JP2003006853A - 磁気記録媒体の製造方法、 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法、Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度化の要求に答えることのできる新規な
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少な
くとも一つの遷移元素を含む第１の薄膜と、Ｐｔ及びＰ
ｄの少なくとも一方の白金属元素を含む第２の薄膜とを
積層させて積層体を形成する。次いで、前記積層体を所
定温度に加熱して、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜
間で相互拡散を生じさせ、前記少なくとも一つの遷移元
素と前記少なくとも一方の白金属元素とを合金化させ
る。
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少な
くとも一つの遷移元素を含む第１の薄膜と、Ｐｔ及びＰ
ｄの少なくとも一方の白金属元素を含む第２の薄膜とを
積層させて積層体を形成する。次いで、前記積層体を所
定温度に加熱して、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜
間で相互拡散を生じさせ、前記少なくとも一つの遷移元
素と前記少なくとも一方の白金属元素とを合金化させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴ技術の発展に伴い、情報を大量に記
録する技術の高密度化が切望されている。特に、ビット
単価が安く、高信頼性かつ大容量記録が可能な磁気記録
においては、高密度化を実現することのできる記録媒体
の開発が強く要求されている。
録する技術の高密度化が切望されている。特に、ビット
単価が安く、高信頼性かつ大容量記録が可能な磁気記録
においては、高密度化を実現することのできる記録媒体
の開発が強く要求されている。
【０００３】現在、この要求に対応することのできる媒
体材料としてはＣｏ−Ｃｒ系合金を例示することができ
る。このＣｏ−Ｃｒ系合金は、Ｃｏが主成分であるＣｏ
−Ｃｒの強磁性体微粒子が、Ｃｏ含有量の少ない非磁性
のＣｏ−Ｃｒ中に析出した構造を有する。したがって、
１ビットの記録単位が多くの微粒子によって構成され、
記録分解能の向上とビット間の境界が明確になることに
起因した記録ノイズの低減が実現されている。
体材料としてはＣｏ−Ｃｒ系合金を例示することができ
る。このＣｏ−Ｃｒ系合金は、Ｃｏが主成分であるＣｏ
−Ｃｒの強磁性体微粒子が、Ｃｏ含有量の少ない非磁性
のＣｏ−Ｃｒ中に析出した構造を有する。したがって、
１ビットの記録単位が多くの微粒子によって構成され、
記録分解能の向上とビット間の境界が明確になることに
起因した記録ノイズの低減が実現されている。
【０００４】しかしながら、上述した高密度記録の要求
に答えるためには、高い分解能と低記録ノイズとを保持
したまま、Ｃｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子の粒子サイズをさ
らに小さくする必要がある。また、各微粒子間の磁気的
結合を完全に遮断しなければならない。
に答えるためには、高い分解能と低記録ノイズとを保持
したまま、Ｃｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子の粒子サイズをさ
らに小さくする必要がある。また、各微粒子間の磁気的
結合を完全に遮断しなければならない。
【０００５】現状のＣｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子において
は、その粒子サイズが１０〜２０ｎｍ程度になると、熱
振動エネルギーが各微粒子の有する磁気エネルギーより
も大きくなってしまい、その強磁性特性を消失してしま
う（超常磁性現象）という問題があった。したがって、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金に代わる新たな高磁気異方性材料を見
出し、これを微粒子化する数多くの試みがなされてき
た。
は、その粒子サイズが１０〜２０ｎｍ程度になると、熱
振動エネルギーが各微粒子の有する磁気エネルギーより
も大きくなってしまい、その強磁性特性を消失してしま
う（超常磁性現象）という問題があった。したがって、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金に代わる新たな高磁気異方性材料を見
出し、これを微粒子化する数多くの試みがなされてき
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この結果、高磁気異方
性材料として、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）
合金が見出されるに至った。この合金は規則相（Ｌ１０
相）を有する場合において、上述したＣｏ−Ｃｒ系合金
に比べて約１桁高い磁気異方性エネルギーを有する。規
則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得
るには、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を
蒸着法又はスパッタリング法などによって薄膜状に作製
した後、６００〜７００℃で熱処理することが必要であ
る。
性材料として、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）
合金が見出されるに至った。この合金は規則相（Ｌ１０
相）を有する場合において、上述したＣｏ−Ｃｒ系合金
に比べて約１桁高い磁気異方性エネルギーを有する。規
則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得
るには、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を
蒸着法又はスパッタリング法などによって薄膜状に作製
した後、６００〜７００℃で熱処理することが必要であ
る。
【０００７】しかしながら、上述のような高温熱処理を
行なった場合においては、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐ
ｔ，Ｐｄ）合金の結晶粒成長が生じて粒子サイズが増大
してしまい、その結果、高密度記録を実現することがで
きないでいた。また、前記薄膜を支持する基板の変形を
引き起こし、その後の製品作製工程において数々の支障
をもたらしていた。
行なった場合においては、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐ
ｔ，Ｐｄ）合金の結晶粒成長が生じて粒子サイズが増大
してしまい、その結果、高密度記録を実現することがで
きないでいた。また、前記薄膜を支持する基板の変形を
引き起こし、その後の製品作製工程において数々の支障
をもたらしていた。
【０００８】本発明は、高密度化の要求に答えることの
できる新規な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
できる新規な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少なくと
も一つの遷移元素を含む第１の薄膜と、Ｐｔ及びＰｄの
少なくとも一方の白金属元素を含む第２の薄膜とを積層
させて積層体を形成する工程と、前記積層体を形成する
際、又は前記積層体を形成した後に、前記積層体を所定
温度に加熱して、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜間
で相互拡散を生じさせ、前記少なくとも一つの遷移元素
と前記少なくとも一方の白金属元素とを合金化させるこ
とを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関する。
本発明は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少なくと
も一つの遷移元素を含む第１の薄膜と、Ｐｔ及びＰｄの
少なくとも一方の白金属元素を含む第２の薄膜とを積層
させて積層体を形成する工程と、前記積層体を形成する
際、又は前記積層体を形成した後に、前記積層体を所定
温度に加熱して、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜間
で相互拡散を生じさせ、前記少なくとも一つの遷移元素
と前記少なくとも一方の白金属元素とを合金化させるこ
とを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【００１０】本発明者らは、高密度記録の要求に答える
ことのできる新規な磁気記録媒体を見出すべく鋭意検討
を行った。そして、高い磁気異方性を有する（Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金に着目し、安定な規則
相をより低い温度で生成させるべく数々の試みを行っ
た。
ことのできる新規な磁気記録媒体を見出すべく鋭意検討
を行った。そして、高い磁気異方性を有する（Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金に着目し、安定な規則
相をより低い温度で生成させるべく数々の試みを行っ
た。
【００１１】その結果、従来のように（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をスパッタリング法などの公
知の成膜方法によって単一かつ均一の薄膜として一括し
て形成する代わりに、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）薄膜及び
（Ｐｔ，Ｐｄ）薄膜を、それぞれ独立に積層させて形成
する。そして、このような積層過程、あるいは積層体形
成後において、前記積層体を所定温度に加熱し、前記
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）薄膜中におけるＦｅ、Ｃｏ、又は
Ｎｉ元素と、（Ｐｔ，Ｐｄ）薄膜中におけるＰｔ又はＰ
ｄ元素とを相互拡散させることにより、これらの元素同
士は極めて低い温度、具体的には３００〜５００℃で合
金化し、上述した規則相を生成することを見出した。
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をスパッタリング法などの公
知の成膜方法によって単一かつ均一の薄膜として一括し
て形成する代わりに、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）薄膜及び
（Ｐｔ，Ｐｄ）薄膜を、それぞれ独立に積層させて形成
する。そして、このような積層過程、あるいは積層体形
成後において、前記積層体を所定温度に加熱し、前記
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）薄膜中におけるＦｅ、Ｃｏ、又は
Ｎｉ元素と、（Ｐｔ，Ｐｄ）薄膜中におけるＰｔ又はＰ
ｄ元素とを相互拡散させることにより、これらの元素同
士は極めて低い温度、具体的には３００〜５００℃で合
金化し、上述した規則相を生成することを見出した。
【００１２】また、規則相の生成が上述したような低温
度で行われるため、相互拡散による合金化において結晶
粒成長が起こらず、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐ
ｄ）合金は微細な１０〜２０ｎｍ程度の大きさの粒子と
して存在することを見出した。本発明は、このような研
究の結果としてなされたものである。
度で行われるため、相互拡散による合金化において結晶
粒成長が起こらず、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐ
ｄ）合金は微細な１０〜２０ｎｍ程度の大きさの粒子と
して存在することを見出した。本発明は、このような研
究の結果としてなされたものである。
【００１３】本発明によれば、極めて低い温度で（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）及び（Ｐｔ，Ｐｄ）を合金し、規則相
の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得るこ
とができる。また、前記低合金温度に起因して結晶粒成
長を抑制することができ、規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）
−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を微粒子状態で得ることができ
る。さらに、前記低合金温度に起因して（Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成すべく支持基板の熱
変形を防止することができ、その後の製品作製工程を円
滑に実行することができる。
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）及び（Ｐｔ，Ｐｄ）を合金し、規則相
の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得るこ
とができる。また、前記低合金温度に起因して結晶粒成
長を抑制することができ、規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）
−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を微粒子状態で得ることができ
る。さらに、前記低合金温度に起因して（Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成すべく支持基板の熱
変形を防止することができ、その後の製品作製工程を円
滑に実行することができる。
【００１４】なお、本発明の好ましい態様においては、
前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる
前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微粒子
を含む遷移元素グラニュラー薄膜であり、前記第２の薄
膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白金属元素
からなる白金族元素微粒子を含む白金族元素グラニュラ
ー薄膜である。
前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる
前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微粒子
を含む遷移元素グラニュラー薄膜であり、前記第２の薄
膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白金属元素
からなる白金族元素微粒子を含む白金族元素グラニュラ
ー薄膜である。
【００１５】また、本発明の他の好ましい態様において
は、前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ば
れる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微
粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜であり、前記第２
の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白金属
元素からなる白金族元素薄膜である。
は、前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ば
れる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微
粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜であり、前記第２
の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白金属
元素からなる白金族元素薄膜である。
【００１６】さらに、本発明のその他の好ましい態様に
おいては、前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉか
ら選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移
元素薄膜であり、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前
記少なくとも一方の白金属元素からなる白金族元素微粒
子を含む白金族元素グラニュラー薄膜である。
おいては、前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉか
ら選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移
元素薄膜であり、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前
記少なくとも一方の白金属元素からなる白金族元素微粒
子を含む白金族元素グラニュラー薄膜である。
【００１７】このように本発明の好ましい態様において
は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少なくとも一つ
の遷移元素を含む前記第１の薄膜、並びにＰｔ及びＰｄ
の少なくとも一方の白金属元素を含む前記第２の薄膜の
少なくとも一方をグラニュラー薄膜として構成してい
る。すなわち、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜の少
なくとも一方には、前記遷移元素又は前記白金族元素か
らなる、所定の大きさの微粒子が予め存在する。
は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少なくとも一つ
の遷移元素を含む前記第１の薄膜、並びにＰｔ及びＰｄ
の少なくとも一方の白金属元素を含む前記第２の薄膜の
少なくとも一方をグラニュラー薄膜として構成してい
る。すなわち、前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜の少
なくとも一方には、前記遷移元素又は前記白金族元素か
らなる、所定の大きさの微粒子が予め存在する。
【００１８】したがって、加熱処理による相互拡散を通
じて合金化する際に、前記微粒子を中心として合金化が
行われるため、目的とする規則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子をより簡易に形成する
ことができる。
じて合金化する際に、前記微粒子を中心として合金化が
行われるため、目的とする規則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子をより簡易に形成する
ことができる。
【００１９】本発明のさらなる好ましい態様において
は、前記第１の薄膜及び／又は前記第２の薄膜をグラニ
ュラー薄膜として構成した場合、このグラニュラー薄膜
の母材をＡｇから構成する。これによって、規則相の
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をより低い
温度で得ることができる。具体的には、２００〜４００
℃で前記規則相の合金を作製することができる。
は、前記第１の薄膜及び／又は前記第２の薄膜をグラニ
ュラー薄膜として構成した場合、このグラニュラー薄膜
の母材をＡｇから構成する。これによって、規則相の
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をより低い
温度で得ることができる。具体的には、２００〜４００
℃で前記規則相の合金を作製することができる。
【００２０】また、本発明の他の好ましい態様において
は、前記第１の薄膜及び／又は前記第２の薄膜をグラニ
ュラー薄膜として構成した場合、このグラニュラー薄膜
中にＡｇ粒子を含有させる。この場合においても、規則
相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をより
低い温度で得ることができる。具体的には、２００〜４
００℃で前記規則相の合金を作製することができる。
は、前記第１の薄膜及び／又は前記第２の薄膜をグラニ
ュラー薄膜として構成した場合、このグラニュラー薄膜
中にＡｇ粒子を含有させる。この場合においても、規則
相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をより
低い温度で得ることができる。具体的には、２００〜４
００℃で前記規則相の合金を作製することができる。
【００２１】なお、グラニュラー薄膜とは、酸化物、窒
化物、又はフッ化物を母材とし、この母材中に微粒子が
分散して存在している状態の薄膜を総称するものであ
る。したがって、本発明の好ましい態様に従って磁気記
録媒体を作製した場合においては、グラニュラー薄膜を
構成する酸化物、窒化物、又はフッ化物からなる母材中
に、規則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合
金微粒子が分散して存在するようになる。
化物、又はフッ化物を母材とし、この母材中に微粒子が
分散して存在している状態の薄膜を総称するものであ
る。したがって、本発明の好ましい態様に従って磁気記
録媒体を作製した場合においては、グラニュラー薄膜を
構成する酸化物、窒化物、又はフッ化物からなる母材中
に、規則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合
金微粒子が分散して存在するようになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。本発明の好ましい態様に従
って、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選
ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素
微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜として構成し、
前記第２の薄膜を、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方
の白金属元素からなる白金族元素微粒子を含む白金族元
素グラニュラー薄膜として構成する場合は、前記遷移元
素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍであるこ
とが好ましく、さらには２．５〜５．０ｎｍであること
が好ましい。
に基づいて詳細に説明する。本発明の好ましい態様に従
って、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選
ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素
微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜として構成し、
前記第２の薄膜を、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方
の白金属元素からなる白金族元素微粒子を含む白金族元
素グラニュラー薄膜として構成する場合は、前記遷移元
素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍであるこ
とが好ましく、さらには２．５〜５．０ｎｍであること
が好ましい。
【００２３】同様に、前記白金族元素グラニュラー薄膜
の厚さが１．０〜２０ｎｍであることが好ましく、さら
には２．５〜５．０ｎｍであることが好ましい。これに
よって、これら第１の薄膜及び第２の薄膜からなる積層
体を加熱して相互拡散を生じさせ、合金化させて（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子を作製し
た際の、その微粒子径を十分に小さくすることができ
る。その結果、より高密度な記録を実現することができ
る。また、作製した磁気記録媒体の抗磁力を十分高める
ことができ、記録した情報を長期に亘って安定して保持
することができる。
の厚さが１．０〜２０ｎｍであることが好ましく、さら
には２．５〜５．０ｎｍであることが好ましい。これに
よって、これら第１の薄膜及び第２の薄膜からなる積層
体を加熱して相互拡散を生じさせ、合金化させて（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子を作製し
た際の、その微粒子径を十分に小さくすることができ
る。その結果、より高密度な記録を実現することができ
る。また、作製した磁気記録媒体の抗磁力を十分高める
ことができ、記録した情報を長期に亘って安定して保持
することができる。
【００２４】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュ
ラー薄膜中における前記白金族元素微粒子の含有率は、
２０〜９０体積％であることが好ましく、さらには４０
〜８０体積％であることが好ましい。
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュ
ラー薄膜中における前記白金族元素微粒子の含有率は、
２０〜９０体積％であることが好ましく、さらには４０
〜８０体積％であることが好ましい。
【００２５】これによって、加熱処理による合金化処理
を通じて得た磁気記録媒体中において、（Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた
微粒子として存在させることができるとともに、十分な
大きさの抗磁力を付与することができる。したがって、
高密度記録をより簡易に実現することができるととも
に、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供することがで
きる。
を通じて得た磁気記録媒体中において、（Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた
微粒子として存在させることができるとともに、十分な
大きさの抗磁力を付与することができる。したがって、
高密度記録をより簡易に実現することができるととも
に、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供することがで
きる。
【００２６】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎ
ｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍであるこ
とが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュラー薄
膜中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０
〜１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍ
であることが好ましい。
おける前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎ
ｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍであるこ
とが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュラー薄
膜中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０
〜１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍ
であることが好ましい。
【００２７】これによって、合金化して得た規則相（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子の大きさ
を十分小さく保持することができるとともに、この合金
微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高くするこ
とができる。したがって、より高密度な記録を可能とす
るとともに、記録した情報を長期に亘って保持すること
ができる。
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子の大きさ
を十分小さく保持することができるとともに、この合金
微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高くするこ
とができる。したがって、より高密度な記録を可能とす
るとともに、記録した情報を長期に亘って保持すること
ができる。
【００２８】また、本発明の他の好ましい態様に従っ
て、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ば
れる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微
粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜から構成し、前記
第２の薄膜を、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白
金属元素からなる白金族元素薄膜から構成する場合は、
前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎ
ｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．０ｎｍ
であることが好ましい。
て、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ば
れる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元素微
粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜から構成し、前記
第２の薄膜を、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白
金属元素からなる白金族元素薄膜から構成する場合は、
前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎ
ｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．０ｎｍ
であることが好ましい。
【００２９】同様に、前記白金族元素薄膜の厚さは０．
２〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製
した磁気記録媒体中に規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−
（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた微粒子と
して存在させることができるとともに、高い抗磁力を付
与することができる。したがって、高密度記録をより簡
易に実現することができるとともに、長期信頼性に富む
磁気記録媒体を提供することができる。
２〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製
した磁気記録媒体中に規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−
（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた微粒子と
して存在させることができるとともに、高い抗磁力を付
与することができる。したがって、高密度記録をより簡
易に実現することができるとともに、長期信頼性に富む
磁気記録媒体を提供することができる。
【００３０】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましい。これによって、加熱処理による合
金化処理を通じて得た磁気記録媒体中において、（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に
孤立させた微粒子として存在させることができるととも
に、十分な大きさの抗磁力を付与することができる。し
たがって、高密度記録をより簡易に実現することができ
るとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供する
ことができる。
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましい。これによって、加熱処理による合
金化処理を通じて得た磁気記録媒体中において、（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に
孤立させた微粒子として存在させることができるととも
に、十分な大きさの抗磁力を付与することができる。し
たがって、高密度記録をより簡易に実現することができ
るとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供する
ことができる。
【００３１】さらに、前記遷移元素グラニュラー薄膜中
における前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０
ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５ｎｍで
あることが好ましい。これによって、合金化して得た規
則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子
の大きさを十分小さく保持することができるとともに、
この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高
くすることができる。したがって、より高密度な記録を
可能とするとともに、記録した情報を長期に亘って保持
することができる。
における前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０
ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５ｎｍで
あることが好ましい。これによって、合金化して得た規
則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子
の大きさを十分小さく保持することができるとともに、
この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高
くすることができる。したがって、より高密度な記録を
可能とするとともに、記録した情報を長期に亘って保持
することができる。
【００３２】さらに、本発明のその他の好ましい態様に
従って、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから
選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元
素薄膜から構成し、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの
前記少なくとも一方の白金属元素からなる白金族元素微
粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜から構成する場
合、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
従って、前記第１の薄膜を、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから
選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる遷移元
素薄膜から構成し、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの
前記少なくとも一方の白金属元素からなる白金族元素微
粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜から構成する場
合、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
【００３３】同様に、前記遷移元素薄膜の厚さは０．２
〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製
した磁気記録媒体中に規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−
（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた微粒子と
して存在させることができるとともに、高い抗磁力を付
与することができる。したがって、高密度記録をより簡
易に実現することができるとともに、長期信頼性に富む
磁気記録媒体を提供することができる。
〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製
した磁気記録媒体中に規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−
（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十分に孤立させた微粒子と
して存在させることができるとともに、高い抗磁力を付
与することができる。したがって、高密度記録をより簡
易に実現することができるとともに、長期信頼性に富む
磁気記録媒体を提供することができる。
【００３４】また、前記白金族元素グラニュラー薄膜中
における前記白金族元素微粒子の含有率は、２０〜９０
体積％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積
％であることが好ましい。これによって、加熱処理によ
る合金化処理を通じて得た磁気記録媒体中において、
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十
分に孤立させた微粒子として存在させることができると
ともに、十分な大きさの抗磁力を付与することができ
る。したがって、高密度記録をより簡易に実現すること
ができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提
供することができる。
における前記白金族元素微粒子の含有率は、２０〜９０
体積％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積
％であることが好ましい。これによって、加熱処理によ
る合金化処理を通じて得た磁気記録媒体中において、
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を互いに十
分に孤立させた微粒子として存在させることができると
ともに、十分な大きさの抗磁力を付与することができ
る。したがって、高密度記録をより簡易に実現すること
ができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提
供することができる。
【００３５】さらに、前記白金族元素グラニュラー薄膜
中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０〜
１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍで
あることが好ましい。これによって、合金化して得た規
則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子
の大きさを十分小さく保持することができるとともに、
この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高
くすることができる。したがって、より高密度な記録を
可能とするとともに、記録した情報を長期に亘って保持
することができる。
中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０〜
１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍで
あることが好ましい。これによって、合金化して得た規
則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒子
の大きさを十分小さく保持することができるとともに、
この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を十分に高
くすることができる。したがって、より高密度な記録を
可能とするとともに、記録した情報を長期に亘って保持
することができる。
【００３６】上述したいずれの態様においても、第１の
薄膜と第２の薄膜とを所定の支持基板上に積層させて積
層体を形成することが必要である。前記積層体は、前記
第１の薄膜及び前記第２の薄膜を１層づつ積層させて形
成することもできるが、交互に２層以上積層させて形成
することもできる。
薄膜と第２の薄膜とを所定の支持基板上に積層させて積
層体を形成することが必要である。前記積層体は、前記
第１の薄膜及び前記第２の薄膜を１層づつ積層させて形
成することもできるが、交互に２層以上積層させて形成
することもできる。
【００３７】また、上述したいずれの態様においても、
グラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させることが好ま
しい。これによって、上記規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）
−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成するための加熱温度をより
低減することができる。
グラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させることが好ま
しい。これによって、上記規則相（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）
−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成するための加熱温度をより
低減することができる。
【００３８】Ａｇ粒子は、好ましくは前記グラニュラー
薄膜中に５〜８０体積％、さらに好ましくは１０〜２０
体積％含有させる。また、その大きさは平均直径で５〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには５〜１０ｎｍ
であることが好ましい。さらに、遷移元素グラニュラー
薄膜及び白金族元素グラニュラー薄膜を用いる場合は、
少なくとも一方に含有させる。
薄膜中に５〜８０体積％、さらに好ましくは１０〜２０
体積％含有させる。また、その大きさは平均直径で５〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには５〜１０ｎｍ
であることが好ましい。さらに、遷移元素グラニュラー
薄膜及び白金族元素グラニュラー薄膜を用いる場合は、
少なくとも一方に含有させる。
【００３９】本発明においては、積層体を好ましくは３
００〜５００℃で加熱すれば、上述した規則相（Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を作製することがで
き、特にグラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させた場
合においては、２００〜４００℃で加熱すれば、規則相
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を作製する
ことができる。
００〜５００℃で加熱すれば、上述した規則相（Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を作製することがで
き、特にグラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させた場
合においては、２００〜４００℃で加熱すれば、規則相
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を作製する
ことができる。
【００４０】なお、加熱処理時間は、第１の薄膜及び第
２の薄膜の厚さなどを考慮して適宜決定されるが、好ま
しくは０．５〜２時間である。
２の薄膜の厚さなどを考慮して適宜決定されるが、好ま
しくは０．５〜２時間である。
【００４１】なお、グラニュラー薄膜の母材を構成する
酸化物としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希
土類元素から選ばれる少なくとも一つの元素含む酸化物
を例示することができる。同様に、グラニュラー薄膜の
母材を構成する窒化物並びにフッ化物としては、Ｍｇ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希土類元素から選ばれる少
なくとも一つの元素を含む窒化物及びフッ化物を例示す
ることができる。
酸化物としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希
土類元素から選ばれる少なくとも一つの元素含む酸化物
を例示することができる。同様に、グラニュラー薄膜の
母材を構成する窒化物並びにフッ化物としては、Ｍｇ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希土類元素から選ばれる少
なくとも一つの元素を含む窒化物及びフッ化物を例示す
ることができる。
【００４２】さらに、グラニュラー薄膜の母材をＡｇか
ら構成することもできる。この場合においても、規則相
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成する
ための加熱温度をより低減することができる。具体的に
は、Ａｇ粒子を添加した場合と同様に、２００〜４００
℃まで低減することができる。
ら構成することもできる。この場合においても、規則相
（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を形成する
ための加熱温度をより低減することができる。具体的に
は、Ａｇ粒子を添加した場合と同様に、２００〜４００
℃まで低減することができる。
【００４３】このようにして得た磁気記録媒体中におけ
る前記（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒
子の平均直径は１０ｎｍ以下にまで微粒子化することが
できる。また、上記のようにして得た磁気記録媒体の抗
磁力は５ＫＯｅ以上まで向上する。したがって、高密度
かつ長期安定性に優れた磁気記録媒体を提供することが
できる。なお、超常磁性の出現を抑制するためには、前
記規則相合金微粒子の平均直径は３ｎｍ以上であること
が好ましい。
る前記（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金微粒
子の平均直径は１０ｎｍ以下にまで微粒子化することが
できる。また、上記のようにして得た磁気記録媒体の抗
磁力は５ＫＯｅ以上まで向上する。したがって、高密度
かつ長期安定性に優れた磁気記録媒体を提供することが
できる。なお、超常磁性の出現を抑制するためには、前
記規則相合金微粒子の平均直径は３ｎｍ以上であること
が好ましい。
【００４４】
【実施例】本発明の具体例を以下の実施例において示
す。 （実施例１）ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が分散してなる
Ｆｅグラニュラー薄膜と、ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が
分散してなるＰｔグラニュラー薄膜とを、交互に各２層
積層させて積層体を作製した後、１時間加熱処理を行
い、磁気記録媒体を作製した。
す。 （実施例１）ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が分散してなる
Ｆｅグラニュラー薄膜と、ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が
分散してなるＰｔグラニュラー薄膜とを、交互に各２層
積層させて積層体を作製した後、１時間加熱処理を行
い、磁気記録媒体を作製した。
【００４５】なお、加熱処理温度は３５０℃及び４００
℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー薄
膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率及び前記Ｐｔグラニ
ュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率をＰとし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さ及び前記Ｐｔグラニュ
ラー薄膜の厚さをｄとした。また、前記Ｆｅ微粒子及び
前記Ｐｔ微粒子の平均直径は、５ｎｍで一定とした。
℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー薄
膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率及び前記Ｐｔグラニ
ュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率をＰとし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さ及び前記Ｐｔグラニュ
ラー薄膜の厚さをｄとした。また、前記Ｆｅ微粒子及び
前記Ｐｔ微粒子の平均直径は、５ｎｍで一定とした。
【００４６】そして、加熱処理温度、体積含有率Ｐ、及
び厚さｄを変化させて得た磁気記録媒体毎に、その内部
に含まれる合金微粒子の大きさを測定するとともに、そ
の抗磁力及び抵抗率を測定した。結果を表１に示す。な
お、いずれの磁気記録媒体においても、加熱処理中にお
けるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前記
Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化しているこ
とが確認された。
び厚さｄを変化させて得た磁気記録媒体毎に、その内部
に含まれる合金微粒子の大きさを測定するとともに、そ
の抗磁力及び抵抗率を測定した。結果を表１に示す。な
お、いずれの磁気記録媒体においても、加熱処理中にお
けるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前記
Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化しているこ
とが確認された。
【００４７】
【表１】
【００４８】表１から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
【００４９】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
【００５０】（実施例２）ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が
分散してなるＦｅグラニュラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを、
交互に各２層積層させて積層体を作製した後、１時間加
熱処理を行い、磁気記録媒体を作製した。なお、加熱処
理温度は３５０℃及び４００℃の２種類を設定した。ま
た、前記Ｆｅグラニュラー薄膜中の前記Ｆｅ微粒子の体
積含有率Ｐを０．５とし、前記Ｆｅグラニュラー薄膜の
厚さｄｇを２．０ｎｍとし、前記Ｐｔ薄膜の厚さをｄｐ
を１．０ｎｍとした。また、前記Ｆｅ微粒子の平均直径
は、５ｎｍとした。結果を表２に示す。
分散してなるＦｅグラニュラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを、
交互に各２層積層させて積層体を作製した後、１時間加
熱処理を行い、磁気記録媒体を作製した。なお、加熱処
理温度は３５０℃及び４００℃の２種類を設定した。ま
た、前記Ｆｅグラニュラー薄膜中の前記Ｆｅ微粒子の体
積含有率Ｐを０．５とし、前記Ｆｅグラニュラー薄膜の
厚さｄｇを２．０ｎｍとし、前記Ｐｔ薄膜の厚さをｄｐ
を１．０ｎｍとした。また、前記Ｆｅ微粒子の平均直径
は、５ｎｍとした。結果を表２に示す。
【００５１】なお、この場合においても、加熱処理中に
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
【００５４】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
【００５５】（実施例３）ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が
分散してなるＰｔグラニュラー薄膜と、Ｆｅ薄膜とを、
交互に各２層積層させて積層体を作製した後、１時間加
熱処理を行い、磁気記録媒体を作製した。なお、加熱処
理温度は３５０℃及び４００℃の２種類を設定した。ま
た、前記Ｐｔグラニュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体
積含有率Ｐを０．５とし、前記Ｐｔグラニュラー薄膜の
厚さｄｇは５．０ｎｍ，２．０ｎｍ，及び１．０ｎｍの
３種類を設定し、前記Ｆｅ薄膜の厚さｄｐは２．５ｎｍ
及び１．０ｎｍの２種類を設定した。また、前記Ｐｔ微
粒子の平均直径は５ｎｍで一定とした。結果を表３に示
す。
分散してなるＰｔグラニュラー薄膜と、Ｆｅ薄膜とを、
交互に各２層積層させて積層体を作製した後、１時間加
熱処理を行い、磁気記録媒体を作製した。なお、加熱処
理温度は３５０℃及び４００℃の２種類を設定した。ま
た、前記Ｐｔグラニュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体
積含有率Ｐを０．５とし、前記Ｐｔグラニュラー薄膜の
厚さｄｇは５．０ｎｍ，２．０ｎｍ，及び１．０ｎｍの
３種類を設定し、前記Ｆｅ薄膜の厚さｄｐは２．５ｎｍ
及び１．０ｎｍの２種類を設定した。また、前記Ｐｔ微
粒子の平均直径は５ｎｍで一定とした。結果を表３に示
す。
【００５６】なお、この場合においても、加熱処理中に
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
【００５７】
【表３】
【００５８】表３から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
【００５９】さらに、Ｐｔグラニュラー薄膜の厚さｄｇ
が５．０ｎｍであり、Ｆｅ薄膜の厚さｄｐが２．５ｎｍ
であり、加熱処理温度が３５０℃である場合において、
磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃは３．５ＫＯｅと比較的小さ
くなるが、その他の場合においては５ＫＯｅ以上の高い
抗磁力Ｈｃを示す。したがって、この場合においても、
磁気記録媒体を構成するＦｅＰｔ微粒子は、ＦｅＰｔ合
金の規則相から構成されていることが分かる。また、こ
の規則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下
地層を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって
確認された。
が５．０ｎｍであり、Ｆｅ薄膜の厚さｄｐが２．５ｎｍ
であり、加熱処理温度が３５０℃である場合において、
磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃは３．５ＫＯｅと比較的小さ
くなるが、その他の場合においては５ＫＯｅ以上の高い
抗磁力Ｈｃを示す。したがって、この場合においても、
磁気記録媒体を構成するＦｅＰｔ微粒子は、ＦｅＰｔ合
金の規則相から構成されていることが分かる。また、こ
の規則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下
地層を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって
確認された。
【００６０】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
おおよそ５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分
な高密度記録が可能であるとともに、記録した情報を長
期に亘って保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
おおよそ５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分
な高密度記録が可能であるとともに、記録した情報を長
期に亘って保持することができる。
【００６１】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高密度化の要求に答えることのできる新規な磁気記録媒
体を提供することができる。
高密度化の要求に答えることのできる新規な磁気記録媒
体を提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 桜井 伴明
宮城県亘理郡亘理町荒浜水神74
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 BB08 EA02
EA03 FA09
5D112 AA05 BB06 BB10 FA01 GB01
5E049 AA01 AA04 AA07 BA06 CB01
EB06
Claims (36)
- 【請求項１】 Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉから選ばれる少な
くとも一つの遷移元素を含む第１の薄膜と、Ｐｔ及びＰ
ｄの少なくとも一方の白金属元素を含む第２の薄膜とを
積層させて積層体を形成する工程と、 前記積層体を形成する際、又は前記積層体を形成した後
に、前記積層体を所定温度に加熱して、前記第１の薄膜
及び前記第２の薄膜間で相互拡散を生じさせ、前記少な
くとも一つの遷移元素と前記少なくとも一方の白金属元
素とを合金化させることを特徴とする、磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮ
ｉから選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からなる
遷移元素微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜であっ
て、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも
一方の白金属元素からなる白金族元素微粒子を含む白金
族元素グラニュラー薄膜であることを特徴とする、請求
項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが
１．０〜２０ｎｍであり、前記白金族元素グラニュラー
薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍであることを特徴とす
る、請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記遷移元素微粒子の含有量が、２０〜９０体積％で
あり、前記白金族元素グラニュラー薄膜中における前記
白金族元素微粒子の含有量が、２０〜９０体積％である
ことを特徴とする、請求項２又は３に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項５】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記遷移元素微粒子の平均直径が、１．０〜１０ｎｍ
であり、前記白金族元素グラニュラー薄膜中における前
記白金族元素微粒子の平均直径が、１．０〜１０ｎｍで
あることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 前記遷移元素グラニュラー薄膜及び前記
白金族元素グラニュラー薄膜の少なくとも一方を構成す
る母材が、Ａｇから構成されることを特徴とする、請求
項２〜５のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項７】 前記遷移元素グラニュラー薄膜及び前記
白金族元素グラニュラー薄膜の少なくとも一方において
Ａｇ粒子を含有させることを特徴とする、請求項２〜５
のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 前記Ａｇ粒子の含有量が５〜８０体積％
であることを特徴とする、請求項７に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項９】 前記Ａｇ粒子の平均直径が、５〜２０ｎ
ｍであることを特徴とする、請求項７又は８に記載の磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記積層体の加熱温度が３００〜５０
０℃であることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか
一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記積層体の加熱温度が２００〜４０
０℃であることを特徴とする、請求項６〜１０のいずれ
か一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及び
Ｎｉから選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からな
る遷移元素微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜であ
って、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及びＰｄの前記少なくと
も一方の白金属元素からなる白金族元素薄膜であること
を特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さ
が１．０〜２０ｎｍであり、前記白金族元素薄膜の厚さ
が０．２〜１８ｎｍであることを特徴とする、請求項１
２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中にお
ける前記遷移元素微粒子の含有量が、２０〜９０体積％
であることを特徴とする、請求項１２又は１３に記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中にお
ける前記遷移元素微粒子の平均直径が、１．０〜１０ｎ
ｍであることを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれ
か一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記遷移元素グラニュラー薄膜を構成
する母材がＡｇから構成されることを特徴とする、請求
項１２〜１５のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項１７】 前記遷移元素グラニュラー薄膜におい
てＡｇ粒子を含有させることを特徴とする、請求項１２
〜１５のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記Ａｇ粒子の含有量が５〜８０体積
％であることを特徴とする、請求項１７に記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】 前記Ａｇ粒子の平均直径が、５〜２０
ｎｍであることを特徴とする、請求項１７又は１８に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 前記積層体の加熱温度が３００〜５０
０℃であることを特徴とする、請求項１２〜１５のいず
れか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２１】 前記積層体の加熱温度が２００〜４０
０℃であることを特徴とする、請求項１６〜２０のいず
れか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２２】 前記第１の薄膜は、Ｃｏ、Ｆｅ、及び
Ｎｉから選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素からな
る遷移元素薄膜であって、前記第２の薄膜は、Ｐｔ及び
Ｐｄの前記少なくとも一方の白金属元素からなる白金族
元素微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜であるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２３】 前記遷移元素薄膜の厚さが０．２〜１
８ｎｍであり、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さ
が１．０〜２０ｎｍであることを特徴とする、請求項２
２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２４】 前記白金族元素グラニュラー薄膜中に
おける前記白金族元素微粒子の含有量が、２０〜９０体
積％であることを特徴とする、請求項２２又は２３に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２５】 前記白金族元素グラニュラー薄膜中に
おける前記白金族元素微粒子の平均直径が、１．０〜１
０ｎｍであることを特徴とする、請求項２２〜２４のい
ずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２６】 前記白金族元素グラニュラー薄膜を構
成する母材が、Ａｇから構成されることを特徴とする、
請求項２２〜２５のいずれか一に記載の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２７】 前記白金族元素グラニュラー薄膜にお
いてＡｇ粒子を含有させることを特徴とする、請求項２
２〜２５のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２８】 前記Ａｇ粒子の含有量が５〜８０体積
％であることを特徴とする、請求項２７に記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項２９】 前記Ａｇ粒子の平均直径が、５〜２０
ｎｍであることを特徴とする、請求項２７又は２８に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３０】 前記積層体の加熱温度が３００〜５０
０℃であることを特徴とする、請求項２２〜２５のいず
れか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３１】 前記積層体の加熱温度が２００〜４０
０℃であることを特徴とする、請求項２６〜３０のいず
れか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３２】 前記磁気記録媒体は、Ｃｏ、Ｆｅ、及
びＮｉから選ばれる前記少なくとも一つの遷移元素と、
Ｐｔ及びＰｄの前記少なくとも一方の白金属元素との合
金からなる微粒子を含むグラニュラー構造を呈すること
を特徴とする、請求項１〜３１のいずれか一に記載の磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３３】 前記微粒子の平均直径が１０ｎｍ以下
であることを特徴とする、請求項３２に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項３４】 前記磁気記録媒体の抗磁力が５ＫＯｅ
以上であることを特徴とする、請求項３２又は３３に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３５】 前記磁気記録媒体は、Ａｇを母材とし
て含むことを特徴とする、請求項３２〜３４のいずれか
一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３６】 前記磁気記録媒体は、Ａｇ粒子を含む
ことを特徴とする、請求項３２〜３４のいずれか一に記
載の磁気記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP2001192638A JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US10/178,592 US6623789B2 (en) | 2001-06-26 | 2002-06-25 | Method for fabricating a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192638A JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
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|---|---|
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Family
ID=19031066
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|---|---|---|---|
| JP2001192638A Expired - Lifetime JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
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| JP (1) | JP3507892B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034094A1 (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Nihon University | 情報記録媒体及びその製造方法 |
| JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2009146558A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US9595282B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-03-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a L10-type ordered alloy |
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|---|---|---|---|---|
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2001
- 2001-06-26 JP JP2001192638A patent/JP3507892B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-25 US US10/178,592 patent/US6623789B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
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