JP2009153120A - 基準電圧発生回路のための起動回路 - Google Patents

基準電圧発生回路のための起動回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2009153120A
JP2009153120A JP2008311993A JP2008311993A JP2009153120A JP 2009153120 A JP2009153120 A JP 2009153120A JP 2008311993 A JP2008311993 A JP 2008311993A JP 2008311993 A JP2008311993 A JP 2008311993A JP 2009153120 A JP2009153120 A JP 2009153120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
voltage
current
starting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008311993A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4878361B2 (ja
Inventor
Byung Tak Jang
張炳▲タク▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DB HiTek Co Ltd
Original Assignee
Dongbu HitekCo Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongbu HitekCo Ltd filed Critical Dongbu HitekCo Ltd
Publication of JP2009153120A publication Critical patent/JP2009153120A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4878361B2 publication Critical patent/JP4878361B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

【課題】初期に充分な起動電流が流れることで、迅速にBGR回路を起動できるとともに、BGR回路自身による起動が可能な時点からは、それ自体の動作電流を減少できる基準電圧発生回路のための起動回路を提供する。
【解決手段】一定のレベルを有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路を起動する起動回路において、起動開始信号に応答して、起動初期に前記基準電圧発生回路に電流を流して起動を開始する起動スタート部と、前記基準電圧発生回路の起動可否による変動電圧を減少させ、前記変動電圧に相応する起動基準電流を発生する基準電流発生部と、前記基準電圧発生回路に流れる電流を検出し、検出された結果を前記起動基準電流と比較し、比較された結果を前記起動開始信号として出力する起動制御部とを備えて基準電圧発生回路のための起動回路を構成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、バンドギャップ電圧のように一定のレベルを有する電圧を発生する基準電圧発生回路に関するもので、特に、基準電圧発生回路を起動する起動回路に関するものである。
半導体回路設計で広く使用されるバンドギャップ基準(Band Gap Reference:BGR)回路(または、基準電圧発生回路)は、半導体工程、チップの動作温度及び印加電圧に変化があるとしても、単結晶シリコンのバンドギャップ電位差に近い約1.1ボルトの一定の電圧(以下、基準電圧という。)を提供する。
一般的に、BGR回路は、内部電流経路に電流が全く流れない状態の動作点及び電流が流れる状態の動作点を全て有している。電流が流れない条件では、BGR回路が意図する動作を行えないので、その動作初期に電流が流れて意図する動作点に進入されるようにする起動回路が必要である。起動回路は、起動以後にも持続的に一定の電流を流しながら動作するので、起動以後に起動回路の消費電流を最小化することが好ましい。
起動回路の消費電流は、外部電源の変化、素子製作工程の変化及び温度変化によって異なる。起動回路の消費電流を非常に少なく設計する場合において、工程、外部電源及び温度が全て消費電流を減少させるように調整されると、起動電流が非常に少なくなり、BGR回路の起動時間が長くなったり、BGR回路の起動が不可能になることもある。その反面、消費電流が最も少ない温度、電圧及び工程条件でも起動が早く行われるように起動回路で充分な電流を供給する場合において、工程、外部電源及び温度が消費電流を増加させるように調整されると、起動回路の消費電流が非常に増加する。したがって、起動時のみに大きな電流を流すことで、起動に必要な電流を供給し、BGR回路の起動終了後に起動回路の動作消費電流を減少させると、半導体素子全体の消費電力を減少させることができる。しかしながら、従来の起動回路は、起動以後にも起動前と同一の比較的大きな電流を消費するという短所を有する。
以下、一般的なBGR回路のための起動回路の一例を添付された図面に基づいて説明する。
図1は、一般的な起動回路の回路図で、起動回路10及びBGR回路12を示している。起動回路10は、各トランジスタM1,M2,M4,M5,M6で構成される。BGR回路12は、本発明と一般的な場合において変更がないので、このBGR回路12の動作及び構成については、本発明の詳細な説明で後述することにする。
図1を参照すると、トランジスタM2は、ゲートがドレインに連結されたダイオード構造であり、順方向電圧に比例する電流を流す。起動されない状態では、各トランジスタM0,M4,M5,M6は全て遮断領域で動作する。すなわち、BGR回路12に電流が流れない。したがって、トランジスタM1のゲート電圧V(SRT)は、電源電圧VDDからトランジスタM2の両端電圧を除いた電圧になる。電源電圧VDDが約1.5V以上に上昇すると、トランジスタM1がターンオンされながら、電圧VCONTが電源電圧VDDから降下するようになる。電圧VCONTが電源電圧VDDより低い電圧に降下すると、各トランジスタM0,M4,M5,M6がターンオンされながら、電流Ibgrに比例する電流が起動回路10に流れるようになる。これらトランジスタM0,M4,M5,M6は、カレントミラー構造となっている。このとき、トランジスタM4の駆動電流がトランジスタM2から供給される電流Irefstartより大きくなると、電圧V(SRT)が基準電位、例えば、接地電圧GND付近に降下し、トランジスタM1が再び遮断領域に進入する。トランジスタM1がターンオフされると、電圧VCONTは、演算増幅器14のみによって制御される。
トランジスタM2に流れる電流IrefstartとトランジスタM0に流れるBGR電流Ibgrを一定の比率で変えて比較することで、BGR回路12の動作点を判断することができる。このとき、トランジスタM2に流れる電流は、製造工程、温度、電源電圧VDD及び電圧V(SRT)などの多様な条件によって変わる。トランジスタM2は、ダイオード構造となっており、そのトランジスタM2の両端電圧の二乗に比例して電流が増加するので、使用される電源電圧VDDの範囲が広い場合、電流Irefstartの変化幅が非常に大きくなる。また、起動以後に電圧V(SRT)がゼロになるので、起動前に比べて電流Irefstartが大きくなり、持続的に流れるという問題点がある。電源電圧VDDに対する依存性を低下させるために、抵抗を使用することも可能であるが、この方法も、トランジスタに比べて非常に大きいスペースを必要とするので好ましくない。
本発明が解決しようとする技術的課題は、初期に充分な起動電流が流れることで、迅速にBGR回路を起動できるとともに、BGR回路自身による起動が可能な時点からは、それ自体の動作電流を減少できる基準電圧発生回路のための起動回路を提供することにある。
上記の課題を達成するために、一定のレベルを有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路を起動する本発明に係る起動回路は、起動開始信号に応答して、起動初期に前記基準電圧発生回路に電流を流して起動を開始する起動スタート部と、前記基準電圧発生回路の起動可否による変動電圧を減少させ、前記変動電圧に相応する起動基準電流を発生する基準電流発生部と、前記基準電圧発生回路に流れる電流を検出し、検出された結果を前記起動基準電流と比較し、比較された結果を前記起動開始信号として出力する起動制御部とを備えて構成されることが好ましい。
また、外部環境に反応して、互いに異なる電流が流れる二つの経路の電圧差を減少させる役割をする演算増幅器を有する基準電圧発生回路を起動する本発明に係る起動回路は、前記演算増幅器の出力端と前記基準電位との間に連結される第1トランジスタと、電源電圧と負荷電圧との間に連結されるダイオード接続の第2トランジスタと、前記負荷電圧と前記第1トランジスタのゲートとの間に連結される第3トランジスタと、前記第1トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結される第4トランジスタと、前記電源電圧と前記第3トランジスタのゲートとの間に連結され、前記演算増幅器の出力端と連結されるゲートを有する第5トランジスタと、前記第3及び前記第4トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結されるダイオード接続の第6トランジスタとを備えて構成されることが好ましい。
本発明に係る基準電圧発生回路のための起動回路は、起動以後に動作電流を減少させる機能を有していない従来の起動回路と比較して、起動以後に起動回路の動作電流を減少させる機能を追加的に有するので、従来より起動後の消費電流を減少させ、低消費電力を必要とするアプリケーションに有効に適用することができ、低消費電力を必要とする製品設計において起動回路の消費電流を非常に少なく設計する場合にも、起動回路で充分な動作電流を使用することで、BGR回路を安定的に起動することができる。電源電圧の使用範囲が広い場合、すなわち、高い電源電圧を使用する場合にも起動回路の消費電流を減少させることができ、同一の原理によって、電源電圧の使用範囲が狭い場合、すなわち、低い電源電圧を使用する場合にもBGR回路を安定的に起動することができる。
以下、本発明に係る基準電圧発生回路のための起動回路の各実施例を添付された図面に基づいて説明する。
図2及び図3は、本発明に係る起動回路40または60の各実施例の回路図で、起動回路40または60及び基準電圧発生回路12を示している。
基準電圧発生回路12は、外部の影響と関係なしに一定のレベルを有する基準電圧を発生する回路として、外部環境の変化と関係なしにシリコンバンドギャップ電圧のような約1.1ボルトの一定の電圧を発生するBGR(Band Gap Reference)回路にもなり得る。このために、基準電圧発生回路12は、外部環境に反応し、互いに異なる電流が流れる二つの経路の電圧差を減少させる役割をする演算増幅器を使用することができる。
まず、本発明に係る起動回路は、起動スタート部42、基準電流発生部44または62及び起動制御部46を含んで構成される。
起動スタート部42は、起動開始信号V(SRT)に応答して、起動初期に基準電圧発生回路12に電流を流し、基準電圧発生回路12の起動を開始する役割をする。基準電流発生部44は、基準電圧発生回路12の起動可否による変動電圧を減少させ、変動電圧に相応する起動基準電流Irefstartを発生する。起動制御部46または62は、基準電圧発生回路12に流れる電流を検出し、検出された結果Irbgrを起動基準電流Irefstartと比較し、比較された結果を起動開始信号V(SRT)として起動スタート部42に出力する。
以下、上述した起動回路40の各部42、44,46の理解を助けるために、基準電圧発生回路12がBGR回路である場合を仮定して説明するが、本発明は、これに限定されるものでなく、多様な形態の基準電圧発生回路12にも適用される。BGR回路12も多様な形態で具現可能であり、その一例の構成及び動作を図面に基づいて説明する。
以下、BGR回路12の動作原理を簡単に説明する。異なる大きさを有する各ダイオードD1及びD2に同一の電流を流すと、ダイオードD1,D2の両端に互いに異なる電圧が得られる。互いに異なる電圧間の差DVは、次の式のように表現される。
Figure 2009153120
ここで、ηは、ダイオードの理想係数を示し、kは、プランク常数(Plank’s Constant)を示し、Tは、絶対温度(Kelvin Temperature)を示し、qは、単位電荷量を示し、m2/m1は、各ダイオードD2及びD1の面積比を示す。ここで、面積比(m2/m1)は、1より大きい値である。
上記式から分かるように、温度Tに比例する電圧ΔVが得られる。図2または図3に示すように、BGR回路12は、各抵抗R1,R2,R3、各ダイオードD1,D2、演算増幅器(OP)14及びトランジスタM0を含んで構成される。抵抗R1,R2の一端は共通ノードVREFに連結され、演算増幅器14の動作によって各抵抗R1,R2に電圧差が生じないように電流Ibgrが調節される。二つの抵抗R1,R2値が同一であると、演算増幅器14の正の端子と負の端子の電圧が同一であるので、各抵抗R1,R2に同一の電流が流れ、各ダイオードD1,D2にも同一の電流が流れる。このとき、各ダイオードD1,D2の面積比に比例する電圧差は、抵抗R3の両端にかかるようになる。したがって、BGR回路12において各ダイオードD1,D2を流れる二つの経路の電流は、上述した式によって定義されたΔV及び抵抗R3によって決定される。この値ΔV/R3は、温度と電圧による抵抗R3の変化が大きくないと仮定すると、ΔVに比例するようになる。すなわち、ΔVが温度の関数であるので、BGR電流Ibgrも温度の関数になる。電流Ibgrが各抵抗R1,R2に流れるので、各抵抗R1及びR2の両端電圧は温度に比例する電圧になる。一方、一般的に、ダイオードに一定の電流を流して温度を変化させると、ダイオードの両端電圧は、次の式のように変わる。
Figure 2009153120
ここで、Iは、ダイオードによって定められる常数と見なすことができる。この式から分かるように、VとTは、指数項の分母と分子にそれぞれ含まれており、互いに反比例関係にある。すなわち、一定の電流が流れることによって温度が高くなると、ダイオードの両端電圧が低くなる。
上記の点を考慮すると、BGR回路12から出力される基準電圧VREFは、抵抗R1の両端電圧とダイオードD1の両端電圧の合計であるので、二つの値の温度変化が互いに相殺されるように抵抗R1を定めると、基準電圧VREFは、温度と関係なしに一定の値を有するようになる。その理由は、抵抗R1の両端電圧が温度に比例する値であり、ダイオードD1の両端電圧が温度に反比例する値であるためである。ダイオードD1,D2に電流が流れない場合、演算増幅器14の正及び負の入力端子電圧が全てゼロになるので、入力電圧差もゼロになり、BGR回路12が一つの動作点に置かれる。すなわち、ダイオードD1,D2に電流が流れない状態で、演算増幅器14は、同一の状態をそのまま維持するように動作する。したがって、BGR回路12の二つの電流経路に電流を流すためには、起動回路40が必要である。電源が流れた直後には、BGR回路12は、電流を流さない動作点にある可能性がある。この状態では、電圧VCONTが電源電圧VDDと同一の電位となり、トランジスタM0は、遮断領域で動作して電流の流れを遮断する。起動回路40は、この状態を変化させようとする。
以上、BGR回路12の構成及び動作と起動回路40の必要性について説明した。以下では、上述したBGR回路12を起動する本発明に係る起動回路40の例示的な回路図の構成及び動作について説明する。
起動回路40は、各トランジスタM1乃至M6で構成される。
起動スタート部42は、基準電圧発生回路12の起動を開始する制御電圧と基準電位との間にそれぞれ連結されるドレイン及びソースを有し、起動開始信号V(SRT)に連結されるゲートを有する第1トランジスタM1で具現される。ここで、制御電圧は演算増幅器14の出力電圧であり、基準電位は接地電位である。
本発明の一実施例によると、図2に示すように、基準電流発生部44は、各トランジスタM2及びM3で具現される。第2トランジスタM2は、電源電圧VDDと負荷電圧V(LOAD)との間にそれぞれ連結されるソース及びドレインを有し、負荷電圧V(LOAD)に連結されるゲートを有する。起動基準電流Irefstartは、第2トランジスタM2を流れる。第3トランジスタM3は、負荷電圧V(LOAD)と起動開始信号V(SRT)との間にそれぞれ連結されるソース及びドレインを有し、BGR回路12の電流を検出した結果と連結されるゲートを有する。図2において、上述した変動電圧は、第2トランジスタM2のソース及びドレイン両端間の電圧差に該当する。
起動制御部46は、各トランジスタM4,M5,M6で構成される。第4トランジスタM4は、第1トランジスタM1のゲートと基準電位との間にそれぞれ連結されるドレイン及びソースを有し、第3トランジスタM3のゲートと連結されるゲートを有する。第5トランジスタM5は、電源電圧VDDと第3トランジスタM3のゲートとの間にそれぞれ連結されるソース及びドレインを有し、制御電圧である演算増幅器14の出力電圧に連結されるゲートを有する。第6トランジスタM6は、第3トランジスタM3のゲートと基準電位との間にそれぞれ連結されるドレイン及びソースを有し、第4トランジスタM4のゲートと連結されるゲートを有する。BGR回路12の電流を検出した結果Irbgrは、第5トランジスタM5から第6トランジスタM6に流れる電流を意味する。起動開始信号V(SRT)は、第4トランジスタM4のドレイン電圧に該当する。
本発明の他の実施例によると、図3に示すように、基準電流発生部62は、各トランジスタM2,M3,M7で具現される。すなわち、基準電流発生部62は、基準電流発生部44にトランジスタM7をさらに付加することができる。第7トランジスタM7は、電源電圧VDDと第2トランジスタM2との間にそれぞれ連結されるドレイン及びソースを有し、制御電圧である演算増幅器14の出力電圧と連結されるゲートを有する。
以下、上述した構成を有する起動回路40の動作を説明する。
電源が供給された時点で、BGR回路12の動作点が電流を流さない状態にあると仮定する。この状態を変化させるためには、電圧VCONTを電源電圧VDDより低い状態にすべきである。電流が流れはじめると、ダイオードD1,D2の両端電圧に差が生じ、この差を減少させるために演算増幅器14が動作し、BGR回路12は、電流を流す他の動作点で安定的になる。したがって、起動回路40または60は、BGR回路12が電流を流さない動作点にあるとき、トランジスタM0のゲート電圧VCONTを低下させ、BGR回路12が電流を流す動作点に移動した後には、トランジスタM0のゲート電圧に影響を与えないようにすべきである。以下、起動回路の動作を起動以後時点に焦点を置いて説明する。起動する間の起動回路の動作は、後述するように波形を参照して説明する。
本発明の実施例には、図1に示した一般的な回路と異なり、トランジスタM3が追加されている。したがって、起動以後に電流Ibgrに比例するコピー電流Irbgrが各トランジスタM5,M6に流れると、電圧V(BSEN)がトランジスタM6のしきい値電圧より高くなる。トランジスタM3のソース電圧V(LOAD)は、電圧V(BSEN)とトランジスタM3のしきい値電圧との合計である。
すなわち、図1に示した起動回路10の場合、トランジスタM2の両端には電源電圧VDDが反映される。しかしながら、図2に示した起動回路40の場合、起動以後に、電源電圧VDDからトランジスタM6のしきい値電圧とトランジスタM3のしきい値電圧を引いた電圧がトランジスタM2の両端に反映される。すなわち、基準電圧発生回路12が独自に起動する時点における負荷電圧V(SRT)のレベルは、図1と比較すると、第3及び第6トランジスタM3,M6のしきい値電圧の合計だけ上昇するようになる。したがって、トランジスタM2に流れる電流Irefstartは、図1と比較して減少するようになる。
図3には、上述したように、トランジスタM7が追加された。トランジスタM2のゲート及びドレインに全て連結された負荷電圧V(LOAD)は、図2と同一に得られる。図2の場合、トランジスタM2のソースノードの電圧V(VLOADS)は、BGR回路12の起動可否と関係なしに電源電圧VDDに維持される。しかしながら、図3の場合、電圧V(VLOADS)は、起動前には電圧V(VLOADS)が電源電圧VDDからトランジスタM7のしきい値電圧VTNを引いた電圧(VDD−VTN)であるが、起動以後にはトランジスタM7のゲート電圧が電源電圧VDDからトランジスタM0のしきい値電圧以下に低下するので、その変化量に該当する電圧だけ移動するようになる。すなわち、基準電圧発生回路12が自ら起動可能であるとき、第2トランジスタM2のソースに供給される電圧のレベルは、第7トランジスタM7のしきい値電圧だけ低くなる。すなわち、変動電圧は、図1または図2と比較して一層減少するようになる。これによって、図3に示した起動回路60は、図2に示した起動回路40に比べて起動以後に電流Irefstartを一層減少させることができる。
以下、図1に示した起動回路(以下、従来発明という。)、本発明の実施例に係る図2及び図3に示した起動回路40及び60(以下、それぞれ第1本発明及び第2本発明という。)がBGR回路12を起動するまでの動作とBGR回路12を起動した後の動作を、各端子の電流及び電圧を示す波形図に基づいて具体的に比較説明する。
図4は、図1乃至図3に示した起動回路10,40または60の各部の波形図である。
図4に示した各波形を得るために、3.3ボルト(V)の電源電圧VDDを使用し、電源電圧VDDと電圧VCONTとの間の差を0.2V乃至1.4Vの範囲に調整してシミュレーションした。BGR回路12は、起動以後に演算増幅器14の作用によって動作点を継続的に維持するが、前記シミュレーションでは、電圧VCONTの変化による起動回路の変化を観察するために、演算増幅器14の動作と関係なしに電圧VCONTを外部から直接印加した。演算増幅器14の動作によって維持される動作点は、差(VDD−VCONT)が0.92Vである地点で、図4では縦の点線で示した。各波形において、特別な言及がない限り、一点鎖点は従来発明に該当し、実線は第1本発明に該当し、点線は第2本発明に該当する。各波形は、電圧VCONを電源電圧VDDから漸次的に低下させながら測定した結果として、電流波形の縦軸をログスケールで示し、電圧波形は全て線形スケールで示した。
図4に示した最初の波形を参照すると、BGR回路12のトランジスタM0に流れるBGR電流Ibgr及びこの電流を一定の比率で複写した電流Irbgrは、従来発明と第1及び第2本発明において全て同一であるので、図1に示した従来発明の電流Ibgr,Irbgrの波形のみを示した。電流Irbgrは、電流Ibgrの一定の比率、例えば、約1/5に複写された電流である。差(VDD−VCONT)が大きくなるにつれて、各トランジスタM0及びM5のしきい値電圧Vthである0.5V付近で電流Ibgr,Irbgrが急激に指数関数的に増加することが分かる。差(VDD−VCONT)が0.8V以上であるときには、トランジスタM0,M5がターンオンされ、線形に近い電流増加を示している。一般的に、モストランジスタは、ターンオン状態、すなわち、ゲート−ソース間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthより高い状態で、(Vgs−Vth)に比例する電流を流すと知られている。この波形において、縦軸がログスケールで示されているので、直線区間は、指数関数的に増加する区間で、曲線形態に傾きが減少しながら緩やかに増加する区間は、線形に近い増加を示す区間である。
図4に示した二番目の波形を参照すると、電流Irefstartは、電流Irbgrと比較して、起動回路によるBGR初期起動を終了する時点を決定するときに使用される電流である。電流Irefstartは、差(VDD−VCONT)が少ないとき、第4トランジスタM4によって制限され、電流Irbgrに沿って指数関数形態に増加しながら、基準電流発生部44または62、供給電源及びBGR状態によって決定される起動基準電流Irefstartに達すると、それ以上増加しない。したがって、電流Irefstartは、指数関数形態に増加する間には起動基準電流Irefstartより低い状態であり、電流Istartupが急激に減少した時点からは、それ以上増加せずに起動基準電流と同一になる。この起動基準電流Irefstartを非常に低く設定するときには、BGR回路12の起動が遅くなるか、BGR回路12の起動が不可能になり、起動基準電流Irefstartを非常に高く設定するときには、起動回路10,40,60がBGR回路12の正常動作に障害を与えるようになる。本発明の場合、起動以後に、電流Irefstartが減少することが分かる。その理由は、本発明において、従来発明と異なり、起動基準電流をBGR状態、すなわち、電圧VCONT及び電流Ibgrを反映して減少させたためである。
従来発明では、差(VDD−VCONT)が増加するにつれて、電流Irefstartが指数関数的に増加しながら、電流Istartupが流れない電圧から一定の値、すなわち、起動基準電流に維持されることが分かる。その理由は、従来発明でBGR状態を反映していないためである。第1本発明では、電流Irefstartが指数関数的に増加しながら、電流Istartupが流れない電圧から漸次的に減少し、第2本発明では、電流Istartupが流れない電圧から第1本発明より急激に減少することが分かる。このグラフによると、電流Irefstartが全て同一に指数関数的に増加しながら、減少または維持されることが分かる。電流Istartupが急激に減少する電圧VCONTは互いに異なり、この電圧における異なる電流Irefstartは、一定部分が設計的に調整される。したがって、従来発明と第1及び第2本発明の根本的な差は、電流Istartupが急激に減少した後の電流Irefstartの変化量にある。従来発明、第1及び第2本発明が全て同一の電圧VCONTで電流Istartupが急激に低下するように設計されたとしても、電圧VCONTが演算増幅器14の動作によって動作点まで移動する過程で、従来発明では同一の電流が維持される反面、第1または第2本発明では漸次的に電流Irefstartが減少することが分かる。このような作用によって、第1または第2本発明で提示した方法は、起動回路40または60の電流を減少させる。
図4の三番目の波形を参照すると、BGR回路12を起動する起動電流であるトランジスタM1の電流Istartupを見ることができる。従来発明、第1及び第2本発明の全ては、差(VDD−VCONT)が低いとき、BGR起動に充分な約1mA高い電流Istartupが流れながら、0.7V付近で急激に減少し、100pA内の非常に低い値を維持する。電流Istartupが充分に低いと、演算増幅器14の動作に影響を与えなくなる。起動回路10,40または60は、起動時に演算増幅器14が自ら動作点に移動不可能な時点で、その起動を触発させる。しかしながら、演算増幅器14が自ら起動を開始可能な時点に達すると、起動回路10,40または60は、動作を停止し、演算増幅器14の動作によって動作点に移動することが好ましい。ここで、起動を開始可能な時点は、一般的に、差(VDD−VCONT)がトランジスタM0,M5のしきい値電圧より大きい値になる時点である。起動過程を整理すると、起動初期には起動回路10,40,60によって起動が開始され、起動後期には演算増幅器14の動作によって起動が完了される。起動初期に、起動回路は、ノードVCONTで電流を接地電位GNDに流し、電圧VCONTを電圧VDD−Vth程度に低下させる。その後、一定の範囲内で起動回路10,40または60による起動電流Istartupがゼロに近い値に低下し、起動回路10,40または60の動作が完了される。起動回路10,40または60は、電源ダウンなどのBGR回路12が動作を停止する時点以後、再び起動が必要であるときに動作を反復するようになる。その他の電源雑音などの予期しない要因によってBGR回路12の動作が停止する状況においても、起動回路10,40または60は、BGR回路12を再起動することで、BGR回路12の安定的な動作を保障する。
図4の四番目の波形を参照すると、電圧V(BSEN)は、従来発明、第1及び第2本発明の全てにおいて同一の波形を有する。電流Irbgrがダイオード構造を有するトランジスタM6に流れながら得られる電圧V(BSEN)の波形である。
図4の五番目の波形を参照すると、電流Irbgrが起動電流より小さいとき、電圧V(SRT)が1V以上に維持されながらトランジスタM1をターンオンする。しかしながら、電流Irbgrが起動基準電流より大きくなると、急激に電圧V(SRT)がゼロに低下しながらトランジスタM1をターンオフする。
図4の六番目の波形を参照すると、第1及び第2本発明の場合、電流Istartupが急激に減少した後、電圧V(LOAD)が漸次的に高くなり、安定的になることが分かる。第1本発明では、トランジスタM2のソースが電源電圧VDDに固定されているので、トランジスタM2のドレイン電圧V(LOAD)が高くなると、電流Irefstartが減少するようになる。第2本発明では、電圧V(LOAD)の増加がさらに著しくなるが、これは、電流Irefstartがより急激に減少することと関連している。
最後に、図4の七番目の波形を参照すると、トランジスタM2のソース電圧V(VLOADS)は、従来発明及び第1本発明では電源電圧VDDに固定されているが、第2本発明では、トランジスタM7のソースに連結されており、トランジスタM7のゲート電圧VCONTの影響を受ける。トランジスタM0,M5がターンオンされる時点で、電圧V(VLOADS)がトランジスタM0,M5のしきい値電圧だけ低くなる。しかしながら、電流Istartupが急激に低下した後には、電圧V(VLOADS)が維持または減少する。電圧VCONTが低下すると、電圧V(VLOADS)が持続的に減少すべきであるが、電流Irefstartの減少による電圧V(VLOADS)の減少が著しくない。その反面、第2本発明によると、トランジスタM2の電流Irefstartを減少させる効果が大きい。
図2または図3に示した起動回路40または60は、起動回路40または60の動作が終了された時点以後に動作点まで達する間、起動電流Istartupが減少することで、起動基準電流を高く設定するとしても、起動以後には低い電流を消費することが分かる。しかしながら、従来発明は、充分な起動電流を有するように設計するとき、起動以後の消費電流が大きくなるという短所がある。したがって、従来発明の場合、起動基準電流と安定的な起動動作との間における折衷を必要とした。しかしながら、第1または第2本発明では、充分な起動基準電流を有するとしても、消費電力を減少させることができ、設計及び使用に有利である。
以上説明した本発明は、上述した実施例及び図面に限定されるものでなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様に置換、変形及び変更可能であることが本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明白であろう。
一般的な起動回路を示した回路図である。 本発明に係る起動回路の一実施例を示した回路図である。 本発明に係る起動回路の他の実施例を示した回路図である。 図1乃至図3に示した起動回路の各部を示した波形図である。
符号の説明
10,40,60 起動回路、 12 BGR回路、 14 演算増幅器、 42 起動スタート部、 44,62 基準電流発生部、 46 起動制御部。

Claims (9)

  1. 一定のレベルを有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路を起動する起動回路において、
    起動開始信号に応答して、起動初期に前記基準電圧発生回路に電流を流して起動を開始する起動スタート部と、
    前記基準電圧発生回路の起動可否による変動電圧を減少させ、前記変動電圧に相応する起動基準電流を発生する基準電流発生部と、
    前記基準電圧発生回路に流れる電流を検出し、検出された結果を前記起動基準電流と比較し、比較された結果を前記起動開始信号として出力する起動制御部と、を備えることを特徴とする基準電圧発生回路のための起動回路。
  2. 前記起動スタート部は、
    前記基準電圧発生回路の起動を開始する制御電圧と基準電位との間に連結されるドレイン及びソースを有し、前記起動開始信号に連結されるゲートを有する第1トランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  3. 前記基準電流発生部は、
    電源電圧と負荷電圧との間に連結されるソース及びドレインを有し、前記負荷電圧に連結されるゲートを有し、前記起動基準電流が流れる第2トランジスタと、
    前記負荷電圧と前記起動開始信号との間に連結されるソース及びドレインを有し、前記検出された結果と連結されるゲートを有する第3トランジスタと、を備えており、
    前記変動電圧は、前記第2トランジスタのソース及びドレイン両端間の電圧差であることを特徴とする請求項2に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  4. 前記起動制御部は、
    前記第1トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結されるドレイン及びソースを有し、前記第3トランジスタのゲートと連結されるゲートを有する第4トランジスタと、
    前記電源電圧と前記第3トランジスタのゲートとの間に連結されるソース及びドレインを有し、前記制御電圧に連結されるゲートを有する第5トランジスタと、
    前記第3トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結されるドレイン及びソースを有し、前記第4トランジスタのゲートと連結されるゲートを有する第6トランジスタと、を備えており、
    前記検出された結果は、前記第5トランジスタから前記第6トランジスタに流れる電流で、前記起動開始信号は、前記第4トランジスタのドレイン電圧であることを特徴とする請求項3に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  5. 前記基準電圧発生回路が起動可能であるとき、前記負荷電圧のレベルは、前記第3及び前記第6トランジスタのしきい値電圧の合計だけ上昇することを特徴とする請求項4に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  6. 前記基準電流発生部は、
    前記電源電圧と前記第2トランジスタとの間に連結されるドレイン及びソースを有し、前記制御電圧と連結されるゲートを有する第7トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  7. 前記基準電圧発生回路が起動可能であるとき、前記第2トランジスタのソースに供給される電圧のレベルは、前記第7トランジスタのしきい値電圧だけ低下することを特徴とする請求項6に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
  8. 外部環境に反応して、互いに異なる電流が流れる二つの経路の電圧差を減少させる役割をする演算増幅器を有する基準電圧発生回路を起動する起動回路において、
    前記演算増幅器の出力端と基準電位との間に連結される第1トランジスタと、
    電源電圧と負荷電圧との間に連結されるダイオード接続の第2トランジスタと、
    前記負荷電圧と前記第1トランジスタのゲートとの間に連結される第3トランジスタと、
    前記第1トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結される第4トランジスタと、
    前記電源電圧と前記第3トランジスタのゲートとの間に連結され、前記演算増幅器の出力端と連結されるゲートを有する第5トランジスタと、
    前記第3及び第4トランジスタのゲートと前記基準電位との間に連結されるダイオード接続の第6トランジスタと、を備えることを特徴とする基準電圧発生回路のための起動回路。
  9. 前記起動回路は、前記電源電圧と前記第2トランジスタとの間に連結され、前記演算増幅器の出力端と連結されるゲートを有する第7トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の基準電圧発生回路のための起動回路。
JP2008311993A 2007-12-24 2008-12-08 基準電圧発生回路のための起動回路 Active JP4878361B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070136467A KR100907893B1 (ko) 2007-12-24 2007-12-24 기준 전압 발생 회로를 위한 기동 회로
KR10-2007-0136467 2007-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009153120A true JP2009153120A (ja) 2009-07-09
JP4878361B2 JP4878361B2 (ja) 2012-02-15

Family

ID=40787796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008311993A Active JP4878361B2 (ja) 2007-12-24 2008-12-08 基準電圧発生回路のための起動回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7944195B2 (ja)
JP (1) JP4878361B2 (ja)
KR (1) KR100907893B1 (ja)
CN (1) CN101470456B (ja)
TW (1) TWI375873B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011198352A (ja) * 2010-02-24 2011-10-06 Fuji Electric Co Ltd 基準電圧回路
KR20190068952A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 단국대학교 산학협력단 밴드갭 기준전압 발생회로

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8339117B2 (en) * 2007-07-24 2012-12-25 Freescale Semiconductor, Inc. Start-up circuit element for a controlled electrical supply
CN102135781B (zh) * 2010-01-21 2013-07-24 上海华虹Nec电子有限公司 基准电压电路的启动加速电路
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8552707B2 (en) * 2011-02-23 2013-10-08 Himax Technologies Limited Bandgap circuit and complementary start-up circuit for bandgap circuit
EP2498162B1 (en) 2011-03-07 2014-04-30 Dialog Semiconductor GmbH Startup circuit for low voltage cascode beta multiplier current generator
JP5762205B2 (ja) * 2011-08-04 2015-08-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体集積回路
CN103809648B (zh) * 2012-11-13 2015-08-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 带隙基准源的启动电路
KR20140104203A (ko) 2013-02-20 2014-08-28 삼성전자주식회사 기준 전압 생성 회로
US9921592B2 (en) * 2013-09-09 2018-03-20 Intel Corporation Bandgap reference circuit with low output impedance stage and power-on detector
CN104635835B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信(上海)有限公司 带隙基准电路
CN104635836B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信(上海)有限公司 带隙基准电路
CN105511540B (zh) * 2016-01-04 2017-05-10 东南大学 一种具有极低泄露电流的带隙基准启动电路
JP6660238B2 (ja) * 2016-04-20 2020-03-11 エイブリック株式会社 バンドギャップリファレンス回路及びこれを備えたdcdcコンバータ
KR102399537B1 (ko) 2017-08-03 2022-05-19 삼성전자주식회사 기준전압 생성 장치 및 방법
FR3072841A1 (fr) * 2017-10-20 2019-04-26 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Circuit electronique avec dispositif de surveillance de l'alimentation utilisant un seuil de declenchement choisi dans une plage de tensions autour d'une tension de bande interdite
CN114584088A (zh) * 2020-12-02 2022-06-03 圣邦微电子(北京)股份有限公司 运算放大器、集成电路及运算放大器的内部电源产生方法
JP7107618B1 (ja) 2022-06-09 2022-07-27 タツミ化成株式会社 頭付きネジ及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235866A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Fuji Electric Co Ltd 起動回路およびリセット回路
JP2003188711A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Nec Microsystems Ltd バイアス回路及び電源装置
JP2006196022A (ja) * 2001-12-27 2006-07-27 Toyama Prefecture Mos型基準電圧発生回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100302589B1 (ko) * 1998-06-05 2001-09-22 김영환 기준전압발생기의스타트업회로
US6259240B1 (en) * 2000-05-19 2001-07-10 Agere Systems Guardian Corp. Power-up circuit for analog circuit
FR2842317B1 (fr) * 2002-07-09 2004-10-01 Atmel Nantes Sa Source de tension de reference, capteur de temperature, detecteur de seuil de temperature, puce et systeme correspondant
CN100383691C (zh) * 2003-10-17 2008-04-23 清华大学 低温度系数和低电源电压系数的参考电流源
KR100638745B1 (ko) * 2004-12-10 2006-10-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자에서의 고전압 발생 장치에 이용되는기준 전압 발생 회로
TWI350436B (en) * 2005-10-27 2011-10-11 Realtek Semiconductor Corp Startup circuit, bandgap voltage genertor utilizing the startup circuit, and startup method thereof
US7728574B2 (en) * 2006-02-17 2010-06-01 Micron Technology, Inc. Reference circuit with start-up control, generator, device, system and method including same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235866A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Fuji Electric Co Ltd 起動回路およびリセット回路
JP2003188711A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Nec Microsystems Ltd バイアス回路及び電源装置
JP2006196022A (ja) * 2001-12-27 2006-07-27 Toyama Prefecture Mos型基準電圧発生回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011198352A (ja) * 2010-02-24 2011-10-06 Fuji Electric Co Ltd 基準電圧回路
KR20190068952A (ko) * 2017-12-11 2019-06-19 단국대학교 산학협력단 밴드갭 기준전압 발생회로
KR102085724B1 (ko) * 2017-12-11 2020-03-06 단국대학교 산학협력단 밴드갭 기준전압 발생회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR100907893B1 (ko) 2009-07-15
TWI375873B (en) 2012-11-01
CN101470456B (zh) 2012-02-29
CN101470456A (zh) 2009-07-01
US20090160419A1 (en) 2009-06-25
US7944195B2 (en) 2011-05-17
KR20090068728A (ko) 2009-06-29
JP4878361B2 (ja) 2012-02-15
TW200928657A (en) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4878361B2 (ja) 基準電圧発生回路のための起動回路
TWI498702B (zh) 電壓調節器
US6998902B2 (en) Bandgap reference voltage circuit
TWI489239B (zh) 電壓調節器
KR101465598B1 (ko) 기준 전압 발생 장치 및 방법
KR100815388B1 (ko) 저전압 검출 회로
US9882558B1 (en) Power-on reset circuit
JP2009193211A (ja) 定電流回路
TWI747332B (zh) 參考電壓產生器、預穩定電路以及用於產生參考電壓的方法
TWI590035B (zh) 電源啟動重置電路
TWI301976B (en) Internal voltage generating circuit in semiconductor memory device
US8138743B2 (en) Band-gap reference voltage source circuit with switchable bias voltage
JP5637096B2 (ja) バンドギャップ基準電圧回路及びこれを用いたパワーオンリセット回路
JP2009277122A (ja) 電源電圧監視回路
JP2005291865A (ja) 電源電圧監視回路
JP4848959B2 (ja) 電源回路
JP5842475B2 (ja) 電圧生成回路およびパワーオンリセット回路
JP5040397B2 (ja) 基準電圧回路
JP2009232550A (ja) 充電制御用半導体集積回路
US7576575B2 (en) Reset signal generator in semiconductor device
JP5889700B2 (ja) パワーオン・リセット回路及び半導体装置
JP2006134126A (ja) 基準電圧発生回路及びこれを用いた電源電圧監視回路
JP4249599B2 (ja) 基準電圧回路
KR102658159B1 (ko) 과열 보호 회로 및 이것을 구비한 반도체 장치
JP2013047893A (ja) レギュレータおよび直流安定化電源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111006

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4878361

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250