JP2009103694A - 物体表面の欠陥検査装置および方法 - Google Patents
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Abstract
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、
微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段180は、透明基板187が枠185を介して載置台34の上に設置される。異物付着防止手段180はベース186上に固定された2本の支柱184に回転可能に支持されたシャフト181がカップリング183でモータ182に連結されている。そして、2本に支柱184の間で、枠185の一部にシャフト181が挿入され、枠185及び透明基板187がシャフト181を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠185全体がシャフト181を軸としてZ方向に開閉する構造になっており、枠185及び透明基板187により、載置台34上のウェハ1を覆うことができる。
【選択図】図6
Description
上記載置台に配置された試料の表面に異物が付着することを異物付着防止手段により防止し、上記試料の表面に光を照射して、上記試料表面の欠陥を検出する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る物体表面の欠陥検査装置の概略構成図である。図1において、欠陥検査装置は、大きくは、照明光学系10,倍率可変検出光学系20,搬送系30,信号処理系40及び欠陥検査装置全体を制御する全体制御部50によって構成される。
図9はウェハ1をウェハカセット85から取り出して検査し、検査完了後ウェハカセット85に収納されるまでの一連動作を示す検査フローである。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。異物検査においてはウェハ1表面に透明な膜(例えば酸化膜)が形成された多層ウェハも検査する必要がある。この多層ウェハは、透明膜の上にパターンが形成される工程の繰り返しにより作られる。酸化膜等の透明膜が形成されたウェハ1上の異物検査において、酸化膜表面の異物のみを検出するニーズが高まっている。
この場合、イオン化エアーを流すと同時に搬送系30の下方左右方向から排気すると効果的である。なお、電源110の動作制御は、全体制御部50により制御される。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。この第3の実施形態は、図11に示すように、搬送系30の上に異なる種類のウェハ1を搭載可能な構成として、ウェハチャック225−1,225−2,チャックホルダ220−1,220−2から成る2個の載置台を欠陥検査装置の搬送系30上に設置した例である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。本発明の第4の実施形態は、欠陥検査装置に顕微鏡を付けた例である。この第4の実施形態の概略構成を図16に示す。なお、基本構成は、第1の実施形態と同様であるので、図示の簡略化のため、配置関係のみ図13に示す。
10 照明光学系
11 レーザ光源
20 検出光学系
25 光学フィルタ
30 搬送系
35 駆動回路
40 信号処理系
50 全体制御部
51 入出力手段
52 表示手段
53 記憶部
60 観察用光学系
70 瞳観察光学系
80 搬送ロボット
82 搬送アーム
155 裏面異物検査装置
180 異物付着防止手段
195 異物除去手段
300 端面検査装置
350 オリフラ検出光学系
1301 A/D変換器
1302 データ記憶部
1303 閾値算出処理部
1307 異物検出処理回路
1308 検査領域処理部
1309 特徴量算出回路(特徴量算出部)
1310 統合処理部
Claims (15)
- 光源と、載置台に配置された試料の表面に、上記光源からの光を照射する照射手段と、試料表面から反射された光を検出する光検出手段と、この光検出手段により検出された反射光に基づいて、上記試料表面の欠陥を検出する欠陥検出手段とを有する欠陥検査装置において、
上記載置台に配置された試料の表面に異物が付着することを防止する異物付着防止手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1記載の欠陥検査装置において、上記異物付着防止手段は、光を透過する透明基板と、この透明基板を移動可能に支持し、上記透明基板の上記載置台に配置された試料表面の上方への移動及び上記試料表面の上方からの移動を行う駆動手段とを有することを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項1記載の欠陥検査装置において、上記異物付着防止手段は、上記載置台の上方に配置され、浮遊粒子を吸着可能な誘電体部材であることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項1記載の欠陥検査装置において、上記試料の裏面に異物が付着しているか否かを検査する裏面異物検査手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項4記載の欠陥検査装置において、上記裏面異物検査手段により上記試料の裏面に異物が付着していると判断された場合、上記裏面に付着する異物を除去する異物除去手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項4記載の欠陥検査装置において、表示手段と、この表示手段の表示を制御する制御手段を備え、上記制御手段は、上記裏面異物検査手段により検出された異物が所定数以上の場合、上記載置台が汚染されている可能性があることを上記表示手段に表示させることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項1記載の欠陥検査装置において、2つの載置台を備え、これら2つの載置台は、異なる種類の試料に対応して設けられ、2つの載置台のそれぞれに、上記異物付着防止手段が配置されていることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項1記載の欠陥検査装置において、上記欠陥検出手段により検出された試料表面上の異物を確認する観察光学手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
- 載置台に配置された試料の表面に光を照射し、試料表面から反射された光を検出して、上記試料表面の欠陥を検出する欠陥検査方法において、
上記載置台に配置された試料の表面に異物が付着することを異物付着防止手段により防止し、上記試料の表面に光を照射して、上記試料表面の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項9記載の欠陥検査方法において、光を透過する透明基板を、上記載置台に配置された試料表面の上方へ移動し、試料の表面に異物が付着することを防止することを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項9記載の欠陥検査方法において、上記載置台の上方に浮遊粒子を吸着可能な誘電体部材を配置し、この誘電体部材により、浮遊粒子を吸着して、試料の表面に異物が付着することを防止することを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項9記載の欠陥検査方法において、上記試料の裏面に異物が付着しているか否かを検査することを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項12記載の欠陥検査方法において、上記試料の裏面に異物が付着していると判断された場合、上記裏面に付着する異物を除去することを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項12記載の欠陥検査方法において、上記試料の裏面に検出された異物が所定数以上の場合、上記載置台が汚染されている可能性があることを警告することを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項10記載の欠陥検査方法において、上記試料表面上に欠陥が検出されたとき、検出された異物を観察光学手段により確認することを特徴とする欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256945A JP5171524B2 (ja) | 2007-10-04 | 2008-10-02 | 物体表面の欠陥検査装置および方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007261311 | 2007-10-04 | ||
JP2007261311 | 2007-10-04 | ||
JP2008256945A JP5171524B2 (ja) | 2007-10-04 | 2008-10-02 | 物体表面の欠陥検査装置および方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012268936A Division JP5619120B2 (ja) | 2007-10-04 | 2012-12-10 | 試料搭載装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009103694A true JP2009103694A (ja) | 2009-05-14 |
JP5171524B2 JP5171524B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=40563174
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008256945A Expired - Fee Related JP5171524B2 (ja) | 2007-10-04 | 2008-10-02 | 物体表面の欠陥検査装置および方法 |
JP2012268936A Expired - Fee Related JP5619120B2 (ja) | 2007-10-04 | 2012-12-10 | 試料搭載装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012268936A Expired - Fee Related JP5619120B2 (ja) | 2007-10-04 | 2012-12-10 | 試料搭載装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8482728B2 (ja) |
JP (2) | JP5171524B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011007648A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2011138473A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-07-14 | Square Enix Co Ltd | リアルタイムなカメラ辞書 |
JP2014163712A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2015132497A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 検査装置および検査方法 |
KR101938476B1 (ko) * | 2014-09-10 | 2019-01-14 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본더 및 본딩 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8442659B2 (en) * | 2009-02-18 | 2013-05-14 | Mei, Llc | Rotary actuator position sensor |
JP5398595B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板収納装置 |
US20140055600A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Apple Inc. | In-line particle discrimination for cosmetic inspection |
US9671323B2 (en) * | 2015-05-06 | 2017-06-06 | Globalfoundries Inc. | Detection of foreign material on a substrate chuck |
JP6165297B1 (ja) * | 2016-06-13 | 2017-07-19 | 日本メクトロン株式会社 | 基板検査装置および基板製造方法 |
TWI613028B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 雷射加工裝置及雷射加工排屑裝置 |
CN110073203B (zh) | 2016-11-02 | 2022-07-08 | 康宁股份有限公司 | 检查透明基材上的缺陷的方法和设备 |
JP7183156B2 (ja) | 2016-11-02 | 2022-12-05 | コーニング インコーポレイテッド | 透明基板上の欠陥部の検査方法および装置並びに入射光の出射方法 |
KR101809009B1 (ko) * | 2017-08-02 | 2017-12-15 | 주식회사 제덱스 | 투명 또는 반투명 필름의 표면 이물 검출기 |
JP6954142B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2021-10-27 | オムロン株式会社 | 画像検査装置および照明装置 |
US10978331B2 (en) | 2018-03-30 | 2021-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for orientator based wafer defect sensing |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224105A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Kawasaki Steel Corp | 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法 |
JPH0739787A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | 集塵器 |
JPH07311157A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Hoya Corp | フォトマスク検査方法及びその装置 |
JPH08279460A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH11297595A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | X線露光方法、x線露光装置およびx線マスク |
JP2000019717A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | マスク検査装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP2002082056A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-22 | Olympus Optical Co Ltd | 大型基板検査装置 |
JP2004022980A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置 |
JP2004063923A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法 |
JP2004327546A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造システム |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643670A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-22 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | Destaticizing method |
JPS61100932A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH0781956B2 (ja) | 1985-10-16 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
DE3910710A1 (de) * | 1989-04-03 | 1990-10-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Optisch-elektrische mehrfachverbindung |
JPH0321358A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内の異物低減方法及び半導体製造装置 |
JP2843424B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1999-01-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造工程の量産立上げ及び量産ラインの異物検査方法及びその装置 |
JP3395797B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3243079B2 (ja) * | 1993-09-16 | 2002-01-07 | 株式会社日立製作所 | 大気圧昇温ガス脱離装置 |
JPH08114911A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Sony Corp | フォトマスク用ペリクル及びフォトマスク |
US5746928A (en) * | 1996-06-03 | 1998-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus |
JPH1020478A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 露光装置 |
US5761350A (en) * | 1997-01-22 | 1998-06-02 | Koh; Seungug | Method and apparatus for providing a seamless electrical/optical multi-layer micro-opto-electro-mechanical system assembly |
US6475353B1 (en) * | 1997-05-22 | 2002-11-05 | Sony Corporation | Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate |
US6204917B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Backside contamination inspection device |
US6774991B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-08-10 | Inspex Incorporated | Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer |
JP3793668B2 (ja) | 1999-08-24 | 2006-07-05 | 株式会社日立製作所 | 異物欠陥検査方法及びその装置 |
JP2001147198A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Akira Kawai | 試料表面の付着物検査システム,試料表面の付着物検査方法,試料表面の付着物除去システム,試料表面の付着物固着システム並びに試料表面の付着物処理システム |
JP2002050499A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電気除去用リング状ノズル及び静電気除去装置 |
US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
JP4010541B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2007-11-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着装置 |
KR100511854B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-09-02 | 아네르바 가부시키가이샤 | 정전 흡착 장치 |
US6900135B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Buffer station for wafer backside cleaning and inspection |
US7227628B1 (en) * | 2003-10-10 | 2007-06-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Wafer inspection systems and methods for analyzing inspection data |
JP2005283190A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査方法及びその装置 |
US7348786B2 (en) * | 2004-08-31 | 2008-03-25 | Georgia Tech Research Corporation | Probe module for testing chips with electrical and optical input/output interconnects, methods of use, and methods of fabrication |
US20060213537A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Thu Anh To | Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement |
KR100770853B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2007-10-26 | 삼성전자주식회사 | 광 모듈 |
US7999173B1 (en) * | 2007-03-21 | 2011-08-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Dust removal from solar cells |
US7542136B2 (en) * | 2007-07-03 | 2009-06-02 | International Business Machines Corporation | Flipping stage arrangement for reduced wafer contamination cross section and improved measurement accuracy and throughput |
US20090056761A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Au Po Lam Benny | Apparatus for maintaining a clean bonding enviroment |
-
2008
- 2008-10-02 JP JP2008256945A patent/JP5171524B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-03 US US12/244,958 patent/US8482728B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-10 JP JP2012268936A patent/JP5619120B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-11 US US13/915,161 patent/US8760643B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224105A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Kawasaki Steel Corp | 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法 |
JPH0739787A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | 集塵器 |
JPH07311157A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Hoya Corp | フォトマスク検査方法及びその装置 |
JPH08279460A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH11297595A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | X線露光方法、x線露光装置およびx線マスク |
JP2000019717A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | マスク検査装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP2002082056A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-22 | Olympus Optical Co Ltd | 大型基板検査装置 |
JP2004022980A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置 |
JP2004063923A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法 |
JP2004327546A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造システム |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011007648A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2011138473A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-07-14 | Square Enix Co Ltd | リアルタイムなカメラ辞書 |
JP2014163712A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2015132497A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 検査装置および検査方法 |
KR101938476B1 (ko) * | 2014-09-10 | 2019-01-14 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본더 및 본딩 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5171524B2 (ja) | 2013-03-27 |
JP5619120B2 (ja) | 2014-11-05 |
JP2013057683A (ja) | 2013-03-28 |
US20130269126A1 (en) | 2013-10-17 |
US8760643B2 (en) | 2014-06-24 |
US8482728B2 (en) | 2013-07-09 |
US20090103079A1 (en) | 2009-04-23 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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