料であるGaN基板を準備した。
なお、上述した加工工程から後述する測定を行なっている間、実施例1〜13および比較例1、3、4については装置内の雰囲気ガスが排気されていたが、比較例2については排気を行なわなかった。
(基板表面の測定)
上述のように準備した実施例1〜13および比較例1〜4の試料(GaN基板)について、基板特性の測定を行なった。具体的には、鏡面仕上げされた表面のシリコン(Si)濃度、塩素(Cl)濃度、表面粗さ、ヘイズレベルおよび加工変質層の厚みを測定した。その結果を表1に示す。
上述のように準備した実施例1〜13および比較例1〜4の試料(GaN基板)について、基板特性の測定を行なった。具体的には、鏡面仕上げされた表面のシリコン(Si)濃度、塩素(Cl)濃度、表面粗さ、ヘイズレベルおよび加工変質層の厚みを測定した。その結果を表1に示す。
なお、Si濃度およびCl濃度については、全反射蛍光X線分析装置(TXRF)を用いて、基板表面の中央部で1cm2当りの原子の個数を調べ、その値を表1に示した。また、表面粗さは、基板表面の5箇所で測定し、その平均値を表1に示した。また、ヘイズレベルはTencor社製SURFSCAN4500を用いて測定した。また、加工変質層の厚みは、TEMを用いてGaN基板の結晶格子の歪を観察することにより評価した。
表1から分かるように、CMP法で用いた研磨液に塩酸やクエン酸などの酸と界面活性剤とが含有されている実施例1〜8は、研磨液に界面活性剤が含まれていなかった比較例1よりSi濃度が極めて低くなっている。また、実施例1〜8の中でも、研磨液中の酸としてリンゴ酸やクエン酸を用いた実施例5〜8について、特にSi濃度が低下していることが分かる。なお、CMP法で用いた研磨液の砥粒としてSiO2やSiC以外の砥粒(元素としてSiを含まない砥粒)を用いた実施例11〜13および比較例3では、いずれも基板表面からSiは検出されなかった。
また、処理時の雰囲気については、排気を行なっていた試料はいずれもCl濃度、表面粗さおよびヘイズレベルの値が小さくなっているのに対して、排気を行なわなかった比較例2はCl濃度、表面粗さおよびヘイズレベルの値が相対的に大きくなっていることが分かる。また、実施例1〜13の加工変質層の厚みは、いずれも比較例3、4における加工変質層の厚みより薄くなっている。特に、砥粒としてSiO2またはFe2O3を用いた実施例1〜10、13では、加工変質層が検出されなかった。なお、実施例11、12については、加工変質層が検出されたが、その厚みは比較例3、4における加工変質層の厚みに比べて十分薄くなっていた。
また、研磨液に酸化剤を含む実施例1〜3、5〜7、11〜13は、研磨液に酸化剤を含まなかった実施例4、8より研磨工程での除去速度が大きくなっていることも分かる。
(発光素子の作成)
上述のように加工された実施例1〜13、比較例1〜4の試料(GaN基板)に対して、その表面上に複数のエピタキシャル成長層を形成し、さらに電極の形成や個々のチップへの分割、当該チップのリードフレームへの実装などを行なって発光素子(LED)を作成した。なお、GaN基板の表面上に形成されたエピタキシャル成長層は、具体的にはn型半導体層としての厚さ1μmのn型GaN層(ドーパント:Si)および厚さ150nmのn型Al0.1Ga0.9N層(ドーパント:Si)、発光層、p型半導体層としての厚さ20nmのp型Al0.2Ga0.8N層(ドーパント:Mg)および厚さ150nmのp型GaN層(ドーパント:Mg)という構成であった。ここで、発光層は、厚さ10nmのGaN層で形成される障壁層の4層と、厚さ3nmのGa0.85In0.15N層で形成される井戸層の3層とが交互に積層された多重量子井戸構造とした。
上述のように加工された実施例1〜13、比較例1〜4の試料(GaN基板)に対して、その表面上に複数のエピタキシャル成長層を形成し、さらに電極の形成や個々のチップへの分割、当該チップのリードフレームへの実装などを行なって発光素子(LED)を作成した。なお、GaN基板の表面上に形成されたエピタキシャル成長層は、具体的にはn型半導体層としての厚さ1μmのn型GaN層(ドーパント:Si)および厚さ150nmのn型Al0.1Ga0.9N層(ドーパント:Si)、発光層、p型半導体層としての厚さ20nmのp型Al0.2Ga0.8N層(ドーパント:Mg)および厚さ150nmのp型GaN層(ドーパント:Mg)という構成であった。ここで、発光層は、厚さ10nmのGaN層で形成される障壁層の4層と、厚さ3nmのGa0.85In0.15N層で形成される井戸層の3層とが交互に積層された多重量子井戸構造とした。
また、基板の裏面側に第1の電極として、厚さ200nmのTi層、厚さ1000nmのAl層、厚さ200nmのTi層、厚さ2000nmのAu層から形成される積層構造を形成し、窒素雰囲気中で加熱することにより、直径100μmのn側電極を形成した。一方、上記p型GaN層上に第2の電極として、厚さ4nmのNi層、厚さ4nmのAu層から形成される積層構造を形成し、不活性ガス雰囲気中で加熱することにより、p側電極を形成した。上記積層体(GaN基板に上述のようなエピタキシャル成長層、n側電極およびp側電極を形成したもの)を400μm角にチップ化した後に、上記p側電極をAuSnで形成されたはんだ層で導電体にボンディングした。さらに、上記n側電極と導電体とをワイヤでボンディングして、発光デバイスとしての構成を有する半導体素子を得た。
(エピタキシャル成長層についての測定)
上述のように準備した実施例1〜13、比較例1〜4のGaN基板表面に形成されたエピタキシャル成長層の表面粗さを、上述したGaN基板の表面粗さと同様の手法により測定した。その結果も表1に示されている。表1からも分かるように、実施例1〜13においては、比較例1〜4よりエピタキシャル成長層の表面粗さが小さくなっている。
上述のように準備した実施例1〜13、比較例1〜4のGaN基板表面に形成されたエピタキシャル成長層の表面粗さを、上述したGaN基板の表面粗さと同様の手法により測定した。その結果も表1に示されている。表1からも分かるように、実施例1〜13においては、比較例1〜4よりエピタキシャル成長層の表面粗さが小さくなっている。
基板とエピタキシャル層界面のSi濃度をSIMSにより測定した。実施例1、実施例5、実施例10、実施例13、比較例1について、それぞれ1×1020/cm3、1×1019/cm3、1×1018/cm3、1×1017/cm3、5×1020/cm3となった。実施例1、5、10、13については、比較例1よりも界面のシリコン濃度が小さくなっている。
(発光強度の測定)
上述のように準備した実施例1〜13、比較例1〜4の発光素子について、発光強度を測定した。その結果も表1に示されている。表1から分かるように、比較例1〜4の発光素子では発光自体が起きなかった一方で、実施例1〜13の発光素子ではエピタキシャル成長層における発光層にて発光を確認できた。なお、発光強度の測定方法としては、各試料としての発光素子を積分球内に搭載した後、所定の電流(20mA)を当該発光素子に印加し、集光されたディテクタから出力される光出力値を測定した。
上述のように準備した実施例1〜13、比較例1〜4の発光素子について、発光強度を測定した。その結果も表1に示されている。表1から分かるように、比較例1〜4の発光素子では発光自体が起きなかった一方で、実施例1〜13の発光素子ではエピタキシャル成長層における発光層にて発光を確認できた。なお、発光強度の測定方法としては、各試料としての発光素子を積分球内に搭載した後、所定の電流(20mA)を当該発光素子に印加し、集光されたディテクタから出力される光出力値を測定した。
上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
この発明は、発光素子やパワーデバイスなどに用いられるIII族窒化物基板、当該III族窒化物基板を用いたエピタキシャル層付き基板やこれらの製造方法に特に有利に適用される。
1 基板、3 表面、5 エピタキシャル成長層、10 エピタキシャル層付き基板。
Claims (5)
- III族窒化物からなるベース基板と、
前記ベース基板の表面上に形成されたエピタキシャル成長層とを備え、
前記ベース基板と前記エピタキシャル成長層との界面における1cm3当りのシリコン原子の個数が1×1020以下である、エピタキシャル層付き基板。 - 表面の1cm2当りのシリコン原子の個数が3×1013以下であり、III族窒化物からなるベース基板を準備する工程と、
前記ベース基板の前記表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備え、
前記エピタキシャル成長層を形成する工程において形成された前記エピタキシャル成長層と前記ベース基板との界面における1cm3当りのシリコン原子の個数が1×1020以下である、エピタキシャル層付き基板の製造方法。 - III族窒化物からなるベース基板の表面について、化学機械研磨法による前記表面の研磨、および前記表面のドライエッチングのいずれか一方を行なうことにより、前記表面のシリコン原子の個数を制御する工程と、
前記ベース基板の前記表面上にエピタキシャル成長層を形成する工程とを備え、
前記エピタキシャル成長層を形成する工程において形成された前記エピタキシャル成長層と前記ベース基板との界面における1cm3当りのシリコン原子の個数が1×1020以下である、エピタキシャル層付き基板の製造方法。 - 請求項1に記載のエピタキシャル層付き基板を用いた半導体素子。
- 請求項2または3に記載のエピタキシャル層付き基板の製造方法を実施するエピタキシャル層付き基板準備工程と、
前記エピタキシャル層付き基板準備工程により得られたエピタキシャル層付き基板に電極形成工程および加工工程を実施することにより、半導体素子を形成する工程とを備える、半導体素子の製造方法。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008539751A Active JP4341721B2 (ja) | 2006-10-19 | 2007-10-09 | GaN基板、III族窒化物基板の製造方法、エピタキシャル層付き基板の製造方法および半導体素子の製造方法 |
JP2009118910A Pending JP2009200523A (ja) | 2006-10-19 | 2009-05-15 | エピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008539751A Active JP4341721B2 (ja) | 2006-10-19 | 2007-10-09 | GaN基板、III族窒化物基板の製造方法、エピタキシャル層付き基板の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7901960B2 (ja) |
EP (1) | EP2080823B1 (ja) |
JP (2) | JP4341721B2 (ja) |
KR (1) | KR101308328B1 (ja) |
CN (2) | CN101553605B (ja) |
TW (2) | TWI412637B (ja) |
WO (1) | WO2008047627A1 (ja) |
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US10651307B2 (en) | 2018-07-23 | 2020-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10923349B2 (en) | 2018-05-18 | 2021-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element and method for manufacturing the same |
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- 2007-10-09 CN CN2007800390496A patent/CN101553605B/zh active Active
- 2007-10-09 JP JP2008539751A patent/JP4341721B2/ja active Active
- 2007-10-09 US US12/445,681 patent/US7901960B2/en active Active
- 2007-10-09 CN CN201210441633.7A patent/CN103014866B/zh active Active
- 2007-10-09 EP EP07829399.0A patent/EP2080823B1/en active Active
- 2007-10-09 KR KR1020097007743A patent/KR101308328B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-09 WO PCT/JP2007/069661 patent/WO2008047627A1/ja active Application Filing
- 2007-10-16 TW TW096138741A patent/TWI412637B/zh active
- 2007-10-16 TW TW102133997A patent/TWI535900B/zh active
-
2009
- 2009-05-15 JP JP2009118910A patent/JP2009200523A/ja active Pending
-
2011
- 2011-01-28 US US13/016,497 patent/US8101968B2/en active Active
- 2011-12-23 US US13/336,242 patent/US20120094473A1/en not_active Abandoned
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DE112014005913B4 (de) | 2013-12-20 | 2021-10-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Verfahren zum Herstellen von Substraten mit zumindest einer Oberflächen-Gallium-Nitrid-Schicht |
US10923349B2 (en) | 2018-05-18 | 2021-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element and method for manufacturing the same |
US10651307B2 (en) | 2018-07-23 | 2020-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120094473A1 (en) | 2012-04-19 |
EP2080823B1 (en) | 2020-03-25 |
JPWO2008047627A1 (ja) | 2010-02-25 |
TWI535900B (zh) | 2016-06-01 |
KR20090066300A (ko) | 2009-06-23 |
EP2080823A1 (en) | 2009-07-22 |
US20110133207A1 (en) | 2011-06-09 |
JP4341721B2 (ja) | 2009-10-07 |
CN101553605A (zh) | 2009-10-07 |
US8101968B2 (en) | 2012-01-24 |
TW200831723A (en) | 2008-08-01 |
US7901960B2 (en) | 2011-03-08 |
US20100187540A1 (en) | 2010-07-29 |
TWI412637B (zh) | 2013-10-21 |
WO2008047627A1 (fr) | 2008-04-24 |
CN103014866A (zh) | 2013-04-03 |
EP2080823A4 (en) | 2010-09-29 |
CN103014866B (zh) | 2016-01-20 |
KR101308328B1 (ko) | 2013-09-17 |
CN101553605B (zh) | 2012-12-12 |
TW201402887A (zh) | 2014-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |