JP2009146558A - 磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成し、下地層上に磁気異方性エネルギーが106ないし108erg/ccである磁性物質からなり、単位記録領域である複数の磁性ドットを備える磁気記録媒体及びその製造方法である。ドットをなす磁性物質は、L10構造を有する。下地層は、磁気記録層と対向する結晶面が(001)面である。下地層は、磁気記録層と5ないし15%の格子不整合を有する。
【選択図】図1
Description
遷移金属窒化物は、高い電気伝導度を有するので、前記下地層16は、前記磁気記録層24の形成時にシード層の役割を行える。また、前記下地層16は、後述するように前記磁気記録層24内のドット22をなす物質の結晶性に影響を与える。遷移金属窒化物は、拡散バリヤーの特性を有するので、前記磁気記録層の熱処理時、前記下地層16は、ドットの元素と軟磁性層の元素とが相互拡散することを防止する。
12 軟磁性層
14 中間層
16 下地層
18 非磁性領域
22 ドット
24 磁気記録層
25 磁気記録媒体
Claims (25)
- 基板と、
前記基板上に遷移金属窒化物で形成された下地層と、
前記下地層上に、磁気異方性を有する磁性物質からなる複数のドットと、前記ドットを隔離させる前記磁性物質と異なる異種物質からなる非磁性領域とを備える磁気記録層と、を備えることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記ドットをなす磁性物質は、L10構造を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層は、前記磁気記録層と対向する結晶面が(001)面であることを特徴とする請求項2に記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層は、前記磁気記録層と5ないし15%の格子不整合を有することを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体。
- 前記遷移金属窒化物は、TiN,ZrN,HfN,VN,TaN,CrN,ScN,Mo2N及びW2Nからなる群から選択したいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記ドットをなす磁性物質は、磁気異方性エネルギーが106ないし108erg/ccであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記ドットは、Fe,Co及びPtのうち少なくとも一つを含む磁性物質からなることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記基板と下地層との間に介在される軟磁性層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記軟磁性層と下地層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の磁気記録媒体。
- 前記中間層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項9に記載の磁気記録媒体。
- 前記中間層は、レジン、SiO2、SiN及びAl2O3のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項9に記載の磁気記録媒体。
- 基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成する工程と、
前記下地層上に鋳型層を形成する工程と、
前記鋳型層をパターニングして、パターンの間に前記下地層を露出させる工程と、
前記パターンの間への下地層上に磁性物質を満たしてドットを形成する工程と、
前記ドットを熱処理してL10構造に形成する工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記下地層は、TiN,ZrN,HfN,VN,TaN,CrN,ScN,Mo2N及びW2Nからなる群から選択したいずれか一つで形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層の上部結晶面を(001)面で形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層を形成する前に、基板上に軟磁性層と中間層とを順次に形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記パターンの間の距離は、4nmないし10nmであることを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記鋳型層をパターニングしてパターンの間に前記下地層を露出させる工程は、ナノインプリント法、リソグラフィ法、または陽極酸化法を利用して形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記パターンの間への下地層上に磁性物質を満たしてドットを形成する工程は、電気メッキ法を利用して、Fe、Co及びPtのうち少なくとも一つを含む物質を積層して複数層に形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記パターンの間への下地層上に磁性物質を満たしてドットを形成する工程は、電気メッキ法を利用して、Fe、Co及びPtのうち少なくとも一つを含む物質を二つ以上交互に積層して複数層に形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記パターンの間への下地層上に磁性物質を満たしてドットを形成する工程は、電気メッキ法を利用して、Fe/Ptを複数層に形成することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記ドットを熱処理してL10構造に形成する工程は、前記ドットを200℃ないし400℃で熱処理することを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 遷移金属窒化物で形成された下地層と、
前記下地層上に形成されるL10構造の磁性層と、を備えることを特徴とする磁気薄膜構造体。 - 前記下地層は、前記磁性層と対向する結晶面が(001)面であり、前記磁性層と5ないし15%の格子不整合を有することを特徴とする請求項22に記載の磁気薄膜構造体。
- 前記遷移金属窒化物は、TiN,ZrN,HfN,VN,TaN,CrN,ScN,Mo2N及びW2Nからなる群から選択したいずれか一つであることを特徴とする請求項22に記載の磁気薄膜構造体。
- 前記磁性層は、Fe,Co及びPtのうち少なくとも一つを含む磁性物質からなることを特徴とする請求項22に記載の磁気薄膜構造体。
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