JP2009105124A - テスター装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号や電源の異常から、被試験デバイスを保護する機能を有するテスター装置を提供する。
【解決手段】ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うテスター装置であって、ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する電源を監視し、電源の異常があった場合に、これを検出する、電源異常検出回路と、ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号を監視し、信号の異常があった場合に、これを検出する、信号異常検出回路と、前記電源異常検出回路が電源の異常を検出した場合、及び/又は、前記信号異常検出回路が信号の異常を検出した場合に、被試験デバイスへの電源の供給と信号の供給を停止する、供給停止回路とを、備えて構成されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、テスター装置に関し、特に、ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行う装置に関する。
半導体ウエハーなどのウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うウエハーテストシステムは、一般に、プローバ装置とテスター装置とを備えている。プローバ装置には、検査対象物であるウエハーが載置され、テスター装置からウエハーにテスト用の信号や電源が供給され、ウエハーに形成された被試験デバイスのテストが行われる(例えば、特開2004−63586号公報参照)。
具体的には、テスター装置内に設けられている信号供給回路が、テスト用の信号を生成して、ウエハーに形成された被試験デバイスに供給し、同じく、テスター装置内に設けられている電源供給回路が、テスト用の電源を生成して、ウエハーに形成された被試験デバイスに供給する。そして、プローバ装置は、テスター装置と連携して、プローバ装置に載置されたウエハーの検査を行う。
しかしながら、これまでのウエハーテストシステムにおいては、テスター装置の信号供給回路や電源供給回路に保護回路が設けられていない。このため、被試験デバイスに印加する信号や電源が、過電流や過電圧になったとしても、電流アンプや電圧アンプに設けられている電流制限回路や電圧制限回路が作動することを前提に、そのまま、信号や電源が被試験デバイスに供給され続ける設計になっている。すなわち、電流アンプや電圧アンプに装着されている電流制限回路や電圧制限回路が作動したリミッタ値の電圧や電流値の信号や電源が、被試験デバイスに供給され続ける設計になっている。
このリミッタ値の信号や電源は、このウエハーテストシステムにおけるテストが終了するまで、被試験デバイスに供給され続けため、設計上の許容範囲内の電流値や電圧であるとはいえ、好ましいとは言えない。特に、近年の半導体装置の小型化に伴い、被試験デバイスが異常に加熱してしまう恐れも否定できない。さらには、被試験デバイスが異常に加熱すると、ウエハー上でこれに隣接する被試験デバイスに悪影響を及ぶ可能性も否定できない。
特開2004−63586号公報
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号や電源の異常から、被試験デバイスを保護する機能を有するテスター装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係るテスター装置は、
ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うテスター装置であって、
ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する電源を監視し、電源の異常があった場合に、これを検出する、電源異常検出回路と、
ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号を監視し、信号の異常があった場合に、これを検出する、信号異常検出回路と、
前記電源異常検出回路が電源の異常を検出した場合、及び/又は、前記信号異常検出回路が信号の異常を検出した場合に、被試験デバイスへの電源の供給と信号の供給を停止する、供給停止回路と、
を備えることを特徴とする。
この場合、前記電源異常検出回路は、被試験デバイスに供給する電源の電圧と電流とを監視し、前記電源の電圧と前記電源の電流値とのうち少なくとも一方が所定の基準値より高い場合には、電源の異常を検出したと判断するようにしてもよい。
また、前記信号異常検出回路は、被試験デバイスに供給する信号の出力ドライバに供給するドライバ電源の電流を監視し、前記ドライバ電源の電流値が所定の基準値より高い場合には、信号の異常を検出したと判断するようにしてもよい。
また、前記信号異常検出回路は、被試験デバイスに供給する信号の電圧を監視し、前記信号の期待値の論理レベルがハイレベルである場合には、前記信号の電圧がハイレベル側基準電圧より低い場合に、信号の異常を検出したと判断し、前記信号の期待値の論理レベルがローレベルである場合には、前記信号の電圧がローレベル側基準電圧より高い場合に、信号の異常を検出したと判断するようにしてもよい。
また、テスター装置は、
被試験デバイスに電源を供給する電源供給回路と、
被試験デバイスに信号を供給する信号供給回路とを、
さらに備えており、
前記電源異常検出回路は、前記電源供給回路に設けられており、
前記信号異常検出回路は、前記信号供給回路に設けられているようにしてもよい。
また、当該テスター装置は、ウエハーに形成された複数の被試験デバイスを同時にテストすることが可能であり、
前記電源異常検出回路は、各被試験デバイス毎に電源を監視し、前記信号異常検出回路は各被試験デバイスの各信号毎に信号を監視するとともに、
前記供給停止回路は、電源及び/又は信号の異常が検出された被試験デバイスへの電源及び信号の供給を停止するようにしてもよい。
本発明に係るテスター装置の制御方法は、
ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うテスター装置の制御方法であって、
ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する電源を監視し、電源の異常があった場合に、これを検出する工程と、
ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号を監視し、信号の異常があった場合に、これを検出する工程と、
前記電源の異常を検出した場合、及び/又は、前記信号の異常を検出した場合に、被試験デバイスへの電源の供給と信号の供給を停止する工程と、
を備えることを特徴とする。
発明を実施するための形態
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
図1は、本実施形態に係るウエハーテストシステム10の全体構成を示す図である。本実施形態に係るウエハーテストシステム10は、ウエハーに熱的なストレスを印加して、ウエハーレベルのバーンインを行うウエハーレベルバーンインシステムを構成している。但し、熱的なストレスを与えずにウエハーレベルのテストを行うシステムについても、本発明は適用することが可能である。
この図1に示すように、本実施形態に係るウエハーテストシステム10は、プローバ装置20と、テスター装置30とを備えて構成されている。プローバ装置20には、テスト対象物であるウエハーが載置される。このプローバ装置20にウエハーが載置されることにより、プローバ装置20に設けられたプローブに、ウエハーに形成されている各被試験デバイス(DUT:Device Under Test)の電極が接続される。テスター装置30は、このプローブを介して、テスト用の信号と電源を、ウエハー内の各被試験デバイスに供給する。
本実施形態においては、テスター装置30は、テストヘッドユニット32と、ケーブル34と、制御ユニット36とを備えて構成されている。テストヘッドユニット32は、上述したプローバ装置20のプローブと接続し、テスト用の信号と電源を、ウエハーの各被試験デバイスに供給するとともに、各被試験デバイスから出力される信号を取得して、ウエハーレベルで被試験デバイスのテストを行う。
テストヘッドユニット32は、プローバ装置20に設けられているアーム23を介して、プローバ装置20のアーム支持ユニット21に支持されている。アーム支持ユニット21は、テストヘッドユニット32とプローバ装置20との着脱を容易にするとともに、テストヘッドユニット32の重さが直接プローバ装置20のプローブに加わるのを回避するための装置であり、テストヘッドユニット32を移動可能に支持している。すなわち、テストヘッドユニット32は、アーム23を介して回転軸22に連結されており、回転軸22を中心にアーム23が回転することにより、テストヘッドユニット32は位置Aと位置Bとの間を交互に移動する。位置Aにテストヘッドユニット32がある場合には、テストヘッドユニット32は、ウエハーと接触してテストを行うことができる。また、位置Bにテストヘッドユニット32がある場合には、テストヘッドユニット32のメンテナンス等を行うことが可能になる。制御ユニット36は、ケーブル34を介して、テストヘッドユニット32に接続されており、テストヘッドユニット32に対する各種の制御を行う。
図2は、テストヘッドユニット32と、プローバ装置20に載置されたウエハーWFとの間の接続関係を説明するためのブロック図である。この図4に示すように、ウエハーWFは、プローバ装置20のウエハーチャック25に保持される。ウエハーWFには、複数のデバイス(チップ)を構成するためのパターンが形成されている。パターンが形成されたデバイスは、被試験デバイスとして電気的特性が検査された後にダイサーでそれぞれ切り離されて、リードフレームなどに固定されて、半導体装置として組み立てられる。
ウエハーWFに形成されているデバイスの電極配置に合わせて、プローブカード24には、プローブが形成されている。そして、このプローブカード24のプローブと、ウエハーWFに形成されたデバイスの電極とは、ニードル26を介して接触して電気的に接続される。受託
一方、テストヘッドユニット32は、テストヘッド50と、マザーボード52と、コネクタユニット54とを備えて構成されている。コネクタユニット54のコネクタの配置は、プローブカード24のコネクタの配置と合致しており、このコネクタユニット54を介して、テストヘッド50は、プローブカード24に電気的に接続される。これにより、テストヘッド50から供給されたテスト用の信号や電源は、マザーボード52とコネクタ54とを介して、プローブカード24に供給され、ウエハーWFの各デバイスの電極に供給される。
図3は、本実施形態に係る電源・信号供給回路60の全体構成を説明するブロック図である。本実施形態においては、この電源・信号供給回路60は、テストヘッドユニット32のテストヘッド50内部に設けられている。
この図3に示すように、本実施形態に係る電源・信号供給回路60は、同時にテストを行う被試験デバイスDUT1〜DUTnに対応して、電源供給回路62と、信号供給回路64と、保護回路66とが、それぞれ設けられて構成されている。一度にテストを行える被試験デバイス(DUT)の数nは、プローブカード24やニードル26の設計や、ウエハーWF内の被試験デバイスの回路設計等に依存する任意の数である。この一度にテストを行う被試験デバイスの数nは、例えば、128個、256個、768個などが有り得る。
電源供給回路62は、それぞれ、被試験デバイスのテストを行うのに必要な電源を生成して、被試験デバイスDUT1〜DUTnに供給する回路である。信号供給回路64は、それぞれ、被試験デバイスのテストを行うのに必要な各種のテスト用の信号を生成して、被試験デバイスDUT1〜DUTnに供給する。保護回路66は、それぞれ、対応する電源供給回路62と信号供給回路64の電圧や電流を監視して、異常を検出した場合に、電源供給回路62と信号供給回路64をオフにして、対応する被試験デバイスへの電源と信号の供給を停止するための回路である。
図4は、本実施形態に係る過電流過電圧検出回路70の回路構成の一例を示す図である。本実施形態においては、この過電流過電圧検出回路70は、電源供給回路62の内部に設けられている回路である。この図4においては、被試験デバイスDUT1に電源を供給する電源供給回路62の過電流過電圧検出回路70を示しているが、他の被試験デバイスDUT2〜DUTnの過電流過電圧検出回路70も同様の構成である。
この図4に示すように、過電流過電圧検出回路70は、オペアンプOP70と、抵抗R70と、スイッチング素子SW70、SW72と、計測アンプMA70と、比較器CO70、CO72とを備えて、構成されている。
オペアンプOP70の非反転入力端子には、電源基準電圧VREF1が入力されている。オペアンプOP70の出力端子は、抵抗R70に接続されており、抵抗R70はスイッチング素子SW72に接続されている。そして、このスイッチング素子SW72は、被試験デバイスDUT1に接続されて、被試験デバイスDUT1に電源が供給される。
また、スイッチング素子SW72は、スイッチング素子SW70を介して、オペアンプOP70の反転入力端子に接続される。このスイッチング素子SW70のパスで形成される負帰還とオペアンプOP70とにより、被試験デバイスDUT1に供給される電源の電圧が所定の電圧に制御されるようになる。
計測アンプMA70は、抵抗R70の入力側端子の電圧と出力側端子の電圧とを取得して、その差分電圧を、比較器CO70の反転入力端子に出力する。この計測アンプMA70が出力する差分電圧は、抵抗R70を流れる電流に比例しているため、計測アンプMA70は抵抗R70を流れる電流を計測していることとなる。
比較器CO70の非反転入力端子には、過電流判定基準電圧VREF2が入力されている。比較器CO70では、反転入力端子に入力された差分電圧と、過電流判定基準電圧VREF2とを比較して、過電流判定基準電圧VREF2の方が高ければハイレベルの過電流検出信号SG1を、保護回路66に出力し、差分電圧の方が高ければローレベルの過電流検出信号SG1を、保護回路66に出力する。このことから分かるように、比較器CO70では、被試験デバイスDUT1に供給されている電源の電流を監視して、所定の基準値より高ければ、ローレベルの過電流検出信号SG1を保護回路66に出力する。
一方、スイッチング素子SW70とオペアンプOP70の反転入力端子との間の電圧は、比較器CO72の反転入力端子に入力されている。また、比較器CO72の非反転入力端子には、過電圧判定基準電圧VREF3が入力されている。比較器CO72では、反転入力端子に入力された電圧と、過電圧判定基準電圧VREF3とを比較して、過電圧判定基準電圧VREF3の方が高ければハイレベルの過電圧検出信号SG2を、保護回路66に出力し、反転入力端子に入力された電圧の方が高ければローレベルの過電圧検出信号SG2を、保護回路66に出力する。このことから分かるように、比較器CO72では、負帰還のパスの電圧、すなわち、被試験デバイスDUT1に供給されている電源の電圧を監視して、所定の基準値より高ければ、ローレベルの過電圧検出信号SG2を保護回路66に出力する。
詳しくは後述するが、スイッチング素子SW70、SW72のオン/オフは、保護回路66からの制御信号CTL1により制御される。すなわち、保護回路66は、比較器CO70が過電流を検出していない場合(過電流検出信号SG1がハイレベルである場合)で、且つ、比較器CO72が過電圧を検出していない場合(過電圧検出信号SG2がハイレベルである場合)には、スイッチング素子SW70、SW72をともにオンにして、被試験デバイスDUT1に電源を供給する。これに対して、保護回路66は、比較器CO70が過電流を検出した場合(過電流検出信号SG1がローレベルである場合)、及び/又は、比較器CO72が過電圧を検出した場合(過電圧検出信号SG2がローレベルである場合)には、スイッチング素子SW70、SW72をともにオフにして、被試験デバイスDUT1への電源の供給を遮断する。すなわち、保護回路66は、電源が過電圧及び/又は過電流になった場合には、電源の供給を遮断する。
図5は、本実施形態に係る異常信号検出回路80の回路構成の一例を示す図である。本実施形態においては、この異常信号検出回路80は、信号供給回路64の内部に設けられている回路である。図5では、被試験デバイスDUT1に信号を供給する信号供給回路64の異常信号検出回路80を示しているが、他の被試験デバイスDUT2〜DUTnの異常信号検出回路80も同様の構成である。また、この図5においては、被試験デバイスDUT1にm個の信号1〜信号mを供給するための回路構成を例示している。
この図5に示すように、異常信号検出回路80は、ハイレベル側のオペアンプOP82−1〜OP82−mと、ローレベル側のオペアンプOP84−1〜OP84−mと、ハイレベル側の過電流検出回路82−1〜82−mと、ローレベル側の過電流検出回路84−1〜84−mと、ハイレベル側の抵抗R82−1〜R82−mと、ローレベル側の抵抗R84−1〜R84−mと、出力ドライバDR80−1〜DR80−mと、スイッチング素子SW80−1〜SW80−mと、ドライバレベルチェック回路DLC80−1〜DLC80−mと、OR回路OR80、OR82とを備えて、構成されている。
信号1〜信号mを供給するためのそれぞれの回路構成は、同じであるので、ここでは、信号1を供給する回路に基づいて、異常信号検出回路80の回路構成を説明する。ハイレベル側のオペアンプOP82−1の非反転入力端子には、ハイレベルの信号基準電圧VIH1が入力されている。オペアンプOP82−1の出力端子は、抵抗R82−1を介して、出力ドライバDR80−1のハイレベル側の電源端子に接続されている。
また、抵抗R82−1の出力側端子は、オペアンプOP82−1の反転入力端子に接続されており、負帰還のパスを形成している。これにより、オペアンプOP82−1から、出力ドライバDR80−1のハイレベル側の電源端子に所定の電圧の電源が供給される。
さらに、抵抗R82−1の入力側端子の電圧と出力側端子の電圧は、ハイレベル側の過電流検出回路82−1に接続されている。ハイレベル側の過電流検出回路82−1は、これらの差分電圧を用いて、抵抗R82−1に流れる電流を監視し、抵抗R82−1を流れる電流の電流値が所定の基準値より高ければ、ハイレベルの過電流検出信号をOR回路OR82に出力する。すなわち、過電流検出回路82−1は、出力ドライバDR80−1のハイレベル側に供給される電源の過電流を検出する回路である。
同様に、ローレベル側のオペアンプOP84−1の非反転入力端子には、ローレベルの信号基準電圧VIL1が入力されている。オペアンプOP84−1の出力端子は、抵抗R84−1を介して、出力ドライバDR80−1のローレベル側の電源端子に接続されている。
また、抵抗R84−1の出力側端子は、オペアンプOP84−1の反転入力端子に接続されており、負帰還のパスを形成している。これにより、オペアンプOP84−1から、出力ドライバDR80−1のローレベル側の電源端子に所定の電圧の電源が供給される。
さらに、抵抗R84−1の入力側端子の電圧と出力側端子の電圧は、ローレベル側の過電流検出回路84−1に接続されている。ローレベル側の過電流検出回路84−1は、これらの差分電圧を用いて、抵抗R84−1に流れる電流を監視し、抵抗R84−1を流れる電流の電流値が所定の基準値より高ければ、ハイレベルの過電流検出信号をOR回路OR82に出力する。すなわち、過電流検出回路84−1は、出力ドライバDR80−1のローレベル側に供給される電源の過電流を検出する回路である。
図6は、出力ドライバDR80−1の入力信号と出力信号の波形を説明するための信号チャートを示す図である。図6(A)は、出力ドライバDR80−1の入力端子に入力される入力信号1の波形の一例を示す図である。図6(B)は、図6(A)の入力信号1が入力された場合に、出力ドライバDR80−1から出力されるべき信号1の波形の一例を示す図である。図6(C)は、被試験デバイス内でショートがあり、信号1の波形が歪んだ場合の一例を示す図である。図6(D)は、exp端子に入力される入力信号1に基づく期待値の論理レベルを示す図である。
図5及び図6(A)に示すように、出力ドライバDR80−1の入力端子には、入力信号1が入力される。入力信号1は、ハイレベル又はローレベルの論理信号である。図6(B)に示すように、入力された入力信号1に基づいて、出力ドライバDR80−1は、ハイレベル又はローレベルの出力信号を信号1として出力する。出力ドライバDR80−1が出力したこの信号1が、スイッチング素子SW80−1を介して、DUT1に供給される。
出力ドライバDR80−1の出力端子は、ドライバレベルチェック回路DLC80−1のdin端子にも接続されている。また、出力ドライバDR80−1の入力端子は、ドライバレベルチェック回路DLC80−1のexp端子にも接続されている。図6(D)に示すように、exp端子に入力される信号は入力信号1であるので、exp端子の信号波形は、入力信号1の信号波形と同一となる。つまり、exp端子の信号波形が、出力ドライバDR80−1が出力する信号1の期待値の論理レベルを表していることとなる。
さらに、ドライバレベルチェック回路DLC80−1のvdh端子には、ハイレベル側基準電圧VOH1が入力されており、vdl端子には、ローレベル側基準電圧VOL1が入力されている。ハイレベル側基準電圧VOH1は、exp端子に入力されている期待値の論理レベルがハイレベルの場合における、端子dinに入力されている信号1の電圧の基準値を表している。すなわち、期待値の論理レベルがハイレベルの場合で、且つ、信号1がハイレベル側基準電圧VOH1より低い場合には、ドライバレベルチェック回路DLC80−1は、fail端子からハイレベルの論理レベル異常信号を出力する。
一方、ローレベル側基準電圧VOL1は、exp端子に入力されている期待値の論理レベルがローレベルの場合における、端子dinに入力されている信号1の電圧の基準値を表している。すなわち、期待値の論理レベルがローレベルの場合で、且つ、信号1がローレベル側基準電圧VOL1より高い場合には、ドライバレベルチェック回路DLC80−1は、fail端子からハイレベルの論理レベル異常信号を出力する。すなわち、ドライバレベルチェック回路DLC80−1は、信号1の論理レベルの電圧が、正常範囲内にある場合には、ローレベルの論理レベル異常信号をOR回路OR80に出力し、正常範囲内にない場合には、ハイレベルの論理レベル異常信号をOR回路OR80に出力する回路である。
例えば、図6(C)に示すように、周期T5のストローブポイントにおいて、exp端子に入力されている期待値の論理レベルはハイレベルであるため、出力ドライバDR80−1の出力である信号1は、ハイレベル側基準電圧VOH1以上である必要がある。しかし、din端子に入力されている信号1の電圧は、ハイレベル側基準電圧VOH1よりも低い。このため、ドライバレベルチェック回路DLC80−1は、信号1の電圧が正常範囲内にないと判断して、ハイレベルの論理レベル異常信号をOR回路OR80に出力する。
このことから分かるように、ドライバレベルチェック回路DLC80−1は、信号1の期待値の論理レベルがハイレベルの場合とローレベルの場合に、異なる基準電圧を設け、期待値の論理レベルがハイレベルの場合には、ハイレベル側基準電圧VOH1より信号1の電圧が低いときに異常を検出したと判断し、期待値の論理レベルがローレベルの場合には、ローレベル側基準電圧VOL1より高いときに異常を検出したと判断する回路である。
これらの回路構成は、信号1から信号mまで同一である。このため、OR回路OR80は、信号1から信号mのいずれかがハイレベルになった場合に、ハイレベルのレベル異常検出信号SG3を出力する。すなわち、OR回路OR80は、信号1から信号mのいずれか1つでも、正常範囲内にない場合には、ハイレベルのレベル異常検出信号SG3を出力し、信号1から信号mのすべてが正常範囲内にある場合には、ローレベルのレベル異常検出信号SG3を出力する。
また、上述したハイレベル側の過電流検出回路82−1〜82−mとローレベル側の過電流検出回路84−1〜84−mが出力する過電流検出信号は、OR回路OR82に入力されている。このため、OR回路OR82は、信号1から信号mの出力ドライバDR80−1〜DR80−mの電源端子に供給する電源に異常が生じた場合には、ハイレベルの過電流検出信号SG4を出力し、出力ドライバDR80−1〜DR80−mの電源端子に供給する電源のすべてが正常である場合には、ローレベルの過電流検出信号SG4を出力する。
図3に示すように、これらレベル異常検出信号SG3と過電流検出信号SG4は、保護回路66に入力される。すなわち、各被試験デバイス毎に設けられている保護回路66には、それぞれの被試験デバイスの信号供給回路64から、レベル異常検出信号SG3と過電流検出信号SG4とが入力される。
また、上述したように、各被試験デバイスDUT1〜DUTnに設けられている保護回路66には、それぞれの被試験デバイスの電源供給回路62から、過電流検出信号SG1と過電圧検出信号SG2も入力される。そして、保護回路66は、過電流検出信号SG1と過電圧検出信号SG2とレベル異常検出信号SG3と過電流検出信号SG4のいずれか1つでも、異常を示している場合には、対応する電源供給回路62と信号供給回路64に、スイッチング素子をオフにする制御信号CTL1を出力する。
例えば、被試験デバイスDUT1の電源供給回路62から出力されている過電流検出信号SG1と過電圧検出信号SG2の少なくとも1つがローレベルである場合、及び/又は、信号供給回路64から出力されているレベル異常検出信号SG3と過電流検出信号SG4の少なくとも1つがハイレベルである場合には、被試験デバイスDUT1の保護回路66は、被試験デバイスDUT1の電源供給回路62と信号供給回路64に、スイッチング素子をオフにする制御信号CTL1を出力する。スイッチング素子をオフにする制御信号CTL1により、電源供給回路62では、スイッチング素子SW70、SW72がオフになり、信号供給回路64では、スイッチング素子SW80−1がオフになる。
これにより、被試験デバイスDUT1への電源の供給が停止し、信号の供給も停止する。このため、被試験デバイスDUT1に、テストが終了するまで過電圧や過電流が印加され続けるのを回避することができるとともに、被試験デバイスDUT1への過電圧や過電流の影響が、被試験デバイスDUT1に隣接する他の被試験デバイスに悪影響を及ぼすのを回避することができる。
特に、ウエハーレベルのテストにおいて、バーンインテストを行う場合、テスト時に被試験デバイスに印加する電圧が高くなり、テスト時間も長くなる傾向があり、被試験デバイスに印加される電圧や電流がリミット値の範囲内とはいえ、隣接する他の被試験デバイスへの影響も考えると好ましい状態とはいえない。本実施形態に係るウエハーテストシステム10によれば、電源や信号の供給が遮断された被試験デバイスは、テスト対象から外れることとなるが、隣接する被試験デバイスへの悪影響を排除することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態では、被試験デバイスに供給する電源の電圧と電流値の双方を監視して、電源の異常を検出するようにしたが、電源の異常を検出する手法は、これに限られるものではない。例えば、被試験デバイスに供給する電源の電圧だけを監視するようにしてもよいし、或いは、被試験デバイスに供給する電源の電流値だけを監視するようにしてもよい。
また、上述した実施形態では、被試験デバイスに信号を供給する出力ドライバDR80−1〜DR80−mに供給する電源と、この出力ドライバDR80−1〜DR80−mが出力する信号の電圧との双方を監視して、信号の異常を検出するようにしたが、信号の異常を検出する手法は、これに限られるものではない。例えば、被試験デバイスに信号を供給する出力ドライバDR80−1〜DR80−mに供給する電源だけを監視するようにしてもよいし、或いは、出力ドライバDR80−1〜DR80−mが出力する信号の電圧だけを監視するようにしてもよい。
さらに、上述した実施形態では、電源の異常を検出するための過電流過電圧検出回路70を電源供給回路62内に設けたが、過電流過電圧検出回路70を設ける位置は任意に変更可能である。同様に、上述した実施形態では、信号の異常を検出するための異常信号検出回路80を信号供給回路64内に設けたが、異常信号検出回路80を設ける位置は任意に変更可能である。
また、上述した実施形態においては、テスター装置30が複数の被試験デバイスを同時にテストすることができる場合を例に説明したが、テスター装置30が被試験デバイスを1つずつテストする場合にも、本発明を適用することができる。
本実施形態に係るウエハーテストシステムの全体的な構成を説明するための正面図である。 本実施形態に係るテストヘッドユニットとプローバ装置との間の接続関係の一例を説明するためのブロック図である。 本実施形態に係る電源・信号供給回路の回路構成の一例を説明するためのブロック図である。 本実施形態に係る過電流過電圧検出回路の回路構成の一例を説明するための回路図である。 本実施形態に係る異常信号検出回路の回路構成の一例を説明するための回路図である。 図5の異常信号検出回路の出力ドライバに入力される入力信号と、この出力ドライバから出力される出力信号の波形の一例を示す図である。
符号の説明
10 ウエハーテストシステム
20 プローバ装置
21 アーム支持ユニット
30 テスター装置
32 テストヘッドユニット
34 ケーブル
36 制御ユニット
60 電源・信号供給回路
62 電源供給回路
64 信号供給回路
66 保護回路
SG1 過電流検出信号
SG2 過電圧検出信号
SG3 レベル異常検出信号
SG4 過電流検出信号

Claims (7)

  1. ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うテスター装置であって、
    ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する電源を監視し、電源の異常があった場合に、これを検出する、電源異常検出回路と、
    ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号を監視し、信号の異常があった場合に、これを検出する、信号異常検出回路と、
    前記電源異常検出回路が電源の異常を検出した場合、及び/又は、前記信号異常検出回路が信号の異常を検出した場合に、被試験デバイスへの電源の供給と信号の供給を停止する、供給停止回路と、
    を備えることを特徴とするテスター装置。
  2. 前記電源異常検出回路は、被試験デバイスに供給する電源の電圧と電流とを監視し、前記電源の電圧と前記電源の電流値とのうち少なくとも一方が所定の基準値より高い場合には、電源の異常を検出したと判断する、ことを特徴とする請求項1に記載のテスター装置。
  3. 前記信号異常検出回路は、被試験デバイスに供給する信号の出力ドライバに供給するドライバ電源の電流を監視し、前記ドライバ電源の電流値が所定の基準値より高い場合には、信号の異常を検出したと判断する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のテスター装置。
  4. 前記信号異常検出回路は、被試験デバイスに供給する信号の電圧を監視し、前記信号の期待値の論理レベルがハイレベルである場合には、前記信号の電圧がハイレベル側基準電圧より低い場合に、信号の異常を検出したと判断し、前記信号の期待値の論理レベルがローレベルである場合には、前記信号の電圧がローレベル側基準電圧より高い場合に、信号の異常を検出したと判断する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のテスター装置。
  5. 被試験デバイスに電源を供給する電源供給回路と、
    被試験デバイスに信号を供給する信号供給回路とを、
    さらに備えており、
    前記電源異常検出回路は、前記電源供給回路に設けられており、
    前記信号異常検出回路は、前記信号供給回路に設けられている、
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のテスター装置。
  6. 当該テスター装置は、ウエハーに形成された複数の被試験デバイスを同時にテストすることが可能であり、
    前記電源異常検出回路は、各被試験デバイス毎に電源を監視し、前記信号異常検出回路は各被試験デバイスの各信号毎に信号を監視するとともに、
    前記供給停止回路は、電源及び/又は信号の異常が検出された被試験デバイスへの電源及び信号の供給を停止する、
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のテスター装置。
  7. ウエハーに形成されている被試験デバイスのテストを行うテスター装置の制御方法であって、
    ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する電源を監視し、電源の異常があった場合に、これを検出する工程と、
    ウエハーに形成されている被試験デバイスに供給する信号を監視し、信号の異常があった場合に、これを検出する工程と、
    前記電源の異常を検出した場合、及び/又は、前記信号の異常を検出した場合に、被試験デバイスへの電源の供給と信号の供給を停止する工程と、
    を備えることを特徴とするテスター装置の制御方法。
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