JP2001312815A - 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置Info
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- JP2001312815A JP2001312815A JP2000127541A JP2000127541A JP2001312815A JP 2001312815 A JP2001312815 A JP 2001312815A JP 2000127541 A JP2000127541 A JP 2000127541A JP 2000127541 A JP2000127541 A JP 2000127541A JP 2001312815 A JP2001312815 A JP 2001312815A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＮＲ特性がさらに優れた磁気記録媒体、その
製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することがで
きるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさ
らに優れた磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】基板とその上に磁化容易軸が基板に対し垂
直に配向した垂直磁性膜とが設けられた磁気記録媒体に
おいて、基板と垂直磁性膜との間に下地膜が設けられ、
下地膜はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなる
ものであることを特徴とする磁気記録媒体。それを製造
するに用いるＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料から
なるスパッタリングターゲット、それを用いた製造方
法。該磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することがで
きるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさ
らに優れた磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】基板とその上に磁化容易軸が基板に対し垂
直に配向した垂直磁性膜とが設けられた磁気記録媒体に
おいて、基板と垂直磁性膜との間に下地膜が設けられ、
下地膜はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなる
ものであることを特徴とする磁気記録媒体。それを製造
するに用いるＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料から
なるスパッタリングターゲット、それを用いた製造方
法。該磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、、上記
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリングターゲ
ット、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に関するものである。
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、、上記
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリングターゲ
ット、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体としては、磁性膜内
の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気
記録媒体が広く用いられている。磁気記録媒体の評価指
標の一つとしてＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓ
ｅ Ｒａｔｉｏ）特性がある。ここで、ＳＮＲ特性とは
再生信号と媒体ノイズの比で表されるものである。面内
磁気記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小
さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録の再生特性が悪
化して、すなわち再生信号が低下してＳＮＲ特性が不充
分となる可能性がある。また、高記録密度化した際に、
記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増
加することがある。これに対し、磁性膜内の磁化容易軸
が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記
録媒体は、高記録密度化した場合でもビット境界での反
磁界の影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形成され
るため低ノイズ化が可能である。しかも、比較的ビット
体積が大きくても高記録密度化が可能であることから熱
揺らぎ効果にも強く、近年大きな注目を集めており、垂
直磁気記録に適した媒体の構造などが提案されている。
の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気
記録媒体が広く用いられている。磁気記録媒体の評価指
標の一つとしてＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓ
ｅ Ｒａｔｉｏ）特性がある。ここで、ＳＮＲ特性とは
再生信号と媒体ノイズの比で表されるものである。面内
磁気記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小
さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録の再生特性が悪
化して、すなわち再生信号が低下してＳＮＲ特性が不充
分となる可能性がある。また、高記録密度化した際に、
記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増
加することがある。これに対し、磁性膜内の磁化容易軸
が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記
録媒体は、高記録密度化した場合でもビット境界での反
磁界の影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形成され
るため低ノイズ化が可能である。しかも、比較的ビット
体積が大きくても高記録密度化が可能であることから熱
揺らぎ効果にも強く、近年大きな注目を集めており、垂
直磁気記録に適した媒体の構造などが提案されている。
【０００３】なお、熱揺らぎ効果とは、記録ビットが不
安定となり記録したデータの熱的消失が起こる現象をい
い、この現象が起こった場合には、磁気記録再生装置に
おいて記録したデータの再生信号が減衰することがあ
る。
安定となり記録したデータの熱的消失が起こる現象をい
い、この現象が起こった場合には、磁気記録再生装置に
おいて記録したデータの再生信号が減衰することがあ
る。
【０００４】これらの垂直磁気記録媒体の製造方法とし
て、例えば、Ｃｏ合金材料からなる垂直磁性膜の下地層
として、特開昭６０−２１４４１７号公報にはＧｅ、Ｓ
ｉ材料を用いる方法が、特開昭６３−２１１１１７号公
報には１Å〜１００Åの範囲の厚さの炭素を含有する材
料を用いる方法が開示されている。
て、例えば、Ｃｏ合金材料からなる垂直磁性膜の下地層
として、特開昭６０−２１４４１７号公報にはＧｅ、Ｓ
ｉ材料を用いる方法が、特開昭６３−２１１１１７号公
報には１Å〜１００Åの範囲の厚さの炭素を含有する材
料を用いる方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴い
ＳＮＲ特性をより向上させることが要求されている。本
発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＳＮＲ特性
がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気
記録媒体を容易に製造することができるスパッタリング
ターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴い
ＳＮＲ特性をより向上させることが要求されている。本
発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＳＮＲ特性
がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気
記録媒体を容易に製造することができるスパッタリング
ターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者等は、垂直磁性膜
とその下地膜の関係を鋭意検討した結果に基づいて本発
明を完成するに至った。 １）上記課題を解決する第１の本発明は、基板とその上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜と
が設けられた磁気記録媒体において、基板と垂直磁性膜
との間に下地膜が設けられ、下地膜はＣｏ、Ｚｒおよび
カーボンを含むものであることを特徴とする磁気記録媒
体である。 ２）上記課題を解決する第２の本発明は、下地膜の垂直
磁性膜側の界面近傍の領域において、ｐ原子％のＣｏ、
ｑ原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことを
特徴とする上記１）記載の磁気記録媒体（ここでｐ、
ｑ、ｒは次の条件を満たす、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０
≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０）である。 ３）上記課題を解決する第３の本発明は、下地膜の垂直
磁性膜側の表面が、非晶質構造を有することを特徴とす
る上記１）または２）に記載の磁気記録媒体である。 ４）上記課題を解決する第４の本発明は、下地膜の厚さ
は、０．５ｎｍ以上であることを特徴とする上記１）乃
至３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体である。 ５）上記課題を解決する第５の本発明は、垂直磁性膜
が、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ、Ｓｉからなる群より選ばれ
る少なくとも１種）のうちいずれか一つの合金を含むこ
とを特徴とする上記１）乃至４）のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体である。 ６）上記課題を解決する第６の本発明は、表面の平均粗
さＲａが、０．５ｎｍ以下である基板であることを特徴
とする上記１）乃至５）のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体である。 ７）上記課題を解決する第７の本発明は、下地膜と垂直
磁性膜との間に非磁性下地膜を有することを特徴とする
上記１）乃至６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。 ８）上記課題を解決する第８の本発明は、下地膜と垂直
磁性膜との間に非磁性中間膜を有することを特徴とする
上記１）乃至６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。 ９）上記課題を解決する第９の本発明は、下地膜と非磁
性中間膜との間に非磁性下地膜を有することを特徴とす
る上記８）に記載の磁気記録媒体である。 １０）上記課題を解決する第１０の本発明は、下地膜と
基板との間に軟磁性膜を有することを特徴とする上記
１）乃至９）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であ
る。 １１）上記課題を解決する第１１の本発明は、上記１）
乃至１０）のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体の下
地膜を作製するために用いられるスパッタリングターゲ
ットであって、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含むもので
あることを特徴とするスパッタリングターゲットであ
る。 １２）上記課題を解決する第１２の本発明は、基板の上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、基板と垂直
磁性膜の間に下地膜を形成し、該下地膜の材料としてＣ
ｏ、Ｚｒおよびカーボンを含むスパッタリングターゲッ
トを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法で
ある。 １３）上記課題を解決する第１３の本発明は、基板の上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、基板と垂直
磁性膜の間に下地膜を形成する工程を有し、該下地膜を
形成する工程は、該下地膜に含まれる第１下地膜を形成
しその上に第２下地膜を形成する工程と、第２下地膜中
に第１下地膜の材料を拡散させる工程とを含み、第１下
地膜を形成する工程では材料としてカーボンを含むスパ
ッタリングターゲットを用い、第２下地膜を形成する工
程では材料としてＣｏおよびＺｒを含むスパッタリング
ターゲットを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法である。 １４）上記課題を解決する第１４の本発明は、第２下地
膜を形成する条件において基板の温度を１５０℃以上と
することにより第２下地膜中に第１下地膜の材料を拡散
させることを特徴とする上記１３）に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 １５）上記課題を解決する第１５の本発明は、磁気記録
媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッ
ドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体
が上記１）乃至１０）のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置である。
とその下地膜の関係を鋭意検討した結果に基づいて本発
明を完成するに至った。 １）上記課題を解決する第１の本発明は、基板とその上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜と
が設けられた磁気記録媒体において、基板と垂直磁性膜
との間に下地膜が設けられ、下地膜はＣｏ、Ｚｒおよび
カーボンを含むものであることを特徴とする磁気記録媒
体である。 ２）上記課題を解決する第２の本発明は、下地膜の垂直
磁性膜側の界面近傍の領域において、ｐ原子％のＣｏ、
ｑ原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことを
特徴とする上記１）記載の磁気記録媒体（ここでｐ、
ｑ、ｒは次の条件を満たす、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０
≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０）である。 ３）上記課題を解決する第３の本発明は、下地膜の垂直
磁性膜側の表面が、非晶質構造を有することを特徴とす
る上記１）または２）に記載の磁気記録媒体である。 ４）上記課題を解決する第４の本発明は、下地膜の厚さ
は、０．５ｎｍ以上であることを特徴とする上記１）乃
至３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体である。 ５）上記課題を解決する第５の本発明は、垂直磁性膜
が、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ、Ｓｉからなる群より選ばれ
る少なくとも１種）のうちいずれか一つの合金を含むこ
とを特徴とする上記１）乃至４）のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体である。 ６）上記課題を解決する第６の本発明は、表面の平均粗
さＲａが、０．５ｎｍ以下である基板であることを特徴
とする上記１）乃至５）のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体である。 ７）上記課題を解決する第７の本発明は、下地膜と垂直
磁性膜との間に非磁性下地膜を有することを特徴とする
上記１）乃至６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。 ８）上記課題を解決する第８の本発明は、下地膜と垂直
磁性膜との間に非磁性中間膜を有することを特徴とする
上記１）乃至６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
である。 ９）上記課題を解決する第９の本発明は、下地膜と非磁
性中間膜との間に非磁性下地膜を有することを特徴とす
る上記８）に記載の磁気記録媒体である。 １０）上記課題を解決する第１０の本発明は、下地膜と
基板との間に軟磁性膜を有することを特徴とする上記
１）乃至９）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であ
る。 １１）上記課題を解決する第１１の本発明は、上記１）
乃至１０）のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体の下
地膜を作製するために用いられるスパッタリングターゲ
ットであって、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含むもので
あることを特徴とするスパッタリングターゲットであ
る。 １２）上記課題を解決する第１２の本発明は、基板の上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、基板と垂直
磁性膜の間に下地膜を形成し、該下地膜の材料としてＣ
ｏ、Ｚｒおよびカーボンを含むスパッタリングターゲッ
トを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法で
ある。 １３）上記課題を解決する第１３の本発明は、基板の上
に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、基板と垂直
磁性膜の間に下地膜を形成する工程を有し、該下地膜を
形成する工程は、該下地膜に含まれる第１下地膜を形成
しその上に第２下地膜を形成する工程と、第２下地膜中
に第１下地膜の材料を拡散させる工程とを含み、第１下
地膜を形成する工程では材料としてカーボンを含むスパ
ッタリングターゲットを用い、第２下地膜を形成する工
程では材料としてＣｏおよびＺｒを含むスパッタリング
ターゲットを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法である。 １４）上記課題を解決する第１４の本発明は、第２下地
膜を形成する条件において基板の温度を１５０℃以上と
することにより第２下地膜中に第１下地膜の材料を拡散
させることを特徴とする上記１３）に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 １５）上記課題を解決する第１５の本発明は、磁気記録
媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッ
ドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体
が上記１）乃至１０）のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置である。
【０００７】なお、本明細書中では、原子％をａｔ％と
も表記する。また、１０Å＝１ｎｍである。「下地膜の
垂直磁性膜側の界面近傍の領域」における界面とは、Ｚ
ｒ成分量を下地膜から垂直磁性膜方向に調べたときその
成分量が下地膜中の最大量の１／２となる位置と定義す
る。「下地膜の垂直磁性膜側の界面近傍の領域」におけ
る垂直磁性膜側の界面近傍の領域とは、垂直磁性膜側の
界面の位置を０、基板側の界面の位置を１００としたと
きの０〜２５の範囲とする。成分量はたとえばオージェ
電子分光法を用いた深さ方向分析測定により得ることが
できる。装置は例えば日本電子社製のオージェ電子分光
装置（ＪＡＭＰ−１０Ｓ型）を用いることができる。
も表記する。また、１０Å＝１ｎｍである。「下地膜の
垂直磁性膜側の界面近傍の領域」における界面とは、Ｚ
ｒ成分量を下地膜から垂直磁性膜方向に調べたときその
成分量が下地膜中の最大量の１／２となる位置と定義す
る。「下地膜の垂直磁性膜側の界面近傍の領域」におけ
る垂直磁性膜側の界面近傍の領域とは、垂直磁性膜側の
界面の位置を０、基板側の界面の位置を１００としたと
きの０〜２５の範囲とする。成分量はたとえばオージェ
電子分光法を用いた深さ方向分析測定により得ることが
できる。装置は例えば日本電子社製のオージェ電子分光
装置（ＪＡＭＰ−１０Ｓ型）を用いることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
基板１上に、下地膜２（以下「ＣｏＺｒＣ系下地膜２」
ともいう。）、非磁性中間膜４、垂直磁性膜５、および
保護膜６を順次形成してなるものである。基板１として
は、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮｉＰ
合金メッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板（以
下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」ともいう。）のほか、ガラ
ス基板、セラミック基板、カーボン基板、可撓性樹脂基
板、またはこれらの基板にＮｉＰ合金膜をメッキ法ある
いスパッタ法により形成した基板を用いることができ
る。基板１の表面は通常磁気記録媒体用基板としてポリ
ッシュされていれば良い。平均粗さＲａは０．５ｎｍ
（５Å）以下であるのが高記録密度として好ましい。下
地膜を軟磁性材料からなるのもの（例えばＣｏＣｒＺｒ
系合金）とした場合、基板表面に円周方向にテクスチャ
ー加工を施したものはスパイク状のノイズを低減するこ
とができるのでよりＳＮＲ特性を向上できるので好まし
い。
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
基板１上に、下地膜２（以下「ＣｏＺｒＣ系下地膜２」
ともいう。）、非磁性中間膜４、垂直磁性膜５、および
保護膜６を順次形成してなるものである。基板１として
は、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮｉＰ
合金メッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板（以
下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」ともいう。）のほか、ガラ
ス基板、セラミック基板、カーボン基板、可撓性樹脂基
板、またはこれらの基板にＮｉＰ合金膜をメッキ法ある
いスパッタ法により形成した基板を用いることができ
る。基板１の表面は通常磁気記録媒体用基板としてポリ
ッシュされていれば良い。平均粗さＲａは０．５ｎｍ
（５Å）以下であるのが高記録密度として好ましい。下
地膜を軟磁性材料からなるのもの（例えばＣｏＣｒＺｒ
系合金）とした場合、基板表面に円周方向にテクスチャ
ー加工を施したものはスパイク状のノイズを低減するこ
とができるのでよりＳＮＲ特性を向上できるので好まし
い。
【０００９】ＣｏＺｒＣ系下地膜２は、非磁性中間膜４
および垂直磁性膜５の結晶を微細化させるためのもので
あり、これにより媒体ノイズを低下させ、磁気記録媒体
のＳＮＲ特性を向上させることができる。
および垂直磁性膜５の結晶を微細化させるためのもので
あり、これにより媒体ノイズを低下させ、磁気記録媒体
のＳＮＲ特性を向上させることができる。
【００１０】そのメカニズムは明確ではないが、以下の
ように推定する。ＣｏＺｒ系下地膜は、その上に形成す
る非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶の成長を制
御することができる。その結果、ＣｏＺｒ系下地膜を設
けることにより垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直
配向性を向上させることができる。さらに、ＣｏＺｒ系
下地膜にカーボンを含ませることにより、カーボンを含
むＣｏＺｒ系下地膜はＣｏＺｒＣ系下地膜２となる。カ
ーボンを含ませたＣｏＺｒ系下地膜においては、その上
に膜を形成する際に膜の結晶粒の核となる核発生源が増
加する。膜が形成される際には核発生源を核として膜の
結晶粒が形成されるので、核発生源が増加すると結晶粒
の間隔が小さくなるので結晶粒は微細化される。本発明
では、ＣｏＺｒ系下地膜にカーボンを含ませることによ
り増加させた核発生源を核にして、非磁性中間膜４が形
成されるので、その膜は微細化した結晶粒を有するもの
になる。さらにその上に形成される垂直磁性膜５の結晶
粒は微細化した状態となる。一方、非磁性中間層４が無
く垂直磁性膜５が形成される場合は、垂直磁性膜５が同
様に微細化した結晶粒を有するものになる。以上のよう
に、垂直磁性膜５の結晶粒が微細化しているので、媒体
のノイズ特性を向上させることができると推定する。
ように推定する。ＣｏＺｒ系下地膜は、その上に形成す
る非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶の成長を制
御することができる。その結果、ＣｏＺｒ系下地膜を設
けることにより垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直
配向性を向上させることができる。さらに、ＣｏＺｒ系
下地膜にカーボンを含ませることにより、カーボンを含
むＣｏＺｒ系下地膜はＣｏＺｒＣ系下地膜２となる。カ
ーボンを含ませたＣｏＺｒ系下地膜においては、その上
に膜を形成する際に膜の結晶粒の核となる核発生源が増
加する。膜が形成される際には核発生源を核として膜の
結晶粒が形成されるので、核発生源が増加すると結晶粒
の間隔が小さくなるので結晶粒は微細化される。本発明
では、ＣｏＺｒ系下地膜にカーボンを含ませることによ
り増加させた核発生源を核にして、非磁性中間膜４が形
成されるので、その膜は微細化した結晶粒を有するもの
になる。さらにその上に形成される垂直磁性膜５の結晶
粒は微細化した状態となる。一方、非磁性中間層４が無
く垂直磁性膜５が形成される場合は、垂直磁性膜５が同
様に微細化した結晶粒を有するものになる。以上のよう
に、垂直磁性膜５の結晶粒が微細化しているので、媒体
のノイズ特性を向上させることができると推定する。
【００１１】ＣｏＺｒＣ系下地膜２には、ＣｏＺｒおよ
びカーボンを含む材料が用いられる。ＣｏＺｒＣ系下地
膜２中のＣｏの含有率はｐ原子％、Ｚｒの含有率はｑ原
子％、カーボンの含有率はｒ原子％とするのが望まし
い。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５
０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満たすのが
好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５
０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのがさらに
好ましい。
びカーボンを含む材料が用いられる。ＣｏＺｒＣ系下地
膜２中のＣｏの含有率はｐ原子％、Ｚｒの含有率はｑ原
子％、カーボンの含有率はｒ原子％とするのが望まし
い。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５
０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満たすのが
好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５
０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのがさらに
好ましい。
【００１２】少なくともＣｏＺｒＣ系下地膜２の垂直磁
性膜５側の界面近傍の領域においてｐ原子％のＣｏ、ｑ
原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことが好
ましい。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１０
０、５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満た
すのが好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１０
０、５０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのが
さらに好ましい。この含有率が上記範囲内であると、ノ
イズ特性の向上の効果が得られる。
性膜５側の界面近傍の領域においてｐ原子％のＣｏ、ｑ
原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことが好
ましい。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１０
０、５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満た
すのが好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１０
０、５０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのが
さらに好ましい。この含有率が上記範囲内であると、ノ
イズ特性の向上の効果が得られる。
【００１３】ＣｏＺｒＣ系下地膜２は、Ｃｏ、Ｚｒおよ
びカーボンからなるものであってもよいし、他の元素Ｍ
（例えばＣｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｓｉのうちから選ばれる１
種または２種以上）を含む材料からなるものであっても
よい。Ｍをｓ原子％含ませることができる。ここでｐ、
ｑ、ｒおよびｓは、次の条件を満たすのが好ましい。 ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦
２０、ｓ≦５０。
びカーボンからなるものであってもよいし、他の元素Ｍ
（例えばＣｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｓｉのうちから選ばれる１
種または２種以上）を含む材料からなるものであっても
よい。Ｍをｓ原子％含ませることができる。ここでｐ、
ｑ、ｒおよびｓは、次の条件を満たすのが好ましい。 ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦
２０、ｓ≦５０。
【００１４】たとえば、Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚｒ２Ｃ（Ｃ
ｒの含有量は３０ａｔ％、Ｚｒの含有量は１０ａｔ％、
Ｃの含有量は２ａｔ％、残りはＣｏ）で表わされる合金
を用いることができる。
ｒの含有量は３０ａｔ％、Ｚｒの含有量は１０ａｔ％、
Ｃの含有量は２ａｔ％、残りはＣｏ）で表わされる合金
を用いることができる。
【００１５】さらに、ＣｏＺｒＣ系下地膜２の構造は、
非晶質構造をなすものであることが望ましい。非晶質構
造を有することにより、その上に形成された非磁性中間
膜４および垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配向
性がより効果的に向上すると推定している。非晶質構造
であることは、たとえば、形成した膜をＸ線回折装置を
用いて回折強度分布を測定した時にＣｏＺｒＣ系下地膜
２起因のピークが存在しないことで確認することができ
る。
非晶質構造をなすものであることが望ましい。非晶質構
造を有することにより、その上に形成された非磁性中間
膜４および垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配向
性がより効果的に向上すると推定している。非晶質構造
であることは、たとえば、形成した膜をＸ線回折装置を
用いて回折強度分布を測定した時にＣｏＺｒＣ系下地膜
２起因のピークが存在しないことで確認することができ
る。
【００１６】ＣｏＺｒＣ系下地膜２の厚さは、０．５ｎ
ｍ以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
ｍ以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
【００１７】非磁性中間膜４は、媒体の保磁力を高める
ためのもので、ｈｃｐ（六方最密パッキング）構造を有
する非磁性材料からなるものとされる。非磁性中間膜４
の材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、
Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉのうち１
種または２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが
好適である。特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、
Ｐｔの含有率が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜１０
ａｔ％、残部がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするも
のを用いるのが好ましい。非磁性中間膜４は、単層構造
をなすものとしても良いし、多層構造をなすものとして
もよい。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれ
た互いに同一または異なる複数の材料を積層したものと
することができる。
ためのもので、ｈｃｐ（六方最密パッキング）構造を有
する非磁性材料からなるものとされる。非磁性中間膜４
の材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、
Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉのうち１
種または２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが
好適である。特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、
Ｐｔの含有率が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜１０
ａｔ％、残部がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするも
のを用いるのが好ましい。非磁性中間膜４は、単層構造
をなすものとしても良いし、多層構造をなすものとして
もよい。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれ
た互いに同一または異なる複数の材料を積層したものと
することができる。
【００１８】非磁性中間膜４の厚さは、５０ｎｍ（５０
０Å）以下とするのが好ましい。この厚さが５０ｎｍ
（５００Å）を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の
粗大化が起きやすくなり、ノイズ特性が低下するため好
ましくない。非磁性中間膜４の厚さは、５〜２０ｎｍ
（５０〜２００Å）とするのがより好ましい。多層にし
た場合の非磁性中間膜４の厚さは、上記理由から、全体
で５０ｎｍ（５００Å）以下、好ましくは５〜２０ｎｍ
（５０〜２００Å）とするのが望ましい。
０Å）以下とするのが好ましい。この厚さが５０ｎｍ
（５００Å）を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の
粗大化が起きやすくなり、ノイズ特性が低下するため好
ましくない。非磁性中間膜４の厚さは、５〜２０ｎｍ
（５０〜２００Å）とするのがより好ましい。多層にし
た場合の非磁性中間膜４の厚さは、上記理由から、全体
で５０ｎｍ（５００Å）以下、好ましくは５〜２０ｎｍ
（５０〜２００Å）とするのが望ましい。
【００１９】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対し垂直方向に配向した磁性材料からなるものであり、
その材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系
（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉ
から選ばれるいずれか１種または２種以上）のうちいず
れかの合金を用いるのが好ましい。中でも特に、Ｃｒの
含有量が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量が０〜１５ａ
ｔ％、Ｘの含有量が０〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有率が
上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生信号が低下
するため好ましくない。垂直磁性膜５は、単層構造をな
すものとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよ
い。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互
いに同一または異なる複数の材料を積層したものとする
ことができる。
対し垂直方向に配向した磁性材料からなるものであり、
その材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系
（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉ
から選ばれるいずれか１種または２種以上）のうちいず
れかの合金を用いるのが好ましい。中でも特に、Ｃｒの
含有量が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量が０〜１５ａ
ｔ％、Ｘの含有量が０〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有率が
上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生信号が低下
するため好ましくない。垂直磁性膜５は、単層構造をな
すものとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよ
い。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互
いに同一または異なる複数の材料を積層したものとする
ことができる。
【００２０】基板に対して垂直方向に配向した状態と
は、例えば、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法
によるＸ線回折強度分布においてＣｏ（０００２）面の
ピークの半価幅が１０度以下となる状態である。好まし
くは５度以下である。
は、例えば、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法
によるＸ線回折強度分布においてＣｏ（０００２）面の
ピークの半価幅が１０度以下となる状態である。好まし
くは５度以下である。
【００２１】垂直磁性膜５の厚さは、１０〜１００ｎｍ
（１００〜１０００Å）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが１０ｎｍ（１００Å）未満であると、十分
な磁束が得られず、再生信号が低下する。また、垂直磁
性膜５の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超えると垂
直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起き、ノイズ特性が
低下するため好ましくない。垂直磁性膜５の厚さは、３
０〜７０ｎｍ（３００〜７００Å）にするのがさらに好
ましい。これは、垂直磁性膜５の厚さをこの範囲とする
と、再生信号をさらに向上させるとともに、垂直磁性膜
５内の磁性粒子の粗大化を防ぎ、ノイズ特性をより高め
ることができるためである。
（１００〜１０００Å）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが１０ｎｍ（１００Å）未満であると、十分
な磁束が得られず、再生信号が低下する。また、垂直磁
性膜５の厚さが１００ｎｍ（１０００Å）を超えると垂
直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起き、ノイズ特性が
低下するため好ましくない。垂直磁性膜５の厚さは、３
０〜７０ｎｍ（３００〜７００Å）にするのがさらに好
ましい。これは、垂直磁性膜５の厚さをこの範囲とする
と、再生信号をさらに向上させるとともに、垂直磁性膜
５内の磁性粒子の粗大化を防ぎ、ノイズ特性をより高め
ることができるためである。
【００２２】垂直磁性膜５の結晶粒はその平均粒径が５
〜１５ｎｍ（５０〜１５０Å）としたものが好ましい。
平均粒径は、たとえば磁性膜の結晶粒をＴＥＭ（透過型
電子顕微鏡）観察して観察像を画像処理装置などで処理
して平均粒径を求めることができる。
〜１５ｎｍ（５０〜１５０Å）としたものが好ましい。
平均粒径は、たとえば磁性膜の結晶粒をＴＥＭ（透過型
電子顕微鏡）観察して観察像を画像処理装置などで処理
して平均粒径を求めることができる。
【００２３】保護膜６は、垂直磁性膜５の腐食を防ぎ、
媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を
使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の単一組成、ま
たはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能で
ある。保護膜６の厚さは、耐腐食性、摺動性から１〜２
０ｎｍ（すなわち１０〜２００Å）が望ましい。さらに
は、スペーシングロスを低減させ十分な再生信号を得る
ために、１〜１０ｎｍ（すなわち１０〜１００Å）とす
るのがより好ましい。また、保護膜６上には、パーフル
オロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カル
ボン酸などからなる潤滑膜を設けるのが好ましい。
媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を
使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の単一組成、ま
たはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能で
ある。保護膜６の厚さは、耐腐食性、摺動性から１〜２
０ｎｍ（すなわち１０〜２００Å）が望ましい。さらに
は、スペーシングロスを低減させ十分な再生信号を得る
ために、１〜１０ｎｍ（すなわち１０〜１００Å）とす
るのがより好ましい。また、保護膜６上には、パーフル
オロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カル
ボン酸などからなる潤滑膜を設けるのが好ましい。
【００２４】上記構成の磁気記録媒体にあっては基板１
上にＣｏＺｒＣ系下地膜２を設けてあるので、基板と垂
直磁性膜との間に設けられた下地膜はＣｏ、Ｚｒおよび
カーボンを含む材料からなるものである。よって、非磁
性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細化させるこ
とができ、その結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒
体のＳＮＲ特性を向上させることができる。
上にＣｏＺｒＣ系下地膜２を設けてあるので、基板と垂
直磁性膜との間に設けられた下地膜はＣｏ、Ｚｒおよび
カーボンを含む材料からなるものである。よって、非磁
性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細化させるこ
とができ、その結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒
体のＳＮＲ特性を向上させることができる。
【００２５】さらにＣｏＺｒＣ系下地膜２を非晶質構造
をなす材料からなるものとすると、ＣｏＺｒＣ系下地膜
の上に非磁性中間膜４を介して形成される垂直磁性膜５
の垂直配向性を高め、ノイズ特性および保磁力をより向
上させることができる。
をなす材料からなるものとすると、ＣｏＺｒＣ系下地膜
の上に非磁性中間膜４を介して形成される垂直磁性膜５
の垂直配向性を高め、ノイズ特性および保磁力をより向
上させることができる。
【００２６】また、垂直磁性膜５の直下に、ｈｃｐ構造
を有する非磁性中間膜４を設けれらているので、垂直磁
性膜５の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、
垂直磁性膜５の結晶配向性を向上させ、高保磁力化、低
ノイズ化を図ることができる。
を有する非磁性中間膜４を設けれらているので、垂直磁
性膜５の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、
垂直磁性膜５の結晶配向性を向上させ、高保磁力化、低
ノイズ化を図ることができる。
【００２７】図１０は、上記磁気記録媒体を用いた磁気
記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記
録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体９と、磁
気記録媒体９を回転駆動させる媒体駆動部１０と、磁気
記録媒体９に情報を記録再生する磁気ヘッド１１と、こ
の磁気ヘッド１１を磁気記録媒体９に対して相対運動さ
せるヘッド駆動部１２と、記録再生信号処理系１３とを
備えている。記録再生信号処理系１３は、外部からの記
録信号を処理して磁気ヘッド１１に送ったり、磁気ヘッ
ド１１からの再生信号を処理して外部に送ることができ
るようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用い
る磁気ヘッド１１には、垂直磁気記録再生用ヘッド、記
録再生ギャップが短いリング型ヘッドを用いることがで
きる。再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を
利用したＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）
素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用し
たＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッ
ドを用いることができる。
記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記
録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体９と、磁
気記録媒体９を回転駆動させる媒体駆動部１０と、磁気
記録媒体９に情報を記録再生する磁気ヘッド１１と、こ
の磁気ヘッド１１を磁気記録媒体９に対して相対運動さ
せるヘッド駆動部１２と、記録再生信号処理系１３とを
備えている。記録再生信号処理系１３は、外部からの記
録信号を処理して磁気ヘッド１１に送ったり、磁気ヘッ
ド１１からの再生信号を処理して外部に送ることができ
るようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用い
る磁気ヘッド１１には、垂直磁気記録再生用ヘッド、記
録再生ギャップが短いリング型ヘッドを用いることがで
きる。再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を
利用したＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）
素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用し
たＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッ
ドを用いることができる。
【００２８】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、ＣｏＺｒＣ系下地膜２、非磁性中間膜４、
垂直磁性膜５を順次をスパッタリング、真空蒸着、イオ
ンプレーティングなどの手法により形成し、続いて保護
膜６を、プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタ
リング法などにより形成する。
基板１上に、ＣｏＺｒＣ系下地膜２、非磁性中間膜４、
垂直磁性膜５を順次をスパッタリング、真空蒸着、イオ
ンプレーティングなどの手法により形成し、続いて保護
膜６を、プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタ
リング法などにより形成する。
【００２９】ＣｏＺｒＣ系下地膜２をスパッタリング法
により形成する場合には、ＣｏＺｒおよびカーボンを含
む材料、例えばＣｏを５０ａｔ％以上、Ｚｒを４ａｔ％
以上、カーボンを０．１〜２０ａｔ％、含む材料からな
るスパッタリングターゲットが用いられる。このターゲ
ットとしては、焼結合金ターゲットや、溶製法により製
造された合金ターゲットを用いることができ、特に、焼
結合金ターゲットを用いるのが好ましい。この焼結合金
ターゲットは、上記材料の粉末を用い、これをＨＩＰ
（熱間静水圧プレス）、ホットプレス等の従来公知の方
法により焼結したものとすることができる。なお上記材
料粉末としては、ガスアトマイズ法等の従来公知の方法
により製造したものを用いることができる。
により形成する場合には、ＣｏＺｒおよびカーボンを含
む材料、例えばＣｏを５０ａｔ％以上、Ｚｒを４ａｔ％
以上、カーボンを０．１〜２０ａｔ％、含む材料からな
るスパッタリングターゲットが用いられる。このターゲ
ットとしては、焼結合金ターゲットや、溶製法により製
造された合金ターゲットを用いることができ、特に、焼
結合金ターゲットを用いるのが好ましい。この焼結合金
ターゲットは、上記材料の粉末を用い、これをＨＩＰ
（熱間静水圧プレス）、ホットプレス等の従来公知の方
法により焼結したものとすることができる。なお上記材
料粉末としては、ガスアトマイズ法等の従来公知の方法
により製造したものを用いることができる。
【００３０】これらの膜を形成するためのスパッタリン
グの条件は例えば次のようにする。成膜に用いるチャン
バー内は真空度が１０-4〜１０-7［Ｐａ］となるまで排
気する。チャンバー内に基板を収容して、所望の保磁力
を得るように基板を加熱、例えば２００〜２５０℃に加
熱した後、Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜
をおこなう。このとき、供給するパワーは０．２〜２．
０［ｋＷ］とし、放電時間とパワーを調節することによ
って、所望の膜厚を得ることができる。
グの条件は例えば次のようにする。成膜に用いるチャン
バー内は真空度が１０-4〜１０-7［Ｐａ］となるまで排
気する。チャンバー内に基板を収容して、所望の保磁力
を得るように基板を加熱、例えば２００〜２５０℃に加
熱した後、Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜
をおこなう。このとき、供給するパワーは０．２〜２．
０［ｋＷ］とし、放電時間とパワーを調節することによ
って、所望の膜厚を得ることができる。
【００３１】また、潤滑膜を形成するには、ディッピン
グ法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用する
ことができる。
グ法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用する
ことができる。
【００３２】上記製造方法で製造された磁気記録媒体に
あっては、基板１上にＣｏＺｒＣ系下地膜２を設けてあ
るので、基板と垂直磁性膜との間に設けられた下地膜は
Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるものであ
る。また、基板と垂直磁性膜との間に設けられた下地膜
は少なくとも垂直磁性膜側の表面においてｐ原子％のＣ
ｏ、ｑ原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むも
のである。（ここでｐ、ｑおよびｒは、次の条件を満た
すのが好ましい。ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦
ｑ、０．１≦ｒ≦２０）。よって、非磁性中間膜４およ
び垂直磁性膜５の結晶を微細化させることができ、その
結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性
を向上させることができる。
あっては、基板１上にＣｏＺｒＣ系下地膜２を設けてあ
るので、基板と垂直磁性膜との間に設けられた下地膜は
Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるものであ
る。また、基板と垂直磁性膜との間に設けられた下地膜
は少なくとも垂直磁性膜側の表面においてｐ原子％のＣ
ｏ、ｑ原子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むも
のである。（ここでｐ、ｑおよびｒは、次の条件を満た
すのが好ましい。ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦
ｑ、０．１≦ｒ≦２０）。よって、非磁性中間膜４およ
び垂直磁性膜５の結晶を微細化させることができ、その
結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性
を向上させることができる。
【００３３】また上記製造方法で製造された磁気記録媒
体にあっては、垂直磁性膜の結晶粒の平均粒径を５０〜
１５０Åとすることができる。
体にあっては、垂直磁性膜の結晶粒の平均粒径を５０〜
１５０Åとすることができる。
【００３４】また、上記スパッタリングターゲットによ
れば、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるも
のであるので、ＣｏＺｒＣ系下地膜２を容易に作製する
ことができる。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易
にすることができる。
れば、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるも
のであるので、ＣｏＺｒＣ系下地膜２を容易に作製する
ことができる。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易
にすることができる。
【００３５】図１記載の磁気記録媒体は、ｈｃｐ構造を
有する材料からなる非磁性中間膜４を設けたが、本発明
の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間膜４を設け
なくてもよい。非磁性中間膜４を設けない場合の磁気記
録媒体を図２に示す。
有する材料からなる非磁性中間膜４を設けたが、本発明
の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間膜４を設け
なくてもよい。非磁性中間膜４を設けない場合の磁気記
録媒体を図２に示す。
【００３６】本発明の磁気記録媒体において、下地膜２
は基板１と垂直磁性膜５との間に設けられていれば良
く、基板１と下地膜２との間、または下地膜２と垂直磁
性膜５の間に他の下地膜が設けられても良い。
は基板１と垂直磁性膜５との間に設けられていれば良
く、基板１と下地膜２との間、または下地膜２と垂直磁
性膜５の間に他の下地膜が設けられても良い。
【００３７】例えば、図１、２記載の磁気記録媒体に、
ＣｏＺｒＣ系下地膜２と非磁性中膜４の間に非磁性のｈ
ｃｐ構造、またはｆｃｃ構造からなる非磁性下地膜７を
設けても同様にノイズ特性を向上することができる。非
磁性下地膜７を設けた場合の磁気記録媒体を図３、４に
示す。非磁性下地膜７の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ、Ｃｕから選ばれるいずれかを用いることができる。
またその膜厚は２〜５０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎ
ｍ）（すなわち２０〜５００Å（好ましくは５０〜２０
０Å））とするのが好ましい。
ＣｏＺｒＣ系下地膜２と非磁性中膜４の間に非磁性のｈ
ｃｐ構造、またはｆｃｃ構造からなる非磁性下地膜７を
設けても同様にノイズ特性を向上することができる。非
磁性下地膜７を設けた場合の磁気記録媒体を図３、４に
示す。非磁性下地膜７の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ、Ｃｕから選ばれるいずれかを用いることができる。
またその膜厚は２〜５０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎ
ｍ）（すなわち２０〜５００Å（好ましくは５０〜２０
０Å））とするのが好ましい。
【００３８】さらに例えば、図１，２、３，４記載の磁
気記録媒体に、基板１とＣｏＺｒＣ系下地膜２の間に軟
磁性膜８を設けても同様にノイズ特性を向上することが
できる。軟磁性膜８を設けた場合の磁気記録媒体を図
５，６、７，８に示す。軟磁性膜８の材料としては、パ
ーマロイ合金、センダスト合金、Ｃｏ非晶質軟磁性材料
から選ばれるいずれかを用いることができる。またその
膜厚は１００ｎｍ以上（好ましくは２５０〜６００ｎ
ｍ）（すなわち１０００Å以上（好ましくは２５００〜
６０００Å））とするのが好ましい。
気記録媒体に、基板１とＣｏＺｒＣ系下地膜２の間に軟
磁性膜８を設けても同様にノイズ特性を向上することが
できる。軟磁性膜８を設けた場合の磁気記録媒体を図
５，６、７，８に示す。軟磁性膜８の材料としては、パ
ーマロイ合金、センダスト合金、Ｃｏ非晶質軟磁性材料
から選ばれるいずれかを用いることができる。またその
膜厚は１００ｎｍ以上（好ましくは２５０〜６００ｎ
ｍ）（すなわち１０００Å以上（好ましくは２５００〜
６０００Å））とするのが好ましい。
【００３９】上記構成の磁気記録媒体において、静磁気
特性の一つである保磁力を２５００［エルステッド］以
上（より好ましくは３０００［エルステッド］以上）と
したものは好ましい。高記録密度で使用したときの再生
信号の低下が少なく再生信号が向上するので、ＳＮＲ特
性をより向上できるからである。
特性の一つである保磁力を２５００［エルステッド］以
上（より好ましくは３０００［エルステッド］以上）と
したものは好ましい。高記録密度で使用したときの再生
信号の低下が少なく再生信号が向上するので、ＳＮＲ特
性をより向上できるからである。
【００４０】また本明細書において主成分とは当該成分
を５０ａｔ％を越えて含むことを指す。
を５０ａｔ％を越えて含むことを指す。
【００４１】別の実施形態を説明する。図９は、本発明
の磁気記録媒体の別の実施形態を示す。ここに示す磁気
記録媒体は、基板１上に、第１下地膜２ａ（以下「カー
ボン下地膜２ａ」ともいう。）とその上の第２下地膜２
ｂ（以下「ＣｏＺｒ系下地膜２ｂ」ともいう。）から構
成されるＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなる
下地膜２、非磁性中間膜４、垂直磁性膜５、および保護
膜６を順次形成したものであり、ここで第２下地膜２ｂ
はその中にカーボン下地膜２ａの材料が拡散したもので
ある。すなわち、先に説明した図１の実施形態におい
て、下地膜２を第１下地膜２ａとその上の第２下地膜２
ｂとからなる２層構造とし、第２下地膜２ｂ中にカーボ
ン下地膜２ａの材料を拡散させたものである。
の磁気記録媒体の別の実施形態を示す。ここに示す磁気
記録媒体は、基板１上に、第１下地膜２ａ（以下「カー
ボン下地膜２ａ」ともいう。）とその上の第２下地膜２
ｂ（以下「ＣｏＺｒ系下地膜２ｂ」ともいう。）から構
成されるＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなる
下地膜２、非磁性中間膜４、垂直磁性膜５、および保護
膜６を順次形成したものであり、ここで第２下地膜２ｂ
はその中にカーボン下地膜２ａの材料が拡散したもので
ある。すなわち、先に説明した図１の実施形態におい
て、下地膜２を第１下地膜２ａとその上の第２下地膜２
ｂとからなる２層構造とし、第２下地膜２ｂ中にカーボ
ン下地膜２ａの材料を拡散させたものである。
【００４２】基板１としては、磁気記録媒体用基板とし
て一般に用いられるＮｉＰ合金メッキ膜が形成されたア
ルミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」と
もいう。）のほか、ガラス基板、セラミック基板、カー
ボン基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉ
Ｐ合金膜をメッキ法あるいスパッタ法により形成した基
板を用いることができる。基板１の表面は通常磁気記録
媒体用基板としてポリッシュされていれば良い。平均粗
さＲａは０．５ｎｍ（５Å）以下であるのが高記録密度
として好ましい。下地膜を軟磁性材料からなるのもの
（例えばＣｏＣｒＺｒ系合金）とした場合、基板表面に
円周方向にテクスチャー加工を施したものはスパイク状
のノイズを低減することができるのでよりＳＮＲ特性を
向上できるので好ましい。
て一般に用いられるＮｉＰ合金メッキ膜が形成されたア
ルミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」と
もいう。）のほか、ガラス基板、セラミック基板、カー
ボン基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉ
Ｐ合金膜をメッキ法あるいスパッタ法により形成した基
板を用いることができる。基板１の表面は通常磁気記録
媒体用基板としてポリッシュされていれば良い。平均粗
さＲａは０．５ｎｍ（５Å）以下であるのが高記録密度
として好ましい。下地膜を軟磁性材料からなるのもの
（例えばＣｏＣｒＺｒ系合金）とした場合、基板表面に
円周方向にテクスチャー加工を施したものはスパイク状
のノイズを低減することができるのでよりＳＮＲ特性を
向上できるので好ましい。
【００４３】カーボン下地膜２ａ、ＣｏＺｒ系下地膜２
ｂは、非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細
化させるためのものであり、これにより媒体ノイズを低
下させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性を向上させることが
できる。
ｂは、非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細
化させるためのものであり、これにより媒体ノイズを低
下させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性を向上させることが
できる。
【００４４】そのメカニズムは明確ではないが、以下の
ように推定する。ＣｏＺｒ系下地膜はその上に形成する
非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶の成長を制御
することができる。その結果、ＣｏＺｒ系下地膜を設け
ることにより垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配
向性を向上させることができる。さらに、ＣｏＺｒ系下
地膜２ｂの下にカーボン下地膜２ａを設けて、さらに拡
散によりＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中にカーボンを含ませ
る。カーボンを含ませたＣｏＺｒ系下地膜２ｂにおいて
は、その上に膜を形成する際に膜の結晶粒の核となる核
発生源が増加する。膜が形成される際には核発生源を核
として膜の結晶粒が形成されるので、核発生源が増加す
ると結晶粒の間隔が小さくなるので結晶粒は微細化され
る。本発明では、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂにカーボンを含
ませることにより増加させた核発生源を核にして、非磁
性中間膜４が形成されるので、その膜は微細化した結晶
粒を有するものになる。さらにその上に形成される垂直
磁性膜５の結晶粒は微細化した状態となる。一方、非磁
性中間層４が無く垂直磁性膜５が形成される場合は、垂
直磁性膜５が同様に微細化した結晶粒を有するものにな
る。以上のように、垂直磁性膜５の結晶粒が微細化して
いるので、媒体のノイズ特性を向上させることができる
と推定する。
ように推定する。ＣｏＺｒ系下地膜はその上に形成する
非磁性中間膜４および垂直磁性膜５の結晶の成長を制御
することができる。その結果、ＣｏＺｒ系下地膜を設け
ることにより垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配
向性を向上させることができる。さらに、ＣｏＺｒ系下
地膜２ｂの下にカーボン下地膜２ａを設けて、さらに拡
散によりＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中にカーボンを含ませ
る。カーボンを含ませたＣｏＺｒ系下地膜２ｂにおいて
は、その上に膜を形成する際に膜の結晶粒の核となる核
発生源が増加する。膜が形成される際には核発生源を核
として膜の結晶粒が形成されるので、核発生源が増加す
ると結晶粒の間隔が小さくなるので結晶粒は微細化され
る。本発明では、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂにカーボンを含
ませることにより増加させた核発生源を核にして、非磁
性中間膜４が形成されるので、その膜は微細化した結晶
粒を有するものになる。さらにその上に形成される垂直
磁性膜５の結晶粒は微細化した状態となる。一方、非磁
性中間層４が無く垂直磁性膜５が形成される場合は、垂
直磁性膜５が同様に微細化した結晶粒を有するものにな
る。以上のように、垂直磁性膜５の結晶粒が微細化して
いるので、媒体のノイズ特性を向上させることができる
と推定する。
【００４５】カーボン下地膜２ａには、カーボンを含む
材料が用いられる。カーボン下地膜２ａは、カーボンの
みからなるものであってもよいし、カーボンを主成分と
し、他の元素（例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｗのうち１種または２種以上）を含む材料からなるもの
であってもよい。カーボン下地膜２中のカーボンの含有
率は、５０ａｔ％以上（好ましくは８０ａｔ％以上）と
するのが望ましい。この含有率が上記範囲未満である
と、ノイズ特性の向上の効果が低下する。
材料が用いられる。カーボン下地膜２ａは、カーボンの
みからなるものであってもよいし、カーボンを主成分と
し、他の元素（例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｗのうち１種または２種以上）を含む材料からなるもの
であってもよい。カーボン下地膜２中のカーボンの含有
率は、５０ａｔ％以上（好ましくは８０ａｔ％以上）と
するのが望ましい。この含有率が上記範囲未満である
と、ノイズ特性の向上の効果が低下する。
【００４６】カーボン下地膜２ａの厚さは、０．５ｎｍ
以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
【００４７】ＣｏＺｒ系下地膜２ｂには、ＣｏおよびＺ
ｒを含む材料とその中に拡散されているカーボン材料と
を含む。ＣｏおよびＺｒを含む材料中のＣｏの含有率は
ｐ原子％、Ｚｒの含有率はｑ原子％とするのが望まし
い。ここでｐおよびｑは、ｐ＋ｑ≦１００、５０≦ｐ、
４≦ｑの条件を満たすのが好ましい。ｐおよびｑは、ｐ
＋ｑ≦１００、４０≦ｐ、５≦ｑの条件を満たすのがさ
らに好ましい。
ｒを含む材料とその中に拡散されているカーボン材料と
を含む。ＣｏおよびＺｒを含む材料中のＣｏの含有率は
ｐ原子％、Ｚｒの含有率はｑ原子％とするのが望まし
い。ここでｐおよびｑは、ｐ＋ｑ≦１００、５０≦ｐ、
４≦ｑの条件を満たすのが好ましい。ｐおよびｑは、ｐ
＋ｑ≦１００、４０≦ｐ、５≦ｑの条件を満たすのがさ
らに好ましい。
【００４８】ＣｏおよびＺｒを含む材料は、Ｃｏおよび
Ｚｒからなるものであってもよいし、他の元素Ｍ（例え
ばＣｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｓｉのうち１種または２種以上）
を含む材料からなるものであってもよい。Ｍをｒ原子％
含ませることができる。ここでｐ、ｑおよびｒは、次の
条件を満たすのが好ましい。 ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦ｑ、ｒ≦４０
Ｚｒからなるものであってもよいし、他の元素Ｍ（例え
ばＣｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｓｉのうち１種または２種以上）
を含む材料からなるものであってもよい。Ｍをｒ原子％
含ませることができる。ここでｐ、ｑおよびｒは、次の
条件を満たすのが好ましい。 ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦ｑ、ｒ≦４０
【００４９】たとえば、Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚｒ（Ｃｒの
含有量３０ａｔ％、Ｚｒの含有量１０ａｔ％、残りはＣ
ｏ）で表わされる合金を用いることができる。
含有量３０ａｔ％、Ｚｒの含有量１０ａｔ％、残りはＣ
ｏ）で表わされる合金を用いることができる。
【００５０】ＣｏＺｒ系下地膜２ｂは、カーボン下地膜
２ａとその上のＣｏＺｒ系下地膜２ｂとからなる２層構
造であり、ＣｏおよびＺｒを含む材料からなる膜中にカ
ーボン下地膜２ａに含まれるカーボンを拡散させたもの
である。
２ａとその上のＣｏＺｒ系下地膜２ｂとからなる２層構
造であり、ＣｏおよびＺｒを含む材料からなる膜中にカ
ーボン下地膜２ａに含まれるカーボンを拡散させたもの
である。
【００５１】少なくともＣｏＺｒ系下地膜２ｂの垂直磁
性膜側の界面近傍の領域においてｐ原子％のＣｏ、ｑ原
子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことが好ま
しい。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、
５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満たすの
が好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、
５０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのがさら
に好ましい。この含有率が上記範囲内であると、ノイズ
特性の向上の効果が得られる。
性膜側の界面近傍の領域においてｐ原子％のＣｏ、ｑ原
子％のＺｒおよびｒ原子％のカーボンを含むことが好ま
しい。ここでｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、
５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２０の条件を満たすの
が好ましい。ｐ、ｑおよびｒは、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００、
５０≦ｐ、４≦ｑ、１≦ｒ≦５の条件を満たすのがさら
に好ましい。この含有率が上記範囲内であると、ノイズ
特性の向上の効果が得られる。
【００５２】さらに、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂの構造は、
非晶質構造をなすものであることが望ましい。非晶質構
造を有することにより、その上に形成された非磁性中間
膜４および垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配向
性がより効果的に向上すると推定している。非晶質構造
であることは、形成した膜をＸ線回折装置を用いて回折
強度分布を測定した時にＣｏＺｒ系下地膜２ｂ起因のピ
ークが存在しないことで確認することができる。
非晶質構造をなすものであることが望ましい。非晶質構
造を有することにより、その上に形成された非磁性中間
膜４および垂直磁性膜５の有する磁化容易軸の垂直配向
性がより効果的に向上すると推定している。非晶質構造
であることは、形成した膜をＸ線回折装置を用いて回折
強度分布を測定した時にＣｏＺｒ系下地膜２ｂ起因のピ
ークが存在しないことで確認することができる。
【００５３】ＣｏＺｒ系下地膜２ｂの厚さは、０．５ｎ
ｍ以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
ｍ以上（すなわち５Å以上）、好ましくは２〜３０ｎｍ
（すなわち２０〜３００Å）とするのが好ましい。この
厚さが上記範囲未満であると、ノイズ特性を向上させる
効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくな
り、ノイズ特性が低下しＳＮＲ特性が低下するため好ま
しくない。
【００５４】垂直磁性膜５の結晶粒はその平均粒径が５
０〜１５０Åとしたものが好ましい。平均粒径は、磁性
膜の結晶粒ををＴＥＭ観察して例えば観察像を画像処理
装置などで処理して平均粒径を求めることができる。
０〜１５０Åとしたものが好ましい。平均粒径は、磁性
膜の結晶粒ををＴＥＭ観察して例えば観察像を画像処理
装置などで処理して平均粒径を求めることができる。
【００５５】非磁性中間膜４は、媒体の保磁力を高める
ためのもので、ｈｃｐ構造を有する非磁性材料からなる
ものとされる。非磁性中間膜４の材料としては、Ｃｏ／
Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃ
ｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、
Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉから選ばれるいずれか１種または
２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが好適であ
る。特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、Ｐｔの含
有率が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜１０ａｔ％、
残部がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするものを用い
るのが好ましい。非磁性中間膜４は、単層構造をなすも
のとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよい。
多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互いに
同一または異なる複数の材料を積層したものとすること
ができる。
ためのもので、ｈｃｐ構造を有する非磁性材料からなる
ものとされる。非磁性中間膜４の材料としては、Ｃｏ／
Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃ
ｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、
Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉから選ばれるいずれか１種または
２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが好適であ
る。特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、Ｐｔの含
有率が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜１０ａｔ％、
残部がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするものを用い
るのが好ましい。非磁性中間膜４は、単層構造をなすも
のとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよい。
多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互いに
同一または異なる複数の材料を積層したものとすること
ができる。
【００５６】非磁性中間膜４の厚さは、５００Å以下と
するのが好ましい。この厚さが５００Åを超えると、垂
直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくなり、ノ
イズ特性が低下するため好ましくない。非磁性中間膜４
の厚さは、５０〜２００Åとするのがより好ましい。多
層にした場合の非磁性中間膜４の厚さは、上記理由か
ら、全体で５００Å以下、好ましくは５０〜２００Åと
するのが望ましい。
するのが好ましい。この厚さが５００Åを超えると、垂
直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくなり、ノ
イズ特性が低下するため好ましくない。非磁性中間膜４
の厚さは、５０〜２００Åとするのがより好ましい。多
層にした場合の非磁性中間膜４の厚さは、上記理由か
ら、全体で５００Å以下、好ましくは５０〜２００Åと
するのが望ましい。
【００５７】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対し垂直方向に配向した磁性材料からなるものであり、
その材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系
（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉ
から選ばれるいずれか１種または２種以上）のうちいず
れかの合金を用いるのが好ましい。中でも特に、Ｃｒの
含有量が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量が０〜１５ａ
ｔ％、Ｘの含有量が０〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有率が
上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生信号が低下
するため好ましくない。垂直磁性膜５は、単層構造をな
すものとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよ
い。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互
いに同一または異なる複数の材料を積層したものとする
ことができる。
対し垂直方向に配向した磁性材料からなるものであり、
その材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系
（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ，Ｓｉ
から選ばれるいずれか１種または２種以上）のうちいず
れかの合金を用いるのが好ましい。中でも特に、Ｃｒの
含有量が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量が０〜１５ａ
ｔ％、Ｘの含有量が０〜５ａｔ％、残部がＣｏからなる
Ｃｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有率が
上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生信号が低下
するため好ましくない。垂直磁性膜５は、単層構造をな
すものとしても良いし、多層構造をなすものとしてもよ
い。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互
いに同一または異なる複数の材料を積層したものとする
ことができる。
【００５８】基板に対して垂直方向に配向した状態と
は、例えば、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法
によるＸ線回折強度分布においてＣｏ（０００２）面の
ピークの半価幅が１０度以下となる状態である。好まし
くは５度以下である。
は、例えば、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法
によるＸ線回折強度分布においてＣｏ（０００２）面の
ピークの半価幅が１０度以下となる状態である。好まし
くは５度以下である。
【００５９】垂直磁性膜５の厚さは、１００〜１０００
Åとするのが好ましい。垂直磁性膜５の厚さが１００Å
未満であると、十分な磁束が得られず、再生信号が低下
する。また、垂直磁性膜５の厚さが１０００Åを超える
と垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起き、ノイズ特
性が低下するため好ましくない。垂直磁性膜５の厚さ
は、３００〜７００Åにするのがさらに好ましい。これ
は、垂直磁性膜５の厚さをこの範囲とすると、再生信号
をさらに向上させるとともに、垂直磁性膜５内の磁性粒
子の粗大化を防ぎ、ノイズ特性をより高めることができ
るためである。
Åとするのが好ましい。垂直磁性膜５の厚さが１００Å
未満であると、十分な磁束が得られず、再生信号が低下
する。また、垂直磁性膜５の厚さが１０００Åを超える
と垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起き、ノイズ特
性が低下するため好ましくない。垂直磁性膜５の厚さ
は、３００〜７００Åにするのがさらに好ましい。これ
は、垂直磁性膜５の厚さをこの範囲とすると、再生信号
をさらに向上させるとともに、垂直磁性膜５内の磁性粒
子の粗大化を防ぎ、ノイズ特性をより高めることができ
るためである。
【００６０】保護膜６は、垂直磁性膜５の腐食を防ぎ、
媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を
使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の単一組成、ま
たはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能で
ある。保護膜６の厚さは、耐腐食性、摺動性から１〜２
０ｎｍ（すなわち１０〜２００Å）が望ましい。さらに
は、スペーシングロスを低減させ十分な再生信号を得る
ために、１〜１０ｎｍ（すなわち１０〜１００Å）とす
るのがより好ましい。また、保護膜６上には、パーフル
オロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カル
ボン酸などからなる潤滑膜を設けるのが好ましい。
媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を
使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の単一組成、ま
たはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能で
ある。保護膜６の厚さは、耐腐食性、摺動性から１〜２
０ｎｍ（すなわち１０〜２００Å）が望ましい。さらに
は、スペーシングロスを低減させ十分な再生信号を得る
ために、１〜１０ｎｍ（すなわち１０〜１００Å）とす
るのがより好ましい。また、保護膜６上には、パーフル
オロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カル
ボン酸などからなる潤滑膜を設けるのが好ましい。
【００６１】上記構成の磁気記録媒体にあっては、基板
１上にカーボン下地膜２ａその上にＣｏＺｒ系下地膜２
ｂを設けてありＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中にカーボンを拡
散させてあるので、基板と垂直磁性膜との間に設けられ
た下地膜２はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料から
なるものである。その結果、非磁性中間膜４および垂直
磁性膜５の結晶を微細化させることができ、その結果媒
体ノイズを低減させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性を向上
させることができる。
１上にカーボン下地膜２ａその上にＣｏＺｒ系下地膜２
ｂを設けてありＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中にカーボンを拡
散させてあるので、基板と垂直磁性膜との間に設けられ
た下地膜２はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料から
なるものである。その結果、非磁性中間膜４および垂直
磁性膜５の結晶を微細化させることができ、その結果媒
体ノイズを低減させ、磁気記録媒体のＳＮＲ特性を向上
させることができる。
【００６２】さらにＣｏＺｒ系下地膜２ｂを非晶質構造
をなす材料からなるものとすることによって、ＣｏＺｒ
系下地膜２ｂの上に非磁性中間膜４を介して形成される
垂直磁性膜５の垂直配向性を高め、ノイズ特性および保
磁力をより向上させることができる。
をなす材料からなるものとすることによって、ＣｏＺｒ
系下地膜２ｂの上に非磁性中間膜４を介して形成される
垂直磁性膜５の垂直配向性を高め、ノイズ特性および保
磁力をより向上させることができる。
【００６３】また、垂直磁性膜５の直下に、ｈｃｐ構造
を有する非磁性中間膜４を設けることによって、垂直磁
性膜５の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、
垂直磁性膜５の結晶配向性を向上させ、高保磁力化、低
ノイズ化を図ることができる。
を有する非磁性中間膜４を設けることによって、垂直磁
性膜５の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、
垂直磁性膜５の結晶配向性を向上させ、高保磁力化、低
ノイズ化を図ることができる。
【００６４】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、第１下地膜としてカーボン下地膜２ａ、そ
の上に第２下地膜としてＣｏおよびＺｒを含む膜を形成
し、第２下地膜に第１下地膜の材料のカーボンを拡散さ
せ、さらにその上に非磁性中間膜４、垂直磁性膜５を順
次をスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング
などの手法により形成し、続いて保護膜６を、プラズマ
ＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法などによ
り形成する。
基板１上に、第１下地膜としてカーボン下地膜２ａ、そ
の上に第２下地膜としてＣｏおよびＺｒを含む膜を形成
し、第２下地膜に第１下地膜の材料のカーボンを拡散さ
せ、さらにその上に非磁性中間膜４、垂直磁性膜５を順
次をスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング
などの手法により形成し、続いて保護膜６を、プラズマ
ＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法などによ
り形成する。
【００６５】カーボン下地膜２ａをスパッタリング法に
より形成する場合には、上記カーボンを含む材料、例え
ばカーボンを５０ａｔ％以上（好ましくは８０ａｔ％以
上）含む材料からなるスパッタリングターゲットが用い
られる。このスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ａ
ｌ、Ｓの不純物の含有量が各５質量ｐｐｍ以下であるこ
とが望ましい。このターゲットとしては、焼結合金ター
ゲットや、溶製法により製造された合金ターゲットを用
いることができ、特に、焼結合金ターゲットを用いるの
が好ましい。この焼結合金ターゲットは、上記材料の粉
末を用い、これをＨＩＰ（熱間静水圧プレス）、ホット
プレス等の従来公知の方法により焼結したものとするこ
とができる。なお上記材料粉末としては、ガスアトマイ
ズ法等の従来公知の方法により製造したものを用いるこ
とができる。
より形成する場合には、上記カーボンを含む材料、例え
ばカーボンを５０ａｔ％以上（好ましくは８０ａｔ％以
上）含む材料からなるスパッタリングターゲットが用い
られる。このスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ａ
ｌ、Ｓの不純物の含有量が各５質量ｐｐｍ以下であるこ
とが望ましい。このターゲットとしては、焼結合金ター
ゲットや、溶製法により製造された合金ターゲットを用
いることができ、特に、焼結合金ターゲットを用いるの
が好ましい。この焼結合金ターゲットは、上記材料の粉
末を用い、これをＨＩＰ（熱間静水圧プレス）、ホット
プレス等の従来公知の方法により焼結したものとするこ
とができる。なお上記材料粉末としては、ガスアトマイ
ズ法等の従来公知の方法により製造したものを用いるこ
とができる。
【００６６】ＣｏおよびＺｒを含む膜をスパッタリング
法により形成する場合には、ＣｏおよびＺｒを含む材
料、例えばＺｒを４ａｔ％以上（好ましくは１０ａｔ％
以上）、Ｃｏを５０ａｔ％以上（好ましくは６０ａｔ％
以上）含む材料からなるスパッタリングターゲットが用
いられる。このスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ａ
ｌ、Ｏ、Ｎの不純物の含有量が各１００質量ｐｐｍ以下
であることが望ましい。このターゲットとしては、焼結
合金ターゲットや、溶製法により製造された合金ターゲ
ットを用いることができ、特に、焼結合金ターゲットを
用いるのが好ましい。この焼結合金ターゲットは、上記
材料の粉末を用い、これをＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）、ホットプレス等の従来公知の方法により焼結した
ものとすることができる。なお上記材料粉末としては、
ガスアトマイズ法等の従来公知の方法により製造したも
のを用いることができる。
法により形成する場合には、ＣｏおよびＺｒを含む材
料、例えばＺｒを４ａｔ％以上（好ましくは１０ａｔ％
以上）、Ｃｏを５０ａｔ％以上（好ましくは６０ａｔ％
以上）含む材料からなるスパッタリングターゲットが用
いられる。このスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ａ
ｌ、Ｏ、Ｎの不純物の含有量が各１００質量ｐｐｍ以下
であることが望ましい。このターゲットとしては、焼結
合金ターゲットや、溶製法により製造された合金ターゲ
ットを用いることができ、特に、焼結合金ターゲットを
用いるのが好ましい。この焼結合金ターゲットは、上記
材料の粉末を用い、これをＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）、ホットプレス等の従来公知の方法により焼結した
ものとすることができる。なお上記材料粉末としては、
ガスアトマイズ法等の従来公知の方法により製造したも
のを用いることができる。
【００６７】これらの膜を形成するためのスパッタリン
グの条件は例えば次のようにする。成膜に用いるチャン
バー内は真空度が１０-4〜１０-7［Ｐａ］となるまで排
気する。チャンバー内に基板を収容して、所望の保磁力
を得るように基板を加熱、例えば２００〜２５０℃に加
熱した後、Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜
をおこなう。
グの条件は例えば次のようにする。成膜に用いるチャン
バー内は真空度が１０-4〜１０-7［Ｐａ］となるまで排
気する。チャンバー内に基板を収容して、所望の保磁力
を得るように基板を加熱、例えば２００〜２５０℃に加
熱した後、Ａｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜
をおこなう。
【００６８】次に第２下地膜に第１下地膜の材料のカー
ボンを拡散させる。ここで、基板の温度を１５０℃以上
として第２下地膜を形成することにより、ＣｏおよびＺ
ｒを含む下地膜中にカーボン下地膜２ａのカーボン材料
が拡散されるのでＣｏおよびＺｒを含む下地膜は、カー
ボンを含むＣｏＺｒ系下地膜２ｂとなる。基板の温度を
調整することによりカーボン下地膜２ａよりカーボンを
ＣｏＺｒ系下地膜中に拡散させる量を調整できるので、
ＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中のカーボンの含有量を所望の値
に合わせることができる。
ボンを拡散させる。ここで、基板の温度を１５０℃以上
として第２下地膜を形成することにより、ＣｏおよびＺ
ｒを含む下地膜中にカーボン下地膜２ａのカーボン材料
が拡散されるのでＣｏおよびＺｒを含む下地膜は、カー
ボンを含むＣｏＺｒ系下地膜２ｂとなる。基板の温度を
調整することによりカーボン下地膜２ａよりカーボンを
ＣｏＺｒ系下地膜中に拡散させる量を調整できるので、
ＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中のカーボンの含有量を所望の値
に合わせることができる。
【００６９】このとき、供給するパワーは０．２〜２．
０［ｋＷ］とし、放電時間とパワーを調節することによ
って、所望の膜厚を得ることができる。
０［ｋＷ］とし、放電時間とパワーを調節することによ
って、所望の膜厚を得ることができる。
【００７０】このように、基板の温度を１５０℃以上に
することにより、第１下地膜であるカーボン下地膜２ａ
に含まれるカーボンを第２下地膜であるＣｏＺｒ系下地
膜中に拡散させる工程を、ＣｏＺｒ系下地膜を形成する
工程と同時に実施することができる。よって生産工程が
短縮できるので好ましい。
することにより、第１下地膜であるカーボン下地膜２ａ
に含まれるカーボンを第２下地膜であるＣｏＺｒ系下地
膜中に拡散させる工程を、ＣｏＺｒ系下地膜を形成する
工程と同時に実施することができる。よって生産工程が
短縮できるので好ましい。
【００７１】カーボン下地膜２ａの上にＣｏＺｒ系下地
膜を形成する工程の後に、カーボン下地膜２ａよりカー
ボンをＣｏＺｒ系下地膜中に拡散させる工程を実施して
も良い。拡散させる工程としてたとえば、ＣｏＺｒ系下
地膜を形成する工程の後に加熱処理を実施することがで
きる。
膜を形成する工程の後に、カーボン下地膜２ａよりカー
ボンをＣｏＺｒ系下地膜中に拡散させる工程を実施して
も良い。拡散させる工程としてたとえば、ＣｏＺｒ系下
地膜を形成する工程の後に加熱処理を実施することがで
きる。
【００７２】潤滑膜を形成するには、ディッピング法、
スピンコート法などの従来公知の方法を採用することが
できる。
スピンコート法などの従来公知の方法を採用することが
できる。
【００７３】上記製造方法で製造された磁気記録媒体に
あっては、基板１上にカーボン下地膜２ａその上にＣｏ
Ｚｒ系下地膜２ｂを設けありＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中に
カーボンを拡散させてあるので、基板１と垂直磁性膜５
との間に設けられた下地膜２はＣｏ、Ｚｒおよびカーボ
ンを含む材料からなるものである。その結果、非磁性中
間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細化させることが
でき、その結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒体の
ＳＮＲ特性を向上させることができる。
あっては、基板１上にカーボン下地膜２ａその上にＣｏ
Ｚｒ系下地膜２ｂを設けありＣｏＺｒ系下地膜２ｂ中に
カーボンを拡散させてあるので、基板１と垂直磁性膜５
との間に設けられた下地膜２はＣｏ、Ｚｒおよびカーボ
ンを含む材料からなるものである。その結果、非磁性中
間膜４および垂直磁性膜５の結晶を微細化させることが
でき、その結果媒体ノイズを低減させ、磁気記録媒体の
ＳＮＲ特性を向上させることができる。
【００７４】また上記製造方法で製造された磁気記録媒
体にあっては、垂直磁性膜の結晶粒の平均粒径を５０〜
１５０Åとすることができる。
体にあっては、垂直磁性膜の結晶粒の平均粒径を５０〜
１５０Åとすることができる。
【００７５】また、上記スパッタリングターゲットによ
れば、カーボンを含む材料からなるものであるので、カ
ーボン下地膜２を容易に作製することができる。よっ
て、上記磁気記録媒体の製造を容易にすることができ
る。
れば、カーボンを含む材料からなるものであるので、カ
ーボン下地膜２を容易に作製することができる。よっ
て、上記磁気記録媒体の製造を容易にすることができ
る。
【００７６】また、上記スパッタリングターゲットによ
れば、ＣｏおよびＺｒを含む材料からなるものであるの
で、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂを容易に作製することができ
る。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易にすること
ができる。
れば、ＣｏおよびＺｒを含む材料からなるものであるの
で、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂを容易に作製することができ
る。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易にすること
ができる。
【００７７】図９記載の磁気記録媒体は、ｈｃｐ構造を
有する材料からなる非磁性中間膜４を設けたが、本発明
の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間膜４を設け
なくてもよい。
有する材料からなる非磁性中間膜４を設けたが、本発明
の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間膜４を設け
なくてもよい。
【００７８】本発明の磁気記録媒体において、第１下地
膜２ａおよびその上の第２下地膜２ｂは基板１と垂直磁
性膜５との間に設けられていれば良く、基板１と第１下
地膜２ａとの間、または第２下地膜２ｂと垂直磁性膜５
の間に他の膜が設けられても良い。
膜２ａおよびその上の第２下地膜２ｂは基板１と垂直磁
性膜５との間に設けられていれば良く、基板１と第１下
地膜２ａとの間、または第２下地膜２ｂと垂直磁性膜５
の間に他の膜が設けられても良い。
【００７９】例えば、ＣｏＺｒ系下地膜２ｂと非磁性中
膜４の間またはＣｏＺｒ系下地膜２ｂと垂直磁性膜５の
間に非磁性のｈｃｐ構造、またはｆｃｃ構造からなる非
磁性下地膜７を設けても同様にＳＮＲ特性を向上するこ
とができる。非磁性下地膜７としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ、Ｃｕから選ばれるいずれかを用いることができる。
またその膜厚は２〜５０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎ
ｍ）（すなわち２０〜５００Å（好ましくは５０〜２０
０Å））とするのが好ましい。
膜４の間またはＣｏＺｒ系下地膜２ｂと垂直磁性膜５の
間に非磁性のｈｃｐ構造、またはｆｃｃ構造からなる非
磁性下地膜７を設けても同様にＳＮＲ特性を向上するこ
とができる。非磁性下地膜７としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ、Ｃｕから選ばれるいずれかを用いることができる。
またその膜厚は２〜５０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎ
ｍ）（すなわち２０〜５００Å（好ましくは５０〜２０
０Å））とするのが好ましい。
【００８０】さらに例えば、基板１とカーボン下地膜２
ａの間に軟磁性膜８を設けても同様にＳＮＲ特性を向上
することができる。軟磁性膜８としては、パーマロイ合
金、センダスト合金、Ｃｏ非晶質軟磁性材料から選ばれ
るいずれかを用いることができる。またその膜厚は１０
０ｎｍ以上（好ましくは２５０〜６００ｎｍ）（すなわ
ち１０００Å以上（好ましくは２５００〜６０００
Å））とするのが好ましい。
ａの間に軟磁性膜８を設けても同様にＳＮＲ特性を向上
することができる。軟磁性膜８としては、パーマロイ合
金、センダスト合金、Ｃｏ非晶質軟磁性材料から選ばれ
るいずれかを用いることができる。またその膜厚は１０
０ｎｍ以上（好ましくは２５０〜６００ｎｍ）（すなわ
ち１０００Å以上（好ましくは２５００〜６０００
Å））とするのが好ましい。
【００８１】上記構成の磁気記録媒体において、静磁気
特性の一つである保磁力を２５００［エルステッド］以
上（好ましくは３０００［エルステッド］以上。）とし
たものは好ましい。高記録密度で使用したときの再生信
号の低下が少なく再生特性が向上するので、ＳＮＲ特性
をより向上できるからである。
特性の一つである保磁力を２５００［エルステッド］以
上（好ましくは３０００［エルステッド］以上。）とし
たものは好ましい。高記録密度で使用したときの再生信
号の低下が少なく再生特性が向上するので、ＳＮＲ特性
をより向上できるからである。
【００８２】
【実施例】以下、具体例を示して本発明の作用効果を明
確にする。
確にする。
【００８３】（試験例１）図１に示すものと同様の磁気
記録媒体を次のように作製した。表面にＮｉＰメッキ膜
（厚さ１０μｍ）を形成し表面をポリッシュしたアルミ
ニウム合金基板１（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、表
面平均粗さ４Å）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセットした。チャ
ンバ内を真空度２×１０-5［Ｐａ］となるまで排気し、
基板１を２００℃まで加熱した後、この基板１上に、５
８ａｔ％Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒ−２ａ
ｔ％Ｃ（以下「Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚｒ２Ｃ」という。）
からなるＣｏＺｒＣ系下地膜２、６０ａｔ％Ｃｏ−４０
ａｔ％Ｃｒ（以下、「Ｃｏ４０Ｃｒ」という。）からな
る非磁性中間膜４、６７ａｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−
１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ（以下「Ｃｏ２０Ｃｒ１
０Ｐｔ３Ｔａ」という。）からなる垂直磁性膜４を順次
スパッタリングにより形成した。各膜厚は表１に示し
た。垂直磁性膜４上には、プラズマＣＶＤ装置（アネル
バ社製）を用いてプラズマＣＶＤ法により厚さ７０Åの
カーボン保護膜５を形成した。カーボン保護膜５上には
厚さ２０Åのパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜
をディッピング法により形成した。
記録媒体を次のように作製した。表面にＮｉＰメッキ膜
（厚さ１０μｍ）を形成し表面をポリッシュしたアルミ
ニウム合金基板１（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、表
面平均粗さ４Å）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセットした。チャ
ンバ内を真空度２×１０-5［Ｐａ］となるまで排気し、
基板１を２００℃まで加熱した後、この基板１上に、５
８ａｔ％Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒ−２ａ
ｔ％Ｃ（以下「Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚｒ２Ｃ」という。）
からなるＣｏＺｒＣ系下地膜２、６０ａｔ％Ｃｏ−４０
ａｔ％Ｃｒ（以下、「Ｃｏ４０Ｃｒ」という。）からな
る非磁性中間膜４、６７ａｔ％Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−
１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ（以下「Ｃｏ２０Ｃｒ１
０Ｐｔ３Ｔａ」という。）からなる垂直磁性膜４を順次
スパッタリングにより形成した。各膜厚は表１に示し
た。垂直磁性膜４上には、プラズマＣＶＤ装置（アネル
バ社製）を用いてプラズマＣＶＤ法により厚さ７０Åの
カーボン保護膜５を形成した。カーボン保護膜５上には
厚さ２０Åのパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜
をディッピング法により形成した。
【００８４】（試験例２）表１に示したように、ＣｏＺ
ｒＣ系下地膜２をＣｏＣｒＺｒＣ系からＣｏＣｒＺｒ系
に変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。 （試験例３〜４）表１に示したように、ＣｏＺｒＣ系下
地膜２の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして
磁気記録媒体を作製した。 （試験例５〜６）表１に示したように、ＣｏＺｒＣ系下
地膜２の組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして
磁気記録媒体を作製した。 （試験例７〜９）表１に示したように、非磁性中間膜４
の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記
録媒体を作製した。 （試験例１０〜１４)表１に示したように、垂直磁性膜
５の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例１５、１６)表１に示したように、垂直磁性膜
５の組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例１７、１８)表１に示したように、非磁性下地
膜７を設けたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。 （試験例１９，２０)表１に示したように、軟磁性膜８
を設けたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
ｒＣ系下地膜２をＣｏＣｒＺｒＣ系からＣｏＣｒＺｒ系
に変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。 （試験例３〜４）表１に示したように、ＣｏＺｒＣ系下
地膜２の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして
磁気記録媒体を作製した。 （試験例５〜６）表１に示したように、ＣｏＺｒＣ系下
地膜２の組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして
磁気記録媒体を作製した。 （試験例７〜９）表１に示したように、非磁性中間膜４
の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記
録媒体を作製した。 （試験例１０〜１４)表１に示したように、垂直磁性膜
５の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例１５、１６)表１に示したように、垂直磁性膜
５の組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例１７、１８)表１に示したように、非磁性下地
膜７を設けたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。 （試験例１９，２０)表１に示したように、軟磁性膜８
を設けたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【００８５】（試験例２１）図１０に示すものと同様の
磁気記録媒体を次のように作製した。表面にＮｉＰメッ
キ膜（厚さ１０μｍ）を形成し表面をポリッシュしたア
ルミニウム合金基板１（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ、表面平均粗さ４Å）をＤＣマグネトロンスパッタ装
置（アネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセットし
た。チャンバ内を真空度２×１０-5［Ｐａ］となるまで
排気し、基板１を２００℃まで加熱した後、この基板１
上に、カーボン下地膜２ａ、６０ａｔ％Ｃｏ−３０ａｔ
％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒ（以下「Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚ
ｒ」という。）からなるＣｏＺｒ系下地膜２ｂ、６０ａ
ｔ％Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ（以下、「Ｃｏ４０Ｃｒ」と
いう。）からなる非磁性中間膜４、６７ａｔ％Ｃｏ−２
０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ（以下
「Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ３Ｔａ」という。）からなる磁
性膜５を順次スパッタリングにより形成した。各膜厚を
表２に示した。垂直磁性膜５上には、プラズマＣＶＤ装
置（アネルバ社製）を用いてプラズマＣＶＤ法により厚
さ７０Åのカーボン保護膜６を形成した。カーボン保護
膜６上には厚さ２０Åのパーフルオロポリエーテルから
なる潤滑膜をディッピング法により形成した。
磁気記録媒体を次のように作製した。表面にＮｉＰメッ
キ膜（厚さ１０μｍ）を形成し表面をポリッシュしたア
ルミニウム合金基板１（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ、表面平均粗さ４Å）をＤＣマグネトロンスパッタ装
置（アネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセットし
た。チャンバ内を真空度２×１０-5［Ｐａ］となるまで
排気し、基板１を２００℃まで加熱した後、この基板１
上に、カーボン下地膜２ａ、６０ａｔ％Ｃｏ−３０ａｔ
％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒ（以下「Ｃｏ３０Ｃｒ１０Ｚ
ｒ」という。）からなるＣｏＺｒ系下地膜２ｂ、６０ａ
ｔ％Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ（以下、「Ｃｏ４０Ｃｒ」と
いう。）からなる非磁性中間膜４、６７ａｔ％Ｃｏ−２
０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ（以下
「Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ３Ｔａ」という。）からなる磁
性膜５を順次スパッタリングにより形成した。各膜厚を
表２に示した。垂直磁性膜５上には、プラズマＣＶＤ装
置（アネルバ社製）を用いてプラズマＣＶＤ法により厚
さ７０Åのカーボン保護膜６を形成した。カーボン保護
膜６上には厚さ２０Åのパーフルオロポリエーテルから
なる潤滑膜をディッピング法により形成した。
【００８６】（試験例２２）表２に示したようにカーボ
ン下地膜２ａを設けなかったこと以外は試験例２１と同
様にして磁気記録媒体を作製した。 （試験例２３〜２４）表２に示したようにカーボン下地
膜２ａの厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。 （試験例２５〜２７）表２に示したようにＣｏＺｒ系下
地膜２ｂの厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様に
して磁気記録媒体を作製した。 （試験例２８〜３０、４１、４２)表２に示したように
ＣｏＺｒ系下地膜２ｂの組成を変えたこと以外は試験例
２１と同様にして磁気記録媒体を作製した。 （試験例３１〜３３）表２に示したように非磁性中間膜
４の厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。 （試験例３４〜３６）表２に示したように垂直磁性膜５
の厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例３７〜４０）表２に示したように垂直磁性層５
の組成を変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例４３、４４）表２に示したように非磁性下地膜
７を設けたこと以外は試験例２１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。 （試験例４５，４６）表２に示したように軟磁性膜８を
設けたこと以外は試験例２１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。 （試験例４７，４８）製造条件の基板温度を１３０℃に
した以外は試験例２１、試験例２７と同様にして磁気記
録媒体を作成した。
ン下地膜２ａを設けなかったこと以外は試験例２１と同
様にして磁気記録媒体を作製した。 （試験例２３〜２４）表２に示したようにカーボン下地
膜２ａの厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。 （試験例２５〜２７）表２に示したようにＣｏＺｒ系下
地膜２ｂの厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様に
して磁気記録媒体を作製した。 （試験例２８〜３０、４１、４２)表２に示したように
ＣｏＺｒ系下地膜２ｂの組成を変えたこと以外は試験例
２１と同様にして磁気記録媒体を作製した。 （試験例３１〜３３）表２に示したように非磁性中間膜
４の厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。 （試験例３４〜３６）表２に示したように垂直磁性膜５
の厚さを変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例３７〜４０）表２に示したように垂直磁性層５
の組成を変えたこと以外は試験例２１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。 （試験例４３、４４）表２に示したように非磁性下地膜
７を設けたこと以外は試験例２１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。 （試験例４５，４６）表２に示したように軟磁性膜８を
設けたこと以外は試験例２１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。 （試験例４７，４８）製造条件の基板温度を１３０℃に
した以外は試験例２１、試験例２７と同様にして磁気記
録媒体を作成した。
【００８７】上記試験例１〜４６の磁気記録媒体の静磁
気特性を振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測
定した。また、これら磁気記録媒体の電磁変換特性を、
ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３
２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定
した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとして、再
生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜
磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度２５０ｋ
ＦＣＩとして測定した。上記試験例１〜４６の磁気記録
媒体の静磁気特性、電磁変換特性の測定結果を表１およ
び表２に示す。
気特性を振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測
定した。また、これら磁気記録媒体の電磁変換特性を、
ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３
２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定
した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとして、再
生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜
磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度２５０ｋ
ＦＣＩとして測定した。上記試験例１〜４６の磁気記録
媒体の静磁気特性、電磁変換特性の測定結果を表１およ
び表２に示す。
【００８８】また下地膜の垂直磁性膜側の界面近傍の領
域のカーボン含有量をオージェ電子分光法による元素分
析で求めた結果を表３に示す。
域のカーボン含有量をオージェ電子分光法による元素分
析で求めた結果を表３に示す。
【００８９】また各試験例の下地膜をＸ線回折装置を用
いて回折強度分布を測定し、下地膜２起因のピークが存
在しないことを確認した。各試験例について、垂直磁性
膜の結晶粒の平均粒径が５０〜１５０ÅであることをＴ
ＥＭ観察で確認した。各試験例について、Ｘ線回折装置
を用いたロッキングカーブ法によるＸ線回折強度分布を
測定し、Ｃｏ（０００２）面のピークの半価幅が１０度
以下であることを確認した。
いて回折強度分布を測定し、下地膜２起因のピークが存
在しないことを確認した。各試験例について、垂直磁性
膜の結晶粒の平均粒径が５０〜１５０ÅであることをＴ
ＥＭ観察で確認した。各試験例について、Ｘ線回折装置
を用いたロッキングカーブ法によるＸ線回折強度分布を
測定し、Ｃｏ（０００２）面のピークの半価幅が１０度
以下であることを確認した。
【００９０】
【表１】
【００９１】
【表２】
【００９２】
【表３】
【００９３】表１より以下がわかる。試験例１、２、
５、６の比較より、試験例１、５、６の磁気記録媒体
は、試験例２の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性
を有するものとなったことが分かる。試験例１、３、４
より、ＣｏＺｒＣ系下地膜２を５Å以上設けた磁気記録
媒体は、優れたノイズ特性を有するものとなったことが
分かる。試験例１、７〜９の比較より、非磁性中間膜４
を５００Å以下とした試験例１、７および８の磁気記録
媒体は、非磁性中間膜４を５００Åを越えるものとした
試験例９の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有
するものとなったことが分かる。試験例１、１０〜１２
の比較より、垂直磁性膜５を１００Å〜１０００Åの範
囲とした試験例１および１１は、垂直磁性膜５を範囲外
とした試験例１０および１２の磁気記録媒体に比べ、優
れたノイズ特性を有するものとなったことが分かる。試
験例１、１３〜１６の比較より、垂直磁性膜５の組成を
変えても優れたノイズ特性を有するものとなったことが
分かる。試験例１７、１８より非磁性下地膜７を設けて
も優れたノイズ特性を有するものとなったことが分か
る。試験例１９、２０より軟磁性膜８を設けても優れた
ノイズ特性を有するものとなったことが分かる。
５、６の比較より、試験例１、５、６の磁気記録媒体
は、試験例２の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性
を有するものとなったことが分かる。試験例１、３、４
より、ＣｏＺｒＣ系下地膜２を５Å以上設けた磁気記録
媒体は、優れたノイズ特性を有するものとなったことが
分かる。試験例１、７〜９の比較より、非磁性中間膜４
を５００Å以下とした試験例１、７および８の磁気記録
媒体は、非磁性中間膜４を５００Åを越えるものとした
試験例９の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有
するものとなったことが分かる。試験例１、１０〜１２
の比較より、垂直磁性膜５を１００Å〜１０００Åの範
囲とした試験例１および１１は、垂直磁性膜５を範囲外
とした試験例１０および１２の磁気記録媒体に比べ、優
れたノイズ特性を有するものとなったことが分かる。試
験例１、１３〜１６の比較より、垂直磁性膜５の組成を
変えても優れたノイズ特性を有するものとなったことが
分かる。試験例１７、１８より非磁性下地膜７を設けて
も優れたノイズ特性を有するものとなったことが分か
る。試験例１９、２０より軟磁性膜８を設けても優れた
ノイズ特性を有するものとなったことが分かる。
【００９４】表２より以下がわかる。試験例２１〜２４
の比較より、カーボン下地膜２ａを５Å以上設けた試験
例２１、２３および２４の磁気記録媒体は、カーボン下
地膜を設けなかった試験例２２の磁気記録媒体に比べ、
優れたノイズ特性を有するものとなったことが分かる。
試験例２１、２５〜２７の比較より、ＣｏＺｒＣ系下地
膜２を５Å以上設けた試験例２１、２６および２７の磁
気記録媒体は、ＣｏＺｒ系下地膜を設けなかった試験例
２５の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有する
ものとなったことが分かる。試験例２１、２８〜３０、
４１、４２の比較より、試験例２１，２９、３０および
４１の磁気記録媒体は、試験例２８、４２の磁気記録媒
体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなったこと
が分かる。試験例２１、３１〜３３の比較より、非磁性
中間膜４を５００Å以下とした試験例２１，３１および
３２の磁気記録媒体は、非磁性中間膜４を５００Åを越
えるものとした試験例３３の磁気記録媒体に比べ、優れ
たノイズ特性を有するものとなったことが分かる。試験
例２１、３４〜３６の比較より、垂直磁性膜５を１００
Å〜１０００Åの範囲とした試験例２１および３５は、
垂直磁性膜５を範囲外とした試験例３４および３６の磁
気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとな
ったことが分かる。試験例２１、３７〜４０の比較よ
り、垂直磁性膜５の組成を変えても優れたノイズ特性を
有するものとなったことが分かる。試験例４１、４２よ
り非磁性下地膜７を設けても優れたノイズ特性を有する
ものとなったことが分かる。試験例４３、４４より軟磁
性膜８を設けても優れたノイズ特性を有するものとなっ
たことが分かる。
の比較より、カーボン下地膜２ａを５Å以上設けた試験
例２１、２３および２４の磁気記録媒体は、カーボン下
地膜を設けなかった試験例２２の磁気記録媒体に比べ、
優れたノイズ特性を有するものとなったことが分かる。
試験例２１、２５〜２７の比較より、ＣｏＺｒＣ系下地
膜２を５Å以上設けた試験例２１、２６および２７の磁
気記録媒体は、ＣｏＺｒ系下地膜を設けなかった試験例
２５の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有する
ものとなったことが分かる。試験例２１、２８〜３０、
４１、４２の比較より、試験例２１，２９、３０および
４１の磁気記録媒体は、試験例２８、４２の磁気記録媒
体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなったこと
が分かる。試験例２１、３１〜３３の比較より、非磁性
中間膜４を５００Å以下とした試験例２１，３１および
３２の磁気記録媒体は、非磁性中間膜４を５００Åを越
えるものとした試験例３３の磁気記録媒体に比べ、優れ
たノイズ特性を有するものとなったことが分かる。試験
例２１、３４〜３６の比較より、垂直磁性膜５を１００
Å〜１０００Åの範囲とした試験例２１および３５は、
垂直磁性膜５を範囲外とした試験例３４および３６の磁
気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとな
ったことが分かる。試験例２１、３７〜４０の比較よ
り、垂直磁性膜５の組成を変えても優れたノイズ特性を
有するものとなったことが分かる。試験例４１、４２よ
り非磁性下地膜７を設けても優れたノイズ特性を有する
ものとなったことが分かる。試験例４３、４４より軟磁
性膜８を設けても優れたノイズ特性を有するものとなっ
たことが分かる。
【００９５】表３より、また下地膜の垂直磁性膜側の界
面近傍の領域のカーボン含有量が０．１〜２０原子％で
あるものが好ましいのがわかる。
面近傍の領域のカーボン含有量が０．１〜２０原子％で
あるものが好ましいのがわかる。
【００９６】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、基板と垂直磁
性膜との間に下地膜が設けられ、下地膜はＣｏ、Ｚｒお
よびカーボンを含む材料からなるものであるので、ＳＮ
Ｒ特性を向上させることができる。
性膜との間に下地膜が設けられ、下地膜はＣｏ、Ｚｒお
よびカーボンを含む材料からなるものであるので、ＳＮ
Ｒ特性を向上させることができる。
【００９７】また、本発明のスパッタリングターゲット
によれば、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からな
るものであるので、下地膜を容易に作製することができ
る。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易にすること
ができる。
によれば、Ｃｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からな
るものであるので、下地膜を容易に作製することができ
る。よって、上記磁気記録媒体の製造を容易にすること
ができる。
【００９８】また、本発明の磁気記録再生装置によれ
ば、基板と垂直磁性膜との間に下地膜が設けられ、下地
膜はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるもの
である磁気記録媒体を用いるので、ＳＮＲ特性が向上し
高記録密度が可能とすることができる。
ば、基板と垂直磁性膜との間に下地膜が設けられ、下地
膜はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む材料からなるもの
である磁気記録媒体を用いるので、ＳＮＲ特性が向上し
高記録密度が可能とすることができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図７】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図８】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図９】本発明の磁気記録媒体の別の実施形態を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図１０】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録再
生装置の一例を示す概略構成図である。
生装置の一例を示す概略構成図である。
１・・・基板、２・・・下地膜、２ａ・・・第１下地膜、２ｂ・・・
第２下地膜、４・・・非磁性中間膜、５・・・垂直磁性層、６
・・・保護膜、７・・・非磁性下地膜、８・・・軟磁性膜、９・・・
磁気記録媒体、１０・・・媒体駆動部、１１・・・磁気ヘッ
ド、１２・・・ヘッド駆動部、１３・・・記録再生信号処理系
第２下地膜、４・・・非磁性中間膜、５・・・垂直磁性層、６
・・・保護膜、７・・・非磁性下地膜、８・・・軟磁性膜、９・・・
磁気記録媒体、１０・・・媒体駆動部、１１・・・磁気ヘッ
ド、１２・・・ヘッド駆動部、１３・・・記録再生信号処理系
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16 10/30 10/30 41/18 41/18 Ｆターム(参考） 4K029 AA02 BA02 BA06 BA07 BA08 BA13 BA16 BA21 BA33 BA34 BA35 BA41 BB02 BD11 CA05 DC04 DC05 DC39 FA03 5D006 BB01 BB02 BB07 CA01 CA03 CA05 CA06 CB07 5D112 AA03 AA05 AA11 BB01 BD01 FA04 FB02 GB01 5E049 AA04 AA09 BA08 DB01 DB12 DB20 GC02
Claims (15)
- 【請求項１】基板とその上に磁化容易軸が基板に対し垂
直に配向した垂直磁性膜とが設けられた磁気記録媒体に
おいて、基板と垂直磁性膜との間に下地膜が設けられ、
下地膜はＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含むものであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】下地膜の垂直磁性膜側の界面近傍の領域に
おいて、ｐ原子％のＣｏ、ｑ原子％のＺｒおよびｒ原子
％のカーボンを含むことを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体（ここでｐ、ｑ、ｒは次の条件を満たす、ｐ
＋ｑ＋ｒ≦１００、５０≦ｐ、４≦ｑ、０．１≦ｒ≦２
０）。 - 【請求項３】下地膜の垂直磁性膜側の表面が、非晶質構
造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】下地膜の厚さは、０．５ｎｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項５】垂直磁性膜が、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ
／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ
系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、Ｎｂ，Ｇｅ、Ｓ
ｉからなる群より選ばれる少なくとも１種）のうちいず
れか一つの合金を含むことを特徴とする請求項１乃至４
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】表面の平均粗さＲａが、０．５ｎｍ以下で
ある基板であることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】下地膜と垂直磁性膜との間に非磁性下地膜
を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】下地膜と垂直磁性膜との間に非磁性中間膜
を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】下地膜と非磁性中間膜との間に非磁性下地
膜を有することを特徴とする請求項８に記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項１０】下地膜と基板との間に軟磁性膜を有する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】請求項１乃至１０のうちいずれか１項記
載の磁気記録媒体の下地膜を作製するために用いられる
スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、Ｚｒおよび
カーボンを含むものであることを特徴とするスパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項１２】基板の上に磁化容易軸が基板に対し垂直
に配向した垂直磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方
法において、基板と垂直磁性膜の間に下地膜を形成し、
該下地膜の材料としてＣｏ、Ｚｒおよびカーボンを含む
スパッタリングターゲットを用いることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】基板の上に磁化容易軸が基板に対し垂直
に配向した垂直磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方
法において、基板と垂直磁性膜の間に下地膜を形成する
工程を有し、該下地膜を形成する工程は、該下地膜に含
まれる第１下地膜を形成しその上に第２下地膜を形成す
る工程と、第２下地膜中に第１下地膜の材料を拡散させ
る工程とを含み、第１下地膜を形成する工程では材料と
してカーボンを含むスパッタリングターゲットを用い、
第２下地膜を形成する工程では材料としてＣｏおよびＺ
ｒを含むスパッタリングターゲットを用いることを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】第２下地膜を形成する条件において基板
の温度を１５０℃以上とすることにより第２下地膜中に
第１下地膜の材料を拡散させることを特徴とする請求項
１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報
を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置
であって、磁気記録媒体が請求項１乃至１０のいずれか
１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気
記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127541A JP2001312815A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127541A JP2001312815A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001312815A true JP2001312815A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=18637124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000127541A Pending JP2001312815A (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001312815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008133060A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | 垂直磁気記録媒体 |
| WO2014126143A1 (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材 |
-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127541A patent/JP2001312815A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008133060A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | 垂直磁気記録媒体 |
| JPWO2008133060A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-07-22 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JP4626861B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US8105707B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-01-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| WO2014126143A1 (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材 |
| CN105074041A (zh) * | 2013-02-18 | 2015-11-18 | 山阳特殊制钢株式会社 | 用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材 |
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