JP2009139379A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138716B2 (en) * 2003-06-27 2006-11-21 Intel Corporation Addition of metal layers with signal reallocation to a microprocessor for increased frequency and lower power
EP1501115B1 (en) 2003-07-14 2009-07-01 FEI Company Dual beam system
US8058613B2 (en) * 2008-10-28 2011-11-15 William Marsh Rice University Micromechanical devices for materials characterization
JP5649583B2 (ja) 2008-10-31 2015-01-07 エフ イー アイ カンパニFei Company 加工終点検出方法及び装置
JP5702552B2 (ja) 2009-05-28 2015-04-15 エフ イー アイ カンパニFei Company デュアルビームシステムの制御方法
NL2004888A (en) * 2009-06-29 2010-12-30 Asml Netherlands Bv Deposition method and apparatus.
JP2011133176A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 標的装置
DE102010003056B9 (de) 2010-03-19 2014-07-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Erzeugung von Bildern einer Probe
US8350237B2 (en) 2010-03-31 2013-01-08 Fei Company Automated slice milling for viewing a feature
DE102010024625A1 (de) * 2010-06-22 2011-12-22 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts
JP2012242146A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Hitachi High-Technologies Corp 走査電子顕微鏡及び試料作成方法
WO2013039891A1 (en) 2011-09-12 2013-03-21 Fei Company Glancing angle mill
JP5969233B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-17 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察方法及び装置
US8502172B1 (en) * 2012-06-26 2013-08-06 Fei Company Three dimensional fiducial
WO2014014446A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-23 Fei Company Endpointing for focused ion beam processing
KR102155834B1 (ko) * 2012-10-05 2020-09-14 에프이아이 컴파니 높은 종횡비 구조 분석
TWI607498B (zh) * 2012-10-05 2017-12-01 Fei公司 使用帶電粒子束曝露樣品中所關注特徵的方法及系統
JP6355318B2 (ja) * 2012-11-15 2018-07-11 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面加工観察方法及び装置
US8895923B2 (en) 2012-11-20 2014-11-25 Dcg Systems, Inc. System and method for non-contact microscopy for three-dimensional pre-characterization of a sample for fast and non-destructive on sample navigation during nanoprobing
EP2816585A1 (en) * 2013-06-17 2014-12-24 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam system and method of operating thereof
JP5464535B1 (ja) * 2013-07-23 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ebsd検出器で所望箇所を容易に分析できる荷電粒子線装置およびその制御方法
US9218940B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Fei Company Method and apparatus for slice and view sample imaging
US9378927B2 (en) 2014-09-11 2016-06-28 Fei Company AutoSlice and view undercut method
JP6423222B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
JP6310864B2 (ja) * 2015-01-13 2018-04-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US9978586B2 (en) * 2015-11-06 2018-05-22 Fei Company Method of material deposition
DE102016002883B4 (de) * 2016-03-09 2023-05-17 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Struktuieren eines Objekts und Partikelstrahlsystem hierzu
US10082470B2 (en) * 2016-09-27 2018-09-25 Kla-Tencor Corporation Defect marking for semiconductor wafer inspection
JP7113613B2 (ja) * 2016-12-21 2022-08-05 エフ イー アイ カンパニ 欠陥分析
US10928740B2 (en) * 2017-02-03 2021-02-23 Kla Corporation Three-dimensional calibration structures and methods for measuring buried defects on a three-dimensional semiconductor wafer
JP7719089B2 (ja) 2020-03-13 2025-08-05 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ウェハ中の検査ボリュームの断面画像化の方法
DE102021210019A1 (de) * 2021-09-10 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren eines Defekts einer Probe mit einem fokussierten Teilchenstrahl
US11749495B2 (en) * 2021-10-05 2023-09-05 KLA Corp. Bandpass charged particle energy filtering detector for charged particle tools
DE102023134499A1 (de) * 2023-09-18 2025-03-20 Raith Gmbh Untersuchungsverfahren für eine Halbleiterprobe mittels eines Sekundärionen-Massenspektrometers mit einem fokussierten Ionenstrahl und Analysevorrichtung dafür

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698397A (en) * 1995-06-07 1997-12-16 Sri International Up-converting reporters for biological and other assays using laser excitation techniques
US5435850A (en) * 1993-09-17 1995-07-25 Fei Company Gas injection system
JPH08329876A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Hitachi Ltd 観察試料作成方法及びその装置
US5851413A (en) * 1996-06-19 1998-12-22 Micrion Corporation Gas delivery systems for particle beam processing
US5990478A (en) * 1997-07-10 1999-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for preparing thin specimens consisting of domains of different materials
JP3457875B2 (ja) * 1998-01-27 2003-10-20 日本電子株式会社 Fib−sem装置における試料断面観察方法およびfib−sem装置
DE19859877A1 (de) * 1998-12-23 2000-06-29 Robert Magerle Nanotomographie
NL1021376C1 (nl) * 2002-09-02 2004-03-03 Fei Co Werkwijze voor het verkrijgen van een deeltjes-optische afbeelding van een sample in een deeltjes-optisch toestel.
US7103505B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-05 Fei Company Defect analyzer
JP2004191358A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Seiko Instruments Inc 複合荷電粒子ビームによる試料作製方法および装置
JP2004226079A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Seiko Instruments Inc 表面あるいは断面加工観察方法及びその装置
US6881955B2 (en) * 2003-06-26 2005-04-19 International Business Machines Corporation Metrology process for enhancing image contrast
US7135123B1 (en) * 2004-01-14 2006-11-14 Credence Systems Corporation Method and system for integrated circuit backside navigation
NL1027462C2 (nl) * 2004-11-09 2006-05-10 Koninkl Philips Electronics Nv Werkwijze voor het lokaliseren van fluorescente markers.
JP2006221961A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Seiko Epson Corp チップの断面観察方法
US7312448B2 (en) * 2005-04-06 2007-12-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Method and apparatus for quantitative three-dimensional reconstruction in scanning electron microscopy
JP4627682B2 (ja) * 2005-05-27 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料作製装置および方法
JP4520905B2 (ja) * 2005-06-10 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 解析装置、プローブの制御方法および解析システム
US7348556B2 (en) * 2005-07-19 2008-03-25 Fei Company Method of measuring three-dimensional surface roughness of a structure
EP1801593A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of imaging biological specimens using inorganic nanoparticles as label agents
US7709792B2 (en) * 2006-01-12 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Three-dimensional imaging using electron beam activated chemical etch
EP1890136A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-20 FEI Company Method for obtaining images from slices of a specimen
US8835880B2 (en) * 2006-10-31 2014-09-16 Fei Company Charged particle-beam processing using a cluster source

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