JP2009146968A - 半導体発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】圧縮歪量が1%以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体発光素子において、耐久性および信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】圧縮歪量が1%以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層A1を有する半導体発光素子10において、活性層A1の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層B1を、活性層A1上に隣接するように形成する。
【選択図】図1D

Description

本発明は、半導体発光素子に関するものであり、より詳細には圧縮歪量が1%以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体発光素子に関するものである。
従来1μm帯の半導体レーザは、例えば特許文献1から3に示されるように、n−GaAs基板上で、nクラッド層、障壁層、InGaAs圧縮歪量子井戸層、障壁層、pクラッド層からなる層構造を有している。
また680nm帯の半導体レーザは、例えば特許文献4から6に示されるように、n−GaAs基板上に、n−AlGaInPクラッド層、AlGaInP障壁層、GaInP圧縮歪量子井戸層、AlGaInP障壁層、p−AlGaInPクラッド層からなる層構造を有している。
これらの半導体レーザは、基板に対する圧縮歪量を有する圧縮歪量子井戸層を活性層に用いていることから、通電することで活性層近傍の結晶が壊れやすく、高出力で動作したときの寿命が課題となっている。特に、その歪量が1%を超える場合には、寿命低下は著しく、その課題解決が望まれている。
本課題に対し、圧縮歪量子井戸層の隣に低圧縮性の圧縮歪障壁層、もしくは逆に引張性の引張歪障壁層を配置する等により、活性層中の歪の応力を軽減し結晶品質を高めようという試みがある。例えば、特許文献7に示されるように、1%程度の高圧縮歪量を持つ活性層を有する半導体発光素子において、活性層の両脇に引張歪障壁層を配置することで信頼性向上を図るという本出願人による特許発明が開示されている。
特開平5−21902号公報 特開平5−275800号公報 特開平6−77587号公報 特開平5−21894号公報 特開平6−53602号公報 特開平6−188513号公報 特許第3317335号公報 A. Ihara, et al., "Physica B: Condensed Matter", 15 December 1999, Vol.273-274, p.1050-1053
しかしながら、一般的には高出力発振下における更なる耐久性および信頼性の向上が望まれており、そのためには半導体発光素子の信頼性低下の原因をより多角的に検討し、それに対する解決手段を講じる必要がある。
非特許文献1によれば、活性層上に隣接するように形成されたクラッド層の結晶品質が低い場合には、このクラッド層から活性層へ結晶欠陥が拡がるため、半導体発光素子の耐久性および信頼性が低下すると示されている。すなわち、半導体発光素子の耐久性および信頼性は、量子井戸層および障壁層により構成される活性層の結晶状態(結晶構造、結晶品質、結晶の強度および歪量等)のみを最適化するだけではなく、活性層上に隣接するように形成された層の結晶状態も最適化する必要がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、より高い耐久性および信頼性を有する半導体発光素子の提供を目的とするものである。
上記目的を達成するために本出願人は、活性層上に隣接するように形成される層に活性層の歪に応じた圧縮歪を持たせた場合、上記活性層上に隣接するように形成される層の結晶品質が向上することに注目し、本発明に至った。
すなわち、本発明による半導体発光素子は、導電型半導体基板上に、第1のクラッド層、導電型半導体基板に対する圧縮歪量が1%以上である高圧縮歪量子井戸層を少なくとも1層含む活性層、および第2のクラッド層が少なくともこの順に形成されてなる半導体発光素子において、
活性層上に隣接するように形成された、活性層の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層を有することを特徴とするものである。
ここで、上記「圧縮歪量」とは、基板上に、格子定数が基板のものよりも大きい層を形成した場合において、基板の格子定数に対する当該層および基板それぞれの格子定数の差の割合を意味するものであり、当該層および基板それぞれの格子定数を、alayおよびasubとすると当該層の圧縮歪量Δは、Δ=(alay−asub)/asub×100%で与えられる。なお、Δが正の値となる場合は圧縮歪量を示し、負の値となる場合は引張歪量を示す。
そして、上記「高圧縮歪量子井戸層」とは、導電型半導体基板に対する圧縮歪量が1%以上である量子井戸層を意味するものとする。なお、大きさに関わらず単に圧縮歪量を有する量子井戸層を指す場合には、圧縮歪量子井戸層という。
また、上記「活性層」とは、高圧縮歪量子井戸層を少なくとも1層含み、かつ注入された電子およびホールが再結合して圧縮歪量子井戸層のバンドギャップに応じた波長の光を発生させる量子井戸構造を有する層を意味するものとする。なお、この活性層は必要に応じて、圧縮歪量子井戸層と障壁層とを交互に積層させることにより得られる量子井戸構造をとることができるものとする。ただし、本発明において、圧縮歪緩衝層に隣接しかつ活性層の歪量以下の圧縮歪量を有する障壁層は、圧縮歪緩衝層に含めるものとする。
さらに、上記「圧縮歪緩衝層」とは、活性層上に隣接するように形成され、かつ活性層へ結晶欠陥を拡げないように結晶品質を向上させる対象となる層を意味するものとする。この圧縮歪緩衝層は、前述のように活性層の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成されるものである。
また、上記「活性層の歪量」とは、活性層の歪量を代表する値を意味するものとする。つまり、活性層が1層から構成される場合には、その層が有する歪量を意味し、複数の層から構成される場合には、それらの層が有する歪量のうち最大の歪量を意味するものとする。
そして、本発明による半導体発光素子において、下記式(1)で表される、圧縮歪緩衝層を構成する層の圧縮歪量と層厚との積の総和Sは、下記式(2)を充足するものであることが望ましい。
S=Σ(Δi×Ti) ・・・(1)
0.2%・μm≧S≧0.02%・μm ・・・(2)
(ここで、ΔiおよびTiは、それぞれ圧縮歪緩衝層の活性層側からi番目の層の圧縮歪量(単位:%)および層厚(単位:μm)であり、Σは圧縮歪緩衝層を構成する層のすべてにおいて足し合わせることを意味する。)
また、圧縮歪緩衝層を構成する層の圧縮歪量は、下記式(3)を充足するものであることが望ましい。
Δ1≧Δ2≧・・・≧Δi≧・・・≧Δn ・・・(3)
(ここで、Δiは圧縮歪緩衝層の活性層側からi番目の層の圧縮歪量であり、nは圧縮歪緩衝層を構成する層の総数である。)
そして、圧縮歪緩衝層を構成するすべての層について、層厚は0.02〜1μmであることが望ましく、圧縮歪量と層厚との積は0.01%・μm以上であることが望ましい。
そして、圧縮歪緩衝層は、障壁層、光ガイド層、第2のクラッド層からなる群より選択される少なくとも1層を含むものであることが望ましい。
また、第1のクラッド層および第2のクラッド層はInGaPにより構成されるものであり、圧縮歪量子井戸層はInGaAsにより構成されるものであることが望ましい。或いは、第1のクラッド層および第2のクラッド層はAlGaInPにより構成されるものであり、圧縮歪量子井戸層はInGaPにより構成されるものであることが望ましい。
本発明による半導体発光素子は、活性層上に隣接するように形成された、活性層の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層を有する構成となっている。これにより、歪量を有する活性層上に基板に対して格子整合している層を隣接するように形成するような従来法に比べ、活性層とその上部に隣接している層との格子定数ミスフィットが減少し、当該上部に隣接している層の結晶品質が向上することになる。したがって、当該上部に隣接している層の結晶欠陥に起因する、結晶欠陥の活性層への拡がりの影響が低減されるため、半導体発光素子における耐久性および信頼性を向上させることが可能となる。
以下、本発明における最良の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
<第1の実施形態>
図1A〜Dは、第1の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す概略断面図であり、図1Dは、この工程によって作成された第1の実施形態による半導体発光素子の概略断面図である。
以下に、半導体発光素子10の具体的な構成および作製方法について図を用いて説明する。
本実施形態による半導体発光素子10(図1D)は、n−GaAs基板11(図1A)上に有機金属気相成長法により、n−InGaP第1のクラッド層12a(基板11に対して格子整合/層厚:1.5μm)と、nまたはi−InGaAsP第1の障壁層13a(基板11に対して格子整合/層厚:0.1μm)と、InGaAs高圧縮歪量子井戸層14(圧縮歪量:2.1%/層厚:0.04μm)と、i−InGaAsP第2の障壁層13b(圧縮歪量:1.0%/層厚:0.02μm)と、p−InGaP第2のクラッド層12b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.04μm)と、p−InGaP第3のクラッド層12c(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.5μm)と、p−InGaP第4のクラッド層12d(基板11に対して格子整合/層厚:1.3μm)と、p−GaAsコンタクト層19(層厚:0.2μm)とを順次形成し、その後コンタクト層19上にSiO絶縁層41(層厚:0.2μm)を形成し(図1B)、この絶縁層41の一部をパターニングで選択的に除去し(図1C)、続いてp型電極層51を絶縁層41および露出したコンタクト層19を覆うように形成し、最後に基板11の裏面研磨を行ってその裏面にn型電極層52を形成することにより作製されるものである(図1D)。
基板11は、n型の導電型半導体基板であるがp型のものを用い、p型半導体層から成長させて半導体発光素子10を構成することもできる。
各層の作製方法は、有機金属気相成長法の他、固体あるいはガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法等を用いることもできる。
各層を構成する材料は、それぞれ必要に応じて適宜選択することができ、特に上記材料に限定されるものではない。ただし、第1のクラッド層12aおよび第2のクラッド層12bはInGaPにより構成されるものであり、高圧縮歪量子井戸層(或いは圧縮歪量子井戸層)はInGaAsにより構成されるものであることが望ましい。或いは、第1のクラッド層12aおよび第2のクラッド層12bはAlGaInPにより構成されるものであり、高圧縮歪量子井戸層(或いは圧縮歪量子井戸層)はInGaPにより構成されるものであることが望ましい。
各層の圧縮歪量および層厚は、必ずしも上記値に限定されるものではない。なお、歪量の制御は、層を構成する材料の組成比を制御することにより行う。例えば、Inx1Ga1−x1As高圧縮歪量子井戸層14において、圧縮歪量を2.1%とするためにはx1を0.3とすればよい。一方、p−Inx2Ga1−x2Pクラッド層において、例えば圧縮歪量を1.0%、0.5%および0.2%とするためにはx2をそれぞれ0.62、0.55および0.51とすればよく、基板11に対して格子整合させるためにはx2を0.49とすればよい。
ただし、高圧縮歪量子井戸層14の圧縮歪量は、1.0〜3.0%が望ましく、1.0〜2.5%がより望ましい。ここで、下限を1.0%としたのは、1.0%よりも小さな圧縮歪量の場合には、活性層上に隣接している層は基板と格子整合している方が、当該隣接している層の結晶品質が向上することが本発明者の研究で解っているためである。つまり、圧縮歪量子井戸層の圧縮歪量が1.0%以上の場合に、活性層上に隣接するように圧縮歪緩衝層を形成するという本発明による効果が有用に発揮されるためである。一方、上限を3.0%としたのは、これ以上格子定数が大きくなると結晶が弾性限界を超えるために、緩和不可能となるためである。また、高圧縮歪量子井戸層14の層厚は、発光利得の観点から4〜10nmであることが望ましい。
活性層A1は、高圧縮歪量子井戸層14によって構成されている。この場合、活性層A1の歪量は2.1%である。活性層A1は、必ずしも上記の場合に限定されるものではなく、一般的に用いられる障壁層と圧縮歪量子井戸層とを交互に積層させた構造としてもよい。なお、圧縮歪量子井戸層が複数ある場合には、それらの圧縮歪量は一般的にすべて等しいものが用いられるため、活性層A1の歪量はその値を用いればよい。しかしながら、そうでない場合にはそれらの層が有する歪量のうち最大の歪量を用いることが望ましい。
圧縮歪緩衝層B1は、第2の障壁層13b、第2のクラッド層12bおよび第3のクラッド層12cによって構成されている。活性層A1の歪量は2.1%であるため、圧縮歪緩衝層B1を構成する各層は、2.1%以下の圧縮歪量であればよい。圧縮歪緩衝層B1は、従来用いられていない層を新たに加えると半導体発光素子10の作製工程が増えコストがかかるため、障壁層、光ガイド層、第2のクラッド層からなる群より選択される少なくとも1層を含むものであることが望ましい。
圧縮歪緩衝層B1を構成する各層は、活性層A1および圧縮歪緩衝層B1間の格子定数ミスフィットを効果的に低減しかつ結晶状態を最適化する観点から、層厚は0.02〜1μmであることが望ましく、同じく圧縮歪量と層厚との積は0.01%・μm以上であることが望ましい。本実施形態では、障壁層13bと第2のクラッド層12bの圧縮歪量に対してこの条件がさらに適用されている形となっている。なお、障壁層に歪量を持たせて活性層の歪の応力を緩衝することは一般的に行われているが、このような場合その障壁層の層厚は通常十数nm以下である。しかしながら、上記のように圧縮歪緩衝層B1を構成する各層にある程度の厚さを確保することにより、結晶に強度を持たせることができる。
また、同様に格子定数ミスフィットを効果的に低減しかつ結晶状態を最適化する観点から、上記式(1)で表される、圧縮歪緩衝層B1を構成する層の圧縮歪量と層厚との積の総和Sは、上記式(2)を充足するものであることが望ましい。これは、同じ圧縮歪量を有する層であっても層厚が厚い方が、圧縮歪緩衝層B1の結晶の強度が増し結晶状態が全体としてより最適化されるため、半導体発光素子10の耐久性および信頼性によりよい効果を発揮するためである。本発明者のこれまでの検討では、この総和Sをパラメータとして実験を行った結果、総和Sは、0.02%・μm〜0.2%・μmの範囲であることが望ましく、この範囲で良好な結果が得られた。特に0.2%・μmよりも大きくすると結晶欠陥が急激に増えて、通電中に動作電流の増大を招くことが判っている。さらに、圧縮歪緩衝層B1を構成する層の圧縮歪量は、格子定数ミスフィットを最小に抑えるため、上記式(3)を充足するものであることが望ましい。
以下、本実施形態による半導体発光素子10の作用を説明する。
本実施形態による半導体発光素子10では、活性層A1の歪量2.1%以下の圧縮歪量を有する障壁層13b(圧縮歪量:1.0%/層厚:0.02μm)および第2のクラッド層12b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.04μm)および第3のクラッド層12c(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.5μm)によって構成される圧縮歪緩衝層B1が、活性層A1上に隣接するように形成されている。これにより、基板に対して格子整合している光ガイド層またはクラッド層等を、歪量を有する活性層上に隣接するように形成するような従来法に比べ、活性層A1とその上部に隣接している層(圧縮歪緩衝層B1)との格子定数ミスフィットが減少し、当該上部に隣接している層の結晶品質が向上することになる。したがって、当該上部に隣接している層の結晶欠陥に起因する、結晶欠陥の活性層への拡がりの影響が低減されるため、半導体発光素子における耐久性および信頼性を向上させることが可能となる。
さらに、本実施形態では上記式(1)の総和Sは、1.0%×0.02μm(第2の障壁層13bの圧縮歪量と層厚との積)+0.5%×0.04μm(第2のクラッド層12bの圧縮歪量と層厚との積)+0.2%×0.5μm(第3のクラッド層12cの圧縮歪量と層厚との積)によって、0.14%・μmとなる。これにより、上記式(2)を充足していることにより、半導体発光素子10における耐久性および信頼性をより向上させることが可能となる。
そして、障壁層13b、第2のクラッド層12bおよび第3のクラッド層12cの圧縮歪量を、それぞれΔ13b、Δ12bおよびΔ12cとすると、Δ13b>Δ12b>Δ12cという関係が成り立ち上記式(3)を充足するため、活性層A1、障壁層13b、第2のクラッド層12bおよび第3のクラッド層12cの4層の関係において、格子定数ミスフィットが最小に抑えられているため、半導体発光素子10における耐久性および信頼性をより向上させることが可能となる。
また、圧縮歪緩衝層B1が、従来用いられている障壁層およびクラッド層によって構成されているため、従来の半導体発光素子の作製工程において、新たな工程を必要とせず、材料の積層条件を変更するだけで容易に半導体発光素子10における耐久性および信頼性を向上させることが可能となる。
なお、本実施形態において、半導体発光素子10を構成する層はすべて平面形状の層であるが、例えばこれらの層が傾斜形状を有していてもよく、本発明による半導体発光素子はこれらの層の形状に限定されるものではない。
また、本実施形態による半導体発光素子10の層構成を、通常のフォトリソグラフィやドライエッチングを用いて作製される屈折率導波機構付き半導体発光素子、回折格子付き半導体発光素子、もしくは光集積回路等に適用することもできる。
<第2の実施形態>
図2A〜Eは、第2の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す概略断面図であり、図2Eは、この工程によって作成された第2の実施形態による半導体発光素子の概略断面図である。本実施形態の特徴は、活性層A2が、高圧縮歪量子井戸層24(圧縮歪量:1.0%/層厚:4nm)3層と障壁層23(基板21に対して格子整合/層厚:10nm)2層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有することと、圧縮歪緩衝層B2が、第2の光ガイド層25b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.04μm)と第2のクラッド層22b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.1μm)とによって構成されていることである。なお、活性層A2、圧縮歪緩衝層B2および光ガイド層25a・b以外は本質的に第1の実施形態とほぼ同様の構成であるため、特に必要のない限り同様の構成の説明は省略する。
以下に、本実施形態による半導体発光素子20の具体的な構成および作製方法について図を用いて説明する。
本実施形態による半導体発光素子20は、n−GaAs基板21上に有機金属気相成長法により、n−AlGaInP第1のクラッド層22a(基板21に対して格子整合/層厚:1.5μm)と、nまたはi−AlGaInP第1の光ガイド層25a(基板21に対して格子整合/層厚:0.05μm)と、InGaP高圧縮歪量子井戸層24(圧縮歪量:1.0%/層厚:4nm)3層とi−AlGaInP障壁層23(基板21に対して格子整合/層厚:10nm)2層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層A2と、i−AlGaInP第2の光ガイド層25b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.04μm)と、p−AlGaInP第2のクラッド層22b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.1μm)と、p−GaAsエッチング阻止層26(層厚:0.05μm)と、p−AlGaInP第3のクラッド層22c(基板21に対して格子整合/層厚:1.0μm)とを順次形成し、この第3のクラッド層22c上にSiO絶縁層41を形成し(図2A)、この後通常のリソグラフィーにより絶縁層41の幅3μm程度のストライプ状部分を残して、そのストライプ状部分以外の絶縁層41を除去し(図2B)、この残されたストライプ状部分の絶縁層41をマスクとしてウエットエッチングによりエッチング阻止層26上面までの第3のクラッド層22cを除去してリッジストライプを形成し(図2C。このとき、エッチング液として塩酸系を用いると、エッチングがエッチング阻止層26で自動的に停止する。)、次に第3のクラッド層22cがエッチングにより除去された領域(リッジ部両脇)に選択的にn−GaAs電流狭窄層27(層厚:0.5μm)を形成し(図2D)、次いで残りの絶縁層41を除去し、露出している第3のクラッド層22cおよび電流狭窄層27の上面にp−GaAsコンタクト層29(層厚:0.2μm)を成長させ、さらにコンタクト層29の上面にp型電極層51を形成し、その後基板21の裏面研磨を行ってその裏面にn型電極層52を形成し、試料を劈開して形成した共振器面の一面に高反射率コート、他面に低反射率コートを施すことにより作製されるものである(図2E)。
光ガイド層25a・bについて、その作製方法は、有機金属気相成長法の他、固体あるいはガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法等を用いることもできる。また、同様に、それを構成する材料、圧縮歪量および層厚は、それぞれ必要に応じて適宜選択することができ、特に上記のものに限定されるものではない。
以下、本実施形態による半導体発光素子20の作用を説明する。
本実施形態による半導体発光素子20では、活性層A2の歪量1.0%以下の圧縮歪量を有する第2の光ガイド層25b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.04μm)および第2のクラッド層22b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.1μm)によって構成される圧縮歪緩衝層B2が、活性層A2上に隣接するように形成されている。
そして、本実施形態では上記式(1)の総和Sは、0.5%×0.04μm(第2の光ガイド層25bの圧縮歪量と層厚との積)+0.2%×0.1μm(第2のクラッド層22bの圧縮歪量と層厚との積)によって、0.04%・μmとなる。
さらに、第2の光ガイド層25bおよび第2のクラッド層22bの圧縮歪量を、それぞれΔ25bおよびΔ22bとすると、Δ25b>Δ22bという関係が成り立つ。
したがって、本実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
また、上記のような構造により、単一横モードを保ったまま、高いレベルの光出力のレーザ光を発生させることができ、100mW以上の高出力動作をさせても1万時間以上の高い信頼性を得ることが可能となる。
<第3の実施形態>
図3A〜図3Fは、第3の実施形態による半導体発光素子の層構成および作製方法を示した概略斜視図であり、図3Fは、この工程によって作成された第3の実施形態による半導体発光素子の概略斜視図である。本実施形態による半導体発光素子30は、活性層A3に光の導波方向へ利得波長が連続的に変化する構造を有し、半導体発光素子30の最上層のp型電極層51が光の導波方向へ、互いに絶縁された3つの電極51a、51bおよび51cに分離されたものである。互いに分離された各電極51a、51bおよび51cは、個別に注入電流の調整が可能である。
また、本実施形態の特徴は、活性層A3が、圧縮歪量子井戸層34(圧縮歪量:1.5%/層厚:4nm)により構成されていることと、圧縮歪緩衝層B3が、第2の光ガイド層35b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.02μm)と第2のクラッド層32b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.05μm)とによって構成されていることである。
なお、素子構造以外は本質的に第2の実施形態とほぼ同様の構成であるため、特に必要のない限り同様の構成の説明は省略する。
以下に、本実施形態による半導体発光素子30の具体的な構成および作製方法について図3A〜図3Eを用いて説明する。
n型GaAs基板上に第1回目の結晶成長工程にてn−InGaP第1のクラッド層32a(基板11に対して格子整合/層厚:1.5μm)を形成後、続けてSiO絶縁層41を形成し、選択的に絶縁層41をテーパ形状にパターニングする(図3A)。そして、第2回目の結晶成長工程にてテーパ形状の絶縁層41をマスクとして、i−GaAs第1の光ガイド層35a(層厚:0.1μm)、i−InGaAs高圧縮歪量子井戸層34(圧縮歪量:1.5%/層厚:4nm)、i−InGaAsP第2の光ガイド層35b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.02μm)、およびp−InGaP第2のクラッド層32b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.05μm)を選択成長させた後、絶縁層41を除去する(図3B)。絶縁層41を除去した後、第3回目の結晶成長工程にて全面にn−InGaPブロック層38(基板11に対して格子整合/層厚:1.0μm)を形成する(図3C)。その後、ストライプ状の活性層領域の上部にあるブロック層38の部分38aにイオン注入法によりp型ドーパントを打ち込み、ブロック層38のストライプ状の部分38aをp型化する(図3D)。続けて第4回目の結晶成長工程により、全面にp−GaAsコンタクト層39(層厚:0.2μm)を成長させ(図3E)、コンタクト層39上にp型電極層51を、基板31の裏面にn型電極層52をそれぞれ形成する(図3F)。このとき、図3Fに示すようにp型電極層51は活性層ストライプ軸方向に互いに分離した3つの電極51a、51bおよび51cを形成する場合には、p型電極層51の形成前に分離部にマスクを設けておくことにより3つの電極として形成してもよいし、全面に単一の電極層を設けた後に分離部の電極層を除去するようにして3つの電極として形成してもよい。
上記作製方法においては、テーパ形状のマスク(絶縁層41)を用いて選択成長させることにより、テーパの広がっている部分が狭い部分と比較してマスク(絶縁層41)に隣接する領域の成長が早くなる性質を利用している。この性質を利用することにより、マスク(絶縁層41)で挟まれたストライプ状の領域において導波方向に前方端面Fから後方端面に向けて徐々に厚みが変化した活性層A3を形成することができる。
以下、本実施形態による半導体発光素子30の作用を説明する。
本実施形態による半導体発光素子30では、活性層A3の歪量1.5%以下の圧縮歪量を有する第2の光ガイド層35b(圧縮歪量:0.5%/層厚:0.02μm)および第2のクラッド層32b(圧縮歪量:0.2%/層厚:0.05μm)によって構成される圧縮歪緩衝層B3が、活性層A3上に隣接するように形成されている。
そして、本実施形態では上記式(1)の総和Sは、0.5%×0.01μm(第2の光ガイド層35bの圧縮歪量と層厚との積)+0.2%×0.05μm(第2のクラッド層32bの圧縮歪量と層厚との積)によって、0.02%・μmとなる。
さらに、第2の光ガイド層35bおよび第2のクラッド層32bの圧縮歪量を、それぞれΔ35bおよびΔ32bとすると、Δ35b>Δ32bという関係が成り立つ。
したがって、本実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
また、上記のような構造により、活性層A3の厚みが異なるとその利得波長が異なり、厚みの薄い方が短波長側の光を発することが知られている。すなわち、出射端面である前方端面F側から後方端面側に徐々に厚みを厚くすることにより、前方端面F側が短波長側の利得波長となるように構成することができる。したがって、通常は自身の波長より長波長側の利得部で吸収されてしまう短波長の光が、前方端面Fに至るまでの導波路内で吸収されてしまうのを防ぐことが可能となる
なお、本発明による半導体発光素子10〜30は、通信、計測、医療、印刷、画像処理の分野での光源として応用可能である。また波長帯に関しても、上記実施形態ではGaAs基板を用いた1μm帯の波長の光を出力する半導体発光素子の例を示したが、GaN基板を用いた可視光半導体発光素子でもよく、活性層に歪量の大きな高圧縮歪量子井戸層を用いた半導体発光素子であれば本発明は有効である。
第1の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その1) 第1の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その2) 第1の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その3) 第1の実施形態による半導体発光素子を示す断面図 第2の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その1) 第2の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その2) 第2の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その3) 第2の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す断面図(その4) 第2の実施形態による半導体発光素子を示す断面図 第3の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す斜視図(その1) 第3の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す斜視図(その2) 第3の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す斜視図(その3) 第3の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す斜視図(その4) 第3の実施形態による半導体発光素子の作製工程を示す斜視図(その5) 第3の実施形態による半導体発光素子を示す斜視図
符号の説明
10 半導体発光素子
11 GaAs基板
12a〜d InGaPクラッド層
13a・b InGaAsP障壁層
14 InGaAs圧縮歪量子井戸層
19 GaAsコンタクト層
25a・b AlGaInP光ガイド層
26 GaAsエッチング阻止層
27 GaAs電流狭窄層
38 InGaPブロック層
41 SiO絶縁層
51、52 電極層
A1 活性層
B1 圧縮歪緩衝層

Claims (8)

  1. 導電型半導体基板上に、第1のクラッド層、前記導電型半導体基板に対する圧縮歪量が1%以上である高圧縮歪量子井戸層を少なくとも1層含む活性層、および第2のクラッド層が少なくともこの順に形成されてなる半導体発光素子において、
    前記活性層上に隣接するように形成された、前記活性層の歪量以下の前記圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層を有することを特徴とする半導体発光素子。
  2. 下記式(1)で表される、前記圧縮歪緩衝層を構成する層の前記圧縮歪量と層厚との積の総和Sが、下記式(2)を充足するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
    S=Σ(Δi×Ti) ・・・(1)
    0.2%・μm≧S≧0.02%・μm ・・・(2)
    (ここで、ΔiおよびTiは、それぞれ前記圧縮歪緩衝層の前記活性層側からi番目の層の前記圧縮歪量(単位:%)および前記層厚(単位:μm)であり、Σは前記圧縮歪緩衝層を構成する層のすべてにおいて足し合わせることを意味する。)
  3. 前記圧縮歪緩衝層を構成する層の前記圧縮歪量が、下記式(3)を充足するものであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
    Δ1≧Δ2≧・・・≧Δi≧・・・≧Δn ・・・(3)
    (ここで、Δiは前記圧縮歪緩衝層の前記活性層側からi番目の層の前記圧縮歪量であり、nは前記圧縮歪緩衝層を構成する層の総数である。)
  4. 前記圧縮歪緩衝層を構成するすべての層の前記層厚が、0.02〜1μmであることを特徴とする請求項1から3に記載の半導体発光素子。
  5. 前記圧縮歪緩衝層を構成するすべての層について、前記圧縮歪量と前記層厚との積が0.01%・μm以上であることを特徴とする請求項1から4に記載の半導体発光素子。
  6. 前記圧縮歪緩衝層が、障壁層、光ガイド層、前記第2のクラッド層からなる群より選択される少なくとも1層を含むものであることを特徴とする請求項1から5いずれかに記載の半導体発光素子。
  7. 前記第1のクラッド層および前記第2のクラッド層がInGaPにより構成されるものであり、前記圧縮歪量子井戸層がInGaAsにより構成されるものであることを特徴とする請求項1から6いずれかに記載の半導体発光素子。
  8. 前記第1のクラッド層および前記第2のクラッド層がAlGaInPにより構成されるものであり、前記圧縮歪量子井戸層がInGaPにより構成されるものであることを特徴とする請求項1から6いずれかに記載の半導体発光素子。
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