JP2007006484A - 差動増幅器 - Google Patents
差動増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007006484A JP2007006484A JP2006169738A JP2006169738A JP2007006484A JP 2007006484 A JP2007006484 A JP 2007006484A JP 2006169738 A JP2006169738 A JP 2006169738A JP 2006169738 A JP2006169738 A JP 2006169738A JP 2007006484 A JP2007006484 A JP 2007006484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- node
- drain
- mos transistor
- compensation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 36
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 35
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 101100102624 Drosophila melanogaster Vinc gene Proteins 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/14—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of neutralising means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45332—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more capacitors as feedback circuit elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45366—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising multiple transistors parallel coupled at their gates only, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45464—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more coils
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45544—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45608—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more series resonance circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45622—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising a voltage generating circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
【解決手段】差動LNAは、第1および第2の入力MOSトランジスタ(MT、MC)を有し、それぞれの制御ゲートに印加した差動差動入力と、それぞれのドレインから抽出した出力を有する。第1および第2の入力MOSトランジスタのゲートドレインCgdである帰還キャパシタンスを、2つの中和MOSトランジスタ(MN1,MN2)のそれぞれのゲートソースCgsキャパシタンスにより中和する。
【選択図】図9
Description
図8を参照すると、本発明による低雑音差動増幅器、LNA80は、トルー分岐80Tと、コンプリメンタリ分岐80Cとを含む。LNA80のトルー分岐80Tは、トルー信号を受信する第1の(トルー)トランジスタMTと、MTの制御ゲートに接続した第1のゲートインダクタンスLgTと、MTのソースノードを仮想接地ノードVgndに接続する第1のソースインダクタンスLsTと、MTのドレインをVccと接続する第1のドレインインダクタンスLdTと、第1の電圧バイアス発生器VBTと、第1の入力結合コンデンサCTと、第1の入力信号VinTと、第1の入力信号の対応するソースインピーダンスRsTとを含む。
13’:バイアス発生器
Claims (24)
- 第1のプルアップ素子に接続している第1のノードと、第1のプルダウン素子に接続している第2のノードと、トルー入力信号を有効に受信する第1の制御入力ノードとを備え、前記第1の制御入力ノードと前記第1のノードとの間の第1の帰還キャパシタンスと、前記第1の制御入力と前記第2のノードとの間の第1のカップリングキャパシタンスとを特徴とし、前記第1の帰還キャパシタンスは少なくとも部分的に前記トルー入力信号に依存している、第1の入力トランジスタと、
第2のプルアップ素子に接続している第3のノードと、第2のプルダウン素子に接続している第4のノードと、コンプリメント入力信号を有効に受信する第2の制御入力ノードとを備え、前記コンプリメント入力信号は、前記トルー入力信号が反転したものであって、前記第2の制御入力ノードと前記第3のノードとの間の第2の帰還キャパシタンスと、前記第2の制御入力と前記第4のノードとの間の第2のカップリングキャパシタンスとを特徴とし、前記第2の帰還キャパシタンスは少なくとも部分的に前記コンプリメント入力信号に依存している、第2の入力トランジスタと、
静止キャパシタンスの大きさが基本的に前記第1の帰還キャパシタンスの静止キャパシタンスの大きさと同じである、前記第1の入力ノードと前記第3のノードとの間に接続している第1の補償可変キャパシタンスと、
静止キャパシタンスの大きさが基本的に前記第2の帰還キャパシタンスの静止キャパシタンスの大きさと同じである、前記第2の入力ノードと前記第1のノードとの間に接続している第2の補償可変キャパシタンスとを含む、
差動増幅器。 - 前記第1の帰還キャパシタンスを介した帰還信号の大きさが、少なくとも部分的に前記第1および第2のノードとの間の電位差に依存していて、前記第1の補償可変キャパシタンスが、前記第3のノードから前記第1の制御入力へ中和信号を効果的に提供して、前記中和信号の大きさが、前記第1のノードと第2のノードとの間の電位差の変動に伴って変化する、請求項1に記載の差動増幅器。
- 前記第1の補償可変キャパシタンスが、前記第1の帰還キャパシタンスの変動を監視して、前記第1のカップリングキャパシタンスの変動を基本的に無視して、
前記第2の補償可変キャパシタンスが、前記第2の帰還キャパシタンスの変動を監視して、前記第2のカップリングキャパシタンスの変動を基本的に無視する、請求項1に記載の差動増幅器。 - 前記第1および第2の入力トランジスタが、電界効果トランジスタまたはバイポーラ接合トランジスタである、請求項1に記載の差動増幅器。
- 前記第1の補償可変キャパシタンスを、前記第1の入力ノードに接続した第3の入力ノードと、前記第3のノードに接続した第5のノードと、電源線に接続している第6のノードとを有する第1の補償トランジスタにより構成して、
前記第2の可変キャパシタンスを、前記第2の入力ノードに接続した第4の入力ノードと、前記第2のノードに接続した第7のノードと、前記電源線に接続した第8のノードとを有する第2の補償トランジスタで構成する、請求項1に記載の差動増幅器。 - 前記第1の補償トランジスタを前記第1の入力トランジスタと整合させて、
前記第2の補償トランジスタを前記第2の入力トランジスタと整合させない、請求項5に記載の差動増幅器。 - 前記第1の入力トランジスタが第1のMOSトランジスタで、前記第1のノード、第2のノードおよび第1の制御入力がそれぞれ、前記第1のMOSトランジスタの第1のドレインノード、第1のソースノードおよび第1の制御ゲートで、
前記第2の入力トランジスタが第2のMOSトランジスタで、前記第3のノード、第4のノードおよび第2の制御入力がそれぞれ、前記第2のMOSトランジスタの第2のドレインノード、第2のソースノードおよび第2の制御ゲートで、
前記第1の補償可変キャパシタンスを、ある一定の電位に接続した第3のソースと、前記第2のドレインに接続した第3のドレインと、前記第1の制御ゲートに接続した第3の制御ゲートとを有する第3のMOSトランジスタにより構成して、前記第3のMOSトランジスタのゲートドレインキャパシタンスが、前記第1のMOSトランジスタのゲートドレインキャパシタンスと整合していて、
前記第2の補償可変キャパシタンスを、前記ある一定の電位に接続した第4のソースと、前記第1のドレインに接続した第4のドレインと、前記第2の制御ゲートに接続した第4の制御ゲートとを有する第4のMOSトランジスタにより構成して、前記第4のMOSトランジスタのゲートドレインキャパシタンスが、前記第2のMOSトランジスタのゲートドレインキャパシタンスと整合している、請求項1に記載の差動増幅器。 - 前記第3のMOSトランジスタのゲートソースキャパシタンスを、前記第1のMOSトランジスタのゲートソースキャパシタンスと整合させて、
前記第4のMOSトランジスタのゲートソースキャパシタンスを、前記第2のMOSトランジスタのゲートドレインキャパシタンスと整合させない、請求項7に記載の差動増幅器。 - 前記差動増幅器が低雑音増幅器、LNAで、
前記第1および第2のプルダウン素子が誘導素子である、請求項1に記載の差動増幅器。 - 第1の電源線と、前記第1の電源線よりも電位が低い第2の電源線と、
第1のプルアップ素子を介して前記第1の電源線に接続した第1のドレインノードと、第1のプルダウン素子を介して前記第2の電源線に接続した第1のソースノードと、トルー入力信号を有効に受信する第1の制御ゲート入力ノードとを有する第1の入力MOSトランジスタと、
第2のプルアップ素子を介して前記第1の電源線に接続した第2のドレインノードと、第2のプルダウン素子を介して前記第2の電源線に接続した第2のソースノードと、前記トルー入力信号とは逆のコンプリメント入力信号を受信する第2の制御ゲート入力ノードとを有する第2の入力MOSトランジスタと、
前記第1の制御ゲート入力ノードに接続した第1の補償制御ゲートと、前記第2のドレインノードに接続した第1の補償ソースノードと、前記第1または第2の電源線のいずれか1つに直接接続した第1の補償ドレインノードとを有する第1の補償MOSトランジスタと、
前記第2の制御ゲート入力ノードに接続した第2の補償制御ゲートと、前記第1のドレインノードに接続した第2の補償ソースノードと、前記第1の補償ドレインノードと同じ前記第1または第2の電源線のいずれか1つと直接接続した第2の補償ドレインノードとを有する第2の補償MOSトランジスタとを含む、差動増幅器。 - 前記第1のドレインノードと前記第1のソースノードとの間の電位差が、前記第1の補償ソースノードと前記第1の補償ドレインノードとの間の電位差と同じ大きさになる、請求項10に記載の差動増幅器。
- 前記第1の入力MOSトランジスタのドレイン領域を、前記第1の補償MOSトランジスタのドレイン領域と整合させて、
前記第2の入力MOSトランジスタのドレイン領域を、ドレイン領域前記第2の補償MOSトランジスタと整合させない、請求項10に記載の差動増幅器。 - 前記第1の入力MOSトランジスタのソース領域を、前記第1の補償MOSトランジスタのソース領域と整合させて、
前記第2の入力MOSトランジスタのソース領域を、ソース領域前記第2の補償MOSトランジスタと整合させない、請求項12に記載の差動増幅器。 - 前記差動増幅器が低雑音増幅器、LNAで、
前記第1および第2のプルアップ素子が第1および第2のプルアップ誘導素子で、
第1および第2のプルダウン素子が第1および第2のプルダウン誘導素子である、請求項10に記載の差動増幅器。 - 前記第1の入力MOSトランジスタの反応性動作と結合して、その共振範囲内で動作する際に、第1のプルダウン誘導素子が、所定の入力抵抗値と基本的に同じ実抵抗成分を有する前記第1の制御ゲート入力ノードで入力インピーダンスを生成するように、前記第1のプルダウン誘導素子を選択して、
前記第2の入力MOSトランジスタの反応性動作と結合して、その共振範囲内で動作する際に、第2のプルダウン誘導素子が、前記所定の入力抵抗値と基本的に同じ実抵抗成分を有する前記第2の制御ゲート入力ノードで入力インピーダンスを生成するように、前記第2のプルダウン誘導素子を選択する、請求項14に記載の差動増幅器。 - 前記第1の制御ゲート入力ノードに接続した第1の入力誘導素子をさらに備え、前記第1の入力誘導素子のインダクタンス値を選択して、前記第1のプルダウン誘導素子をその共振範囲に配置して、
前記第2の制御ゲート入力ノードに接続した第2の入力誘導素子をさらに備え、前記第2の入力誘導素子のインダクタンス値を選択して、前記第1のプルダウン誘導素子をその共振範囲に配置する、請求項15に記載の差動増幅器。 - 前記第1および第2の制御ゲート入力ノードに接続したバイアス生成回路をさらに備え、前記バイアス生成回が前記低雑音増幅器の動作点を効果的に設定する、請求項16に記載の差動増幅器。
- 第1の電源線と、前記第1の電源線よりも電位が低い第2の電源線と、
第1のプルアップ素子を介して前記第1の電源線に接続した第1のドレインノードと、第1のプルダウン素子を介して前記第2の電源線に接続した第1のソースノードと、トルー入力信号を有効に受信する第1の制御ゲート入力ノードとを有する第1の入力MOSトランジスタと、
第2のプルアップ素子を介して前記第1の電源線に接続した第2のドレインノードと、第2のプルダウン素子を介して前記第2の電源線に接続した第2のソースノードと、前記トルー入力信号とは逆のコンプリメント入力信号を受信する第2の制御ゲート入力ノードとを有する第2の入力MOSトランジスタと、
前記第1の制御ゲート入力ノードに接続した第1の補償制御ゲートと、前記第2のドレインノードに接続した第1の補償ドレインノードと、前記第1または第2の電源線のいずれか1つに接続した第1の補償ソースノードとを有し、前記第1の補償MOSトランジスタのドレイン構造が前記第1の入力MOSトランジスタのドレイン構造と整合している、第1の補償MOSトランジスタと、
前記第2の制御ゲート入力ノードに接続した第2の補償制御ゲートと、前記第2のドレインノードに接続した第2の補償ドレインノードと、前記第1の補償ソースノードに接続した第2の補償ソースノードとを有し、前記第2の補償MOSトランジスタのドレイン構造が、前記第2の入力MOSトランジスタのドレイン構造と整合している、第2の補償MOSトランジスタとを含む、差動増幅器。 - 前記第1の補償ソースノードが、前記第1の補償ドレインノードと構造的に異なっている、請求項18に記載の差動増幅器。
- 前記第2の補償ソースノードが、前記第2の補償ドレインノードと構造的に異なっている、請求項19に記載の差動増幅器。
- 前記第1の補償MOSトランジスタを、前記第1の入力MOSトランジスタと整合させていない、請求項18に記載の差動増幅器。
- 前記第2の補償MOSトランジスタを、前記第2の入力MOSトランジスタと整合させていない、請求項21に記載の差動増幅器。
- 前記第1のドレインノードと前記ソースノードとの間の電位差が、前記第1の補償ソースノードと前記第1の補償ドレインノードとの間の電位差と同じ大きさになる、請求項18に記載の差動増幅器。
- 前記増幅器が低雑音増幅器、LNAで、前記第1および第2のプルダウン素子が誘導素子である、請求項18に記載の差動増幅器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/157,246 US7256646B2 (en) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | Neutralization techniques for differential low noise amplifiers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007006484A true JP2007006484A (ja) | 2007-01-11 |
JP4305472B2 JP4305472B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=37572777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006169738A Expired - Fee Related JP4305472B2 (ja) | 2005-06-21 | 2006-06-20 | 差動増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7256646B2 (ja) |
JP (1) | JP4305472B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009111933A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Icom Inc | 低雑音増幅器及び差動増幅器 |
JP2011509518A (ja) * | 2007-12-22 | 2011-03-24 | ヨハン ヴォルフガング ゲーテ−ウニヴェルジテート フランクフルト アム マイン | テラヘルツ波を検出するためのモノリシック集積アンテナおよび受信器回路 |
JP2011205322A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変利得増幅器 |
JP2012065168A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 高周波差動増幅回路 |
JP2012120123A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 差動増幅回路 |
JP2013223109A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 差動増幅器 |
JP2019110378A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社デンソーテン | アンプ回路 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7116728B2 (en) * | 2001-05-25 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quadrature alignment in communications receivers using dual delay lines |
CN1765048B (zh) * | 2003-03-28 | 2010-05-05 | Nxp股份有限公司 | 晶体管放大器电路 |
US7719343B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-05-18 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low noise charge pump method and apparatus |
US20060006849A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Haslett James W | Inductor compensating circuit |
KR100667303B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | Uwb용 lna |
DE102005025677B9 (de) * | 2005-06-03 | 2010-11-11 | Infineon Technologies Ag | Empfangsverstärker, insbesondere für Fernsehempfänger und Verwendung des Empfangsverstärkers |
US7598788B2 (en) * | 2005-09-06 | 2009-10-06 | Broadcom Corporation | Current-controlled CMOS (C3MOS) fully differential integrated delay cell with variable delay and high bandwidth |
US7535330B2 (en) * | 2006-09-22 | 2009-05-19 | Lsi Logic Corporation | Low mutual inductance matched inductors |
US7639079B2 (en) * | 2007-02-09 | 2009-12-29 | Agere Systems Inc. | Techniques for designing wide band low noise amplifiers |
TW200906055A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-01 | Rafael Microelectronics Inc | Low noise amplify |
US9030248B2 (en) | 2008-07-18 | 2015-05-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Level shifter with output spike reduction |
US9660590B2 (en) | 2008-07-18 | 2017-05-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
US8816659B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Low-noise high efficiency bias generation circuits and method |
EP2311184A4 (en) * | 2008-07-18 | 2014-02-26 | Peregrine Semiconductor Corp | SOFTENER HIGH PERFORMANCE VOLTAGE GENERATION CIRCUITS AND METHOD |
JP5109874B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2012-12-26 | アイコム株式会社 | 低雑音増幅器 |
US9614575B2 (en) * | 2009-01-30 | 2017-04-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Direct coupled radio frequency (RF) transceiver front end |
US7863941B1 (en) * | 2009-02-04 | 2011-01-04 | Altera Corporation | Techniques for canceling offsets in differential circuits |
US7969246B1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems and methods for positive and negative feedback of cascode transistors for a power amplifier |
EP2456068B1 (en) * | 2010-11-22 | 2013-06-19 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier with impedance boosting circuit |
US8686787B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-04-01 | Peregrine Semiconductor Corporation | High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages |
US9264053B2 (en) | 2011-01-18 | 2016-02-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Variable frequency charge pump |
US8269350B1 (en) | 2011-05-31 | 2012-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing the switching noise on substrate with high grounding resistance |
US8451058B2 (en) * | 2011-06-22 | 2013-05-28 | Broadcom Corporation | Amplifier bandwidth extension for high-speed tranceivers |
EP2557687B1 (en) | 2011-08-11 | 2018-06-13 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier, receiver, method and computer program |
US9054651B2 (en) * | 2012-08-17 | 2015-06-09 | Cambridge Silicon Radio Limited | Power amplifier circuit |
CN103731127B (zh) * | 2012-10-16 | 2016-12-21 | 通用电气公司 | 用于同步控制串联连接的电子开关的电路 |
US8917805B2 (en) | 2012-11-20 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Bipolar transistor frequency doublers at millimeter-wave frequencies |
CN104052418A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 华为技术有限公司 | 跨导电路和混频器 |
CN104124924B (zh) * | 2014-06-25 | 2017-04-05 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种线性化共栅cmos低噪声放大器电路 |
US9184764B1 (en) | 2014-09-08 | 2015-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High-speed low-latency current-steering DAC |
US9819315B2 (en) * | 2015-07-01 | 2017-11-14 | Sunrise Micro Devices, Inc. | Scaleable RF tuned low noise amplifier |
US9917555B2 (en) * | 2015-12-17 | 2018-03-13 | Twaiwan Semiconductor Manufactoring Company, Ltd. | Amplifier and method of operating same |
JP6662072B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2020-03-11 | 富士通株式会社 | 増幅器 |
WO2017171833A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Neutralized butterfly field-effect transistor |
US10498296B2 (en) | 2017-03-20 | 2019-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Differential amplifier with variable neutralization |
US9979358B1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-05-22 | Inphi Corporation | Differential amplifier with extended bandwidth and THD reduction |
CN107592079B (zh) * | 2017-08-25 | 2021-03-09 | 加特兰微电子科技(上海)有限公司 | 差分放大电路 |
US10965254B2 (en) * | 2018-06-04 | 2021-03-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Low noise amplifier circuit for a thermal varying resistance |
JP2020057934A (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
US11088680B2 (en) * | 2019-07-19 | 2021-08-10 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for eliminating crosstalk effects in high switching-speed power modules |
US11258407B2 (en) | 2020-02-10 | 2022-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Amplifier with improved isolation |
US11211909B2 (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-28 | Globalfoundries U.S. Inc. | Adjustable capacitors to improve linearity of low noise amplifier |
TWI770634B (zh) * | 2020-10-14 | 2022-07-11 | 立積電子股份有限公司 | 放大器裝置與雙工器電路 |
US20220200642A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-23 | Intel Corporation | Communication device |
US11646706B2 (en) * | 2021-08-18 | 2023-05-09 | Hangzhou Geo-Chip Technology Co., Ltd. | Common-source differential power amplifier and electronic device including the same |
WO2023062291A1 (fr) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | Stmicroelectronics Sa | Calibration de phase par amplificateur neutrodyne avec des varactors |
CN114499425A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-05-13 | 电子科技大学 | 一种基于中和电容的高稳定性差分共源放大器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7082293B1 (en) * | 1999-10-21 | 2006-07-25 | Broadcom Corporation | Adaptive radio transceiver with CMOS offset PLL |
US6624699B2 (en) * | 2001-10-25 | 2003-09-23 | Broadcom Corporation | Current-controlled CMOS wideband data amplifier circuits |
US20040232982A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-11-25 | Ikuroh Ichitsubo | RF front-end module for wireless communication devices |
EP1418668A1 (en) | 2002-11-07 | 2004-05-12 | Dialog Semiconductor GmbH | High isolation/high speed buffer amplifier |
-
2005
- 2005-06-21 US US11/157,246 patent/US7256646B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-20 JP JP2006169738A patent/JP4305472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009111933A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Icom Inc | 低雑音増幅器及び差動増幅器 |
JP2011509518A (ja) * | 2007-12-22 | 2011-03-24 | ヨハン ヴォルフガング ゲーテ−ウニヴェルジテート フランクフルト アム マイン | テラヘルツ波を検出するためのモノリシック集積アンテナおよび受信器回路 |
JP2011205322A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変利得増幅器 |
JP2012065168A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 高周波差動増幅回路 |
US8344805B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency differential amplifier circuit |
JP2012120123A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 差動増幅回路 |
JP2013223109A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 差動増幅器 |
JP2019110378A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社デンソーテン | アンプ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060284670A1 (en) | 2006-12-21 |
US7256646B2 (en) | 2007-08-14 |
JP4305472B2 (ja) | 2009-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4305472B2 (ja) | 差動増幅器 | |
EP3547536B1 (en) | System and method for bypassing a low noise amplifier | |
US8907727B2 (en) | Non-linear capacitance compensation | |
US7768350B2 (en) | Output gain stage for a power amplifier | |
US7444124B1 (en) | Adjustable segmented power amplifier | |
US7420423B2 (en) | Active balun device | |
US8659473B2 (en) | Amplifier circuit for a ranging transceiver | |
US8648656B2 (en) | Low-noise amplifier with through-mode | |
US20220021363A1 (en) | Variable Gain Amplifier And Phased Array Transceiver | |
US20050062533A1 (en) | Coupled-inductance differential amplifier | |
US7663441B2 (en) | Low noise amplifier | |
US7446590B2 (en) | Low noise mixer with reduced distortion | |
KR20150119502A (ko) | 개선된 선형성을 갖는 분할된 증폭기들 | |
US8040188B2 (en) | Low noise cascode amplifier | |
JP2002359531A (ja) | 高周波可変利得増幅装置 | |
US7605655B2 (en) | Highly linear differential amplifier with a novel resistive source degeneration network | |
KR102000759B1 (ko) | 적응적 바이어스 회로 및 전력 증폭기 | |
KR20040032589A (ko) | 자기 발진 주파수를 높이기 위한 위상 진상-지상 보상기를구비하는 디지털 오디오 증폭기 | |
US8264276B2 (en) | Low-noise amplifier | |
US9306505B2 (en) | Low-noise amplifier circuit | |
KR101094359B1 (ko) | 초고주파 증폭기 및 그것을 위한 바이어스 회로 | |
ArjunaraoVatti et al. | Design of low power RF CMOS power amplifier structure with an optimal linear gain controller for future wireless communication | |
JP2009207030A (ja) | 電力増幅回路および無線通信回路 | |
JPH07283659A (ja) | 高周波電流のおよび広帯域電流の増幅法 | |
CN114629456A (zh) | 输出级电路和ab类放大器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060620 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |