JP2009152406A - インダクタとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インダクタ100は、金属層からなり且つ螺旋状の平面形状に形成されたインダクタ配線111を備え、インダクタ配線111の幅方向の断面形状において、少なくとも平面形状の内部側端部121における膜厚が中央部における膜厚よりも厚くなっていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
(式1)において、ωは2πf、πは円周率、fは周波数、Lはインダクタンス値、Rは抵抗値である。
以下、本発明の第1の実施形態に係るインダクタついて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態のインダクタ100の平面形状を示す図である。
以下、本発明の第2の実施形態に係るインダクタについて、図面を参照しながら説明する。図3は、本実施形態のインダクタ100aの平面形状を示す図である。図3に示すインダクタ100aにおいて、図1に示す第1の実施形態のインダクタ100と同様の構成要素については同じ符号を付している。インダクタ100aとインダクタ100との相違点は、インダクタ配線111の幅方向の断面形状である。インダクタ100aにおいて、インダクタ配線111における平面形状の内部側端部121に加え、平面形状の外部側端部122についても膜厚が大きくなっている。これについて、以下に説明する。
以下に、第3の実施形態として、本発明に係るインダクタの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5(a)〜(d)は、インダクタの具体例としての図2(a)に示す断面構造を有するインダクタの製造工程を説明する図である。
以下に、第4の実施形態として、本発明に係る別のインダクタの製造方法について図面を参照しながら説明する。図6(a)〜(d)は、インダクタの具体例としての図4(a)に示す断面構造を有するインダクタの製造工程を説明する図である。
100a インダクタ
101 半導体基板
102 層間絶縁膜
103 下層配線
104 絶縁膜
105 第1の溝
105a 第1の溝
105b 第2の溝
106 ヴィアホール
107 第1のインダクタパターン
107a 第1のインダクタパターン
107b 第3のインダクタパターン
108 第2のインダクタパターン
109 上部配線
111 インダクタ配線
111a 外側端子
111b 内側端子
112 ヴィア(外側端子の引出し用)
113 ヴィア(内側端子の引出し用)
114 配線(外側端子の引出し用)
115 配線(内側端子の引出し用)
117 ヴィアプラグ
121 内部側部分
122 外部側部分
Claims (6)
- 金属層からなり且つ螺旋状の平面形状に形成されたインダクタ配線を備え、
前記インダクタ配線の幅方向の断面形状において、少なくとも前記平面形状の内部側端部における膜厚が中央部における膜厚よりも厚くなっていることを特徴とするインダクタ。 - 請求項1において、
前記インダクタ配線の幅方向の断面形状において、前記平面形状の内部側端部における膜厚が外部側端部における膜厚よりも厚くなっていることを特徴とするインダクタ。 - 請求項1において、
前記インダクタ配線の幅方向の断面形状において、前記平面形状の内部側端部における膜厚及び外部側端部における膜厚がいずれも中央部における膜厚よりも厚くなっていることを特徴とするインダクタ。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程(a)と、
前記絶縁膜に、螺旋状の平面形状を有する第1の溝を形成する工程(b)と、
前記第1の溝を第1の金属層によって埋め込むことにより、第1のインダクタパターンを形成する工程(c)と、
前記絶縁膜上に、前記第1のインダクタパターンの上面に沿って延び且つ前記第1のインダクタパターンよりも幅の広い第2のインダクタパターンを第2の金属層により形成する工程(d)とを備え、
前記工程(d)において、前記第1のインダクタパターン上に、前記第2のインダクタパターンにおける前記平面形状の内部側端部を配置して、前記第1のインダクタパターン及び前記第2のインダクタパターンからなるインダクタ配線を構成することを特徴とするインダクタの製造方法。 - 請求項4において、
前記工程(b)において、前記第1の溝に並走する螺旋状の平面形状を構成するように第2の溝を更に形成し、
前記工程(c)において、前記第2の溝を前記第1の金属層によって埋め込むことにより第3のインダクタパターンを更に形成し、
前記工程(d)において、前記第3のインダクタパターン上に、前記第2のインダクタパターンにおける前記平面形状の外部側端部を配置して、前記第1のインダクタパターン、前記第2のインダクタパターン及び前記第3のインダクタパターンからなるインダクタ配線を構成することを特徴とするインダクタの製造方法。 - 請求項4又は5において、
前記第1の金属層及び前記第2の金属層は同一の金属材料からなることを特徴とするインダクタの製造方法。
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