JP2009168873A - ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 Download PDF

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Abstract

【課題】ポジ型感光性樹脂組成物パターニング工程において、ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカム発生の抑制と感度を両立することにある。
【解決手段】上記目的は、分子量80000以上の成分の含有量が0.5%以下であるアルカリ可溶性樹脂(A)と感光剤(B)と、を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対する感光剤(B)の含有量が、10重量部以上40重量部以下であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物により実現することが可能となる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置に関する。
従来、ポジ型感光性樹脂組成物に含まれるアルカリ可溶性樹脂としては、高感度、高解像度で、さらに、膜減りの少ない、フェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラック樹脂やビニルフェノールノボラック樹脂、光酸発生剤、架橋剤を含む樹脂組成物等が使用されてきた。(特許文献1,2)
これらポジ型感光性樹脂組成物を実際のプロセスに用いた場合、問題となるのは露光特性であり、その中でも特に重要なのはスループットが向上できる露光時間である。そのため、近年、短時間で露光できるような高感度であるポジ型感光性樹脂組成物が要求されてきている。また、半導体の小型化に伴い微細パターンの形成が必要となるために高解像度であるポジ型感光性樹脂組成物も望まれてきている。
しかし、従来のポジ型感光性樹脂組成物では、パターニング加工する際にポジ型感光性樹脂組成物層の開口部にスカム(ポジ型感光性樹脂組成物の残渣)が発生する場合があった。特に近年の高感度、高解像度の要求から、露光部と未露光部の溶解性のコントラストを高める必要があり、ポジ型感光性樹脂組成物の露光部の溶解性が不足した場合、スカムが発生するという可能性が高くなってきている。
アルカリ可溶性樹脂は重量平均分子量、数平均分子量、およびアルカリ現像液に対する溶解性の指標である溶解速度で管理されることが一般的であったが、それだけではスカムの発生を完全に抑えることが困難な状況になりつつある。
特開平7−199464号公報 特開平11−258808号公報
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的は、ポジ型感光性樹脂組成物パターニング工程において、ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカム発生の抑制と感度を両立することにある。また、別の目的は、信頼性の高い半導体装置、表示体装置を提供することにある。
このような目的は、下記[1]〜[12]に記載の本発明により達成される。
[1]分子量80,000以上の成分の含有量が0.5%以下であるアルカリ可溶性樹脂(A)と感光剤(B)と、を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対する感光剤(B)の含有量が、10重量部以上40重量部以下であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
[2]前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(1)で表される繰り返し単位を有する化合物である[1]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2009168873
(X、Yは有機基である。a、bはモルパーセントを示し、a+b=100で、aが60以上100以下、bが0以上〜40以下である。Rは水酸基又は−O−Rまたは炭素数1〜15を含む有機基であり、Rが複数ある場合、同一でも異なってもいても良い。RおよびRは水酸基、カルボキシル基、−O−R、−COO−Rのいずれかであり、R、およびRが複数ある場合、同一でも異なっていても良い。mは0〜4の整数、nは0〜4の整数である。Rは炭素数1〜15の有機基である。ここで、Rとして水酸基がない場合、R、およびRは少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、R、Rとしてカルボキシル基がない場合、Rは少なくとも1つは水酸基でなければならない。Zは−R−Si(R)(R)−O−Si(R)(R)−R−で表され、R〜Rは有機基である。)
[3]前記感光剤(B)がジアゾナフトキノン化合物である、[1]または[2]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[4]さらに、フェノール性水酸基を有する化合物(C)を含むものである、[1]乃至[3]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[5]一般式(1)のXが下記式(2)で示される構造を含むものである、[1]乃至[4]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2009168873
(ここで*はNH基に結合することを示す。式中、Rはアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R10はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれか
であり、同一でも異なっても良い。R11は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。)
[6]一般式(1)のXが下記式(3)で示される構造を含むものである、請求項[1]乃至[4]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2009168873
[7]一般式(1)のYが下記式(4)で示される構造を含むものである、[1]乃至[6]
に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2009168873
[8] [1]乃至[7]に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
[9] [8]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
[10] [8]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
[11] [8]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
[12] [8]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装置。
以下、本発明のポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置について説明する。
1.ポジ型感光性樹脂組成物
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、分子量80,000以上の成分の含有量0.5%以下であるアルカリ可溶性樹脂(A)と感光剤(B)とを含むポジ型感光性樹脂組成物であって、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対する感光剤(B)の含有量が、10重量部以上40重量部以下であることを特徴とする。特に、分子量が80,000以上の成分の含有量が0.5%以下であるアルカリ可溶性樹脂(A)を含有することにより、ポジ型感光性樹脂組成物パターニング工程において、該ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカムの発生を抑制することができるため、半導体装置の信頼性を高めることができる。
本発明に係るアルカリ可溶性樹脂(A)は、特に制限されるものではないが、例えば、クレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。これらの中でも耐熱性に優れ、機械特性が良いという点からポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂
等が挙げられる。このようなポリアミド系樹脂として、例えば、下記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂を挙げることができる。
Figure 2009168873
(X、Yは有機基である。a、bはモルパーセントを示し、a+b=100で、aが60以上100以下、bが0以上〜40以下である。Rは水酸基又は−O−Rまたは炭素数1〜15を含む有機基であり、Rが複数ある場合、同一でも異なってもいても良い。R、Rは水酸基、カルボキシル基、−O−R、−COO−Rのいずれかであり、R、Rが複数ある場合、同一でも異なっていても良い。mは0〜4の整数、nは0〜4の整数である。Rは炭素数1〜15の有機基である。ここで、Rとして水酸基がない場合、R、Rは少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、R、Rとしてカルボキシル基がない場合、Rは少なくとも1つは水酸基でなければならない。Zは−R−Si(R)(R)−O−Si(R)(R)−R−で表され、R〜Rは有機基である。)
前記アルカリ可溶性樹脂(A)のアルカリ現像液への溶解性は、アルカリ可溶性樹脂(A)の分子量の影響が大きく、一般的には、重量平均分子量が大きいものはアルカリ現像液に対する溶解性が低下するためスカムが発生しやすくなる。ところが、同じ重量平均分子量のアルカリ可溶性樹脂(A)を含有するポジ型感光性樹脂組成物をパターニングした場合でも、スカムが発生する場合としない場合があり、その要因を鋭意検討した結果、アルカリ可溶性樹脂(A)中の高分子成分含有比率が高い場合スカムが発生しやすいことを見出した。より具体的には、アルカリ可溶性樹脂(A)中の分子量80,000以上の成分割合を0.5%以下とすることで、パターニング工程におけるスカムの発生を抑制できることを見出した。
前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂は、特に制限されるものではないが、例えば、Xを含むジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物と、Yを含むテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られる構造単位及び/又はZを含むシリコンジアミンと、Yを含むテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られる構造単位より構成されるポリアミド系樹脂が挙げられる。
なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
前記ポリアミド系樹脂の分子量80,000以上の成分の含有量を0.5%以下とする手法は、ポリアミド系樹脂の合成に使用される原料にもよるが、合成時の温度や時間を適宜調整することにより容易に実施することが可能である。また、ポリアミド系樹脂を合成
後に再沈することにより、分子量80,000以上の成分を除去することも可能である。前述の手法は、一例示であり特に制限されるものではない。
前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂における、Xの置換基である−O−R、Yの置換基である−O−R、−COO−Rは、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基であるRで保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。Rの例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂中Xの置換基である炭素数1〜15の有機基は、特に限定されるものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシル基等が挙げられ、硬化後の膜物性が良好であるメチル基が好ましい。
前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂を加熱すると脱水閉環し、ポリイミド樹脂、又はポリベンゾオキサゾール樹脂、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂中のXとしては、特に制限されるものではないが、例えば、下記式(5)および(6)で示されるものが挙げられる。
Figure 2009168873
Figure 2009168873
(式中、*はNH基に結合することを示す。)
これらの中でもポジ型感光性樹脂組成物のパターニング性、硬化膜の膜物性に優れる下記式(7)で示されるものが好ましい。
Figure 2009168873
(R19はアルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。t=0〜2の整数である。Rはアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO−、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R10はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R11は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。)
Figure 2009168873
また、ポジ型感光性樹脂組成物のパターニング性、硬化膜の膜物性がさらに優れる下記式(2)および式(3)で示されるものが特に好ましい。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いても良い。
Figure 2009168873
Figure 2009168873
また、前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂中のYとしては、特に制限されるものではないが、例えば、下記式(8)で表されるもの等が挙げられる。
Figure 2009168873
これらの中でもポジ型感光性樹脂組成物のパターニング性、硬化膜の膜物性に優れる下記式(4)で表されるものが好ましい。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 2009168873
これらの中でもポジ型感光性樹脂組成物のパターニング性、硬化膜の膜物性に優れる下記式で表されるものが好ましい。
Figure 2009168873
(式中*はC=O基に結合することを示す。)
また、前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂は、ポジ型感光性樹脂組成物の保存性が向上するという観点から、ポリアミド系樹脂の末端を封止していても良く、特に制限されるわけではないが、少なくとも1個のアルケニル基又はアルキニル基と、脂肪族基又は環式化合物基をと、を有する酸誘導体またはアミン誘導体をポリアミド系樹脂の末端に導入することができる。
具体的には、例えば、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物とYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて得られるポリアミド系樹脂を合成した後、前記ポリアミド系樹脂の末端のアミノ基を少なくとも1個のアルケニル基又はアルキニル基と、脂肪族基又は環式化合物基とを、を有する酸誘導体を用いてアミドとしてキャップすることができる。
このポリアミド系樹脂の末端封止官能基としては、例えば下記式で表されるものが挙げ
られる。
Figure 2009168873
Figure 2009168873
これらの中で特に好ましいものとしては、下記式で表される官能基である。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上組み合わせて用いても良い。またこの方法に限定される事はなく、ポリアミド系樹脂の末端の酸をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャップすることもできる。
Figure 2009168873
本発明に係る感光剤(B)は、1,2−ベンゾキノンジアジド或いは1,2−ナフトキ
ノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第2772975号、第2797213号、第3669658号により公知の物質である。
例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。
Figure 2009168873
Figure 2009168873
Figure 2009168873
Figure 2009168873
Figure 2009168873
Figure 2009168873
(式中Qは、水素原子、式(5)、式(6)のいずれかから選ばれるものである。ここで各化合物のQのうち、少なくとも1つは式(5)、式(6)である。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。)
本発明に係る感光剤(B)の添加量は、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して10〜40重量部であり、好ましくは10〜30重量部である。アルカリ可溶性樹脂(A)に対する感光剤(B)の添加量も開口部のスカムの発生に大きく影響し、添加量が40重量部より多いと、ポジ型感光性樹脂組成物全体のアルカリ現像液への溶解性が低下し、スカムが発生しやすくなる。また添加量が10重量部より少ないと、ポジ型感光性樹脂組成物の露光時の感度が低下するため露光時間を長くする必要が生じ、スループットが低下する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)として分子量が80000以上の成分が0.5%以下であるものを適用することと、また、感光剤(B)の含有量を前記アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して10〜40重量部にすることを組み合わせることにより、現像後のスカムの発生を抑制することができ、さらに、露光時の感度を両立することができる。
アルカリ可溶性樹脂(A)として分子量が80000以上の成分が0.5%以上のものを適用すると、感光剤(B)の添加量を調整した場合でも、現像時の感度を確保することはできるが、現像時のスカムを抑制することが困難である。
一方、アルカリ可溶性樹脂(A)として、分子量80000以上の成分が0.5%以下のものを適用しても、感光剤(B)の添加量が10重量部より少ない場合、露光時の感度が低下するため、露光時間が長くなってしまう。また、感光剤(B)の添加量が40重量部より多い場合、露光時の感度を確保することはできるが、現像後にスカムを抑制することが困難となる。
本発明に係るポジ型感光性樹脂組成物は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤を含んでいても良い。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物はに、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用することができる。溶剤としては、特に制限されるものではないが、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方法について説明する。
まず、ポジ型感光性樹脂組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウエハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。塗布量は、半導体装置の場合、硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるよう塗布する。膜厚が下限値を下回ると、半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射(露光)する。化学線を照射部分は、現像工程(後述する)で除去され、また、マスクパターンによって化学線から遮られた部分は
現像工程後も除去されずにレリーフパターンとして残る。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
次に、露光部分を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。本発明は、ポジ型感光性樹脂に含まれるアルカリ可溶性樹脂(A)中の分子量80000以上の成分の含有量が0.5%以下であり、現像液に対する溶解性に優れるため開口部にスカムが発生しない。
このポジ型感光性樹脂組成物の現像メカニズムは、未露光部ではジアゾキノン化合物などの感光剤(B)がポリアミド系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂(A)と作用し溶解抑止効果が発生し、アルカリ現像液に難溶となる。一方、露光部ではジアゾキノン化合物などの感光剤(B)が化学変化を起こし、アルカリ現像液に易溶となる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみのレリーフパターンの作製が可能となるものである。
前記現像液としては、特に制限されるものではないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、特に制限されるものではないが、蒸留水を使用することができる。
次に、レリーフパターンの加熱処理を行い、オキサゾール環及び/又はイミド環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。加熱処理は高温でも低温でも可能であり、高温での加熱処理温度は、280℃〜380℃が好ましく、より好ましくは290〜350℃である。低温での加熱処理温度は150℃〜280℃が好ましく、より好ましくは180℃〜260℃である。
2.硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、表示体装置
次に、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜について説明する。ポジ型感光性樹脂組成物の硬化物である硬化膜は、半導体素子等の半導体装置用途のみならず、TFT型液晶や有機EL等の表示体装置用途、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜としても有用である。
前記硬化膜の厚さは、特に限定されないが、0.1〜50μmが好ましく、特に1〜30μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に加工性と硬化膜の膜物性とのバランスに優れる。
半導体装置用途の例としては、半導体素子上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるパッシベーション膜、パッシベーション膜上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるバッファーコート膜等の保護膜、また、半導体素子上に形成された回路上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる層間絶縁膜等の絶縁膜、また、α線遮断膜、平坦化膜、突起(樹脂ポスト)、隔壁等を挙げることができる
表示体装置用途の例としては、表示体素子上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる保護膜、TFT素子やカラーフィルター用等の絶縁膜または平坦化膜、MVA型液晶表示装置用等の突起、有機EL素子陰極用等の隔壁等を挙げることができる。その使用方法は、半導体装置用途に準じ、表示体素子やカラーフィルターを形成した基板上にパターン化されたポジ型感光性樹脂組成物層を、上記の方法で形成することによるものである。表示体装置用途の、特に絶縁膜や平坦化膜用途では、高い透明性が要求されるが、このポジ型感光性樹脂組成物層の硬化前に、後露光工程を導入することにより、透明性に優れた樹脂層が得られることもでき、実用上更に好ましい。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
[実施例1]
[アルカリ可溶性樹脂の合成]
ジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸4.13g(0.016モル)、と1−
ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物(0.016モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン7.33g(0.020モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン57.0gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン7gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.31g(0.008モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(容積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂であるポリアミド樹脂(A−1)を得た。
Figure 2009168873
(式中、nは15〜20である。)
[ポリアミド樹脂の分子量の測定]
合成したポリアミド樹脂(A−1)の分子量をゲル浸透クラマトグラフィーによって測定したところ、重量平均分子量は13000、分子量80,000以上の成分の比率は0.04%であった。
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2g、をγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
Figure 2009168873
(式中、Q1、Q2、Q3の75%は式(19)であり、25%は水素原子である。)
[レリーフパターンの作製]
上述の方法により得られたポジ型感光性樹脂組成物を、8インチのシリコンウエハーにスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。得られた塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を200mJ/cmから10mJ/cmステップで増やして露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に現像時の未露光部の膜べりが1.0μmになるように現像時間を40秒に調整した。パターンを観察したところ、露光量350mJ/cmで、スカムの発生が無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
[実施例2]
[アルカリ可溶性樹脂の合成]
4,4'―オキシジフタル酸無水物17.06g(0.055モル)と2−メチル−2
−プロパノール8.15g(0.110モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸1
モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.7g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物3.94g(0.024モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了
した。他はNo.1と同様に、再沈、精製を行い目的とするアルカリ可溶性樹脂であるポリアミド樹脂(A―2)を合成した。
Figure 2009168873
(式中、nとmはほぼ同じであり、7〜10である。)
[ポリアミド樹脂の分子量の測定]
合成したポリアミド樹脂(A−2)の分子量を実施例1と同様に測定したところ、重量平均分子量は12000、分子量80,000以上の成分の比率は0.10%であった。
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したポリアミド樹脂(A−2)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2.0gをγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせる現像時間は30秒であった。感度は380mJ/cmであり、スカムの発生が無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
[実施例3]
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
実施例1のポジ型感光性樹脂の作製において、感光性ジアゾキノン(B−1)2.0gの代わりに下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−2)1.5gを用いた以外は、実施例1と同様に行った。
Figure 2009168873
(式中、Q1、Q2、Q3の87.5%は式(19)であり、12.5%は水素原子である。)
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせる現像時間は30秒であった。感度は400mJ/cmであり、スカムの発生が無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
[実施例4]
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
実施例1のポジ型感光性樹脂の作製において、感光性ジアゾキノン(B−1)を2.0gから1.2gに変更し添加した以外は、実施例1と同様に行った。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせる現像時間は15秒であった。感度は500mJ/cmであり、スカムの発生が無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
[比較例1]
[アルカリ可溶性樹脂の合成]
ジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸4.13g(0.016モル)、と1−
ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物(0.016モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン7.33g(0.020モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラ
スコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン57.0gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて90℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン7gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.31g(0.008モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(容積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂であるポリアミド樹脂(A−3)を得た。
Figure 2009168873
(式中、nは15〜20である。)
[ポリアミド樹脂の分子量の測定]
合成したポリアミド樹脂(A−3)の分子量を実施例1と同様に測定したところ、重量平均分子量は13000、分子量80,000以上の成分の比率は0.65%であった。
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したポリアミド樹脂(A−3)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2.0gをγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせる現像時間は40秒であった。感度は360mJ/cmであったが、パターン開口部にスカムが発生した。
[比較例2]
[アルカリ可溶性樹脂の合成]
4,4'―オキシジフタル酸無水物17.06g(0.055モル)と2−メチル−2
−プロパノール8.15g(0.110モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸1
モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.7g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて90℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物3.94g(0.024モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。他はNo.1と同様に、再沈、精製を行い目的とするアルカリ可溶性樹脂であるポ
リアミド樹脂(A―4)を合成した。
Figure 2009168873
(式中、nとmはほぼ同じであり、7〜10である。)
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したポリアミド樹脂(A−4)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2.0gをγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせる現像時間は30秒であった。感度は360mJ/cmであったが、パターン開口部にスカムが発生した。
[比較例3]
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
実施例1のポジ型感光性樹脂組成物の作製において、感光性ジアゾキノン(B−1)を4.5g添加した以外は実施例1と同様に行った。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせるための現像時間は90秒であった。感度は180mJ/cmであったが、パターン開口部にスカムが発生した。
[比較例4]
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
実施例1のポジ型感光性樹脂組成物の作製において、感光性ジアゾキノン(B−1)を0.5g添加した以外は実施例1と同様に行った。
[レリーフパターンの作製]
その後、実施例1と同様にレリーフパターンの作製を行った。このとき1.0μm膜減りさせるための現像時間は5秒であったが、パターンは開口しなかった。
以下に、実施例および比較例で得られた評価結果を表1に示す。
Figure 2009168873
本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物開口部のスカム発生の抑制と感度を両立することができ、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜又は表示装置の絶縁膜等に好適に用いることができる。

Claims (12)

  1. 分子量80,000以上の成分の含有量が0.5%以下であるアルカリ可溶性樹脂(A)と
    感光剤(B)と、
    を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、
    前記アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対する感光剤(B)の含有量が、10重量部以上40重量部以下であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
  2. 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(1)で表される繰り返し単位を有する化合物である請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2009168873
    (X、Yは有機基である。a、bはモルパーセントを示し、a+b=100で、aが60以上100以下、bが0以上〜40以下である。Rは水酸基又は−O−Rまたは炭素数1〜15を含む有機基であり、Rが複数ある場合、同一でも異なってもいても良い。RおよびRは水酸基、カルボキシル基、−O−R、−COO−Rのいずれかであり、R、およびRが複数ある場合、同一でも異なっていても良い。mは0〜4の整数、nは0〜4の整数である。Rは炭素数1〜15の有機基である。ここで、Rとして水酸基がない場合、R、およびRは少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、R、Rとしてカルボキシル基がない場合、Rは少なくとも1つは水酸基でなければならない。Zは−R−Si(R)(R)−O−Si(R)(R)−R−で表され、R〜Rは有機基である。)
  3. 前記感光剤(B)がジアゾナフトキノン化合物である、請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. さらに、フェノール性水酸基を有する化合物(C)を含むものである、請求項1乃至3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  5. 一般式(1)のXが下記式(2)で示される構造を含むものである、請求項1乃至4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2009168873
    (ここで*はNH基に結合することを示す。式中、Rはアルキレン、置換アルキレン、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、単結合から選ばれる有機基である。R10はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R11は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。)
  6. 一般式(1)のXが下記式(3)で示される構造を含むものである、請求項1乃至4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2009168873
  7. 一般式(1)のYが下記式(4)で示される構造を含むものである、請求項1乃至6に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2009168873
  8. 請求項1乃至7に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
  9. 請求項8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
  10. 請求項8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
  11. 請求項8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5532200B2 (ja) * 2006-10-24 2014-06-25 住友ベークライト株式会社 ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子
KR101647519B1 (ko) * 2008-07-08 2016-08-10 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것들을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치
US20170293224A1 (en) * 2014-09-26 2017-10-12 Toray Industries, Inc. Organic el display device
JP6658548B2 (ja) * 2015-01-23 2020-03-04 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、パターン硬化膜及び電子部品
EP3413132B1 (en) * 2016-02-05 2020-12-16 HD Microsystems, Ltd. Positive-type photosensitive resin composition
CN111518272B (zh) * 2020-04-20 2023-11-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207356B1 (en) * 1996-12-31 2001-03-27 Sumitomo Bakelite Company Limited Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition
JP3449925B2 (ja) * 1997-08-08 2003-09-22 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
US6492085B1 (en) * 1999-08-10 2002-12-10 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photoresist composition and process and synthesizing polyphenol compound
JP4529252B2 (ja) * 1999-09-28 2010-08-25 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
KR100709520B1 (ko) * 2000-02-29 2007-04-20 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 페놀 노볼락 수지, 그것의 합성 방법, 및 이것을 사용한포지티브형 포토레지스트 조성물
JP4027076B2 (ja) * 2001-10-25 2007-12-26 旭化成エレクトロニクス株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP2003345019A (ja) * 2002-05-23 2003-12-03 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
EP1491952B1 (en) * 2003-06-23 2015-10-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
JP4345441B2 (ja) * 2003-11-04 2009-10-14 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP2006276094A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示装置
CN101322073B (zh) * 2005-11-30 2011-12-28 住友电木株式会社 正型感光性树脂组合物及使用该组合物的半导体器件和显示器
JP2007156243A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Nissan Chem Ind Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜

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