JP2009108384A - 成膜装置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
【課題】大型化することなく多数のワークに一括して成膜処理を行える装置を提供する。
【解決手段】主軸13を中心に回転する主回転部15には、複数の副回転部16を設けてあり、各副回転部16には、それぞれ複数のワークホルダ17を設けてある。ワークホルダ17に保持されるワークWは、主回転部15,副回転部16の回転により、主軸13を中心にした回転と副軸36を中心にした回転をしながら、回転軸46を中心に自転し、各ワークWの各面がターゲットに順次に対面されて成膜が行われる。
【選択図】図2
【解決手段】主軸13を中心に回転する主回転部15には、複数の副回転部16を設けてあり、各副回転部16には、それぞれ複数のワークホルダ17を設けてある。ワークホルダ17に保持されるワークWは、主回転部15,副回転部16の回転により、主軸13を中心にした回転と副軸36を中心にした回転をしながら、回転軸46を中心に自転し、各ワークWの各面がターゲットに順次に対面されて成膜が行われる。
【選択図】図2
Description
本発明は、成膜対象のワークの表面に成膜を行う成膜装置に関するものである。
成膜対象となるワークに対して反射防止膜等の光学薄膜や、絶縁膜,保護膜等の成膜を行う成膜装置が知られている。例えば成膜装置の1つとしてスパッタリング装置があるが、このスパッッタリング装置では、真空槽内を稀薄なスパッタガスで満たし、その真空槽内でターゲットを一方の電極としてグロー放電を行う。そして、このグロー放電で発生するプラズマの陽イオンをターゲットに衝突させて原子(スパッタ原子)を叩き出し、そのスパッタ原子をワーク表面に堆積させて薄膜を形成する。また、スパッタガスの他に酸素ガスや窒素ガスのような反応ガスを真空槽内に導入し、化合物薄膜を形成す反応性スパッタリングも知られている。
多数のワークに対して成膜を行う手法として、例えばドラム状のカルーセルを利用する成膜装置が知られている。この成膜装置では、カルーセルの周面に複数のワークを保持し、このカルーセルを回転させることによって、各ワークを順次にそして繰り返しターゲットと対面させることで各ワークに成膜を行う。
ところで、上記のようにカルーセルを用いた成膜装置では、多数のワークに対して一括して成膜を行うことができるため効率的に処理を行える。しかしながら、一括処理可能なワークの個数はカルーセルの周面の大きさに依存するため、より多数のワークを一括して成膜する場合には、カルーセルの径を大きくする必要があり、装置の大型化を避けることができなかった。
また、例えばターゲットに対面したワークの面に主として成膜が行われるため、ワークの各面に薄膜を形成する場合には、ワークホルダへの取り付け姿勢を変えて各面ごとに成膜を実施する必要があった。このため、複数回の成膜処理を行わなければならず効率が悪いという問題の他、ワークホルダへの取り付け姿勢を変更する際に、異物がワークの表面に付着するなどして成膜不良となる可能性が高くなるという問題もあった。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、装置が大型化することなくより多数のワークに対して成膜を行うことができるようにし、また種々の形状のワークの各面に対して容易に良好な成膜を行うことができる成膜装置を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために、請求項1記載の成膜装置では、主軸を中心に回転自在な主回転部と、主回転部に設けられるとともに、主軸を中心とする円周上に配列され、主軸を中心に主回転部とともに回動する複数の副軸と、副軸のそれぞれに設けられ、各々が副軸を中心として回転自在な副回転部と、副回転部に設けられるとともに、副軸を中心とする円周上に配列され、副軸を中心に副回転部とともに回動する複数の自転軸と、自転軸のそれぞれに設けられ、成膜対象のワークを保持するワークホルダと、主回転部と副回転部のそれぞれを対応する軸を中心に回転させる駆動手段と、主回転部の外周に配置され、対面するワークに対して成膜を行う成膜ユニットとを備えたものである。
請求項2記載の成膜装置では、ワークホルダを、各々が自転軸を中心として回転自在とし、駆動手段がワークホルダを自転軸を中心に回転させるようにしたものである。
請求項3記載の成膜装置では、主軸と副軸と自転軸とを、互いに平行としたものである。
請求項4記載の成膜装置では、主軸と副軸とを、互いに平行とし、自転軸を、副軸を中心とする円周の接線方向としたものである。
請求項5記載の成膜装置では、主軸と副軸とを、互いに平行とし、自転軸を、副軸を中心とする円周の径方向としたものである。
請求項6記載の成膜装置では、駆動手段を、主軸を中心とする主回転部の回転、副軸を中心とする副回転部の回転、及び自転軸を中心とするワークホルダの回転のための共通な駆動源と、この駆動源の回転を主回転部と副回転部とワークホルダに伝達する回転伝達手段とから構成したものである。
請求項7記載の成膜装置では、回転伝達手段は、主回転部の回転を副回転部に伝達して回転させる第1の回転伝達機構と、主回転部の回転をワークホルダに伝達して回転させる第2の回転伝達機構とを有し、駆動源によって主回転部を回転させることにより、副軸を中心として副回転部を回転させるとともに、自転軸を中心としてワークホルダを回転させるようにしたものである。
請求項8載の成膜装置では、成膜ユニットを、スパッタガスの雰囲気でターゲットを一方の電極として放電を行い、ターゲットから飛散した原子をワークに堆積させるターゲットユニットとしたものである。
本発明によれば、主回転部の外周に成膜ユニットを配置し、副軸を中心に回転する複数の副回転部を主回転部に設けて主軸を中心に回転移動させるとともに、ワークを保持するワークホルダを各副回転部のそれぞれ複数設けて副軸を中心に回転させるように構成し、ワークホルダに保持されているワークを順次に成膜ユニットに対面させるようにしたため、ドラム状のカルーセルの周面にワークを保持する場合に対して、カルーセルの径を大きくすることなく、より多数のワークを保持して、それらに成膜を行うことができる。また、ワークホルダを自転軸を中心に自転させることによって、ワークの各面に成膜を行うことができる。
本発明の第1実施形態の成膜装置としてのスパッタリング装置の構成を図1に示す。スパッタリング装置10の各部は制御部11によって制御される。真空槽12の内部には、垂直な主軸13を中心に回動自在な略円筒状の搬送ユニット14を配してある。この搬送ユニット14は、詳細を後述するように主回転部15,副回転部16,ワークW(図2参照)を保持するワークホルダ17等から構成されており、これらはモータ部18によって回転駆動される。
真空槽12には、真空ポンプ19が接続されており、その内部がスパッタリングに必要な真空度となるように調節される。真空槽12は、ワークWの装填や取り出し、後述するターゲットの交換や点検整備等の作業のために、大気圧までリークした後には周知の構造により開放することができる。成膜対象となるワークWは、金属製のものやプラスチック製のもの等、種々の材料で作成されたものを用いることができる。
真空槽12内で主回転部15の外周に成膜ステージ21を設けてある。成膜ステージ21には、成膜ユニットとしての2個のターゲットユニット22を配してある。ターゲットユニット22は、ターゲット23,ジャケット24,シャッタ板25,ターゲット23の中空な内部に配された磁石26等から構成してある。
ターゲット23は、例えば導電性を有する中空パイプの表面に層状に形成することにより円筒形状としてあり、その軸心が主軸13と平行となるように配してある。ターゲット23は、例えばアルミ,チタン,硅素等のワークWに成膜すべき材料で作成されている。ジャケット24は、ターゲット23との間に適当な幅の間隙を有するようにターゲット23の外周面を覆う。また、このジャケット24には、搬送ユニット側にターゲット23を露呈する開口24aを形成してある。シャッタ板25は、開口24aを閉じた閉じ位置と、開いた開き位置との間で移動自在となっており、成膜時に開き位置とされる。磁石26は、マグネトロンスパッタリングを行うためのものであり、開口24aから露呈されるターゲット23の表面近傍に磁界を発生させる。
駆動装置27は、ターゲットユニット22への電力供給,スパッタリングガスの供給,冷却水の供給,シャッタ板25の開閉,ターゲット23の回転等を行う。スパッタガスとしては、例えばアルゴンガスが供給されるが、反応性スパッタリングを行う場合には、スパッタガスに加えて反応ガス,例えば酸素ガスや窒素ガスが供給される。
成膜時には、ターゲット23とジャケット24との間にスパッタガスを導入しながら、ターゲット23を陰極として搬送ユニット14との間でグロー放電を行い、このグロー放電で発生するスパッタガスのプラズマの陽イオンをターゲット23に衝突させる。磁石26の磁力により、開口24aに露呈されているターゲット23の表面部分にプラズマを閉じこめ、この露呈されているターゲット23の部分の原子(スパッタ原子)を効率的に叩き出して飛散させ、開口24aを介してターゲット23に対面するワークWの表面にスパッタ原子を堆積することで膜を形成する。
なお、ターゲットユニット22の構成は、上記のものに限られるものではない。また、この例では、1つの成膜ステージ21に2個のターゲットユニット22を組み込んでいるが、形成すべき膜の種類,積層数、ワークの配列等に応じて成膜ステージの数、ターゲットユニットの個数を適宜に増減することができる。
ヒータ28は、金属製のワークWに緻密な膜を形成するためにワークWを加熱するためのものであり、ワークWが非金属、例えばプラスチック製等の場合には作動されない。なお、ワークWを加熱する手法は各種のものを用いることができ、例えばワークWが電気抵抗のある程度大きな金属である場合には、電磁誘導を利用した誘導加熱を用いることができる。
図2に搬送ユニット14を示す。主軸13は、垂直に起立した姿勢で真空槽12に対して固定してある。主軸13の上端部には、主軸13の周りに回動自在な内側軸受31と、この内側軸受31の周りに回動自在な外側軸受32とを設けてある。主軸13の下端部には、主軸13の周りに回動自在な下側軸受33を設けてある。
内側軸受31には、外側軸受32の上下にギア31aとスプロケット31bとを一体に設けてあり、ギア31aには、副回転部16を回転させるために、モータ部18のモータ18aからの回転力が伝達される。また、外側軸受32には、ギア32aを一体に設けてあり、このギア32aには、主回転部15を回転させるために、モータ部18のモータ18bからの回転力が伝達される。なお、ギア31a,32aをスプロケットとしてモータ部18からの回転をチェーンを介して伝達してもよい。
主回転部15は、それを構成する上側主回転板34を外側軸受32に取り付け、下側主回転板35を下側軸受33に取り付けてあり、主軸13を中心にして回動自在となっている。また、各主回転板34,35には副回転部16を支持する副軸36の端部をそれぞれ固定してある。これにより、モータ18bを駆動すると、主軸13を中心として、上側主回転板34と下側主回転板35、すなわち主回転部15が回転する。
副軸36は、主軸13を中心とする円周上に配列されるように、一定の間隔で4本設けてあり、各副軸36はそれぞれ主軸13に平行となっている。各副軸36は、前述のように各主回転板34,35に固定してあり、主回転部15の回転によって主軸13を中心に回転移動する。
副軸36の上部には軸受41を、下部には軸受42をそれぞれ副軸36の周りに回動自在に設けてある。副回転部16を構成する上側副回転板44は、軸受41に、下側副回転板45は、軸受42にそれぞれ取り付けてあり、副軸36を中心に回動自在としてある。また、各副回転板44,45の間には、ワークホルダ17を支持する各回転軸46を取り付けてある。
各軸受41には、各副回転部16を連動させて回転させるためのスプロケット41aを一体に設けてあり、そのうち1個の特定の軸受41には、スプロケット41aの下方に、副回転部16を回転させる駆動力が伝達されるスプロケット41bを一体に設けてある。なお、上側副回転板44は、スプロケット41aないしスプロケット41bの下方で軸受41に取り付けてある。
特定の軸受41のスプロケット41bと、内側軸受31のスプロケット31bとの間には、図3に模式的に示すように、チェーン47をかけてある。また、各スプロケット41aには、チェーン48をかけてあり、上側主回転板34に回動自在に設けたアイドルスプロケット49によって巻付け角を調整している。これにより、モータ18aを駆動すると、それによる内側軸受31の回転がスプロケット31b,チェーン47を介して特定の軸受41に伝達されて、その特定の軸受41が回転するとともに、軸受41の回転がスプロケット41a,チェーン48を介して各軸受41に伝達され、各副回転部16がそれぞれ副軸36を中心に回転する。
それぞれの副回転部16には、副軸36を中心とする円周上に配列されるように一定の間隔で4本の回転軸46を設けてある。各回転軸46は、主軸13,副軸36に平行となる姿勢で取り付けられ、両端をそれぞれ軸受51を介して各副回転板44,45に取り付けることで副回転板44,45に対して回動自在としてある。
回転軸46には、ワークホルダ17を固定してあり、このワークホルダ17は、回転軸46と一体に回転する。また、各回転軸46には、ギア52が固定されており、このギア52を副軸36に固定したギア53に噛合させてある。これにより、副回転部16が副軸36を中心に回転するときには、ワークホルダ17が回転軸46を自転軸として、これを中心に自転(回転)する。
ワークホルダ17には、成膜対象となるワークWが上下方向、すなわち回転軸46に沿った方向に一列に並べて装着される。ワークWは、その成膜対象となる面(以下、成膜対象面という)が、ワークホルダ17の自転により、副回転部16の外側に向くように取り付けられる。
上記のように、この例では、モータ18bが主回転部15を回転させる駆動源であり、モータ18aが副回転部16を副軸を中心として回転させ、またワークホルダ17を自転軸を中心に回転させる駆動源となっている。また、各モータ18a,18bから主回転部15,副回転部16,ワークホルダ17に回転を伝達するために各ギア,スプロケット,チェーン等によって回転伝達手段が構成される。
なお、この例では、2個の駆動源を用いて主回転部15、副回転部16,ワークホルダ17を回転させているが、主回転部15、副回転部16,ワークホルダ17を回転させるためにそれぞれに駆動源を設けてもよい。また、1個の駆動源で主回転部15、副回転部16,ワークホルダ17を回転させるように構成してもよい。例えば1個のモータからの回転をギア31aとスプロケット31bにそれぞれ伝達してもよい。また、副軸36の移動軌跡に沿ってチェーンを配し、このチェーンに副軸36に固定したスプロケットを係合させることにより、主回転部15の回転で副軸36とともに副回転部16が回転させてもよい。
図4に一例を示すように、ワークWが直方体状であり、その各側面S1〜S4を成膜対象面とする場合には、回転軸46を中心に回転させることで各側面S1〜S4がスパッタリングに供されているターゲット23の領域23aに対面するように、各ワークWをワークホルダ17に取り付ける。なお、本発明は、ワーク7を箱状のものに限定するものではない。
主回転部15の回転速度に対する副軸36を中心とする副回転部16の回転速度、この副回転部16の回転速度に対するワークホルダ17の自転速度は、各ワークWの各面がそれぞれ均一にターゲット23に対面するように決めてある。
次に上記構成の作用について説明する。真空槽12を開放して、各ワークホルダ17にワークWを装着する。ワークWは、搬送ユニット14(主回転部15)の周面だけでなく、その内部にまで保持されることになるので、周面だけに保持する場合と比べて、同径であってもより多くのワークWを一括して成膜することができる。この装着後に、真空槽12を閉じ、真空ポンプ19を作動させて真空槽12内をスパッタリングに必要な真空度にする。
モータ18a,18bが制御部11によって作動され、その回転が搬送ユニット14に伝達される。モータ18bの回転がギア32aに伝達されることにより、外側軸受32とともに主回転部15が主軸13を中心にして回転する。
一方、モータ18aの回転がギア31aに伝達されることにより、外側軸受31が主軸13を中心に回転し、この回転がスプロケット31b,チェーン47を介してスプロケット41bに伝達される。これにより、スプロケット41bが形成された特定の軸受41とともに、その軸受41に取り付けられている副回転部16が回転する。また、特定の軸受41が回転することにより、その軸受41の回転がスプロケット41a,チェーン48を介して他の軸受41のスプロケット41aに伝達されることにより、他の副回転部16も副軸36を中心に回転する。
そして、副回転部16が副軸36を中心にして回転を開始すると、各回転軸46が副軸36を中心として回転するが、回転軸46のギア52が、固定された副軸36のギア53に噛合しているため、回転軸46はそれ自体を中心に回転、すなわち自転する。これにより、ワークホルダ17に装着された各ワークWが回転軸46を中心に自転する。結果として、各ワークWは、主回転部15の回転により主軸13を中心として回転し、また副回転部16の回転により副軸36を中心に回転しながら、回転軸46を中心に自転する。
上記のようにして、各ワークWの回転を開始した後に、スパッタリング工程が開始される。なお、ワークWが金属製である場合には、各ワークWの回転を開始してから、ヒータ28への通電を開始してワークWを加熱し、その後にスパッタリング工程を開始する。
スパッタリング工程では、まずスパッタガスが、また必要に応じて反応ガスがターゲット23とジャケット24との間に供給され、ターゲット23の表面をスパッタガス,反応ガスがリッチな雰囲気とする。
スパッタガスの供給開始後、シャッタ板25が閉じ位置であることを確認してから放電のための電圧を印加する。これにより、導電性のシャッタ板25を通して、搬送ユニット14とターゲット23と間で放電が開始され、スパッタガスのプラズマが生成される。そして、成膜を安定した状態で行うことができるようになると、シャッタ板25が開き位置とされ、ワークWに対する成膜が開始される。
ターゲット23の表面から叩きだれたスパッタ原子が開口24aから飛散し、ターゲット23と対面しているワークWの表面に堆積することで膜が形成される。反応ガスを導入している場合では、スパッタ原子がワークWに向かう途中の経路に存在する反応ガスの原子やイオンに接触することにより、ターゲット23の例えば窒化物や酸化物が堆積して膜が形成される。
上記のように、主回転部15の回転によって各副回転部16がターゲット23と対面する位置に搬送され、また副回転部16の副軸36を中心とした回転により、副回転部16に設けられた各ワークホルダ17がターゲット23に対面させられる。そして、さらにワークホルダ17が回転軸46を中心に自転することにより、それに装着されている各ワークWの各面がターゲット23と対面する。結果として、搬送ユニット14に装着されている各ワークWの各面に対して成膜が行われる。
次にワークを副軸を中心とする円周の接線方向に沿った自転軸を中心に回転するように構成した第2実施形態について説明する。なお、以下に説明する他は、第1実施形態と同様であり、実質的に同じ構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
図5に第2実施形態に用いた副回転部16を示す。回転軸46には、傘歯車61を一体に設けてある。この傘歯車61には、回転軸62の一端に一体に設けた傘歯車63が噛合している。回転軸62は、水平、すなわち副軸36を中心とした円周の接線方向に平行な姿勢で、副回転部16に回動自在に取り付けてある。また、回転軸62の他端には、スプロケット64を一体に設けてある。なお、この実施形態では、1個の副回転部16に2本の回転軸46を設けているが、3本以上であってもよい。
回転軸46のそれぞれには、ホルダ部65を設けてある。各ホルダ部65は、副回転部16の周縁に上下方向に並べて設けた複数の自転軸66,スプロケット67,ワークホルダ68等から構成されており、副軸36を中心とする円周上に配してある。
各自転軸66は、回転軸62と平行、すなわち副軸36を中心とした円周の接線方向に平行な姿勢で副回転部16に回動自在に取り付けてある。各自転軸66の一端には、スプロケット67を、中央部分にはワークWを例えば挟みこんで保持するワークホダ68をそれぞれ一体に設けてある。ワークホルダ68にワークWを取り付けることにより、各ワークWは、副回転部16の外周に露呈されるようにセットされ、主回転部15と副回転部16の回転によってターゲット23と対面する。
回転軸62のスプロケット64と各自転軸66のスプロケット67には、チェーン69をかけてあり、垂直な回転軸46の回転を各傘歯車61,63によって水平な回転軸62の回転に変換し、その回転をチェーン69によって各自転軸66に伝達する。これにより、ワークWを自転させる。なお、符号71は、スプロケット67の巻付け角を調整するアイドルスプロケットである。
この第2実施形態によれば、主回転部15の回転により、各副回転部16がターゲット23と対面する位置を順次に、また繰り返し通過する。また、副軸36を中心として副回転部16が回転することにより、各ホルダ部65が交互に主回転部15の外周に露呈されるように回転される。さらには、副軸36を中心とした副回転部16の回転により、各自転軸66が回転をするため、その自転軸66に取り付けられたワークWが自転軸66を中心に自転する。結果として、各副回転部16のそれぞれに装着された各ワークWがターゲット23と対面する位置に繰り返し移動されるとともに、各ワークWの自転によりその各面がターゲット23に対面し、それら各面に成膜が行われる。
次に副軸を中心とする円周の径方向の自転軸を中心にワークを回転させる第3実施形態について説明する。なお、以下に説明する他は、最初の第1実施形態と同様であり、実質的に同じ構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
図6に副回転部16の要部を示す。各回転軸46には、適当な間隔で複数の傘歯車74をそれぞれ一体に設けてある。また、副回転部16には、副軸36を中心とする円周の径方向に伸びた複数の自転軸75を回動自在に取り付けある。各自転軸75の一端には、傘歯車76を一体に設けてあり、他端にはワークホルダ77を一体に設けてある。各傘歯車76は、対応する傘歯車74に噛合し、ワークホルダ77はワークWを保持する。
この第3実施形態によれば、副回転部16が副軸36を中心に回転すると、垂直な回転軸46の回転が各傘歯車74,76によって自転軸75の回転に変換されて、ワークWが自転軸75を中心に回転する。これにより、例えばワークWが図6に示されるように箱形状である場合には、副回転部16の外周に向けたワークWの面F0に対して成膜が行われる。また、自転軸75の周りの各面F1〜F4が自転軸75を中心に回転し、主軸13を中心とした副回転部16の回転と副軸36を中心とした副回転部16の回転にともない、各面F1〜F4がターゲット23に対面するように姿勢が順次にそして繰り返し変化されるので、これらの各面F1〜F4に対しても成膜が行われる。
図7に、共通な1個の駆動源を用いて、主軸を中心とする主回転部の回転、副軸を中心とする副回転部の回転、自転軸を中心とするワークホルダの回転を行う第4実施形態を示す。なお、以下に説明する他は、第1実施形態と同様であり、実質的に同じ構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
主軸81は、例えば垂直に起立した姿勢で真空槽12に設けてある。この主軸81は、真空層12に対して固定された下側の固定軸部81aと、固定軸部81aの上側に設けられ、軸受82,83によって支持されることにより回動自在とされた回動軸部81bとからなる。主回転部15,副回転部16,ワークホルダ17を回転させる共通の駆動源としてモータ84を設けてあり、このモータ84の回転が、例えば回動軸部81bの上端に固定されたギア80に伝達されることによって回動軸部81bが回転する。上記のギア80と、後述の第1,第2の回転伝達機構によって回転伝達手段が構成される。
回動軸部81bには、主回転部15の各主回転板34,35がそれぞれ固定され、これら各主回転板34,35には、軸受85を介して複数の副軸86を取り付けてあり、各副軸86は回動自在となっている。各副軸86には、副回転部16をそれぞれ固定してある。なお、副回転部16,副軸86は、複数設けてあるが、図7では、図示の便宜上それぞれ1つだけを描いてある。
固定軸部81aには、それと同軸にギア88を固定してある。また、各副軸86の下端には、ギア89を副軸86と同軸にそれぞれして固定してあり、各ギア89は、ギア88に噛合している。ギア88,89は、第1の回転伝達機構を構成する。
主回転部15の上方にギア91を設けてあり、このギア91は、主軸81と同軸にして例えば真空層12に固定してある。伝達軸92は、軸受93を介して上側主回転板34に回動自在に取り付けられている。伝達軸92の上端には、上側主回転板34の上方に配されてギア91と噛合するギア92aを、また下端には上側主回転板34の下方に配されるギア92bをそれぞれ固定してある。
上側主回転板34と副回転部16との間の副軸86の部分には、軸受94を介してギア部95を回動自在に取り付けてある。ギア部95は、上側ギア95aと下側ギア95bとを一体にしたものであり、上側ギア95aがギア92bに噛合している。
副回転部16には自転軸97を回動自在に設けてある。この自転軸97は、上側副回転板44に設けた上軸97aと、上側副回転板44に設けた下軸97bとからなり、それぞれ軸受98を介して取り付けられることにより回動自在となっている。上軸97aの上端には、自転軸97と同軸にギア99が固定されており、このギア99が下側ギア95bに噛合する。また、上軸97aの下端と、下軸97bとの上端には装着部を形成してあり、これらにワークWを保持するワークホルダ17が装着される。ギア91,92a,92b,99、伝達軸92、ギア部95によって、第2の回転伝達機構が構成される。
上記のように構成することにより、モータ84の回転が回動軸部81bに伝達されて、回動軸部81bと一体に主回転部15が主軸81を中心にして回転する。そして、主回転部15の回転により、副回転部16が主軸81を中心にして回転する。また、主軸81を中心にして副回転部16が回転すると、ギア89が固定されたギア88と噛合した状態で、その周囲を回転するから、副軸86がその軸心を中心に回転する。これにより、副回転部16が副軸86を中心として、その副軸86と一体に回転する。
さらに、主軸81を中心にして副回転部16が回転すると、ギア92aが固定されたギア91と噛合した状態でその周囲を回転するから、伝達軸92が回転する。そして、伝達軸92の下端に設けたギア92bが上側ギア95aに噛合しているから、ギア部95が副軸86を中心に回転し、下側ギア95bと噛合したギア99を回転させる。これにより自転軸97がその軸心を中心に回転し、それと一体にワークホルダ17に保持されているワークWが自転軸97を中心にして回転する。
上記実施形態では、共通な駆動源としてのモータの回転を主回転部に伝達しているが、他の部材、例えば副回転部にモータの回転を伝達し、その副回転部から主回転部、ワークホルダに回転をさせるようにしてもよい。また、例えばモータの回転を主回転部に伝達し、この主回転部の回転で副回転部を回転させ、さらに副回転部の回転でワークホルダを回転(自転)させるように構成してもよい。
上記では、主軸、副軸,自転軸が互いに平行な例について説明したが、第2,第3実施形態のように、主軸と副軸とが互いに平行であり、自転軸が副軸を中心とする円周の接線方向とする場合、また主軸と前記副軸とが互いに平行であり、自転軸が副軸を中心とする円周の径方向とした場合であっても同様にすることができる。
上記各実施形態では、スパッタリング装置を例に説明したが、成膜の種類はこれに限られるものではなく、例えば蒸着等にも利用できる。また、上記実施形態では、ワークを自転軸を中心に自転させているが、ワークの各面のそれぞれに成膜を行う必要がないときには、自転させない構成としてもよい。さらに、上記各実施形態では、主軸を垂直としたが、水平であってもかまわない。
10 スパッタリング装置
14 搬送ユニット
15 主回転部
16 副回転部
17,68,77 ワークホルダ
22 ターゲットユニット
13,81 主軸
36,86 副軸
46 軸
66,75,97 自転軸
14 搬送ユニット
15 主回転部
16 副回転部
17,68,77 ワークホルダ
22 ターゲットユニット
13,81 主軸
36,86 副軸
46 軸
66,75,97 自転軸
Claims (8)
- 主軸を中心に回転自在な主回転部と、
前記主回転部に設けられるとともに、前記主軸を中心とする円周上に配列され、前記主軸を中心に前記主回転部とともに回動する複数の副軸と、
前記副軸のそれぞれに設けられ、各々が副軸を中心として回転自在な副回転部と、
前記副回転部に設けられるとともに、前記副軸を中心とする円周上に配列され、前記副軸を中心に前記副回転部とともに回動する複数の自転軸と、
前記自転軸のそれぞれに設けられ、成膜対象のワークを保持するワークホルダと、
前記主回転部と前記副回転部のそれぞれを対応する軸を中心に回転させる駆動手段と、
前記主回転部の外周に配置され、対面するワークに対して成膜を行う成膜ユニットとを備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記ワークホルダは、各々が前記自転軸を中心として回転自在とされ、前記駆動手段は、前記ワークホルダを自転軸を中心に回転させることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記主軸と前記副軸と前記自転軸とは、互いに平行であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記主軸と前記副軸とは、互いに平行であり、前記自転軸は、副軸を中心とする円周の接線方向であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記主軸と前記副軸とは、互いに平行であり、前記自転軸は、副軸を中心とする円周の径方向であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記駆動手段は、前記主軸を中心とする前記主回転部の回転、前記副軸を中心とする前記副回転部の回転、及び前記自転軸を中心とする前記ワークホルダの回転のための共通な駆動源と、この駆動源の回転を前記主回転部と前記副回転部と前記ワークホルダに伝達する回転伝達手段とからなることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記回転伝達手段は、前記主回転部の回転を前記副回転部に伝達して回転させる第1の回転伝達機構と、主回転部の回転を前記ワークホルダに伝達して回転させる第2の回転伝達機構とを有し、前記駆動源によって前記主回転部を回転させることにより、前記副軸を中心として前記副回転部を回転させるとともに、前記自転軸を中心として前記ワークホルダを回転させることを特徴とする請求項6載の成膜装置。
- 前記成膜ユニットは、スパッタガスの雰囲気でターゲットを一方の電極として放電を行い、ターゲットから飛散した原子をワークに堆積させるターゲットユニットであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の成膜装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283475A JP2009108384A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置 |
PCT/JP2008/069728 WO2009057680A1 (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-30 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283475A JP2009108384A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009108384A true JP2009108384A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40591065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007283475A Pending JP2009108384A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009108384A (ja) |
WO (1) | WO2009057680A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN113463056A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-10-01 | 安徽工业大学 | 一种真空镀膜无遮挡样品翻转装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6845877B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2021-03-24 | Towa株式会社 | ワーク保持部回転ユニット及び真空処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0310464U (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | ||
JP2006307318A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Kobe Steel Ltd | αアルミナ層形成部材の製法および表面処理法 |
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-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007283475A patent/JP2009108384A/ja active Pending
-
2008
- 2008-10-30 WO PCT/JP2008/069728 patent/WO2009057680A1/ja active Application Filing
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---|---|
WO2009057680A1 (ja) | 2009-05-07 |
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