JP2016204231A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、本発明の目的は、従来よりも転位の発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提案することにある。
(1)シリコン原料が充填される坩堝と、該坩堝中の前記シリコン原料を加熱溶融してシリコン融液とするヒーターと、前記シリコン融液に着液される種結晶を囲むように配置して前記種結晶を加熱することが可能な補助加熱ヒーターとを備える単結晶シリコン製造装置を用いて、前記種結晶を前記補助加熱ヒーターにより加熱しながら前記シリコン融液に着液し、着液した前記種結晶を引き上げてネック部を形成してシリコン単結晶を製造する方法において、前記種結晶の引き上げ前に、前記補助加熱ヒーターを上昇させる、または/および前記補助加熱ヒーターの出力を低減することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
以下、本発明の実施例について説明する。図2に示した装置1を用いて、発明例1〜11に係るシリコン単結晶を製造した。具体的には、まず、坩堝12(直径:32インチ)内にシリコン結晶の原料である多結晶シリコンを充填し、種結晶保持器16に種結晶Sとして円柱状のシリコン単結晶(直径:10mm)を取り付けた。次いで、チャンバー11内にArガスを流してチャンバー11内をAr雰囲気とした後、ヒーター14により坩堝12内の多結晶シリコンを溶融させてシリコン融液Mとした。続いて、坩堝12および引き上げ軸15をそれぞれ6rpm、1rpmで互いに反対方向に回転させながら種結晶保持具16に取り付けられた種結晶Sをシリコン融液Mの直上まで降下させ、引き上げ軸15により種結晶保持器16に取り付けられた種結晶Sをシリコン融液Mの表面から5mmの高さ位置まで降下させて、30分間保持して予熱した。続いて、シリコン融液の液面から20mmの高さ位置に配置された補助加熱ヒーター21により、種結晶Sをさらに30分間予熱した。その際の補助加熱ヒーター21の出力は、種結晶Sが溶解し始める出力の90%とした。次いで、引き上げ軸15により種結晶Sを降下させてシリコン融液Mに着液し、10分間保持した。その後、表1に示すように、補助加熱ヒーター21を表1に示した高さ位置まで上昇させる、または/および補助加熱ヒーター21の出力を表1に示した出力まで低減した後に、引き上げ速度2.0mm/minで引き上げ、直径:8mmのネック部Inを形成した後、引き上げ速度を徐々に低下させてショルダー部Isを形成し、引き上げ速度0.5mm/minで直胴部Ibを形成し、発明例1〜11に係るシリコン結晶を形成した。
図2に示した装置1を用いて、従来例に係るシリコン単結晶を製造した。その際、補助加熱ヒーター21の高さ位置および出力は表1に示した値とし、また、着液した種結晶Sを引き上げてネック部Inを形成する前に、補助加熱ヒーター21の上昇や出力の低減を行わなかった。その他の条件は発明例1と全て同じである。
発明例1〜11および従来例の各々について、それぞれの条件でシリコン結晶を10回製造し、製造されたシリコン単結晶において転位が発生しなかった無転位化率を評価した。得られた結果を表1に示す。表1から明らかなように、補助加熱ヒーターの上昇、または/および補助加熱ヒーターの出力の低減により、無転位化率が上昇することが分かる。特に、補助加熱ヒーターを50mm以上100mm以下の高さ位置に上昇させることにより、あるいは補助加熱ヒーターの出力を20%以下にすることにより、無転位化の成功率が100%になることが分かる。同様に、補助加熱ヒーターを上昇させ、かつ補助加熱ヒーターの出力を低減する場合には、補助加熱ヒーターをシリコン融液の液面から30mm以上50mm以下の高さ位置に上昇させ、かつ補助加熱ヒーターの出力を種結晶のシリコン融液への着液前の出力に対して50%以下に低減することにより、無転位化率が100%になることが分かる。
11 チャンバー
12 坩堝
12a 石英坩堝
12b 黒鉛坩堝
13 回転昇降軸
14 ヒーター
15 引き上げ軸
16 種結晶保持器
17 ガス導入口
18 排気口
19 熱遮蔽体
20 断熱材
21 補助加熱ヒーター
21a 発熱部
21b 移動機構
I シリコン単結晶インゴット
In ネック部
Is ショルダー部
Ib 直胴部
S 種結晶
M シリコン融液
Claims (8)
- シリコン原料が充填される坩堝と、該坩堝中の前記シリコン原料を加熱溶融してシリコン融液とするヒーターと、前記シリコン融液に着液される種結晶を囲むように配置して前記種結晶を加熱することが可能な補助加熱ヒーターとを備える単結晶シリコン製造装置を用いて、前記種結晶を前記補助加熱ヒーターにより加熱しながら前記シリコン融液に着液し、着液した前記種結晶を引き上げてネック部を形成してシリコン単結晶を製造する方法において、
前記種結晶の引き上げ前に、前記補助加熱ヒーターを上昇させる、または/および前記補助加熱ヒーターの出力を低減することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記補助加熱ヒーターの上昇は、該上昇後の前記補助加熱ヒーターの高さ位置が前記シリコン融液の液面から30mm以上100mm以下となるように行う、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記補助加熱ヒーターの上昇は、該上昇後の前記補助加熱ヒーターの高さ位置が前記シリコン融液の液面から50mm以上100mm以下となるように行う、請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記補助加熱ヒーターの出力の低減は、該出力の低減後の前記補助加熱ヒーターの出力が前記種結晶の前記シリコン融液への着液前の出力に対して50%以下となるように行う、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記補助加熱ヒーターの出力の低減は、該出力の低減後の前記補助加熱ヒーターの出力が前記種結晶の前記シリコン融液への着液前の出力に対して20%以下となるように行う、請求項4に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記種結晶の引き上げの前に、前記補助加熱ヒーターを上昇させ、かつ前記補助加熱ヒーターの出力を低減する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記補助加熱ヒーターを前記シリコン融液の液面から30mm以上50mm以下の高さ位置に上昇させ、かつ前記補助加熱ヒーターの出力を前記種結晶の前記シリコン融液への着液前の出力に対して50%以下に低減する、請求項6に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記ネック部の径を6mm以上とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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