JP2009182347A - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型GaN光ガイド層14と、発光層15と、p型AlGaNキャリアブロック層16とを含み、発光層15は、障壁層30a/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30cの順に積層されている。そして、井戸層31は、不純物がドープされていないInGaN層であり、少なくとも井戸層31に挟まれた障壁層30bは、井戸層31のIn組成比と異なるInGaN層33bと、GaN層32bとを含み、InGaN層33bが一方の井戸層31に接し、GaN層32bがもう一方の井戸層に接する構成とする。
【選択図】図3
Description
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記障壁層のGaN層は前記p型窒化物半導体層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とするものである。
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のGaN層は前記p型AlGaN層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄く、
前記発光層のp型AlGaN層側の最外層も前記障壁層であり、前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層(0<x≦0.05)は井戸層のIn組成比とは異なるとともに井戸層に接していて、
前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層とp型AlGaN層との間に、アンドープのGaN層、アンドープのAlGaN層、SiがドープされたGaN層、又はSiがドープされたAlGaN層が7nm以上35nm以下の厚みで設けられていることを特徴とするものである。
図1は、窒化物半導体発光素子の構成を示す概略断面図である。窒化物半導体発光素子10は、(0001)面n型GaN基板11の表面上に、n型GaN層12、n型AlGaNクラッド層13、n型GaN光ガイド層14、発光層15、p型AlGaNキャリアブロック層16、p型GaN光ガイド層17、p型AlGaNクラッド層18、p型GaNコンタクト層19が順に積層されて構成される。
従来の窒化物半導体発光素子の性能と比較実験するために、本発明の窒化物半導体発光素子10の実施例として2つの構成の窒化物半導体レーザ素子を作製した。何れの素子も図1の発光層15の構成を変化させたものである。1つ目の窒化物半導体レーザ素子(以下、タイプAと称す)の発光層15の断面図を図2に示す。
本発明において、障壁層30a、30b、30c中のInGaN層33a、33b、33cとGaN層32a、32b、32cには、不純物がドープされていてもよいし、されていなくても構わない。しかしながら、実験結果によれば、障壁層30a、30b、30cに全く不純物をドープしない場合、EL発光強度は非常に弱かった。これは、十分なキャリアが井戸層31に注入されていないためではないかと考えられる。
発光層15の製造において、障壁層に含まれるGaN層は、同じ障壁層に含まれるInGaN層と同じ成長温度(700〜830℃)か、+150℃以内の高い温度で成長させることが好ましい。InGaN層の成長温度よりも150℃を超えた高い成長温度でGaN層を成長させると、GaN層の結晶性は向上するものの、InGaN層が熱によるダメージを受けて結晶性が悪化する。一方、InGaN層の成長温度よりも低い成長温度でGaN層を成長させると、InGaN層の熱によるダメージは減少するが、GaN層の結晶性が顕著に悪化してしまう。
上記のように、障壁層に含まれるGaN層は、同じ障壁層に含まれるInGaN層の結晶性を悪化させずに且つGaN層の結晶性もある程度損なわない温度範囲で成長させられる。さもなくば、窒化物半導体レーザ素子における発光効率の低下と閾値電流密度の増大を引き起こしてしまう。GaN層の結晶性のみを考慮すると上記の成長温度範囲に加えて、ある1つの障壁層に含まれるGaN層の全層厚が、同じ障壁層に含まれるInGaN層の全層厚と等しいかそれよりも薄くすることが好ましい。即ち、障壁層中に占めるGaN層の割合を小さくすることによって、発光層全体の結晶性を上げることができる。
発光層には、以下のInGaN層を用いることができる。障壁層に含まれるInGaN層はInxGa1-xN(0<x≦0.1)を用いることができる。更に好ましくはIn組成比が0<x≦0.05である。この範囲のIn組成比を選択することにより、発光層のバンド構造を傾けることができ、窒化物半導体レーザ素子の発光効率を向上させることができる。
障壁層の構成は上述したInGaN層とGaN層の2層からなる構成が好ましいが、他の構成も考えられる。
窒化物半導体発光素子にAsを添加する場合はAsH3(アルシン)又はTBAs(t−ブチルアルシン)を、Pを添加する場合はPH3(ホスフィン)又はTBPH3(t−ブチルホスフィン)を、それぞれ用いることができる。また、窒化物半導体のN原料として、NH3以外にジメチルヒドラジンを用いることもできる。
以下に、窒化物半導体レーザ素子を半導体光学装置に利用する実施例について説明する。窒化物半導体レーザ素子は、レーザ発振閾値電流密度が低い(発光効率が高い)ことから低消費電力且つ携帯性に優れた高密度記録再生用光ディスク装置の光ピックアップとして好適に使用できる。
15 発光層
30a〜c 障壁層
31 井戸層
32a〜c n型GaN層
33a〜c InGaN層
Claims (3)
- n型不純物がドープされたn型窒化物半導体層と、InGaN層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記障壁層のGaN層は前記p型窒化物半導体層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - n型窒化物半導体層と、InGaN層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、p型AlGaN層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のGaN層は前記p型AlGaN層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄く、
前記発光層のp型AlGaN層側の最外層も前記障壁層であり、前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層(0<x≦0.05)は井戸層のIn組成比とは異なるとともに井戸層に接していて、
前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層とp型AlGaN層との間に、アンドープのGaN層、アンドープのAlGaN層、SiがドープされたGaN層、又はSiがドープされたAlGaN層が7nm以上35nm以下の厚みで設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記障壁層のGaN層を積層する工程の温度が、同じ障壁層のInGaN層を積層する工程の温度と等しいか、それよりも大きく150℃以下の範囲内であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187581A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、画像表示装置用光源および画像表示装置 |
KR20120009870A (ko) * | 2010-07-22 | 2012-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
JP2012119560A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013084978A (ja) * | 2012-12-19 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US9171997B2 (en) | 2013-05-27 | 2015-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US9263632B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
KR101838022B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2018-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101855064B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2018-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP2021516444A (ja) * | 2018-05-18 | 2021-07-01 | 廈門三安光電有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Co., Ltd. | 発光ダイオード |
CN113451462A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法与led芯片 |
CN114373838A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-19 | 南通同方半导体有限公司 | 带量子垒层硅掺杂结构的led外延片、生长方法及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106785919B (zh) * | 2016-10-26 | 2020-05-26 | 杭州增益光电科技有限公司 | InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1084132A (ja) * | 1996-09-08 | 1998-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1117222A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
JPH11330552A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子及び発光装置 |
JP2001036196A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-02-09 | Nec Corp | p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009119605A patent/JP5186436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1084132A (ja) * | 1996-09-08 | 1998-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1117222A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
JPH11330552A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子及び発光装置 |
JP2001036196A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-02-09 | Nec Corp | p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187581A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、画像表示装置用光源および画像表示装置 |
KR20120009870A (ko) * | 2010-07-22 | 2012-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
KR101662242B1 (ko) * | 2010-07-22 | 2016-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
JP2012119560A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
KR101855064B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2018-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US9263632B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
KR101838022B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2018-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2013084978A (ja) * | 2012-12-19 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US9171997B2 (en) | 2013-05-27 | 2015-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP2021516444A (ja) * | 2018-05-18 | 2021-07-01 | 廈門三安光電有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Co., Ltd. | 発光ダイオード |
JP7085008B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-06-15 | 廈門三安光電有限公司 | 発光ダイオード |
CN113451462A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法与led芯片 |
CN113451462B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-07-26 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法与led芯片 |
CN114373838A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-19 | 南通同方半导体有限公司 | 带量子垒层硅掺杂结构的led外延片、生长方法及其制造方法 |
CN114373838B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-02-09 | 南通同方半导体有限公司 | 带量子垒层硅掺杂结构的led外延片、生长方法及其制造方法 |
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