JP3507892B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JP3507892B2 JP3507892B2 JP2001192638A JP2001192638A JP3507892B2 JP 3507892 B2 JP3507892 B2 JP 3507892B2 JP 2001192638 A JP2001192638 A JP 2001192638A JP 2001192638 A JP2001192638 A JP 2001192638A JP 3507892 B2 JP3507892 B2 JP 3507892B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- fine particles
- magnetic recording
- recording medium
- granular thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 124
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 88
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 31
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical class [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000772 tip-enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴ技術の発展に伴い、情報を大量に記
録する技術の高密度化が切望されている。特に、ビット
単価が安く、高信頼性かつ大容量記録が可能な磁気記録
においては、高密度化を実現することのできる記録媒体
の開発が強く要求されている。
録する技術の高密度化が切望されている。特に、ビット
単価が安く、高信頼性かつ大容量記録が可能な磁気記録
においては、高密度化を実現することのできる記録媒体
の開発が強く要求されている。
【０００３】現在、この要求に対応することのできる媒
体材料としてはＣｏ−Ｃｒ系合金を例示することができ
る。このＣｏ−Ｃｒ系合金は、Ｃｏが主成分であるＣｏ
−Ｃｒの強磁性体微粒子が、Ｃｏ含有量の少ない非磁性
のＣｏ−Ｃｒ中に析出した構造を有する。したがって、
１ビットの記録単位が多くの微粒子によって構成され、
記録分解能の向上とビット間の境界が明確になることに
起因した記録ノイズの低減が実現されている。
体材料としてはＣｏ−Ｃｒ系合金を例示することができ
る。このＣｏ−Ｃｒ系合金は、Ｃｏが主成分であるＣｏ
−Ｃｒの強磁性体微粒子が、Ｃｏ含有量の少ない非磁性
のＣｏ−Ｃｒ中に析出した構造を有する。したがって、
１ビットの記録単位が多くの微粒子によって構成され、
記録分解能の向上とビット間の境界が明確になることに
起因した記録ノイズの低減が実現されている。
【０００４】しかしながら、上述した高密度記録の要求
に答えるためには、高い分解能と低記録ノイズとを保持
したまま、Ｃｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子の粒子サイズをさ
らに小さくする必要がある。また、各微粒子間の磁気的
結合を完全に遮断しなければならない。
に答えるためには、高い分解能と低記録ノイズとを保持
したまま、Ｃｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子の粒子サイズをさ
らに小さくする必要がある。また、各微粒子間の磁気的
結合を完全に遮断しなければならない。
【０００５】現状のＣｏ−Ｃｒ系強磁性微粒子において
は、その粒子サイズが１０〜２０ｎｍ程度になると、熱
振動エネルギーが各微粒子の有する磁気エネルギーより
も大きくなってしまい、その強磁性特性を消失してしま
う（超常磁性現象）という問題があった。したがって、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金に代わる新たな高磁気異方性材料を見
出し、これを微粒子化する数多くの試みがなされてき
た。
は、その粒子サイズが１０〜２０ｎｍ程度になると、熱
振動エネルギーが各微粒子の有する磁気エネルギーより
も大きくなってしまい、その強磁性特性を消失してしま
う（超常磁性現象）という問題があった。したがって、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金に代わる新たな高磁気異方性材料を見
出し、これを微粒子化する数多くの試みがなされてき
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この結果、高磁気異方
性材料として、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）
合金が見出されるに至った。この合金は規則相（Ｌ１０
相）を有する場合において、上述したＣｏ−Ｃｒ系合金
に比べて約１桁高い磁気異方性エネルギーを有する。規
則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得
るには、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を
蒸着法又はスパッタリング法などによって薄膜状に作製
した後、６００〜７００℃で熱処理することが必要であ
る。
性材料として、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）
合金が見出されるに至った。この合金は規則相（Ｌ１０
相）を有する場合において、上述したＣｏ−Ｃｒ系合金
に比べて約１桁高い磁気異方性エネルギーを有する。規
則相の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を得
るには、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金を
蒸着法又はスパッタリング法などによって薄膜状に作製
した後、６００〜７００℃で熱処理することが必要であ
る。
【０００７】しかしながら、上述のような高温熱処理を
行なった場合においては、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐ
ｔ，Ｐｄ）合金の結晶粒成長が生じて粒子サイズが増大
してしまい、その結果、高密度記録を実現することがで
きないでいた。また、前記薄膜を支持する基板の変形を
引き起こし、その後の製品作製工程において数々の支障
をもたらしていた。
行なった場合においては、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ｐ
ｔ，Ｐｄ）合金の結晶粒成長が生じて粒子サイズが増大
してしまい、その結果、高密度記録を実現することがで
きないでいた。また、前記薄膜を支持する基板の変形を
引き起こし、その後の製品作製工程において数々の支障
をもたらしていた。
【０００８】本発明は、高密度化の要求に答えることの
できる新規な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
できる新規な磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、Ｆｅ微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜
と、Ｐｔ微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜とを
積層させて積層体を形成する工程と、前記積層体を形成
する際、又は前記積層体を形成した後に、前記積層体を
所定温度に加熱して、前記遷移元素グラニュラー薄膜及
び白金族元素グラニュラー薄膜間で相互拡散を生じさ
せ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させることを特徴とする、磁
気記録媒体の製造方法に関する。
本発明は、Ｆｅ微粒子を含む遷移元素グラニュラー薄膜
と、Ｐｔ微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜とを
積層させて積層体を形成する工程と、前記積層体を形成
する際、又は前記積層体を形成した後に、前記積層体を
所定温度に加熱して、前記遷移元素グラニュラー薄膜及
び白金族元素グラニュラー薄膜間で相互拡散を生じさ
せ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させることを特徴とする、磁
気記録媒体の製造方法に関する。
【００１０】また、本発明は、Ｆｅ微粒子を含む遷移元
素グラニュラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを積層させて積層体
を形成する工程と、前記積層体を形成する際、又は前記
積層体を形成した後に、前記積層体を所定温度に加熱し
て、前記遷移元素グラニュラー薄膜及び前記Ｐｔ薄膜間
で相互拡散を生じさせ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させるこ
とを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関する。
素グラニュラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを積層させて積層体
を形成する工程と、前記積層体を形成する際、又は前記
積層体を形成した後に、前記積層体を所定温度に加熱し
て、前記遷移元素グラニュラー薄膜及び前記Ｐｔ薄膜間
で相互拡散を生じさせ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させるこ
とを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【００１１】さらに、本発明は、Ｆｅ薄膜と、Ｐｔ微粒
子を含む白金族元素グラニュラー薄膜とを積層させて積
層体を形成する工程と、前記積層体を形成する際、又は
前記積層体を形成した後に、前記積層体を所定温度に加
熱して、前記Ｆｅ薄膜及び前記白金族元素グラニュラー
薄膜間で相互拡散を生じさせ、Ｆｅ及びＰｔを合金化さ
せることを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
子を含む白金族元素グラニュラー薄膜とを積層させて積
層体を形成する工程と、前記積層体を形成する際、又は
前記積層体を形成した後に、前記積層体を所定温度に加
熱して、前記Ｆｅ薄膜及び前記白金族元素グラニュラー
薄膜間で相互拡散を生じさせ、Ｆｅ及びＰｔを合金化さ
せることを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
【００１２】本発明者らは、高密度記録の要求に答える
ことのできる新規な磁気記録媒体を見出すべく鋭意検討
を行った。そして、高い磁気異方性を有する（Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金に着目し、安定な規則
相をより低い温度で生成させるべく数々の試みを行っ
た。
ことのできる新規な磁気記録媒体を見出すべく鋭意検討
を行った。そして、高い磁気異方性を有する（Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金に着目し、安定な規則
相をより低い温度で生成させるべく数々の試みを行っ
た。
【００１３】その結果、従来のように（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をスパッタリング法などの公
知の成膜方法によって単一かつ均一の薄膜として一括し
て形成する代わりに、Ｆｅ薄膜及びＰｔ薄膜を、それぞ
れ独立に積層させて形成する。そして、このような積層
過程、あるいは積層体形成後において、前記積層体を所
定温度に加熱し、前記Ｆｅ薄膜中におけるＦｅ元素と、
前記Ｐｔ薄膜中におけるＰｔ元素とを相互拡散させるこ
とにより、これらの元素同士は極めて低い温度、具体的
には３００〜５００℃で合金化し、上述した規則相を生
成することを見出した。
ｉ）−（Ｐｔ，Ｐｄ）合金をスパッタリング法などの公
知の成膜方法によって単一かつ均一の薄膜として一括し
て形成する代わりに、Ｆｅ薄膜及びＰｔ薄膜を、それぞ
れ独立に積層させて形成する。そして、このような積層
過程、あるいは積層体形成後において、前記積層体を所
定温度に加熱し、前記Ｆｅ薄膜中におけるＦｅ元素と、
前記Ｐｔ薄膜中におけるＰｔ元素とを相互拡散させるこ
とにより、これらの元素同士は極めて低い温度、具体的
には３００〜５００℃で合金化し、上述した規則相を生
成することを見出した。
【００１４】また、規則相の生成が上述したような低温
度で行われるため、相互拡散による合金化において結晶
粒成長が起こらず、Ｆｅ−Ｐｔ合金は微細な１０〜２０
ｎｍ程度の大きさの粒子として存在することを見出し
た。本発明は、このような研究の結果としてなされたも
のである。
度で行われるため、相互拡散による合金化において結晶
粒成長が起こらず、Ｆｅ−Ｐｔ合金は微細な１０〜２０
ｎｍ程度の大きさの粒子として存在することを見出し
た。本発明は、このような研究の結果としてなされたも
のである。
【００１５】本発明によれば、極めて低い温度でＦｅ及
びＰｔを合金し、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金を得ることが
できる。また、前記低合金温度に起因して結晶粒成長を
抑制することができ、規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を微粒子状
態で得ることができる。さらに、前記低合金温度に起因
してＦｅ−Ｐｔ合金を形成すべく支持基板の熱変形を防
止することができ、その後の製品作製工程を円滑に実行
することができる。
びＰｔを合金し、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金を得ることが
できる。また、前記低合金温度に起因して結晶粒成長を
抑制することができ、規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を微粒子状
態で得ることができる。さらに、前記低合金温度に起因
してＦｅ−Ｐｔ合金を形成すべく支持基板の熱変形を防
止することができ、その後の製品作製工程を円滑に実行
することができる。
【００１６】本発明において、前記Ｆｅ薄膜及び前記Ｐ
ｔ薄膜の少なくとも一方はグラニュラー薄膜とする。具
体的には、上述したように、前記Ｆｅ薄膜及び前記Ｐｔ
薄膜の双方をグラニュラー薄膜とするか、いずれか一方
のみをグラニュラー薄膜とする。この場合、Ｆｅグラニ
ュラー薄膜及びＰｔグラニュラー薄膜は、それぞれＦｅ
微粒子及びＰｔ微粒子を予め含むようになるので、加熱
処理による相互拡散を通じて合金化する際に、前記微粒
子を中心として合金化が行われるため、目的とする規則
相のＦｅ−Ｐｔ合金微粒子をより簡易に形成することが
できる。
ｔ薄膜の少なくとも一方はグラニュラー薄膜とする。具
体的には、上述したように、前記Ｆｅ薄膜及び前記Ｐｔ
薄膜の双方をグラニュラー薄膜とするか、いずれか一方
のみをグラニュラー薄膜とする。この場合、Ｆｅグラニ
ュラー薄膜及びＰｔグラニュラー薄膜は、それぞれＦｅ
微粒子及びＰｔ微粒子を予め含むようになるので、加熱
処理による相互拡散を通じて合金化する際に、前記微粒
子を中心として合金化が行われるため、目的とする規則
相のＦｅ−Ｐｔ合金微粒子をより簡易に形成することが
できる。
【００１７】上述したグラニュラー薄膜の母材はＡｇか
ら構成することが好ましい。これによって、規則相のＦ
ｅ−Ｐｔ合金をより低い温度で得ることができる。具体
的には、２００〜４００℃で前記規則相の合金を作製す
ることができる。
ら構成することが好ましい。これによって、規則相のＦ
ｅ−Ｐｔ合金をより低い温度で得ることができる。具体
的には、２００〜４００℃で前記規則相の合金を作製す
ることができる。
【００１８】また、上述したグラニュラー薄膜中にＡｇ
粒子を含有させることが好ましい。この場合において
も、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金をより低い温度で得ること
ができる。具体的には、２００〜４００℃で前記規則相
の合金を作製することができる。
粒子を含有させることが好ましい。この場合において
も、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金をより低い温度で得ること
ができる。具体的には、２００〜４００℃で前記規則相
の合金を作製することができる。
【００１９】なお、グラニュラー薄膜とは、酸化物、窒
化物、又はフッ化物を母材とし、この母材中に微粒子が
分散して存在している状態の薄膜を総称するものであ
る。 したがって、最終的に得た磁気記録媒体は、グラ
ニュラー薄膜を構成する酸化物、窒化物、又はフッ化物
からなる母材中に、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金微粒子が分
散して存在するようになる。
化物、又はフッ化物を母材とし、この母材中に微粒子が
分散して存在している状態の薄膜を総称するものであ
る。 したがって、最終的に得た磁気記録媒体は、グラ
ニュラー薄膜を構成する酸化物、窒化物、又はフッ化物
からなる母材中に、規則相のＦｅ−Ｐｔ合金微粒子が分
散して存在するようになる。
【００２０】本発明において、前記Ｆｅ薄膜はＣｏ及び
Ｎｉの少なくとも一方を含有させることができる。ま
た、前記Ｐｔ薄膜はＰｄを含むことができる。Ｆｅグラ
ニュラー薄膜において、Ｆｅ微粒子同様に、Ｃｏ及びＮ
ｉは所定の母材中において微粒子として存在するように
なる。Ｐｔグラニュラー薄膜において、Ｐｔ微粒子同様
に、ＰｄはＰｄ微粒子として存在するようになる。
Ｎｉの少なくとも一方を含有させることができる。ま
た、前記Ｐｔ薄膜はＰｄを含むことができる。Ｆｅグラ
ニュラー薄膜において、Ｆｅ微粒子同様に、Ｃｏ及びＮ
ｉは所定の母材中において微粒子として存在するように
なる。Ｐｔグラニュラー薄膜において、Ｐｔ微粒子同様
に、ＰｄはＰｄ微粒子として存在するようになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。Ｆｅ微粒子を含む遷移元素
グラニュラー薄膜及びＰｔ微粒子を含む白金族元素グラ
ニュラー薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する場合、前
記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍ
であることが好ましく、さらには１．０〜２．５ｎｍで
あることが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュ
ラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍであることが好まし
く、さらには１．０〜２．５ｎｍであることが好まし
い。
に基づいて詳細に説明する。Ｆｅ微粒子を含む遷移元素
グラニュラー薄膜及びＰｔ微粒子を含む白金族元素グラ
ニュラー薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する場合、前
記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍ
であることが好ましく、さらには１．０〜２．５ｎｍで
あることが好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュ
ラー薄膜の厚さが１．０〜２０ｎｍであることが好まし
く、さらには１．０〜２．５ｎｍであることが好まし
い。
【００２２】これによって、前記遷移元素グラニュラー
薄膜及びＰｔ微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜
からなる積層体を加熱して相互拡散を生じさせ、合金化
させてＦｅ−Ｐｔ合金微粒子を作製した際の、その微粒
子径を十分に小さくすることができる。その結果、より
高密度な記録を実現することができる。また、作製した
磁気記録媒体の抗磁力を十分高めることができ、記録し
た情報を長期に亘って安定して保持することができる。
薄膜及びＰｔ微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜
からなる積層体を加熱して相互拡散を生じさせ、合金化
させてＦｅ−Ｐｔ合金微粒子を作製した際の、その微粒
子径を十分に小さくすることができる。その結果、より
高密度な記録を実現することができる。また、作製した
磁気記録媒体の抗磁力を十分高めることができ、記録し
た情報を長期に亘って安定して保持することができる。
【００２３】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記Ｆｅ微粒子の含有率は、２０〜９０体積％で
あることが好ましく、さらには４０〜８０体積％である
ことが好ましく、特には５０〜８０体積％であることが
好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュラー薄膜中
における前記Ｐｔ微粒子の含有率は、２０〜９０体積％
であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％であ
ることが好ましく、特には５０〜８０体積％であること
が好ましい。
おける前記Ｆｅ微粒子の含有率は、２０〜９０体積％で
あることが好ましく、さらには４０〜８０体積％である
ことが好ましく、特には５０〜８０体積％であることが
好ましい。同様に、前記白金族元素グラニュラー薄膜中
における前記Ｐｔ微粒子の含有率は、２０〜９０体積％
であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％であ
ることが好ましく、特には５０〜８０体積％であること
が好ましい。
【００２４】これによって、加熱処理による合金化処理
を通じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金
を互いに十分に孤立させた微粒子として存在させること
ができるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与するこ
とができる。したがって、高密度記録をより簡易に実現
することができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録
媒体を提供することができる。
を通じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金
を互いに十分に孤立させた微粒子として存在させること
ができるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与するこ
とができる。したがって、高密度記録をより簡易に実現
することができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録
媒体を提供することができる。
【００２５】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記Ｆｅ微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎｍで
あることが好ましく、さらには３〜５ｎｍであることが
好ましく、特には１．０ｎｍであることが好ましい。同
様に、前記白金族元素グラニュラー薄膜中における前記
Ｐｔ微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎｍであることが
好ましく、さらには３〜５ｎｍであることが好ましく、
特には１．０ｎｍであることが好ましい。
おける前記Ｆｅ微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎｍで
あることが好ましく、さらには３〜５ｎｍであることが
好ましく、特には１．０ｎｍであることが好ましい。同
様に、前記白金族元素グラニュラー薄膜中における前記
Ｐｔ微粒子の平均直径は１．０〜１０ｎｍであることが
好ましく、さらには３〜５ｎｍであることが好ましく、
特には１．０ｎｍであることが好ましい。
【００２６】これによって、合金化して得た規則相Ｆｅ
−Ｐｔ合金微粒子の大きさを十分小さく保持することが
できるとともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の
抗磁力を十分に高くすることができる。したがって、よ
り高密度な記録を可能とするとともに、記録した情報を
長期に亘って保持することができる。
−Ｐｔ合金微粒子の大きさを十分小さく保持することが
できるとともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の
抗磁力を十分に高くすることができる。したがって、よ
り高密度な記録を可能とするとともに、記録した情報を
長期に亘って保持することができる。
【００２７】また、Ｆｅ微粒子を含む遷移元素グラニュ
ラー薄膜及びＰｔ薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する
場合、前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
ラー薄膜及びＰｔ薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する
場合、前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
【００２８】同様に、前記白金族元素薄膜の厚さは０．
２〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましく、特には１．０ｎｍで
あることが好ましい。これによって、作製した磁気記録
媒体中に規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を互いに十分に孤立させ
た微粒子として存在させることができるとともに、高い
抗磁力を付与することができる。したがって、高密度記
録をより簡易に実現することができるとともに、長期信
頼性に富む磁気記録媒体を提供することができる。
２〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましく、特には１．０ｎｍで
あることが好ましい。これによって、作製した磁気記録
媒体中に規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を互いに十分に孤立させ
た微粒子として存在させることができるとともに、高い
抗磁力を付与することができる。したがって、高密度記
録をより簡易に実現することができるとともに、長期信
頼性に富む磁気記録媒体を提供することができる。
【００２９】また、前記遷移元素グラニュラー薄膜中に
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましく、特には５０体積％であることが好
ましい。これによって、加熱処理による合金化処理を通
じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金を互
いに十分に孤立させた微粒子として存在させることがで
きるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与することが
できる。したがって、高密度記録をより簡易に実現する
ことができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体
を提供することができる。
おける前記遷移元素微粒子の含有率は、２０〜９０体積
％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積％で
あることが好ましく、特には５０体積％であることが好
ましい。これによって、加熱処理による合金化処理を通
じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金を互
いに十分に孤立させた微粒子として存在させることがで
きるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与することが
できる。したがって、高密度記録をより簡易に実現する
ことができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録媒体
を提供することができる。
【００３０】さらに、前記遷移元素グラニュラー薄膜中
における前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０
ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５ｎｍで
あることが好ましく、特には５ｎｍであることが好まし
い。これによって、合金化して得た規則相Ｆｅ−Ｐｔ合
金微粒子の大きさを十分小さく保持することができると
ともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を
十分に高くすることができる。したがって、より高密度
な記録を可能とするとともに、記録した情報を長期に亘
って保持することができる。
における前記遷移元素微粒子の平均直径は１．０〜１０
ｎｍであることが好ましく、さらには２．５〜５ｎｍで
あることが好ましく、特には５ｎｍであることが好まし
い。これによって、合金化して得た規則相Ｆｅ−Ｐｔ合
金微粒子の大きさを十分小さく保持することができると
ともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を
十分に高くすることができる。したがって、より高密度
な記録を可能とするとともに、記録した情報を長期に亘
って保持することができる。
【００３１】Ｆｅ薄膜及びＰｔ微粒子を含む白金族元素
グラニュラー薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する場
合、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには１．０〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
グラニュラー薄膜を用いて磁気記録媒体を作製する場
合、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さが１．０〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには１．０〜５．
０ｎｍであることが好ましい。
【００３２】同様に、前記遷移元素薄膜の厚さは０．２
〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましく、特には１．０〜２．
５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製した
磁気記録媒体中に規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を互いに十分に
孤立させた微粒子として存在させることができるととも
に、高い抗磁力を付与することができる。したがって、
高密度記録をより簡易に実現することができるととも
に、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供することがで
きる。
〜１８ｎｍであることが好ましく、さらには０．５〜
４．５ｎｍであることが好ましく、特には１．０〜２．
５ｎｍであることが好ましい。これによって、作製した
磁気記録媒体中に規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を互いに十分に
孤立させた微粒子として存在させることができるととも
に、高い抗磁力を付与することができる。したがって、
高密度記録をより簡易に実現することができるととも
に、長期信頼性に富む磁気記録媒体を提供することがで
きる。
【００３３】また、前記白金族元素グラニュラー薄膜中
における前記白金族元素微粒子の含有率は、２０〜９０
体積％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積
％であることが好ましく、特には５０体積％であること
が好ましい。これによって、加熱処理による合金化処理
を通じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金
を互いに十分に孤立させた微粒子として存在させること
ができるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与するこ
とができる。したがって、高密度記録をより簡易に実現
することができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録
媒体を提供することができる。
における前記白金族元素微粒子の含有率は、２０〜９０
体積％であることが好ましく、さらには４０〜８０体積
％であることが好ましく、特には５０体積％であること
が好ましい。これによって、加熱処理による合金化処理
を通じて得た磁気記録媒体中において、Ｆｅ−Ｐｔ合金
を互いに十分に孤立させた微粒子として存在させること
ができるとともに、十分な大きさの抗磁力を付与するこ
とができる。したがって、高密度記録をより簡易に実現
することができるとともに、長期信頼性に富む磁気記録
媒体を提供することができる。
【００３４】さらに、前記白金族元素グラニュラー薄膜
中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０〜
１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍで
あることが好ましく、特には５ｎｍであることが好まし
い。これによって、合金化して得た規則相Ｆｅ−Ｐｔ合
金微粒子の大きさを十分小さく保持することができると
ともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を
十分に高くすることができる。したがって、より高密度
な記録を可能とするとともに、記録した情報を長期に亘
って保持することができる。
中における前記白金族元素微粒子の平均直径は１．０〜
１０ｎｍであることが好ましく、さらには３〜５ｎｍで
あることが好ましく、特には５ｎｍであることが好まし
い。これによって、合金化して得た規則相Ｆｅ−Ｐｔ合
金微粒子の大きさを十分小さく保持することができると
ともに、この合金微粒子を含む磁気記録媒体の抗磁力を
十分に高くすることができる。したがって、より高密度
な記録を可能とするとともに、記録した情報を長期に亘
って保持することができる。
【００３５】上述したいずれの態様においても、前記積
層体は、前記Ｆｅ薄膜及び前記Ｐｔ薄膜を１層づつ積層
させて形成することもできるが、交互に２層以上積層さ
せて形成することもできる。
層体は、前記Ｆｅ薄膜及び前記Ｐｔ薄膜を１層づつ積層
させて形成することもできるが、交互に２層以上積層さ
せて形成することもできる。
【００３６】また、上述したいずれの態様においても、
グラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させることが好ま
しい。これによって、上記規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を形成
するための加熱温度をより低減することができる。
グラニュラー薄膜中にＡｇ粒子を含有させることが好ま
しい。これによって、上記規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を形成
するための加熱温度をより低減することができる。
【００３７】Ａｇ粒子は、好ましくは前記グラニュラー
薄膜中に５〜８０体積％、さらに好ましくは１０〜２０
体積％含有させる。また、その大きさは平均直径で５〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには５〜１０ｎｍ
であることが好ましい。さらに、遷移元素グラニュラー
薄膜及び白金族元素グラニュラー薄膜を用いる場合は、
少なくとも一方に含有させる。
薄膜中に５〜８０体積％、さらに好ましくは１０〜２０
体積％含有させる。また、その大きさは平均直径で５〜
２０ｎｍであることが好ましく、さらには５〜１０ｎｍ
であることが好ましい。さらに、遷移元素グラニュラー
薄膜及び白金族元素グラニュラー薄膜を用いる場合は、
少なくとも一方に含有させる。
【００３８】本発明においては、積層体を好ましくは３
００〜５００℃で加熱すれば、上述した規則相Ｆｅ−Ｐ
ｔ合金を作製することができ、特にグラニュラー薄膜中
にＡｇ粒子を含有させた場合においては、２００〜４０
０℃で加熱すれば、規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を作製するこ
とができる。
００〜５００℃で加熱すれば、上述した規則相Ｆｅ−Ｐ
ｔ合金を作製することができ、特にグラニュラー薄膜中
にＡｇ粒子を含有させた場合においては、２００〜４０
０℃で加熱すれば、規則相Ｆｅ−Ｐｔ合金を作製するこ
とができる。
【００３９】なお、加熱処理時間は、前記Ｆｅ薄膜及び
前記Ｐｔ薄膜の厚さなどを考慮して適宜決定されるが、
好ましくは０．５〜２時間である。
前記Ｐｔ薄膜の厚さなどを考慮して適宜決定されるが、
好ましくは０．５〜２時間である。
【００４０】なお、グラニュラー薄膜の母材を構成する
酸化物としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希
土類元素から選ばれる少なくとも一つの元素含む酸化物
を例示することができる。同様に、グラニュラー薄膜の
母材を構成する窒化物並びにフッ化物としては、Ｍｇ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希土類元素から選ばれる少
なくとも一つの元素を含む窒化物及びフッ化物を例示す
ることができる。
酸化物としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希
土類元素から選ばれる少なくとも一つの元素含む酸化物
を例示することができる。同様に、グラニュラー薄膜の
母材を構成する窒化物並びにフッ化物としては、Ｍｇ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、及び希土類元素から選ばれる少
なくとも一つの元素を含む窒化物及びフッ化物を例示す
ることができる。
【００４１】さらに、グラニュラー薄膜の母材をＡｇか
ら構成することもできる。この場合においても、規則相
Ｆｅ−Ｐｔ合金を形成するための加熱温度をより低減す
ることができる。具体的には、Ａｇ粒子を添加した場合
と同様に、２００〜４００℃まで低減することができ
る。
ら構成することもできる。この場合においても、規則相
Ｆｅ−Ｐｔ合金を形成するための加熱温度をより低減す
ることができる。具体的には、Ａｇ粒子を添加した場合
と同様に、２００〜４００℃まで低減することができ
る。
【００４２】このようにして得た磁気記録媒体中におけ
る前記Ｆｅ−Ｐｔ合金微粒子の平均直径は１０ｎｍ以下
にまで微粒子化することができる。また、上記のように
して得た磁気記録媒体の抗磁力は５ＫＯｅ以上まで向上
する。したがって、高密度かつ長期安定性に優れた磁気
記録媒体を提供することができる。なお、超常磁性の出
現を抑制するためには、前記規則相合金微粒子の平均直
径は３ｎｍ以上であることが好ましい。
る前記Ｆｅ−Ｐｔ合金微粒子の平均直径は１０ｎｍ以下
にまで微粒子化することができる。また、上記のように
して得た磁気記録媒体の抗磁力は５ＫＯｅ以上まで向上
する。したがって、高密度かつ長期安定性に優れた磁気
記録媒体を提供することができる。なお、超常磁性の出
現を抑制するためには、前記規則相合金微粒子の平均直
径は３ｎｍ以上であることが好ましい。
【００４３】なお、上述したＦｅ薄膜にはＣｏ及びＮｉ
の少なくとも一方を加えることができ、上述したＰｔ薄
膜にはＰｄを含有させることができる。前記Ｆｅ薄膜が
遷移元素グラニュラー薄膜である場合には、所定の母材
中にＣｏ微粒子及びＮｉ微粒子として予め含有させる。
前記Ｐｔ薄膜が白金族元素グラニュラー薄膜である場合
には、所定の母材中にＰｄ微粒子として予め含有させ
る。
の少なくとも一方を加えることができ、上述したＰｔ薄
膜にはＰｄを含有させることができる。前記Ｆｅ薄膜が
遷移元素グラニュラー薄膜である場合には、所定の母材
中にＣｏ微粒子及びＮｉ微粒子として予め含有させる。
前記Ｐｔ薄膜が白金族元素グラニュラー薄膜である場合
には、所定の母材中にＰｄ微粒子として予め含有させ
る。
【００４４】
【実施例】本発明の具体例を以下の実施例において示
す。 （実施例１） ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が分散してなるＦｅグラニュ
ラー薄膜と、ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が分散してなる
Ｐｔグラニュラー薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。
す。 （実施例１） ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が分散してなるＦｅグラニュ
ラー薄膜と、ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が分散してなる
Ｐｔグラニュラー薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。
【００４５】なお、加熱処理温度は３５０℃及び４００
℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー薄
膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率及び前記Ｐｔグラニ
ュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率をＰとし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さ及び前記Ｐｔグラニュ
ラー薄膜の厚さをｄとした。また、前記Ｆｅ微粒子及び
前記Ｐｔ微粒子の平均直径は、５ｎｍで一定とした。
℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー薄
膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率及び前記Ｐｔグラニ
ュラー薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率をＰとし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さ及び前記Ｐｔグラニュ
ラー薄膜の厚さをｄとした。また、前記Ｆｅ微粒子及び
前記Ｐｔ微粒子の平均直径は、５ｎｍで一定とした。
【００４６】そして、加熱処理温度、体積含有率Ｐ、及
び厚さｄを変化させて得た磁気記録媒体毎に、その内部
に含まれる合金微粒子の大きさを測定するとともに、そ
の抗磁力及び抵抗率を測定した。結果を表１に示す。な
お、いずれの磁気記録媒体においても、加熱処理中にお
けるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前記
Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化しているこ
とが確認された。
び厚さｄを変化させて得た磁気記録媒体毎に、その内部
に含まれる合金微粒子の大きさを測定するとともに、そ
の抗磁力及び抵抗率を測定した。結果を表１に示す。な
お、いずれの磁気記録媒体においても、加熱処理中にお
けるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前記
Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化しているこ
とが確認された。
【００４７】
【表１】
【００４８】表１から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
【００４９】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
【００５０】（実施例２）
ＭｇＯ母材中にＦｅ微粒子が分散してなるＦｅグラニュ
ラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。なお、加熱処理温度は３５０℃及び４０
０℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー
薄膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率Ｐを０．５とし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さｄｇを２．０ｎｍと
し、前記Ｐｔ薄膜の厚さをｄｐを１．０ｎｍとした。ま
た、前記Ｆｅ微粒子の平均直径は、５ｎｍとした。結果
を表２に示す。
ラー薄膜と、Ｐｔ薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。なお、加熱処理温度は３５０℃及び４０
０℃の２種類を設定した。また、前記Ｆｅグラニュラー
薄膜中の前記Ｆｅ微粒子の体積含有率Ｐを０．５とし、
前記Ｆｅグラニュラー薄膜の厚さｄｇを２．０ｎｍと
し、前記Ｐｔ薄膜の厚さをｄｐを１．０ｎｍとした。ま
た、前記Ｆｅ微粒子の平均直径は、５ｎｍとした。結果
を表２に示す。
【００５１】なお、この場合においても、加熱処理中に
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
さらに、各磁気記録媒体は、５ＫＯｅ以上の高い抗磁力
Ｈｃを示し、前記ＦｅＰｔ合金微粒子はＦｅＰｔ合金の
規則相から構成されていることが分かる。また、この規
則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下地層
を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって確認
された。
【００５４】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分な高密度
記録が可能であるとともに、記録した情報を長期に亘っ
て保持することができる。
【００５５】（実施例３）
ＭｇＯ母材中にＰｔ微粒子が分散してなるＰｔグラニュ
ラー薄膜と、Ｆｅ薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。なお、加熱処理温度は３５０℃及び４０
０℃の２種類を設定した。また、前記Ｐｔグラニュラー
薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率Ｐを０．５とし、
前記Ｐｔグラニュラー薄膜の厚さｄｇは５．０ｎｍ，
２．０ｎｍ，及び１．０ｎｍの３種類を設定し、前記Ｆ
ｅ薄膜の厚さｄｐは２．５ｎｍ及び１．０ｎｍの２種類
を設定した。また、前記Ｐｔ微粒子の平均直径は５ｎｍ
で一定とした。結果を表３に示す。
ラー薄膜と、Ｆｅ薄膜とを、交互に各２層積層させて積
層体を作製した後、１時間加熱処理を行い、磁気記録媒
体を作製した。なお、加熱処理温度は３５０℃及び４０
０℃の２種類を設定した。また、前記Ｐｔグラニュラー
薄膜中の前記Ｐｔ微粒子の体積含有率Ｐを０．５とし、
前記Ｐｔグラニュラー薄膜の厚さｄｇは５．０ｎｍ，
２．０ｎｍ，及び１．０ｎｍの３種類を設定し、前記Ｆ
ｅ薄膜の厚さｄｐは２．５ｎｍ及び１．０ｎｍの２種類
を設定した。また、前記Ｐｔ微粒子の平均直径は５ｎｍ
で一定とした。結果を表３に示す。
【００５６】なお、この場合においても、加熱処理中に
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
おけるマイクロＥＤＸ観察の結果、前記Ｆｅ微粒子と前
記Ｐｔ微粒子との間に相互拡散が生じ、合金化している
ことが確認された。
【００５７】
【表３】
【００５８】表３から明らかなように、作製された磁気
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
記録媒体中におけるＦｅＰｔ合金微粒子の平均直径Ｄ
は、約１０ｎｍ前後の大きさを呈し、十分に微粒子化さ
れていることが分かる。また、いずれの磁気記録媒体も
高い抵抗率を示し、各磁気記録媒体中の前記ＦｅＰｔ合
金微粒子は互いに孤立して存在していることが分かる。
【００５９】さらに、Ｐｔグラニュラー薄膜の厚さｄｇ
が５．０ｎｍであり、Ｆｅ薄膜の厚さｄｐが２．５ｎｍ
であり、加熱処理温度が３５０℃である場合において、
磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃは３．５ＫＯｅと比較的小さ
くなるが、その他の場合においては５ＫＯｅ以上の高い
抗磁力Ｈｃを示す。したがって、この場合においても、
磁気記録媒体を構成するＦｅＰｔ微粒子は、ＦｅＰｔ合
金の規則相から構成されていることが分かる。また、こ
の規則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下
地層を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって
確認された。
が５．０ｎｍであり、Ｆｅ薄膜の厚さｄｐが２．５ｎｍ
であり、加熱処理温度が３５０℃である場合において、
磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃは３．５ＫＯｅと比較的小さ
くなるが、その他の場合においては５ＫＯｅ以上の高い
抗磁力Ｈｃを示す。したがって、この場合においても、
磁気記録媒体を構成するＦｅＰｔ微粒子は、ＦｅＰｔ合
金の規則相から構成されていることが分かる。また、こ
の規則相の形成は、同様の条件でＳｉ基板上にクロム下
地層を介して形成した磁気記録媒体のＸ線回折によって
確認された。
【００６０】また、本実施例によって得られた磁気記録
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
おおよそ５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分
な高密度記録が可能であるとともに、記録した情報を長
期に亘って保持することができる。
媒体は、約１０ｎｍ前後のＦｅＰｔ合金微粒子を有し、
おおよそ５ＫＯｅ以上の高い抗磁力を有するため、十分
な高密度記録が可能であるとともに、記録した情報を長
期に亘って保持することができる。
【００６１】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高密度化の要求に答えることのできる新規な磁気記録媒
体を提供することができる。
高密度化の要求に答えることのできる新規な磁気記録媒
体を提供することができる。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2002−251720（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−119636（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−194635（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−16934（ＪＰ，Ａ)
特開2000−48340（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−159224（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−92637（ＪＰ，Ａ)
特開2001−101645（ＪＰ，Ａ)
Ｗａｔａｎａｂｅ， Ｍ，Ｍｉｃｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ
ＦｅＰｔ−Ａｌ−Ｏ ｇｒａｎｕｌａ
ｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ，ＡＰＰＬＩ
ＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲ
Ｓ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹ
ＳＩＣＳ，2000年 ６月26日，Ｖｏｌ.
76， Ｎｏ．26，3971−3973
Ｌｕｏ， ＣＰ，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａ
ｌ ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｒｏ
ｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＦｅＰｔ ：
ＳｉＯ２ ｇｒａｎｕｌａｒ ｔｈｉｎ
ｆｉｌｍｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹ
ＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，ＡＭ
ＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，1999
年11月15日，Ｖｏｌ．75， Ｎｏ．20,
3162−3164
Ｌｅｅ， ＳＲ，Ｒａｐｉｄ ｏｒｄ
ｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｚｒ−ｄｏｐｅｄ
ＦｅＰｔ ａｌｌｏｙ ｆｉｌｍｓ，Ａ
ＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴ
ＴＥＲＳ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ
ＰＨＹＳＩＣＳ，2001年 ６月18日，Ｖ
ｏｌ．78， Ｎｏ．25，4001−4003
Ｌｕｏ， ＣＰ，ＦｅＰｔ ： Ｓｉ
Ｏ２ ｇｒａｎｕｌａｒ ｔｈｉｎ ｆ
ｉｌｍ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉ
ｔｙ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰ
ＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，米国，ＡＭ
ＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，2000
年 ５月 １日，ＶＯＬ．87， Ｎｏ.
９，6941−6943
Ｙａｓｕｓｈｉ Ｅｎｄｏ，Ｌｏｗｅ
ｒｉｎｇ ｏｆ ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｔ
ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｏｒ ｆｃｔ
Ｆｅ−Ｐｔ ｉｎ Ｆｅ／ｐｔ ｍｕ
ｌｔｉｌａｙｅｒｓ，ＪＯＵＲＮＡＬ
ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣ
Ｓ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔ
ｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ,
2001年 ６月 １日，Ｖｏｌ．89，Ｎ
ｏ．11，7065−7067
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/62 - 5/858
Claims (15)
- 【請求項１】 Ｆｅ微粒子を含む遷移元素グラニュラー
薄膜と、Ｐｔ微粒子を含む白金族元素グラニュラー薄膜
とを積層させて積層体を形成する工程と、 前記積層体を形成する際、又は前記積層体を形成した後
に、前記積層体を所定温度に加熱して、前記遷移元素グ
ラニュラー薄膜及び白金族元素グラニュラー薄膜間で相
互拡散を生じさせ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させることを
特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが
１．０〜２．５ｎｍであり、前記白金族元素グラニュラ
ー薄膜の厚さが１．０〜２．５ｎｍであることを特徴と
する、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記Ｆｅ微粒子の含有量が５０〜８０体積％であり、
前記白金族元素グラニュラー薄膜中における前記Ｐｔ微
粒子の含有量が５０〜８０体積％であることを特徴とす
る、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記Ｆｅ微粒子の平均直径が１．０ｎｍであり、前記
白金族元素グラニュラー薄膜中における前記Ｐｔ微粒子
の平均直径が１．０ｎｍであることを特徴とする、請求
項１〜３のいずれか一に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項５】 前記積層体の加熱温度が３５０〜４００
℃であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一
に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 Ｆｅ微粒子を含む遷移元素グラニュラー
薄膜と、Ｐｔ薄膜とを積層させて積層体を形成する工程
と、 前記積層体を形成する際、又は前記積層体を形成した後
に、前記積層体を所定温度に加熱して、前記遷移元素グ
ラニュラー薄膜及び前記Ｐｔ薄膜間で相互拡散を生じさ
せ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させることを特徴とする、磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記遷移元素グラニュラー薄膜の厚さが
２．０ｎｍであり、前記Ｐｔ薄膜の厚さが１．０ｎｍで
あることを特徴とする、請求項６に記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項８】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記Ｆｅ微粒子の含有量が５０体積％であることを特
徴とする、請求項６又は７に記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項９】 前記遷移元素グラニュラー薄膜中におけ
る前記Ｆｅ微粒子の平均直径が５ｎｍであることを特徴
とする、請求項６〜８のいずれか一に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記積層体の加熱温度が３５０〜４０
０℃であることを特徴とする、請求項６〜９のいずれか
一に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 Ｆｅ薄膜と、Ｐｔ微粒子を含む白金族
元素グラニュラー薄膜とを積層させて積層体を形成する
工程と、 前記積層体を形成する際、又は前記積層体を形成した後
に、前記積層体を所定温度に加熱して、前記Ｆｅ薄膜及
び前記白金族元素グラニュラー薄膜間で相互拡散を生じ
させ、Ｆｅ及びＰｔを合金化させることを特徴とする、
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記Ｆｅ薄膜の厚さが１．０〜２．５
ｎｍであり、前記白金族元素グラニュラー薄膜の厚さが
１．０〜５ｎｍであることを特徴とする、請求項１１に
記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 前記白金族元素グラニュラー薄膜中に
おける前記Ｐｔ微粒子の含有量が５０体積％であること
を特徴とする、請求項１１又は１２に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記白金族元素グラニュラー薄膜中に
おける前記Ｐｔ微粒子の平均直径が５ｎｍであることを
特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか一に記載の磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記積層体の加熱温度が３５０〜４０
０℃であることを特徴とする、請求項２２〜２５のいず
れか一に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192638A JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US10/178,592 US6623789B2 (en) | 2001-06-26 | 2002-06-25 | Method for fabricating a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192638A JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003378636A Division JP2004111050A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003006853A JP2003006853A (ja) | 2003-01-10 |
| JP3507892B2 true JP3507892B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=19031066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001192638A Expired - Lifetime JP3507892B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6623789B2 (ja) |
| JP (1) | JP3507892B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003268775A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-21 | Nihon University | Information recording medium and method for manufacturing same |
| JP2006054000A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP4641524B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| KR101496171B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2015-02-27 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 자기박막구조체, 자기기록매체 및 그 제조방법 |
| US9595282B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-03-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a L10-type ordered alloy |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2254620B (en) * | 1991-03-25 | 1994-10-05 | Kobe Steel Ltd | Manufacturing method of magnetic disk |
| US6169688B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic storage device using unipole currents for selecting memory cells |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001192638A patent/JP3507892B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-25 US US10/178,592 patent/US6623789B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Ｌｅｅ， ＳＲ，Ｒａｐｉｄ ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｚｒ−ｄｏｐｅｄ ＦｅＰｔ ａｌｌｏｙ ｆｉｌｍｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，２００１年 ６月１８日，Ｖｏｌ．７８， Ｎｏ．２５，４００１−４００３ |
| Ｌｕｏ， ＣＰ，ＦｅＰｔ ： ＳｉＯ２ ｇｒａｎｕｌａｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，２０００年 ５月 １日，ＶＯＬ．８７， Ｎｏ．９，６９４１−６９４３ |
| Ｌｕｏ， ＣＰ，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＦｅＰｔ ： ＳｉＯ２ ｇｒａｎｕｌａｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，１９９９年１１月１５日，Ｖｏｌ．７５， Ｎｏ．２０，３１６２−３１６４ |
| Ｗａｔａｎａｂｅ， Ｍ，Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＦｅＰｔ−Ａｌ−Ｏ ｇｒａｎｕｌａｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，ＡＭＥＲ ＩＮＳＴ ＰＨＹＳＩＣＳ，２０００年 ６月２６日，Ｖｏｌ．７６， Ｎｏ．２６，３９７１−３９７３ |
| Ｙａｓｕｓｈｉ Ｅｎｄｏ，Ｌｏｗｅｒｉｎｇ ｏｆ ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｏｒ ｆｃｔ Ｆｅ−Ｐｔ ｉｎ Ｆｅ／ｐｔ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００１年 ６月 １日，Ｖｏｌ．８９，Ｎｏ．１１，７０６５−７０６７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030049368A1 (en) | 2003-03-13 |
| JP2003006853A (ja) | 2003-01-10 |
| US6623789B2 (en) | 2003-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4169663B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| EP1715069B1 (en) | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions | |
| JP2004178753A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP2003085727A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| KR20070106482A (ko) | 자기 기록 매체 | |
| JP2002100018A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置 | |
| JP2001273622A (ja) | ナノグラニュラー薄膜および磁気記録媒体 | |
| JP2003178423A (ja) | 長手記録用磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP3507892B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3822387B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2007164941A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| CN102779532B (zh) | 垂直磁记录介质 | |
| JP2991672B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2006185489A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| CN100373459C (zh) | 磁记录介质 | |
| JP2006049706A (ja) | 交換結合型軟磁性材料 | |
| JP2004111050A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP4534347B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH07192244A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2001283427A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 | |
| JP2002117531A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP3880000B2 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性材料 | |
| JP2001312815A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 | |
| JP2000030234A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0258723A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3507892 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |