JP2009182046A - 基板周縁部処理装置の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム10は、ウエハWの周縁部に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去装置32を備え、このベベルポリマー除去装置32の状態を検査する際、レジスト膜RのブランケットウエハWbを準備して、該レジスト膜Rの膜厚を測定し、ベベルポリマー除去装置32において、レジスト膜Rの端から所定の距離だけ内側に位置するレジスト膜測定部R1におけるレジストを除去し、その後、該レジスト膜測定部R1の膜厚を測定し、レジスト膜Rの膜厚の測定値及びレジスト膜測定部R1の膜厚の測定値を用いて算出されたレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置32の性能を評価する。
【選択図】図3
【解決手段】基板処理システム10は、ウエハWの周縁部に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去装置32を備え、このベベルポリマー除去装置32の状態を検査する際、レジスト膜RのブランケットウエハWbを準備して、該レジスト膜Rの膜厚を測定し、ベベルポリマー除去装置32において、レジスト膜Rの端から所定の距離だけ内側に位置するレジスト膜測定部R1におけるレジストを除去し、その後、該レジスト膜測定部R1の膜厚を測定し、レジスト膜Rの膜厚の測定値及びレジスト膜測定部R1の膜厚の測定値を用いて算出されたレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置32の性能を評価する。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板周縁部処理装置の検査方法に関し、特に、基板の周縁部に付着した不要物を除去する基板周縁部処理装置の検査方法に関する。
基板としてのウエハにプラズマ処理、例えばエッチング処理を施す基板処理システムは、ウエハを収容してエッチング処理を施すプロセスモジュールと、該プロセスモジュールへウエハを搬入すると共に当該プロセスモジュールから処理済みのウエハを搬出するトランスファモジュールと、複数枚のウエハを収容する密閉容器からウエハを取り出すローダーモジュールと、トランスファモジュール及びローダーモジュールの間に配置されてこれらを連結するロード・ロックモジュールとを備える。
プロセスモジュールはウエハを収容するチャンバを有し、該チャンバ内に処理ガスとしてフルオロカーボン系のデポ性ガス等を供給し、チャンバ内に電界を発生させることによって供給された処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハにエッチング処理を施す。
このプロセスモジュールでは、ウエハにエッチング処理を施す際に、処理ガスの反応に起因する反応生成物、例えば、フルオロカーボン系のポリマーが発生する。このポリマーは、ウエハの表面側に付着すると共にウエハの周縁部(ベベル(Bevel)部)の裏面側にも回り込む。このため、フルオロカーボン系のポリマーはウエハのベベル部の裏面側にも付着する。
通常、エッチング処理が施されたウエハは、複数のウエハを互いに平行に保持する密閉容器、例えば、フープ(Foup)に収容されて搬送されるため、ウエハのベベル部の裏面側にポリマーが付着していると、フープ内において上方に位置するウエハのベベル部の裏面側からポリマーが剥離して下方に位置するウエハの表面に落下して付着し、該下方のウエハから製造される半導体デバイスの品質を低下させる。
従来より、上記ウエハのベベル部に付着したポリマーを除去するために、基板処理システムはベベルポリマー除去装置(基板周縁部処理装置)を備える。
図6は、ベベルポリマー除去装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
図6において、ベベルポリマー除去装置60は、エッチング処理が施されたウエハWを収容するチャンバ61を有し、該チャンバ61内にはウエハWを載置するステージ62が配置されている。ステージ62は中心軸63を有し、該中心軸63はチャンバ61の底部に配置された回転駆動機構64に接続されている。この回転駆動機構64は中心軸63を回転駆動してステージ62を回転させる。
また、チャンバ61内におけるステージ62に載置されたウエハWのベベル部の下方には、エッチング処理時に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去機構65が配置されている。このベベルポリマー除去機構65は、ウエハWのベベル部に付着したポリマーPに向けてレーザ光Lを照射するレーザ光照射器66と、ポリマーPに向けてオゾンガスOを供給するオゾンガス供給器67と、これらレーザ光照射器66及びオゾンガス供給器67によって除去されたポリマーP等を吸引して排気する吸引排気器68とを有する。
このベベルポリマー除去装置60では、レーザ光照射器66によりウエハWのベベル部にレーザ光Lを照射してポリマーPを加熱して気化させると共に、オゾンガス供給器67によりウエハWのベベル部にオゾンガスOを供給してポリマーPを化学的に分解して、ポリマーPを除去する(例えば、特許文献1参照。)。
基板処理システムでは、エッチング処理が施されたウエハWが、上述したようにベベルポリマー除去装置60でそのベベル部に付着したポリマーPが除去された後にフープに収容される。
ところで、上述した基板処理システムでは、ウエハWの量産時に、上述したプロセスモジュールやベベルポリマー除去装置60の状態を定期的且つ定量的に検査する必要がある。
プロセスモジュールの状態を検査する場合、まず、酸化膜のブランケットウエハ(酸化膜が表面に形成されたウエハ)を準備して、このブランケットウエハをプロセスモジュールのチャンバ内に搬入し、上述したエッチング処理をブランケットウエハに施す。その後、エッチング処理が施されたブランケットウエハをチャンバから搬出し、このブランケットウエハの表面におけるエッチング量を測定する。酸化膜はCVD処理等によってウエハ上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、エッチング処理を施す前の酸化膜の厚さが信頼できる値であるため、測定されるエッチング量も信頼できる値であり、これにより、プロセスモジュールの状態を定量的に検査することができる。
一方、上述したべベルポリマー除去装置60では、処理対象がウエハWのベベル部に付着したフルオロカーボン系のポリマーである。
国際公開第06/006526号パンフレット
しかしながら、フルオロカーボン系のポリマーはエッチング処理に付随して発生するものであるため、測定用のウエハ等のベベル部において周方向に沿って均一に付着させるのが困難であり、また、付着量を所望の値に設定するのも困難である。すなわち、除去前のポリマーの付着量が信頼できない値であるため、ポリマーの除去量を測定しても該除去量は信頼できる値でない。その結果、ベベルポリマー除去装置60の状態を定量的に検査するのは困難である。
また、ベベルポリマー除去装置60の状態を定期的に検査するためには、ポリマーが同じ量だけ付着した複数の測定用のウエハを準備する必要があるが、上述した理由により、それも困難である。
以上より、ベベルポリマー除去装置60の状態を定期的且つ定量的、すなわち、正確に検査するのは困難である。
本発明の目的は、基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、基板の周縁部に付着した不要物を除去する所定の処理を当該基板に施す基板周縁部処理装置の検査方法であって、有機膜が表面に形成された基板の当該有機膜の膜厚を測定する第1の測定ステップと、前記基板周縁部処理装置にて、前記有機膜の所定部に前記所定の処理を施す処理ステップと、前記所定の処理が施された前記所定部の膜厚を測定する第2の測定ステップと、前記第1の測定ステップでの測定結果及び前記第2の測定ステップでの測定結果に基づいて、前記処理ステップでの前記有機膜の除去量を算出する算出ステップと、前記算出された除去量に基づいて、前記基板周縁部処理装置の性能を評価する評価ステップとを有することを特徴とする。
請求項2記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項1記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記有機膜はレジスト膜であることを特徴とする。
請求項3記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項1又は2記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記所定部は前記基板の端から2mm以上内側に位置することを特徴とする。
請求項4記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップでの処理条件は前記基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なることを特徴とする。
請求項5記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記評価ステップでは前記算出ステップで算出された除去量の値と予め設定された所定値とを比較することを特徴とする。
請求項6記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップでは前記所定部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする。
請求項7記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項6記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップではさらに前記所定部に向けてオゾンガスを供給することを特徴とする。
請求項1記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜が表面に形成された基板を用い、該有機膜の除去量に基づいて基板周縁部処理装置の性能が評価される。有機膜は塗布処理等によって基板上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、所定の処理を施す前の有機膜の厚さが信頼できる値であるため、算出される有機膜の除去量も信頼できる値であり、これにより、基板周縁部処理装置の状態を定量的に検査することができる。また、同じ膜厚の有機膜が表面に形成された複数の基板は容易に準備することができるため、基板周縁部処理装置の状態を定期的に検査することができる。その結果、基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる。
請求項2記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、基板の表面に形成される有機膜がレジスト膜である。レジスト膜は塗布処理等によって容易に基板上に均一に形成することができるので、測定用の基板を容易に準備することができる。
請求項3記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、基板の端から2mm以上内側に位置する所定部に所定の処理が施される。基板の表面に形成される有機膜の形状は基板の端において不安定であるが、該形状は基板の端から2mm以上内側であれば安定している。したがって、有機膜の除去量の値の信頼性を高めることができる。
請求項4記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に施す所定の処理の処理条件は基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なる。すなわち、所定の処理の処理条件を有機膜を変質させない処理条件にすることができ、これにより、有機膜が変質して膜厚が測定不可能となるのを防止することができる。
請求項5記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、算出された除去量の値と予め設定された所定値とが比較されて基板周縁部処理装置の性能が評価される。これにより、基板周縁部処理装置の性能の評価を正確に行うことができる。
請求項6記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に向けてレーザ光が照射される。有機膜はレーザ光が照射されると加熱されて気化するので、有機膜を確実に除去することができる。
請求項7記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に向けてさらにオゾンガスが供給される。有機膜はオゾンガスが供給されると化学的に分解されるので、有機膜をさらに確実に除去することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第1の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムについて説明する。
図1は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
図1において、基板処理システム10は、平面視六角形のトランスファモジュール11と、該トランスファモジュール11の一側面に接続する2つのプロセスモジュール12,13と、該2つのプロセスモジュール12,13に対向するようにトランスファモジュール11の他側面に接続する2つのプロセスモジュール14,15と、プロセスモジュール13に隣接し且つトランスファモジュール11に接続するプロセスモジュール16と、プロセスモジュール15に隣接し且つトランスファモジュール11に接続するプロセスモジュール17と、矩形状の搬送室としてのローダーモジュール18と、トランスファモジュール11及びローダーモジュール18の間に配置されてこれらを連結する2つのロード・ロックモジュール19,20とを備える。
トランスファモジュール11はその内部に配置された屈伸及び旋回自在な搬送アーム21を有し、該搬送アーム21は、プロセスモジュール12〜17やロード・ロックモジュール19,20の間においてウエハWを搬送する。
各プロセスモジュール12〜17は、半導体デバイス用のウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wに所定の処理を施す基板処理装置である。例えば、プロセスモジュール12はフルオロカーボン系のデポ性ガスから生成されたプラズマを用いてウエハWにエッチング処理を施すエッチング処理装置である。
トランスファモジュール11及びプロセスモジュール12〜17の内部は減圧状態に維持され、トランスファモジュール11と、プロセスモジュール12〜17のそれぞれとは真空ゲートバルブ12a〜17aを介して接続される。
基板処理システム10では、ローダーモジュール18の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファモジュール11の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックモジュール19,20は、それぞれトランスファモジュール11との連結部に真空ゲートバルブ19a,20aを備えると共に、ローダーモジュール18との連結部に大気ドアバルブ19b,20bを備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックモジュール19,20はローダーモジュール18及びトランスファモジュール11の間において受渡されるウエハWを一時的に載置するためのウエハ載置台19c,20cを有する。
ローダーモジュール18には、ロード・ロックモジュール19,20の他、25枚のウエハWを収容する密閉容器としてのフープ(Front Opening Unified Pod)29がそれぞれ載置される3つのフープ載置台30と、フープ29から搬出されたウエハWの位置をプリアライメントするオリエンタ31と、ウエハWの周縁部(ベベル(Bevel)部)に付着したフルオロカーボン系のポリマー(不要物)を除去する基板周辺部処理装置としてのベベルポリマー除去装置32とが接続されている。
ロード・ロックモジュール19,20は、ローダーモジュール18の長手方向に沿う側壁に接続されると共にローダーモジュール18を挟んで3つのフープ載置台30と対向するように配置され、オリエンタ31はローダーモジュール18の長手方向に関する一端に配置され、ベベルポリマー除去装置32はローダーモジュール18の長手方向に関する他端に配置される。
ローダーモジュール18は、内部に配置された、ウエハWを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム33と、各フープ載置台30に対応するように側壁に配置されたウエハWの投入口としての3つのロードポート34とを有する。搬送アーム33は、フープ載置台30に載置されたフープ29からウエハWをロードポート34経由で取り出し、該取り出したウエハWをロード・ロックモジュール19,20、オリエンタ31やベベルポリマー除去装置32へ搬出入する。
図2は、図1におけるベベルポリマー除去装置の部分断面図である。
図2において、ベベルポリマー除去装置32は、エッチング処理が施されたウエハWや後述するブランケットウエハWb(以下、これらを「ウエハW等」という。)を収容するチャンバ33を有し、該チャンバ33内にはウエハW等を載置するステージ34が配置されている。ステージ34は中心軸35を有し、該中心軸35はチャンバ33の底部に配置された回転駆動機構36に接続されている。この回転駆動機構36は中心軸35を回転駆動してステージ34を回転させる。
また、チャンバ33内におけるステージ34に載置されたウエハW等のベベル部の下方には、エッチング処理時に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去機構37が配置されている。このベベルポリマー除去機構37は、ウエハWのベベル部に付着したポリマーに向けてレーザ光Lを照射するレーザ光照射器38と、当該ポリマーに向けてオゾンガスOを供給するオゾンガス供給器39と、これらレーザ光照射器38及びオゾンガス供給器39によって除去されたポリマー等を吸引して排気する吸引排気器40とを有する。レーザ光照射器38は、レーザ光源41からのレーザ光Lを光ファイバケーブル42を介してレーザ光照射ユニット43により照射し、オゾンガス供給器39は、オゾナイザー44からのオゾンガスOを供給管45を介して供給ノズル46により供給し、吸引排気器40は、吸引排気ノズル47により吸引した上記ポリマー等を排気管48を介して排気手段49により排気する。
このベベルポリマー除去装置32では、エッチング処理が施されてベベル部にポリマーが付着したウエハWがステージ34に載置された後、ベベルポリマー除去機構37により当該ポリマーを除去すると共に回転駆動機構36がステージ34を回転、すなわち、ウエハWを回転させる。これにより、ウエハWのベベル部に付着したポリマーを周方向に沿って確実に除去することができる。
また、チャンバ33内におけるステージ34に載置されたウエハW等の上方には、ウエハW等を冷却する冷却ガス供給器50が配置されている。この冷却ガス供給器50は、冷却ガス源51からの冷却ガスCを供給管52を介して供給ノズル53によりウエハW等の表面に供給し、レーザ光Lが照射されて加熱されたベベル部からの伝導熱がウエハW等全体に行き渡るのを抑制する。
図1に戻り、基板処理システム10は、各構成要素の動作を制御するシステムコントローラ(図示しない)と、ローダーモジュール16の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル54とを備える。上記システムコントローラは各種処理に対応するプログラムに応じて各構成要素の動作を制御する。オペレーションパネル54は各構成要素の動作状況を表示し、操作者の操作入力を受け付ける。
次に、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法について説明する。
図3は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
図3において、まず、レジスト膜Rのブランケットウエハ(レジスト膜Rが表面に形成されたウエハ)Wbを準備して、このブランケットウエハWbを膜厚計測装置(図示しない)に搬入し、レジスト膜Rの膜厚を測定する(ステップS301)。
次いで、ブランケットウエハWbを膜厚計測装置から搬出し、このブランケットウエハWbをレジスト膜Rが形成された面が裏面側となるようにフープ29に収容する。ブランケットウエハWbを収容したフープ29はフープ載置台30に載置される。そして、搬送アーム33はフープ29に収容されたブランケットウエハWbをロードポート34経由で取り出して、該取り出したブランケットウエハWbをベベルポリマー除去装置32へ搬入する(ステップS302)。
次いで、ベベルポリマー除去装置32のステージ34にブランケットウエハWbが載置されると、図2に示すように、ブランケットウエハWbの裏面側、すなわち、レジスト膜Rの端から距離L1、具体的には2mm以上、好ましくは2mmだけ内側に位置するレジスト膜測定部R1に向けてレーザ光照射器38がレーザ光Lを照射すると共に、レジスト膜測定部R1に向けてオゾンガス供給器39がオゾンガスOを供給する(ステップS303)。このとき、レジスト膜測定部R1におけるレジストはレーザ光Lが照射されることにより加熱されて気化すると共に供給されたオゾンガスOが化学的に分解して除去する。また、これと同時に回転駆動機構36がステージ34を回転、すなわち、ブランケットウエハWbを回転させる。
次いで、搬送アーム33はレジスト膜測定部R1におけるレジストの一部が除去されたブランケットウエハWbをベベルポリマー除去装置32から搬出してロードポート34経由でフープ29に収容する(ステップS304)。
次いで、フープ29からブランケットウエハWbを取り出して、このブランケットウエハWbをレジスト膜Rが形成された面が表面側となるように膜厚計測装置に搬入し、レジスト膜測定部R1の膜厚を測定する(ステップS305)。
次いで、ステップS301で測定したレジスト膜Rの膜厚の測定値とステップS305で測定したレジスト膜測定部R1の膜厚の測定値とを用いてレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量を算出する(ステップS306)。
次いで、ステップS306で算出したレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量に基づいて、具体的には該レジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とを比較してベベルポリマー除去装置32の性能、具体的にはベベルポリマー除去機構37の除去能力を評価して(ステップS307)、本処理を終了する。
図3の検査処理によれば、レジスト膜Rが表面に形成されたブランケットウエハWbを用い、該レジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置32の性能が評価される。レジスト膜Rは塗布処理等によってウエハ上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、一部が除去される前のレジスト膜測定部R1における厚さが信頼できる値であるため、算出されるレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量も信頼できる値であり、これにより、ベベルポリマー除去装置32の状態を定量的に検査することができる。また、同じ膜厚のレジスト膜Rが表面に形成された複数のブランケットウエハWbは容易に準備することができるため、ベベルポリマー除去装置32の状態を定期的に検査することができる。その結果、ベベルポリマー除去装置32の状態の検査を正確に行うことができる。
また、図3の検査処理によれば、レジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とが比較されてベベルポリマー除去装置32の性能が評価される。これにより、ベベルポリマー除去装置32の性能の評価を正確に行うことができる。
上述したレジスト膜Rは、一般的にウエハの端において形状が不安定である。そのため、上述した図3の検査処理では、レジスト膜Rの形状が安定するウエハの端から距離L1、具体的には2mm以上、好ましくは2mmだけ内側に位置するレジスト膜測定部R1のレジストを除去する。これにより、レジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量の値の信頼性を高めることができる。
また、上述したレジスト膜Rは、一般的に高出力のレーザ光が照射されると変質する。一方、上述したウエハWのベベル部に付着したポリマーPを除去するためには当該ポリマーPに高出力のレーザ光を照射する必要がある。そのため、上述した図3の検査処理では、レジスト膜測定部R1におけるレジストを除去する際のレーザ光Lの出力をウエハWのベベル部に付着したポリマーPを除去する際の出力よりも低くする。これにより、レジスト膜測定部R1におけるレジストが変質して当該レジスト膜測定部R1の膜厚が測定不可能となることを防止することができる。
また、上述した図3の検査処理では、レジスト膜測定部R1におけるレジストを除去する際にレーザ光Lを照射すると共にオゾンガスOを供給してベベルポリマー除去機構37全体での除去能力を評価したが、レーザ照射器38及びオゾンガス供給器39の個別の除去能力を評価することもできる。具体的には、ブランケットウエハWbを2枚準備して、1枚目のブランケットウエハWbではレジスト膜測定部R1におけるレジストを除去する際にレーザ光Lのみを照射し、2枚目のブランケットウエハWbではレジスト膜測定部R1におけるレジストを除去する際にレーザ光Lを照射すると共にオゾンガスOを供給する。すなわち、1枚目のブランケットウエハWbにおけるレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量の値を用いて、レーザ照射器38の除去能力を評価し、2枚目のブランケットウエハWbにおけるレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量の値から1枚目のブランケットウエハWbにおけるレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量の値を減算した値を用いて、オゾンガス供給器39の除去能力を評価する。
上述した図3の検査処理では、レジスト膜Rが表面に形成されたブランケットウエハWbを用いたが、ウエハの表面に形成する膜はレジスト膜Rに限られず、ウエハの表面に均一に塗布可能な有機膜であればよい。
次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムについて説明する。
本実施の形態における基板処理システムは、ウエハ反転装置及び膜厚測定装置を備える点が第1の実施の形態と異なるのみであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図4は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
図4において、基板処理システム54のローダーモジュール18には、ブランケットウエハWbを反転するウエハ反転装置55が接続されており、当該ウエハ反転装置55には、ブランケットウエハWbの表面状態を計測する膜厚測定装置56が接続されている。
膜厚測定装置56は光学系のモニタであり、搬入されたブランケットウエハWbを載置する載置台57と、該載置台57に載置されたブランケットウエハWbを指向する光学センサ58とを有し、ブランケットウエハWbのレジスト膜Rの膜厚を測定する。
次に、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法について説明する。
本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法は、基板処理システム内でブランケットウエハWbのレジスト膜Rの膜厚を測定する点が第1の実施の形態と異なるのみであるので、重複した構成、作用については説明を省略する。
図5は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
図5において、まず、レジスト膜RのブランケットウエハWbを準備して、このブランケットウエハWbをレジスト膜Rが形成された面が裏面側となるようにフープ29に収容する。ブランケットウエハWbを収容したフープ29はフープ載置台30に載置される。そして、搬送アーム33はフープ29に収容されたブランケットウエハWbをロードポート34経由で取り出して、該取り出したブランケットウエハWbをウエハ反転装置55へ搬入する。ウエハ反転装置55はブランケットウエハWbをレジスト膜Rが形成された面が表面側となるように反転して膜厚測定装置56へ搬入する(ステップS501)。
次いで、膜厚測定装置56はブランケットウエハWbのレジスト膜Rの膜厚を測定する(ステップS502)。
次いで、ウエハ反転装置55は膜厚測定装置56からブランケットウエハWbを搬出して当該ブランケットウエハWbをレジスト膜Rが形成された面が裏面側となるように反転する(ステップS503)。
次いで、搬送アーム33はウエハ反転装置55からブランケットウエハWbを取り出して、該取り出したブランケットウエハWbをベベルポリマー除去装置32へ搬入する(ステップS504)。
次いで、ベベルポリマー除去装置32において、ブランケットウエハWbの裏面側のレジスト膜測定部R1におけるレジストが除去される(ステップS303)。
次いで、搬送アーム33はレジスト膜測定部R1におけるレジストの一部が除去されたブランケットウエハWbをベベルポリマー除去装置32から搬出してウエハ反転装置55に搬入する(ステップS505)。
次いで、ウエハ反転装置55はステップS501と同様にブランケットウエハWbを反転して膜厚測定装置56へ搬入する(ステップS506)。
次いで、膜厚測定装置56はブランケットウエハWbのレジスト膜測定部R1の膜厚を測定する(ステップS507)。
次いで、ステップS502で測定したレジスト膜Rの膜厚の測定値とステップS507で測定したレジスト膜測定部R1の膜厚の測定値とを用いてレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量を算出する(ステップS508)。
次いで、ステップS508で算出したレジスト膜測定部R1におけるレジストの除去量に基づいて、具体的には該レジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とを比較してベベルポリマー除去装置32の性能、具体的にはベベルポリマー除去機構37の除去能力を評価して(ステップS509)、本処理を終了する。
図5の検査処理によれば、上述した第1の実施の形態と同様の効果を実現することができるだけでなく、基板処理システム54が備える膜厚測定装置56によりブランケットウエハWbのレジスト膜R,レジスト膜測定部R1の膜厚が測定されるので、上述した第1の実施の形態と比較して、操作者の作業負担を低減させることができる。
なお、上述した各実施の形態では、エッチング処理が施される基板が半導体デバイス用のウエハであったが、基板はこれに限られず、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)やFPD(Flat Panel Display)等のガラス基板であってもよい。
また、本発明の目的は、上述した第2の実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した第2の実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した第2の実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した第2の実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した第2の実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
W ウエハ
Wb ブランケットウエハ
P ポリマー
R レジスト膜
10,54 基板処理システム
32 ベベルポリマー除去装置
37 ベベルポリマー除去機構
38 レーザ光照射器
39 オゾンガス供給器
Wb ブランケットウエハ
P ポリマー
R レジスト膜
10,54 基板処理システム
32 ベベルポリマー除去装置
37 ベベルポリマー除去機構
38 レーザ光照射器
39 オゾンガス供給器
Claims (7)
- 基板の周縁部に付着した不要物を除去する所定の処理を当該基板に施す基板周縁部処理装置の検査方法であって、
有機膜が表面に形成された基板の当該有機膜の膜厚を測定する第1の測定ステップと、
前記基板周縁部処理装置にて、前記有機膜の所定部に前記所定の処理を施す処理ステップと、
前記所定の処理が施された前記所定部の膜厚を測定する第2の測定ステップと、
前記第1の測定ステップでの測定結果及び前記第2の測定ステップでの測定結果に基づいて、前記処理ステップでの前記有機膜の除去量を算出する算出ステップと、
前記算出された除去量に基づいて、前記基板周縁部処理装置の性能を評価する評価ステップとを有することを特徴とする検査方法。 - 前記有機膜はレジスト膜であることを特徴とする請求項1記載の検査方法。
- 前記所定部は前記基板の端から2mm以上内側に位置することを特徴とする請求項1又は2記載の検査方法。
- 前記処理ステップでの処理条件は前記基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記評価ステップでは前記算出ステップで算出された除去量の値と予め設定された所定値とを比較することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記処理ステップでは前記所定部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記処理ステップではさらに前記所定部に向けてオゾンガスを供給することを特徴とする請求項6記載の検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017910A JP2009182046A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 基板周縁部処理装置の検査方法 |
US12/353,365 US20090188892A1 (en) | 2008-01-29 | 2009-01-14 | Method of checking substrate edge processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008017910A JP2009182046A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 基板周縁部処理装置の検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182046A true JP2009182046A (ja) | 2009-08-13 |
Family
ID=40898162
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008017910A Pending JP2009182046A (ja) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | 基板周縁部処理装置の検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090188892A1 (ja) |
JP (1) | JP2009182046A (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999014A (en) * | 1989-05-04 | 1991-03-12 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for measuring thickness of thin films |
US6379980B1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-04-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring material removal tool performance using endpoint time removal rate determination |
WO2006006526A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 基材外周処理方法及び装置 |
US7206070B2 (en) * | 2004-11-15 | 2007-04-17 | Therma-Wave, Inc. | Beam profile ellipsometer with rotating compensator |
JP2008226991A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-01-29 JP JP2008017910A patent/JP2009182046A/ja active Pending
-
2009
- 2009-01-14 US US12/353,365 patent/US20090188892A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20090188892A1 (en) | 2009-07-30 |
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