JP2009132594A - 酸化物単結晶の製造方法。 - Google Patents
酸化物単結晶の製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009132594A JP2009132594A JP2008119786A JP2008119786A JP2009132594A JP 2009132594 A JP2009132594 A JP 2009132594A JP 2008119786 A JP2008119786 A JP 2008119786A JP 2008119786 A JP2008119786 A JP 2008119786A JP 2009132594 A JP2009132594 A JP 2009132594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- oxide single
- melt
- producing
- impurity removal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液18を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液18から酸化物単結晶1を製造する単結晶育成工程とを備える。前記不純物除去工程において融液状態の保持は、圧力1.0×10−4〜1.0Paの減圧雰囲気下又はAr、Ne、Kr及びN2からなる群より選ばれる1種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下、あるいはさらに酸素を0.01〜20体積%混合した不活性ガス雰囲気下にて行い、保持時間は1〜1000時間とする。
【選択図】図1
Description
ない。
直径100mm、深さ100mmのイリジウム製坩堝に、原料として純度99.99質量%以上の酸化アルミニウム2600gを充填した。この坩堝を高周波誘導加熱炉内に載置した。高周波誘導加熱炉としては、坩堝周辺の保温構造がジルコニア円筒による2重構造からなるものを使用した。酸素含有窒素(酸素濃度:0.25体積%)雰囲気下、高周波誘導によって坩堝を加熱し、坩堝内の原料を溶融させた(溶融工程)。
不純物除去工程における融液状態の保持を、酸素含有窒素(酸素濃度:0.25体積%)雰囲気下で行う代わりに、窒素(酸素濃度:0.0体積%)雰囲気下にて行ったことの他は、実施例1と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
不純物除去工程における融液状態の保持時間を48時間とする代わりに、当該保持時間を100時間としたことの他は、実施例2と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
単結晶の育成を酸素含有窒素(酸素濃度:0.25体積%)雰囲気下で行う代わりに、窒素(酸素濃度:0.55体積%)雰囲気下にて行ったことの他は、実施例3と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
純度99.99質量%以上の酸化アルミニウム2600gに含有量10質量ppmとなるようにTiO2を添加した原料を使用したことの他は、実施例4と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
純度が99.99質量%以上の酸化アルミニウムを使用する代わりに、純度が99.9質量%以上の酸化アルミニウムを使用したことの他は、実施例5と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
純度が99.99質量%以上の酸化アルミニウムを使用する代わりに、純度が99.9質量%以上の酸化アルミニウムを使用したこと、並びに、不純物除去工程を実施しなかったことの他は、実施例1と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
不純物除去工程を実施しなかったことの他は、実施例1と同様にしてサファイア単結晶のインゴットを製造した。
A:直胴部に泡欠陥がほとんど発生していない、
B:目視では泡欠陥は認められないもののレーザー光を照射すると散乱光が観測される、
C:目視では泡欠陥は認められないもののレーザー光を照射すると大部分に散乱光が観測される。
Claims (10)
- 酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液を得る溶融工程と、
融液状態を保持することにより前記融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、
前記不純物除去工程を経た原料の融液から酸化物単結晶を製造する単結晶育成工程と、
を備える酸化物単結晶の製造方法。 - 前記不純物除去工程において、融液状態を保持する時間は1〜1000時間である、請求項1に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記不純物除去工程における融液状態の保持は、減圧雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下にて行われるものである、請求項1又は2に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記不純物除去工程における融液状態の保持は、圧力1.0×10−4〜1.0Paの減圧雰囲気下にて行われるものである、請求項1又は2に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記不純物除去工程における融液状態の保持は、Ar、Ne、Kr及びN2からなる群より選ばれる1種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下にて行われるものである、請求項1又は2に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記不純物除去工程における融液状態の保持は、Ar、Ne、Kr及びN2からなる群より選ばれる1種以上のガス種を含有する不活性ガスと、酸素との混合ガス雰囲気下にて行われるものであり、前記混合ガスの酸素濃度が0.01〜20体積%である、請求項1又は2に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記酸化物単結晶は、サファイア、LuAlO3、YAlO3、Gd3Ga5O12、Er3Al5O12、Lu3Al5O12、ZnO、LiB3O5、YVO4、KTiOPO4、KNbO3、CsLiB6O10、チタン酸ジルコン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ジルコン酸ニオブ酸鉛、ビスマスシリコンオキサイド、BaTiO3、マグネシウムニオブ酸鉛とチタン酸鉛との固溶体、鉛ジルコンニオブチタン、ハフニウム酸ストロンチウム、ハフニウム酸バリウム、SiO2、シリケート及びフルオロジルコネートからなる群より選ばれる1種以上を母材とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記酸化物単結晶は、LiNbO3、Li2GeO3、Y2O3、Er2O3、YVO4、GdAlO3及びY3Sc2Ga3O12からなる群より選ばれる1種以上を母材とする単結晶である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記酸化物単結晶がサファイアであるとともに、前記不純物除去工程における処理温度がサファイアの融点以上であり且つ前記原料を収容する坩堝を形成する材料の融点未満である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の酸化物単結晶の製造方法。
- 前記原料は、TiO2の含有量が0.1〜50質量ppmである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の酸化物単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008119786A JP5195000B2 (ja) | 2007-11-07 | 2008-05-01 | 酸化物単結晶の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007289566 | 2007-11-07 | ||
JP2007289566 | 2007-11-07 | ||
JP2008119786A JP5195000B2 (ja) | 2007-11-07 | 2008-05-01 | 酸化物単結晶の製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009132594A true JP2009132594A (ja) | 2009-06-18 |
JP5195000B2 JP5195000B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=40864873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008119786A Expired - Fee Related JP5195000B2 (ja) | 2007-11-07 | 2008-05-01 | 酸化物単結晶の製造方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5195000B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012008208A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 昭和電工株式会社 | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶基板 |
CN103882521A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级红宝石单晶体的生长方法 |
CN107699949A (zh) * | 2016-08-08 | 2018-02-16 | 怀化兴源晶体材料有限公司 | 制备优质蓝宝石条晶的方法 |
JP2021102716A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 三菱ケミカル株式会社 | シンチレータおよび放射線検出器 |
CN115159979A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-11 | 郑州振中电熔新材料有限公司 | 一种利用氧化钇废料制造电熔钙钇复合稳定氧化锆的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05186297A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-27 | Tosoh Corp | 高品位チタンサファイア単結晶の製造方法 |
JPH06115931A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-04-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | ベルヌーイ法サファイア用原料アルミナ粉末 |
JP2004123467A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Shinkosha:Kk | サファイア単結晶およびサファイア単結晶用原料 |
JP2007197230A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法及びこの方法を用いて得られる酸化アルミニウム単結晶 |
JP2007230836A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-05-01 JP JP2008119786A patent/JP5195000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05186297A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-27 | Tosoh Corp | 高品位チタンサファイア単結晶の製造方法 |
JPH06115931A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-04-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | ベルヌーイ法サファイア用原料アルミナ粉末 |
JP2004123467A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Shinkosha:Kk | サファイア単結晶およびサファイア単結晶用原料 |
JP2007197230A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法及びこの方法を用いて得られる酸化アルミニウム単結晶 |
JP2007230836A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012008208A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 昭和電工株式会社 | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶基板 |
CN103882521A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级红宝石单晶体的生长方法 |
CN107699949A (zh) * | 2016-08-08 | 2018-02-16 | 怀化兴源晶体材料有限公司 | 制备优质蓝宝石条晶的方法 |
JP2021102716A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 三菱ケミカル株式会社 | シンチレータおよび放射線検出器 |
CN115159979A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-11 | 郑州振中电熔新材料有限公司 | 一种利用氧化钇废料制造电熔钙钇复合稳定氧化锆的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5195000B2 (ja) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5195000B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法。 | |
JP2008007353A (ja) | サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法 | |
JP4844428B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
US20110000423A1 (en) | Method for producing fluoride crystal | |
JP6547360B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶の育成方法およびSGGG単結晶基板の製造方法 | |
CN103643301A (zh) | 一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法 | |
JP2007204324A (ja) | 高純度酸化亜鉛単結晶の製造方法および高純度酸化亜鉛単結晶 | |
JP4844429B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP5741691B2 (ja) | 化合物結晶製造用のルツボ、化合物結晶の製造装置及びルツボを用いた化合物結晶の製造方法 | |
JP2008050240A (ja) | セシウムホウ酸化合物結晶の製造方法及びそれにより得られたセシウムホウ酸化合物 | |
JP4738174B2 (ja) | フッ化物結晶の製造方法 | |
TW201712170A (zh) | 雙摻雜閃爍晶體製作方法 | |
Inaba et al. | Effects of temperature gradient on growth of SrB4O7 crystals by the micro-pulling-down method | |
JP7310339B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法 | |
JP4839205B2 (ja) | 蛍石の製造方法 | |
JP6172013B2 (ja) | Gsgg単結晶の製造方法と酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
CN112051694A (zh) | 波长转换装置 | |
JP2010265150A (ja) | サファイア単結晶の製造方法及び種結晶の製造方法 | |
Kamaruddin et al. | The growth of Nd: YAG Single Crystals by Czochralski Method with ADC-CGS-Preliminary Work | |
CA2079936C (en) | Process for preparing barium titanate single crystals | |
JP2016175780A (ja) | フッ化物結晶及び光学部品 | |
JP2015140291A (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびこの坩堝を用いたサファイア単結晶の製造方法 | |
JP4839204B2 (ja) | 蛍石 | |
JP2008201618A (ja) | 希土類バナデイト単結晶の製造方法 | |
JP3001069B2 (ja) | チタン酸バリウム単結晶 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |