JP2009111933A - 低雑音増幅器及び差動増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタ24、トランジスタ27及び抵抗30で構成されるカスコード増幅器に帰還トランス23及び帰還抵抗44による二重の負帰還路を付加した二重負帰還低雑音増幅器において、該二重負帰還低雑音増幅器の出力端子とカスコード増幅器の入力端子即ちトランジスタ24の入力端子との間にキャパシタ42及び抵抗45からなる位相補償回路を付加し、カスコード増幅器の上段トランジスタ即ちトランジスタ27の入力端子にキャパシタ43及び抵抗28からなる位相補償回路を付加する。これらの位相補償回路により、高周波帯まで高い帰還ループ利得を保ち尚且つ安定な、従来よりも広帯域で高いダイナミックレンジを持つ低雑音負帰還増幅器を実現できる。
【選択図】図1
Description
K. van Hartingsveldt, M. H. L. Kouwenhoven, C. J. M. Verhoeven, A. N. Burghartz著"HF Low Noise Amplifiers with Integrated Transformer Feedback", ISCAS 2002, vol.2, pp. II-815 - II-818, May 2002
図14は、ドミナントポール補償法を適用したTFC-LNA10Aの例を示す回路図である(従来例1)。
従来例1では、直流電圧源DCSから直流電源電圧Vd1として10Vが印加されており、トランジェント周波数が8GHzのトランジスタが用いられている。出力インピーダンスRが50Ωの信号源1が、直流遮断用キャパシタ2を介して、変圧器(以下、トランスという)3の一次巻線のホット側に接続されている。トランス3には、例えば巻数比が1:2の市販のトランスが用いられている。
従来例1のTFC-LNA10Aの帰還ループ利得は、周波数360KHz付近で最大値約44dBを与え、周波数約190MHz付近で0dBまで低下している。位相余裕は45°、利得余裕は約5dBとなっている。帰還ループ利得が減衰し始める周波数を示す−3dBカットオフ周波数は、約1.1MHzとなっており、このためTFC-LNA10Aが高ダイナミックレンジを保つ帯域は、高々数MHz程度にとどまることが判る。
ドミナントポール補償法では−20dB/decで帰還ループ利得が減少するように補償される。従来例1で用いられている市販トランスがほぼ理想的に振舞う通過帯域の上限周波数は約200MHzであり、これ以上の高周波数帯では、ドミナントポールによる位相余裕の減衰に加えてトランスの寄生容量等の影響による位相余裕の悪化が顕著となる。
従来例1(図14)のTFC-LNA10Aの3次入力インターセプトポイント(以下、IIP3という)特性のシミュレーションでは測定周波数を中心として±10KHzだけ外れた周波数で、−50dBmのパワーを持つ2つのトーン信号を入力として用いた。図16の横軸は周波数(MHz)、縦軸はIIP3(dBm)をそれぞれ表している。
図17は、ミラー補償法を用いた位相補償をTFC-LNAに適用した例を示す回路図である(従来例2)。
入力信号が印加される信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記一次巻線の端子の内、前記信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する上段トランジスタと、
前記入力信号の増幅結果を出力ノードに与える増幅結果伝達回路と、
前記出力ノード上の入力信号の増幅結果を前記二次巻線に印加する第1の負帰還回路と、
前記出力ノードと前記信号入力端子の間に接続される第2の負帰還回路と、
前記出力ノードと前記上段トランジスタの制御電極に接続された第1の位相補償回路と、
前記出力ノードと前記入力段トランジスタの制御電極に接続された第2の位相補償回路と、
を備えることを特徴とする。
第1の入力信号が印加される第1の信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する第1の変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記第1の変圧器が有する一次巻線の端子の内、前記第1の信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された第1の入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が第1の負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記第1の入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該第1の入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する第1の上段トランジスタと、
前記第1の入力信号の増幅結果を第1の出力ノードに与える第1の増幅結果伝達回路と、
前記第1の出力ノード上の第1の入力信号の増幅結果を前記第1の変圧器の二次巻線に印加する第1の負帰還回路と、
前記第1の出力ノードと前記第1の信号入力端子の間に接続される第2の負帰還回路と、
第2の入力信号が印加される第2の信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する第2の変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記第2の変圧器が有する一次巻線の端子の内、第2の信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された第2の入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が第2の負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記第2の入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該第2の入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する第2の上段トランジスタと、
前記第2の入力信号の増幅結果を第2の出力ノードに与える第2の増幅結果伝達回路と、
前記第2の出力ノード上の第2の入力信号の増幅結果を前記第2の変圧器の二次巻線に印加する第3の負帰還回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の信号入力端子の間に接続される第4の負帰還回路と、
前記第1の入力段トランジスタ、前記第1の上段トランジスタ及び前記第1の負荷素子を含む電流路と前記第2の入力段トランジスタ、前記第2の上段トランジスタ及び前記第2の負荷素子を含む電流路とに接続された定電流回路と、を備えた差動増幅器であって、
前記第1の出力ノードと前記第1の上段トランジスタの制御電極に接続された第1の位相補償回路と、
前記第1の出力ノードと前記第1の入力段トランジスタの制御電極に接続された第2の位相補償回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の上段トランジスタの制御電極に接続された第3の位相補償回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の入力段トランジスタの制御電極に接続された第4の位相補償回路と、
を備えることを特徴とする。
前記第2の増幅結果伝達回路は、前記第2の上段トランジスタの第2の導通電極に接続された第2のエミッタフォロワまたは第2のソースフォロワを備え、該第2のエミッタフォロワまたは第2のソースフォロワから出力される信号を前記第2の入力信号の増幅結果として前記第2の出力ノードに与えてもよい。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るTFC-LNA20を示す構成図である。
このTFC-LNA20には、直流電圧源DCSから直流電源電圧Vd1として10Vが印加されており、トランジェント周波数が8GHzのトランジスタが用いられている。
図1のTFC-LNA20で用いられているトランス23を巻数比1:2の理想トランスとした場合に、トランジスタ24のベースにおいて観測される帰還ループ利得の伝達関数(s)は、簡単なモデルを用いると以下の式(1)で表される。
gm1は、トランジスタ24のトランスコンダクタンス、
gm2は、トランジスタ27のトランスコンダクタンス、
Cbは、トランジスタ24のベース−コレクタ間寄生容量値、
Ccは、キャパシタ43の容量値、
Rcは、抵抗28の抵抗値、
Cpは、キャパシタ42の容量値、
Rpは、抵抗45の抵抗値、
Rfbは、抵抗44の抵抗値、
RLは、抵抗30の抵抗値、
Rsは、信号源21の出力インピーダンス値を示す。
ωz1=1/(Cc・Rc)で与えられる周波数付近で、零点の効果により位相の減衰が緩和される部分が現れるために、帰還ループ利得が1になるクロスポイント周波数における位相余裕が増大し、TFC-LNA20が安定化される。
第1の実施形態(図1)のTFC-LNA20における第1の位相補償回路の回路定数から前述のωz1を求めると、約130MHzとなる。同様に、第2の位相補償回路の回路定数から前述のωz2を求めると、約710MHzとなる。
図3(a)〜(c)は、図1のTFC-LNA20の雑音指数(NF)、反射係数(S11)及び透過係数(S21)のシミュレーション結果を示す図である。
図7は、本発明の第2の実施形態に係るTFC-LNA50を示す構成図である。
本実施形態のTFC-LNA50は、第1の実施形態のTFC-LNA20の電流源39を可変電流源51に置換したものであり、他の構成は第1の実施形態のTFC-LNA20と同様である。
図12は、本発明の第3の実施形態に係るTFC-LNA60を示す図である。
このTFC-LNA60は、第1の実施形態(図1)のTFC-LNA20からエミッタフォロワを構成するトランジスタ31と、カレントミラーを構成するトランジスタ35,37,38と、抵抗36,40と電流源39とを取り除き、トランジスタ27のコレクタ即ちカスコード増幅器の出力ノードを直接TFC-LNA60の出力端子としたものである。このTFC-LNA60の出力端子には、直流遮断用キャパシタ32を介して出力負荷33が接続されており、更に、直流遮断用キャパシタ34を介して第1の負帰還路を構成するトランス23の二次巻線と、直流遮断用キャパシタ41を介して第2の負帰還路を構成する抵抗44が接続されている。TFC-LNA60の他の構成は、第1の実施形態(図1)のTFC-LNA20と同様である。
図13は、本発明の第4の実施形態に係る差動化されたTFC-LNA80(以下、差動TFC-LNA80という)を示す構成図である。
トランジスタ121のエミッタには、エミッタフォロワの動作電流を与えるために定電流源125が接続されている。電流源125はカレントミラー回路で構成してもよい。
例えば、第1〜第4の実施形態では、各トランジスタをバイポーラトランジスタで構成したが、MOSトランジスタ或いはバイポーラトランジスタとMOSトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
80・・・差動TFC-LNA
3,23,83,113・・・トランス
4,7,10,24,27,31,84,87,91,114,117,121・・・NPN型トランジスタ
11,19,42,43,97,98,127,128・・・位相補償用キャパシタ
28,45,88,100,118,130・・・位相補償用抵抗
Claims (6)
- 入力信号が印加される信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記一次巻線の端子の内、前記信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する上段トランジスタと、
前記入力信号の増幅結果を出力ノードに与える増幅結果伝達回路と、
前記出力ノード上の入力信号の増幅結果を前記二次巻線に印加する第1の負帰還回路と、
前記出力ノードと前記信号入力端子の間に接続される第2の負帰還回路と、
前記出力ノードと前記上段トランジスタの制御電極に接続された第1の位相補償回路と、
前記出力ノードと前記入力段トランジスタの制御電極に接続された第2の位相補償回路と、
を備えることを特徴とする低雑音増幅器。 - 前記増幅結果伝達回路は、前記上段トランジスタの第2の導通電極に接続されたエミッタフォロワまたはソースフォロワを備え、該エミッタフォロワまたはソースフォロワから出力される信号を前記入力信号の増幅結果として前記出力ノードに与えることを特徴とする請求項1に記載の低雑音増幅器。
- 前記エミッタフォロワまたはソースフォロワに流れる電流を可変とする消費電流調整手段を備えることを特徴とする請求項2に記載の低雑音増幅器。
- 第1の入力信号が印加される第1の信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する第1の変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記第1の変圧器が有する一次巻線の端子の内、前記第1の信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された第1の入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が第1の負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記第1の入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該第1の入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する第1の上段トランジスタと、
前記第1の入力信号の増幅結果を第1の出力ノードに与える第1の増幅結果伝達回路と、
前記第1の出力ノード上の第1の入力信号の増幅結果を前記第1の変圧器の二次巻線に印加する第1の負帰還回路と、
前記第1の出力ノードと前記第1の信号入力端子の間に接続される第2の負帰還回路と、
第2の入力信号が印加される第2の信号入力端子に一端が接続された一次巻線と該一次巻線に電磁結合する二次巻線とを有する第2の変圧器と、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、前記第2の変圧器が有する一次巻線の端子の内、第2の信号入力端子と接続されていない方の端子と該制御電極が接続された第2の入力段トランジスタと、
制御電極と該制御電極によって導通状態が変化する第1の導通電極及び第2の導通電極とを有し、該第2の導通電極が第2の負荷素子に接続されると共に該第1の導通電極が前記第2の入力段トランジスタの第2の導通電極に接続されて該第2の入力段トランジスタにカスコード接続され、出力インピーダンスを高めるように作用する第2の上段トランジスタと、
前記第2の入力信号の増幅結果を第2の出力ノードに与える第2の増幅結果伝達回路と、
前記第2の出力ノード上の第2の入力信号の増幅結果を前記第2の変圧器の二次巻線に印加する第3の負帰還回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の信号入力端子の間に接続される第4の負帰還回路と、
前記第1の入力段トランジスタ、前記第1の上段トランジスタ及び前記第1の負荷素子を含む電流路と前記第2の入力段トランジスタ、前記第2の上段トランジスタ及び前記第2の負荷素子を含む電流路とに接続された定電流回路と、を備えた差動増幅器であって、
前記第1の出力ノードと前記第1の上段トランジスタの制御電極に接続された第1の位相補償回路と、
前記第1の出力ノードと前記第1の入力段トランジスタの制御電極に接続された第2の位相補償回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の上段トランジスタの制御電極に接続された第3の位相補償回路と、
前記第2の出力ノードと前記第2の入力段トランジスタの制御電極に接続された第4の位相補償回路と、
を備えることを特徴とする差動増幅器。 - 前記第1の増幅結果伝達回路は、前記第1の上段トランジスタの第2の導通電極に接続された第1のエミッタフォロワまたは第1のソースフォロワを備え、該第1のエミッタフォロワまたは第1のソースフォロワから出力される信号を前記第1の入力信号の増幅結果として前記第1の出力ノードに与え、
前記第2の増幅結果伝達回路は、前記第2の上段トランジスタの第2の導通電極に接続された第2のエミッタフォロワまたは第2のソースフォロワを備え、該第2のエミッタフォロワまたは第2のソースフォロワから出力される信号を前記第2の入力信号の増幅結果として前記第2の出力ノードに与える、
ことを特徴とする請求項4に記載の差動増幅器。 - 前記第1のエミッタフォロワまたは第1のソースフォロワに流れる電流と、前記第2のエミッタフォロワまたは第2のソースフォロワに流れる電流とを可変とする消費電流調整手段を備えることを特徴とする請求項5に記載の差動増幅器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056860A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Icom Inc | 低雑音増幅器 |
JP2011029872A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トランスインピーダンスアンプ |
JP2012191600A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
JP2015041987A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 日本電信電話株式会社 | 周波数変換器 |
US9621116B2 (en) | 2015-03-09 | 2017-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active load circuit and semiconductor integrated circuit |
CN111245373A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 中国科学技术大学 | 一种采用部分有源负反馈技术及正反馈技术的超宽带低噪声放大器 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4803189B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2011-10-26 | アイコム株式会社 | 差動増幅器 |
TWI404329B (zh) * | 2009-06-11 | 2013-08-01 | Nat Univ Tsing Hua | 寬頻高電流輸出級電路 |
KR20120061155A (ko) | 2010-11-01 | 2012-06-13 | 한국전자통신연구원 | 귀환 증폭기 |
EP2466746B1 (en) * | 2010-12-16 | 2013-09-18 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | Low noise amplifier |
US8362813B2 (en) | 2011-03-24 | 2013-01-29 | Pericom Semiconductor Corp. | Re-driver with pre-emphasis injected through a transformer and tuned by an L-C tank |
KR101094397B1 (ko) | 2011-05-27 | 2011-12-15 | (주)다빛다인 | 증폭 회로 및 이를 이용한 디지털 마이크로폰 |
RU2488952C1 (ru) * | 2012-01-10 | 2013-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
CN103259553A (zh) * | 2012-02-17 | 2013-08-21 | Imec公司 | 一种用于无线电设备的前端系统 |
CN103457545B (zh) * | 2013-09-11 | 2016-05-04 | 东华理工大学 | 三维电阻率采集系统的超低噪声模拟放大器 |
US9831832B2 (en) * | 2015-04-30 | 2017-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low noise amplifier having transformer feedback and method of using the same |
US9531086B1 (en) * | 2016-01-06 | 2016-12-27 | International Business Machines Corporation | Dynamic phased array tapering without phase recalibration |
US9912301B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-03-06 | City University Of Hong Kong | Facilitation of increased bandwidth for a low noise amplifier |
US10038413B2 (en) * | 2016-12-13 | 2018-07-31 | Globalfoundries Inc. | Fully depleted silicon on insulator power amplifier |
CN113242020A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-10 | 北京智联安科技有限公司 | 一种宽带匹配低噪声放大器 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS517009B1 (ja) * | 1969-11-26 | 1976-03-04 | ||
JPS5347754A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amplifier |
JPS53119846U (ja) * | 1977-03-02 | 1978-09-22 | ||
JPS5739605A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Preamplifier |
JPS6485407A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH04154310A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | トランジスタ増幅器 |
JP2002043866A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 広帯域増幅回路 |
JP2006054607A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Sony Corp | 電流電圧変換回路および光検出回路 |
JP2006303668A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 出力インピーダンス可変回路 |
JP2007006484A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 差動増幅器 |
JP2007214748A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Alps Electric Co Ltd | 広帯域増幅回路 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6011438A (en) * | 1997-11-27 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Push-pull wideband semiconductor amplifier |
US6542037B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-04-01 | Tyco Electronics Corp. | Low distortion broadband amplifier using GaAs pHEMT devices |
JP3929031B2 (ja) | 2002-03-28 | 2007-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 増幅装置 |
US7095994B1 (en) * | 2002-11-27 | 2006-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for dynamic biasing of baseband circuitry in a communication system receiver |
JP3885073B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2007-02-21 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | バッファ回路 |
US7224225B2 (en) * | 2005-04-26 | 2007-05-29 | Intel Corporation | Differential inductor based low noise amplifier |
JP4935003B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-05-23 | アイコム株式会社 | 可変利得増幅器及び差動増幅器 |
JP2007284566A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sharp Corp | シリコン系青色発光材料及びその製造方法 |
JP4662888B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-03-30 | アイコム株式会社 | 可変利得増幅器及び差動増幅器 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007284566A patent/JP4998211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-31 US US12/183,857 patent/US7633344B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-20 AT AT08018346T patent/ATE537603T1/de active
- 2008-10-20 EP EP08018346A patent/EP2056448B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS517009B1 (ja) * | 1969-11-26 | 1976-03-04 | ||
JPS5347754A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amplifier |
JPS53119846U (ja) * | 1977-03-02 | 1978-09-22 | ||
JPS5739605A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Preamplifier |
JPS6485407A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH04154310A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | トランジスタ増幅器 |
JP2002043866A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 広帯域増幅回路 |
JP2006054607A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Sony Corp | 電流電圧変換回路および光検出回路 |
JP2006303668A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 出力インピーダンス可変回路 |
JP2007006484A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 差動増幅器 |
JP2007214748A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Alps Electric Co Ltd | 広帯域増幅回路 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056860A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Icom Inc | 低雑音増幅器 |
JP2011029872A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トランスインピーダンスアンプ |
JP2012191600A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
JP2015041987A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 日本電信電話株式会社 | 周波数変換器 |
US9621116B2 (en) | 2015-03-09 | 2017-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active load circuit and semiconductor integrated circuit |
CN111245373A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 中国科学技术大学 | 一种采用部分有源负反馈技术及正反馈技术的超宽带低噪声放大器 |
CN111245373B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-10-28 | 中国科学技术大学 | 一种采用部分有源负反馈技术及正反馈技术的超宽带低噪声放大器 |
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