JP2009132552A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009132552A JP2009132552A JP2007309243A JP2007309243A JP2009132552A JP 2009132552 A JP2009132552 A JP 2009132552A JP 2007309243 A JP2007309243 A JP 2007309243A JP 2007309243 A JP2007309243 A JP 2007309243A JP 2009132552 A JP2009132552 A JP 2009132552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- silicon
- quartz crucible
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 253
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 253
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 251
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 241
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 36
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 35
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000000384 rearing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】 シリコン融液12が充填された石英ルツボ13、サイドヒータ15およびボトムヒータ16、シリコン単結晶18に対してサイドヒータ15からの輻射熱を遮蔽する輻射シールド19、電磁石20,21等を備えたMCZ法によるシリコン単結晶の製造方法において、引上げ育成中のシリコン単結晶18が有転位化した場合に、単結晶引上げ条件よりも輻射シールド19下端とシリコン融液12面のギャップXを大きくし、無磁場の状態にして有転位化したシリコン単結晶18を降下させシリコン融液12に溶融する。その後、磁場を印加するとともに上記ギャップXを単結晶引上げ条件に戻しシリコン単結晶の再引上げを行う。
【選択図】 図1
Description
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、図1に示した電磁石20,21への電力供給を停止しシリコン融液12を無磁場の状態にすると好適である。この無磁場に伴うシリコン融液12の対流の活性化により、石英ルツボ13底部で高温状態にあるシリコン融液12が、シリコン単結晶18の吸熱で温度低下する固液界面に給熱し、溶融速度が向上するようになる。なお、このような効果は、単結晶製造条件の場合の磁場強度より弱磁場にしても程度の差はあれ生じ、この弱磁場では特に磁束密度にして0.2テスラ未満にするとよい。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、図1に示した輻射シールド19下端とシリコン融液12面との距離(ギャップ)Xは、所定の単結晶製造条件のシリコン単結晶の引上げ育成における場合に比べて増大させる。上記ギャップXを増大させることにより、シリコン単結晶18は、サイドヒータ15からの輻射熱を直接に吸熱して高温になり、シリコン融液12との接触領域での溶融が促進され、その再溶融の速度が増加する。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、そのシリコン単結晶は、徐々に降下されシリコン融液12内に浸漬され溶融する。ここで、前記シリコン単結晶18を上下動の振動を加え、一定の平均速度で降下させることが極めて有効である。このような降下の一例について図2に示した。図2は有転位化したシリコン単結晶18の降下の方法の説明に供する概念図であり、その横軸が降下の時間であり、縦軸がシリコン単結晶18の降下位置を示す。引上げ軸23により吊り下げられているシリコン単結晶18のシリコン融液12での固液界面の位置は、図2の実線に示す上下動を繰り返しながら、点線で示す一定の平均速度で降下する。ここで、固液界面は、シリコン融液12内部の浅い位置あるいは深い位置にあってよい。いずれの場合であっても、このような上下動の振動を加えたシリコン単結晶18の降下により、シリコン融液12の対流が活性化し加熱が促進されて、再溶融の速度が増加する。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、石英ルツボ13の回転CRの速度は0.1〜3rpmの範囲、好ましくは0.1〜1rpmの範囲がよい。この回転速度は、0.1rpmよりも小さいと石英ルツボ13内におけるシリコン融液12の遠心力が低減し、融液対流の軸対称性が崩れて不均一な対流による加熱が起こりシリコン単結晶18の破損が生じ易くなる。逆に、回転速度が3rpmを超えてくるとシリコン融液の遠心力による対流が低減し、溶融速度の増加の効果が小さくなる。ここで、上記回転速度が1rpm以下であると、上述した対流による加熱の効果が顕著になり、溶融速度の増加が顕著になる。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、石英ルツボ13を側部から加熱するサイドヒータ15と底部から加熱するボトムヒータ16の総出力が一定の条件下で、石英ルツボ13の外周面の最高温度が低減するように、サイドヒータ15とボトムヒータ16のそれぞれの出力を調節する。ここで、サイドヒータ15とボトムヒータ16の総出力は、所定の単結晶製造条件のシリコン単結晶の引上げ育成における場合の総出力の1〜8倍の範囲に設定される。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、図1に示されるように、サイドヒータ15の上端の高さ位置が、石英ルツボ13を収容し支持する黒鉛ルツボ14の上端の高さ以上の上方位置にある。そして、図1に示すそれ等の高さ位置の差である高低差Yは、300mm以下、好ましくは100mm以下にするとよい。ここで、黒鉛ルツボ14の上端の高さ位置が、サイドヒータ15の上端の高さ位置に対して高くなりすぎるとシリコン単結晶18の有効な加熱ができなくなり、逆に低くなりすぎると石英ルツボ13上部の外周面の温度が局所的に上昇し、その変形が起こり易くなる。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、育成炉内に供給する不活性ガスであるアルゴンガス流量を50〜300L/minとし、その圧力を39996.6Pa(300Torr)以下とする。これ等によりシリコン融液12表面上を流れるアルゴンガス流速が高速化され、融液面から蒸発するSiOを効果的に育成炉外に容易に排出される。そして、SiOが育成炉内の部材に付着し固化しシリコン融液12に落下して、再育成に有転位化を引き起こすのを防止できる。ここで、アルゴンガス流量が300L/minを超えるようになると、シリコン融液12表面の冷却が顕著になり、シリコン単結晶18の溶融速度が低下する。
有転位化したシリコン単結晶の再溶融では、図3に示した電磁石27,28への電力供給を停止しシリコン融液12を無磁場の状態にすると好適である。この無磁場に伴う対流の活性化により、石英ルツボ13底部で高温状態にあるシリコン融液12が、シリコン単結晶18の吸熱で温度低下する固液界面に達し易くなり、溶融速度が向上する。なお、このような効果は、単結晶製造条件の場合の磁場強度より弱磁場にしても程度の差はあれ生じ、この弱磁場では特に磁束密度にして0.02テスラ未満にするとよい。
上記シリコン単結晶の再溶融では、シリコン融液12の磁束密度は零で無磁場にし、輻射シールド19においてギャップX=30mmとした。そして、シリコン単結晶の降下は、従来技術の場合に同じで上下動の振動は加えなかった。また、石英ルツボ13の回転CRの速度は5rpmである。その他の条件としては、引上げ軸23の回転SRの速度は回転CRの逆方向の−10rpm、石英ルツボ13の上端の高さ位置はサイドヒータ15の上端の高さ位置と同じであり、Y=0としている。また、育成炉内のアルゴンガス流量は150L/min、炉内圧力は2666.44Pa(20Torr)である。そして、サイドヒータ15とボトムヒータ16の総出力は、シリコン単結晶の引上げ育成の場合の総出力とし、伝熱解析プログラムを用いたシミュレーションにより石英ルツボ13の外周面の最高温度が最も低くなるように、サイドヒータ15とボトムヒータ16のそれぞれの出力を調節し固定した。
上記シリコン単結晶の再溶融では、輻射シールド19においてギャップX=200mmとした。そして、それ以外の条件は比較例と同じである。実施例1では、比較例の場合の再溶融の速度を1として規格化すると、その溶融速度は3.0であり従来技術の3倍と大幅に溶融速度が増加した。
上記シリコン単結晶の再溶融では、石英ルツボ13の回転CRの速度は0.5rpmと実施例1の場合の1/10にした。また、引上げ軸23の回転SRの速度は−5rpmとした。そして、それ以外の条件は実施例1と同じである。実施例2では、比較例の場合の再溶融の速度を1として規格化して、その溶融速度は4.0であり従来技術の4倍に溶融速度が増加した。
上記シリコン単結晶の再溶融では、実施例2の条件において弱磁場を印加し、磁束密度が0.1テスラの水平磁場を印加した。それ以外の条件は実施例2と同じである。実施例3では、比較例の場合の再溶融の速度を1として規格化して、その溶融速度は4.5であった。
上記シリコン単結晶の再溶融では、実施例3の条件において、シリコン単結晶の降下に上下動の振動を加えた。ここで、振動周期T=1s、振動幅T=20mmである。それ以外の条件は実施例3と同じである。実施例4では、比較例の場合の再溶融の速度を1として規格化して、その溶融速度は5.5と比較的に大きな増加を示した。
12 シリコン融液
13 石英ルツボ
14 黒鉛ルツボ
15 サイドヒータ
16 ボトムヒータ
17 保温断熱部材
18 シリコン単結晶
19 輻射シールド
20,21 水平磁場生成用の電磁石
22 支持軸
23 引上げ軸
24 種結晶
25 シードチャック
26 プルチャンバ
27,28 カスプ磁場生成用の電磁石
Claims (8)
- シリコン融液が充填された石英ルツボと、該石英ルツボを周囲から加熱するヒータと、前記石英ルツボから引上げられるシリコン単結晶に対して前記ヒータからの輻射熱を遮蔽する輻射シールドとを備え、前記シリコン融液に磁場を印加するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、
磁場を印加して所定の単結晶製造条件でシリコン単結晶を引上げ育成する工程と、
前記育成中のシリコン単結晶が有転位化した場合に、
無磁場の状態で前記単結晶製造条件よりも前記輻射シールド下端と前記シリコン融液面との距離を大きくして、前記有転位化したシリコン単結晶を降下させ前記シリコン融液に溶融する工程と、
その後再び磁場を印加するとともに前記輻射シールド下端と前記シリコン融液面との距離を前記単結晶製造条件に戻して前記シリコン単結晶を再び引上げる工程と、
を有することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - シリコン融液が充填された石英ルツボと、該石英ルツボを周囲から加熱するヒータと、前記石英ルツボから引上げられるシリコン単結晶に対して前記ヒータからの輻射熱を遮蔽する輻射シールドとを備え、前記シリコン融液に磁場を印加するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、
磁場を印加して所定の単結晶製造条件でシリコン単結晶を引上げ育成する工程と、
前記育成中のシリコン単結晶が有転位化した場合に、
前記単結晶製造条件の前記磁場よりも弱い磁場を印加し、更に前記単結晶製造条件よりも前記輻射シールド下端と前記シリコン融液面との距離を大きくして、前記有転位化したシリコン単結晶を降下させ前記シリコン融液に溶融する工程と、
その後再び前記単結晶製造条件の前記磁場を印加するとともに前記輻射シールド下端と前記シリコン融液面との距離を前記単結晶製造条件に戻して前記シリコン単結晶を再び引上げる工程と、
を有することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記シリコン単結晶を溶融する工程では、前記輻射シールド下端と前記シリコン融液面との距離を100mm〜800mmの範囲、好ましくは200mm〜800mmの範囲にすることを特徴とする請求項1又2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶を溶融する工程では、前記シリコン単結晶に上下動の振動を加え、一定の平均速度で降下させることを特徴とする請求項1,2又は3に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶を溶融する工程では、前記石英ルツボの回転速度を0.1〜3rpmの範囲、好ましくは0.1〜1rpmの範囲にすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記ヒータは、前記石英ルツボを側部から加熱するサイドヒータと前記石英ルツボを底部から加熱するボトムヒータから成り、前記シリコン単結晶を溶融する工程では、前記サイドヒータおよびボトムヒータの総出力が一定の条件下で、石英ルツボの外周面の最高温度が低減するように、前記サイドヒータと前記ボトムヒータのそれぞれの出力を調節することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶を溶融する工程では、前記サイドヒータの上端の高さ位置が、前記石英ルツボを収容し支持する黒鉛ルツボの上端の高さ以上の上方位置にあり、前記高さ位置の差が300mm以下であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶を溶融する工程では、単結晶製造装置内に供給するアルゴンガス流量を50〜300L/minとし、単結晶製造装置内の圧力を39996.6Pa以下とすることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007309243A JP4917519B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007309243A JP4917519B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009132552A true JP2009132552A (ja) | 2009-06-18 |
JP4917519B2 JP4917519B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=40864836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007309243A Active JP4917519B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4917519B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013028476A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Covalent Materials Corp | 単結晶引上方法 |
WO2016051682A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶引上げ装置及びこれを用いた半導体単結晶の再溶融方法 |
WO2017203968A1 (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
JP2020050535A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
CN111575783A (zh) * | 2019-02-18 | 2020-08-25 | 信越半导体株式会社 | 单晶硅提拉装置 |
JP2021042103A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62259060A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Mitsubishi Metal Corp | 耐火レンガの浸食試験方法 |
JPH02221184A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶製造方法及びその装置 |
JPH09208381A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引上げ装置 |
JP2001240492A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | リチャージ・追いチャージを円滑に行うcz法単結晶引上げ装置 |
JP2001240494A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶成長方法 |
JP2002187796A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2007119324A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
-
2007
- 2007-11-29 JP JP2007309243A patent/JP4917519B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62259060A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Mitsubishi Metal Corp | 耐火レンガの浸食試験方法 |
JPH02221184A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶製造方法及びその装置 |
JPH09208381A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引上げ装置 |
JP2001240494A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶成長方法 |
JP2001240492A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | リチャージ・追いチャージを円滑に行うcz法単結晶引上げ装置 |
JP2002187796A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2007119324A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013028476A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Covalent Materials Corp | 単結晶引上方法 |
CN107075718B (zh) * | 2014-09-29 | 2019-08-13 | 信越半导体株式会社 | 半导体单晶的再熔融方法 |
JPWO2016051682A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2017-06-08 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶引上げ装置及びこれを用いた半導体単結晶の再溶融方法 |
CN107075718A (zh) * | 2014-09-29 | 2017-08-18 | 信越半导体株式会社 | 半导体单晶提拉装置以及使用其的半导体单晶的再熔融方法 |
WO2016051682A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶引上げ装置及びこれを用いた半導体単結晶の再溶融方法 |
KR20170063560A (ko) * | 2014-09-29 | 2017-06-08 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 단결정 인상장치 및 이것을 이용한 반도체 단결정의 재용융방법 |
US10113247B2 (en) | 2014-09-29 | 2018-10-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor single crystal pulling apparatus and method for remelting semiconductor single crystal using this |
KR102241325B1 (ko) * | 2014-09-29 | 2021-04-16 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 단결정 인상장치 및 이것을 이용한 반도체 단결정의 재용융방법 |
US10858753B2 (en) | 2016-05-25 | 2020-12-08 | Sumco Corporation | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal |
JP2017210387A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
WO2017203968A1 (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
JP2020050535A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
KR20200100544A (ko) | 2019-02-18 | 2020-08-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정 인상장치 |
CN111575783A (zh) * | 2019-02-18 | 2020-08-25 | 信越半导体株式会社 | 单晶硅提拉装置 |
CN111575783B (zh) * | 2019-02-18 | 2021-12-31 | 信越半导体株式会社 | 单晶硅提拉装置 |
JP2021042103A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 |
JP7298406B2 (ja) | 2019-09-12 | 2023-06-27 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4917519B2 (ja) | 2012-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4095975B2 (ja) | シリコン単結晶を製造するための方法及び装置、シリコン単結晶及びこれから切り出された半導体ウェーハ | |
JP3944879B2 (ja) | 単結晶インゴットの製造装置 | |
JP3573045B2 (ja) | 高品質シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4917519B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2001158690A (ja) | 高品質シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6528178B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2009114054A (ja) | 酸素濃度特性が改善した半導体単結晶の製造方法 | |
JP6202119B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPWO2018198606A1 (ja) | n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ | |
JP5283543B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JPH10101482A (ja) | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 | |
JP6631460B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | |
JP5782323B2 (ja) | 単結晶引上方法 | |
JP2010030867A (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP5489064B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP3482956B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP2009057232A (ja) | シリコン単結晶育成方法およびその装置 | |
JP2022526817A (ja) | 本体長さ後半の歪みが低減されたインゴットの製造方法 | |
JP5136518B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP6642410B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2007210820A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2016204231A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5668786B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法 | |
JP3900816B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2009126738A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4917519 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |