JP2009170466A - 評価方法、調整方法、露光装置、およびコンピュータプログラム - Google Patents
評価方法、調整方法、露光装置、およびコンピュータプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009170466A JP2009170466A JP2008003641A JP2008003641A JP2009170466A JP 2009170466 A JP2009170466 A JP 2009170466A JP 2008003641 A JP2008003641 A JP 2008003641A JP 2008003641 A JP2008003641 A JP 2008003641A JP 2009170466 A JP2009170466 A JP 2009170466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- polarization state
- imaging performance
- index value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 167
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 108
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 81
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 43
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/72—Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J4/00—Measuring polarisation of light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】原版のパターンを基板に投影する投影光学系の結像性能を評価する評価方法は、前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータ値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップとを含む。
【選択図】図1B
Description
・・・(15)
Claims (10)
- 原版のパターンを基板に投影する投影光学系の結像性能を評価する評価方法であって、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップと、
を含むことを特徴とする評価方法。 - 前記パラメータの値が第1の値であるときにおける前記投影光学系の結像性能を示す第1の指標値と前記パラメータの値が前記第1の値に対して単位量だけ異なる第2の値であるときにおける前記投影光学系の結像性能を示す第2の指標値との差分を前記指標値の変化量として決定する決定ステップと、
前記決定ステップで決定された前記指標値の変化量をメモリに登録する登録ステップとを更に含み、
前記第2計算ステップにおいて、前記メモリに登録された前記指標値の変化量が参照される、
ことを特徴とする請求項1に記載の評価方法。 - 前記決定ステップでは、前記第1の値として、前記投影光学系が無収差である場合における前記パラメータの値を使用して前記第1の指標値を計算する、ことを特徴とする請求項2に記載の評価方法。
- 前記決定ステップでは、前記第1の値として、計測に基づいて得られた値を使用して前記第1の指標値を計算する、ことを特徴とする請求項2に記載の評価方法。
- 前記投影光学系の偏光状態変換特性は、ジョーンズ・マトリクスで表現され、前記パラメータの値は、前記ジョーンズ・マトリクスから得られる、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の評価方法。
- 前記投影光学系の偏光状態変換特性は、ジョーンズ・マトリクスで表現され、前記パラメータの値は、前記ジョーンズ・マトリクスをパウリ展開して得られる固有値に基づいて得られる、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の評価方法。
- 原版のパターンを基板に投影する投影光学系の結像性能を調整する調整方法であって、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップと、
前記第2計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップと、
を含むことを特徴とする調整方法。 - 原版を照明する照明光学系と、
前記照明光学系によって照明された前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の結像性能を調整する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップと、
前記第2計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップと、
を含む処理を実行する、
ことを特徴とする露光装置。 - 原版のパターンを基板に投影する投影光学系の結像性能を評価するための処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップと、
を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。 - 原版のパターンを基板に投影する投影光学系の結像性能を調整するための処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第1計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第1計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第2計算ステップと、
前記第2計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップと、
を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008003641A JP5055141B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 評価方法、調整方法、露光装置、およびプログラム |
TW098100652A TWI412898B (zh) | 2008-01-10 | 2009-01-09 | 評估方法,控制方法,曝光設備,及記憶體媒體 |
US12/351,019 US8520190B2 (en) | 2008-01-10 | 2009-01-09 | Evaluation method, control method, exposure apparatus, and memory medium |
KR1020090002096A KR101031715B1 (ko) | 2008-01-10 | 2009-01-09 | 평가 방법, 제어 방법 및 메모리 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008003641A JP5055141B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 評価方法、調整方法、露光装置、およびプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009170466A true JP2009170466A (ja) | 2009-07-30 |
JP2009170466A5 JP2009170466A5 (ja) | 2011-02-10 |
JP5055141B2 JP5055141B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=40850354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008003641A Expired - Fee Related JP5055141B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 評価方法、調整方法、露光装置、およびプログラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8520190B2 (ja) |
JP (1) | JP5055141B2 (ja) |
KR (1) | KR101031715B1 (ja) |
TW (1) | TWI412898B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016538595A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5539148B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | レジストパターンの算出方法及び算出プログラム |
JP2012255843A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成装置、画像形成システムおよび画像形成プログラム |
JP6606800B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2019-11-20 | 株式会社トーメーコーポレーション | 偏光情報を利用した光干渉断層計 |
EP3278720B1 (en) * | 2016-08-05 | 2019-05-29 | Tomey Corporation | Optical coherence tomographic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176733A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
WO2002031570A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Nikon Corporation | Procede d'evaluation de la qualite d'images |
JP2002324752A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム |
JP2006173305A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2006237109A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Nikon Corp | 光学系の評価方法、光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2007198896A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Canon Inc | 計測方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
JP3805323B2 (ja) | 2003-05-21 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、収差低減方法及び光学部材調整機構 |
JP4701030B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム |
JP4793683B2 (ja) | 2006-01-23 | 2011-10-12 | 株式会社ニコン | 算出方法、調整方法及び露光方法、並びに像形成状態調整システム及び露光装置 |
EP1818658A1 (en) | 2006-02-08 | 2007-08-15 | Carl Zeiss SMT AG | Method for approximating the influence of an optical system on the state of polarisation of optical radiation |
US8126669B2 (en) * | 2008-06-09 | 2012-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optimization and matching of optical systems by use of orientation Zernike polynomials |
-
2008
- 2008-01-10 JP JP2008003641A patent/JP5055141B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-09 TW TW098100652A patent/TWI412898B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-01-09 US US12/351,019 patent/US8520190B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-09 KR KR1020090002096A patent/KR101031715B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176733A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
WO2002031570A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Nikon Corporation | Procede d'evaluation de la qualite d'images |
JP2002324752A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム |
JP2006173305A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2006237109A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Nikon Corp | 光学系の評価方法、光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2007198896A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Canon Inc | 計測方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016538595A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
US9817320B2 (en) | 2013-11-20 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
US10175586B2 (en) | 2013-11-20 | 2019-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090180093A1 (en) | 2009-07-16 |
KR20090077726A (ko) | 2009-07-15 |
US8520190B2 (en) | 2013-08-27 |
KR101031715B1 (ko) | 2011-04-29 |
TW200942981A (en) | 2009-10-16 |
JP5055141B2 (ja) | 2012-10-24 |
TWI412898B (zh) | 2013-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100958714B1 (ko) | 리소그래피 공정의 포커스-노광 모델을 생성하는 시스템 및방법 | |
JP5033860B2 (ja) | 高速感度モデル計算のためのデルタtcc | |
CN109219776B (zh) | 用于预测当光刻工艺进行时使用掩模获得的成像结果的方法与设备 | |
US20120229786A1 (en) | Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process | |
US7642022B2 (en) | Parameter determination method, exposure method, device fabrication method, and storage medium | |
JP5055141B2 (ja) | 評価方法、調整方法、露光装置、およびプログラム | |
KR20170096004A (ko) | 패터닝 디바이스 토포그래피 유도 위상을 이용하는 장치 및 방법 | |
US7207030B2 (en) | Method for improving a simulation model of photolithographic projection | |
US7955765B2 (en) | Adjustment method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus | |
US20170336712A1 (en) | Method and apparatus for using patterning device topography induced phase | |
KR101831320B1 (ko) | 리소그래피 방법 및 장치 | |
WO2016096361A1 (en) | Method and apparatus for using patterning device topography induced phase | |
US8941813B2 (en) | Evaluation method, adjustment method, exposure apparatus, and memory medium | |
WO2016096346A1 (en) | Method and apparatus for using patterning device topography induced phase | |
US7728975B1 (en) | Method for describing, evaluating and improving optical polarization properties of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP4752695B2 (ja) | マスクパターン補正方法,マスクパターン補正装置およびそのプログラム | |
JP2008270502A (ja) | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 | |
Geh et al. | The impact of mask birefringence on hyper-NA (NA> 1.0) polarized imaging | |
Webb et al. | Comparison of measured and modeled lithographic process capabilities for 2.5 D and 3D applications using a step and repeat camera | |
JP2009042125A (ja) | 光学特性計測方法及び光学特性算出装置 | |
TW202401145A (zh) | 用於傾斜光柵的阻劑建模方法 | |
JP2009295779A (ja) | 光学特性の算出方法、光学特性の算出装置、光学特性の管理方法、光学特性の管理装置、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2008070730A (ja) | マスクブランクス選定方法、複屈折性指標の算出方法、リソグラフィ方法、マスクブランクス選定装置、複屈折性指標算出装置およびそのプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120702 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5055141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |